專利名稱：雙通道液體制冷多量子阱半導(dǎo)體激光器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種多量子阱半導(dǎo)體激光器。
背景技術(shù)：
由于具有體積小、重量輕、使用電驅(qū)動、電光轉(zhuǎn)換效率高等優(yōu)點，半導(dǎo)體激光器在工業(yè)加工、軍事國防、航空航天、醫(yī)療衛(wèi)生等領(lǐng)域得到了越來越為廣泛的應(yīng)用。目前大多數(shù)商用半導(dǎo)體激光器為單量子阱結(jié)構(gòu)，芯片有源區(qū)由一個量子阱層構(gòu)成，而多量子阱半導(dǎo)體激光器芯片有源區(qū)由η個量子阱層構(gòu)成(η >2)。相對于單量子阱半導(dǎo)體激光器，多量子阱半導(dǎo)體激光器有其獨特的優(yōu)勢在尺寸保持不變的情況下，多量子阱半導(dǎo)體激光器最高輸出功率可達單量子阱半導(dǎo)體激光器的η倍；在相同的工作電流下，多量子阱半導(dǎo)體激光器的最高輸出功率可達單量子阱半導(dǎo)體激光器的η倍。因此多量子阱半導(dǎo)體激光器能夠大大降低系統(tǒng)體積以及對驅(qū)動電源的需求，對降低系統(tǒng)成本、擴展應(yīng)用范圍有重要的意義。半導(dǎo)體激光器的性能除了與芯片有關(guān)外，也跟激光器的散熱和封裝有密切的關(guān)系。為了提高激光器的可靠性和穩(wěn)定性，降低生產(chǎn)成本，必須設(shè)計高可靠性封裝結(jié)構(gòu)和高效散熱結(jié)構(gòu)。目前，大功率半導(dǎo)體激光器有被動冷卻型和主動冷卻型兩種封裝形式。被動冷卻主要采用熱傳導(dǎo)散熱，在連續(xù)波模式下工作的大塊熱沉而言，由于采用被動散熱方式，容易使激光器溫度上升，這將導(dǎo)致激光器的波長漂移、壽命和可靠性下降，輸出功率很難達到上百瓦。主動冷卻采用液體制冷方式散熱，微通道液體制冷型高功率半導(dǎo)體激光器現(xiàn)在已經(jīng)商業(yè)化生產(chǎn)，雖然其采用主動散熱，散熱能力增強，使激光器的功率得到很大的提高。對于多量子阱半導(dǎo)體激光器，由于其包括多個量子阱層，多個量子阱層會產(chǎn)生大量的熱量，必須設(shè)計合理的高效的散熱結(jié)構(gòu)，以提高其輸出功率、穩(wěn)定性及可靠性。但是通常的微通道液體制冷半導(dǎo)體激光器采用單面散熱結(jié)構(gòu)在芯片P面部分連接一微通道制冷塊以進行散熱，也可以作為正極引出；芯片N面連接金線或銅箔作為負極引出，不能實現(xiàn)散熱的功能{Wang et al. , Proceedings of Ilth on Electronic PackagingTechnology&High Density Packaging(ICEPT-HDP), P92-97, 2010;Vetrovec, J. andL. L. C. Aqwest (2009). , San Jose, CA, United states, SPIE. }。因此必須開發(fā)新型的散熱結(jié)構(gòu)，以使多量子阱半導(dǎo)體激光器穩(wěn)定可靠地工作。

實用新型內(nèi)容本實用新型提供了一種雙通道液體制冷多量子阱半導(dǎo)體激光器，以提高多量子阱半導(dǎo)體激光器的散熱效率，實現(xiàn)大功率的激光輸出。為實現(xiàn)以上實用新型目的，本實用新型提出以下基本技術(shù)方案雙通道液體制冷多量子阱半導(dǎo)體激光器，包括分別位于多量子阱芯片上方的上液體制冷器和下方的下液體制冷器、以及與多量子阱芯片處于同一層面用于隔離上、下液體制冷器的絕緣片；多量子阱芯片的負極面和/或正極面通過應(yīng)力緩沖導(dǎo)電層與上液體制冷器和/或下液體制冷器連接；應(yīng)力緩沖導(dǎo)電層的厚度使得多量子阱芯片位置處的總厚度與絕緣片位置處的總厚度相等。具體可以選擇以下三種結(jié)構(gòu)形式第一種上述應(yīng)力緩沖導(dǎo)電層僅為負極連接塊；多量子阱芯片的負極面通過負極連接塊與上液體制冷器的下端面焊接；或者所述應(yīng)力緩沖導(dǎo)電層還包括一個彎折的電連接片，該電連接片彎折形成有兩端平行的高、低兩段，其中電連接片的高段貼合在絕緣片的上端面與上液體制冷器的下端面之間，電連接片的低段貼合焊接在多量子阱芯片的負極面與所述負極連接塊的下端面之間。第二種上述應(yīng)力緩沖導(dǎo)電層僅為正極連接塊，多量子阱芯片的正極面通過正極連接塊與下液體制冷器的上端面焊接。第三種上述應(yīng)力緩沖導(dǎo)電層包括負極連接塊和正極連接塊，多量子阱芯片的負極面和正極面分別通過負極連接塊和正極連接塊與上液體制冷器和下液體制冷器焊接。對于上述的雙通道液體制冷多量子阱半導(dǎo)體激光器，可以在豎直方向上自上液體制冷器、絕緣片至下液體制冷器，內(nèi)部貫穿設(shè)置有固定螺栓。當然，也可以采用其他的公知的固定封裝方式。上述上、下液體制冷器可以采用上下連通的形式，即上液體制冷器的下端面與下液體制冷器的上端面之間設(shè)置有內(nèi)部入液通孔和內(nèi)部出液通孔，上液體制冷器與下液體制冷器通過所述內(nèi)部入液通孔和內(nèi)部出液通孔構(gòu)成整體的液冷通道。當然，上、下液體制冷器也可以不必液流相通，各自采用單獨的液冷回路。上述應(yīng)力緩沖導(dǎo)電層選用熱膨脹系數(shù)與多量子阱芯片熱膨脹系數(shù)接近的材料，優(yōu)選銅鎢合金或者銅金剛石復(fù)合材料，焊料均采用軟焊料。上液體制冷器和/或下液體制冷器與相應(yīng)的電連接塊最好為一體件。這樣可進一步降低熱阻?？紤]到更高的密封要求，可以在內(nèi)部入液通孔和內(nèi)部出液通孔處設(shè)置橡膠密封圈。對于以上提到的幾種具體的雙通道液體制冷多量子阱半導(dǎo)體激光器結(jié)構(gòu)，給出相應(yīng)的加工方法。第一種(包括電連接片)I)分別加工上液體制冷器和下液體制冷器及其內(nèi)部的液流通道；其中，下液體制冷器內(nèi)部的液流通道具有用以與外部的冷卻介質(zhì)源相接的進液端口和出液端口 ；根據(jù)設(shè)定的所述內(nèi)部入液通孔和內(nèi)部出液通孔的位置，上液體制冷器下端面和下液體制冷器的上端面留有豎直相對的內(nèi)部入液端口和內(nèi)部出液端口；2)在上液體制冷器和下液體制冷器的內(nèi)部加工出用以安裝固定螺栓的螺紋孔；(螺紋孔既可以是貫通上、下液體制冷器的通孔，也可以僅加工出一定深度的螺紋內(nèi)孔)3)根據(jù)設(shè)計的多量子阱芯片位置處的總厚度與絕緣片位置處的總厚度，選取絕緣片、彎折的電連接片和負極連接塊；其中，在絕緣片和彎折的電連接片上加工有分別對應(yīng)于固定通孔、內(nèi)部入液通孔和內(nèi)部出液通孔的豎直通孔；4)將多量子阱芯片的正極面焊接于下液體制冷器的上端面一側(cè)，上端面另一側(cè)焊接絕緣片，彎折的電連接片的高段和低段分別與絕緣片和多量子阱芯片的負極面焊接在一起；將負極連接塊的上端面與上液體制冷器的下端面焊接，負極連接塊的下端面與所述彎折的電連接片的低段焊接；5)采用固定螺栓將上、下液體制冷器對準安裝，制得所述雙通道液體制冷多量子 阱半導(dǎo)體激光器。第二種I)分別加工上液體制冷器和下液體制冷器及其內(nèi)部的液流通道；其中，下液體制冷器內(nèi)部的液流通道具有用以與外部的冷卻介質(zhì)源相接的進液端口和出液端口 ；根據(jù)設(shè)定的所述內(nèi)部入液通孔和內(nèi)部出液通孔的位置，上液體制冷器下端面和下液體制冷器的上端面留有豎直相對的內(nèi)部入液端口和內(nèi)部出液端口；2)在上液體制冷器和下液體制冷器的內(nèi)部加工出用以安裝固定螺栓的螺紋孔；(螺紋孔既可以是貫通上、下液體制冷器的通孔，也可以僅加工出一定深度的螺紋內(nèi)孔)3)根據(jù)設(shè)計的多量子阱芯片位置處的總厚度與絕緣片位置處的總厚度，選取絕緣片和正極連接塊；其中，在絕緣片上加工有分別對應(yīng)于固定通孔、內(nèi)部入液通孔和內(nèi)部出液通孔的豎直通孔；4)將正極連接塊的下端面與下液體制冷器的上端面一側(cè)焊接，將多量子阱芯片的正極面焊接于正極連接塊的上端面；下液體制冷器的上端面另一側(cè)焊接絕緣片；5)采用固定螺栓將上、下液體制冷器對準安裝，制得所述雙通道液體制冷多量子阱半導(dǎo)體激光器。第三種I)分別加工上液體制冷器和下液體制冷器及其內(nèi)部的液流通道；其中，下液體制冷器內(nèi)部的液流通道具有用以與外部的冷卻介質(zhì)源相接的進液端口和出液端口 ；根據(jù)設(shè)定的所述內(nèi)部入液通孔和內(nèi)部出液通孔的位置，上液體制冷器下端面和下液體制冷器的上端面留有豎直相對的內(nèi)部入液端口和內(nèi)部出液端口；2)在上液體制冷器和下液體制冷器的內(nèi)部加工出用以安裝固定螺栓的螺紋孔；(螺紋孔既可以是貫通上、下液體制冷器的通孔，也可以僅加工出一定深度的螺紋內(nèi)孔)3)根據(jù)設(shè)計的多量子阱芯片位置處的總厚度與絕緣片位置處的總厚度，選取絕緣片、負極連接塊和正極連接塊；其中，在絕緣片上加工有分別對應(yīng)于固定通孔、內(nèi)部入液通孔和內(nèi)部出液通孔的豎直通孔；4)將正極連接塊的下端面與下液體制冷器的上端面一側(cè)焊接，負極連接塊的上端面與上液體制冷器的下端面一側(cè)焊接，多量子阱芯片的負極面和正極面分別與負極連接塊和正極連接塊焊接；下液體制冷器的上端面另一側(cè)焊接絕緣片；5)采用固定螺栓將上、下液體制冷器對準安裝，制得所述雙通道液體制冷多量子阱半導(dǎo)體激光器。本實用新型具有以下技術(shù)效果I)散熱能力強。本實用新型采用上下兩個微通道制冷器，大大增加散熱面積，達到減小器件熱阻，提聞散熱能力的目的。2)可實現(xiàn)激光大功率輸出。本實用新型的液體制冷能力完全滿足低占空比準連續(xù)波的工作要求，能夠?qū)崿F(xiàn)大功率的激光輸出。3)降低對驅(qū)動電源的需求。例如對于單量子阱半導(dǎo)體激光器，實現(xiàn)500W的光功率，需要約500A的驅(qū)動電流；而對于包括η個量子阱層(η >2)的多量子阱半導(dǎo)體激光器，實現(xiàn)500W的光功率輸出，僅需要500/η的驅(qū)動電流。 4)單位體積輸出功率高。對于相同大小的單量子阱和多量子阱半導(dǎo)體激光器，包括η個量子阱層的多量子阱半導(dǎo)體激光器的輸出功率是單量子阱的η倍。 5)通過在芯片上部或下部設(shè)置與芯片熱膨脹系數(shù)(CTE)接近的應(yīng)力緩沖塊，可有效降低封裝過程中芯片上產(chǎn)生的應(yīng)力。6)壽命長、可靠性高。本實用新型的雙通道液體制冷多量子阱半導(dǎo)體激光器具有壽命長、可靠性高、穩(wěn)定性高和體型小的特點。


[0044]圖I為為本實用新型第一種結(jié)構(gòu)拆解圖；[0045]圖2為本實用新型第一種外形示意圖；[0046]圖3為本實用新型第二種結(jié)構(gòu)拆解圖；[0047]圖4為本實用新型第二種外形示意圖；[0048]圖5為本實用新型第三種結(jié)構(gòu)拆解圖；[0049]圖6為本實用新型第三種外形示意圖；[0050] 閱圖7為本實用新型制備的雙液體808nm多量子阱半導(dǎo)體激光器制冷器的外形示意圖;圖8為本實用新型制備的808nm多量子阱半導(dǎo)體激光器樣品的LIV測試結(jié)果；[0052]圖9為本實用新型制備的808nm多量子阱半導(dǎo)體激光器樣品的光譜測試結(jié)果。[0053]其中I為上液體制冷器；2為下液體制冷器；3為負極連接塊；4為正極連接塊；5
為多量子阱半導(dǎo)體激光器芯片；6為絕緣片，7為負極連接片。
具體實施方式
以下結(jié)合附圖對本實用新型做進一步詳細描述實施例I :參見圖I、圖2，本實用新型的雙液體制冷多量子阱半導(dǎo)體激光器，包括上液體制冷器I、下液體制冷器2、負極連接塊3、負極連接片7、多量子阱半導(dǎo)體激光器芯片5、絕緣片6。下液體制冷器2、多量子阱半導(dǎo)體激光器芯片5、絕緣片6、負極連接片7、負極連接塊3、上液體制冷器I依次自下而上層疊連接在一起。上液體制冷器和下液體制冷器的材質(zhì)為高導(dǎo)熱率的金屬或合金材料，可以是銅、金、金剛石、銅金剛石復(fù)合材料或者多晶硅等。上液體制冷器I、下液體制冷器2、絕緣片3和負極連接片7上分別對應(yīng)開設(shè)有垂直于平面的(用于連通兩個液體制冷器的)內(nèi)部入液通孔和內(nèi)部出液通孔。各部件上的入液通孔依次層疊，使上、下液體制冷器的內(nèi)部液流通道連通，組成整體的單向循環(huán)的液冷通道。為了達到更好的密封效果，可以分別在各入液通孔和各出液通孔之間設(shè)置橡膠圈，達到整個入液通道和出液通道的良好密封效果。下液體制冷器2、絕緣片6和負極連接片7的中部設(shè)有垂直于平面的固定通孔。所述上液體制冷器I的下端面中部設(shè)有螺紋孔，所述下液體制冷器2上設(shè)有螺栓，所述螺栓分別穿過下液體制冷器2、絕緣片6和負極連接片7上的固定通孔，旋于螺紋孔中使各部件被連接成一體。下液體制冷器的一側(cè)上端設(shè)有芯片5，芯片5的正極面與下液體制冷器焊接貼合，芯片5的負極面與負極連接片7焊接貼合。經(jīng)多次樣品制作實踐發(fā)現(xiàn)，在實際加工過程中，實施例I的加工工藝較實施例2、3更易于操作、滿足設(shè)計指標。本實用新型的雙微通道液體制冷多量子阱半導(dǎo)體激光器制備方法如下I)采用高導(dǎo)熱率材料制備上液體制冷器I和下液體制冷器2 ；2)將上液體制冷器I和下液體制冷器2進行可焊接處理；3)將芯片5的正極面通過焊料貼在下液體制冷器上；4)將負極連接片7焊接在芯片5的負極面上；5)將負極連接塊3焊接在上制冷器I上；6)將焊接好的負極連接塊3和上制冷器I整體通過焊料連接在負極連接片7上；7)用連接螺釘依次穿過下液體制冷器2、絕緣片6、負極連接片7、上液體制冷器I中部的固定通孔，螺釘最后旋在上液體制冷器I上的螺紋孔內(nèi)，將各部件緊密連接起來，這樣就組成了本實用新型的基于雙液體制冷的多量子阱半導(dǎo)體激光器。本實用新型的工作原理如下工作時，在下液體制冷器(正極)和負極接線孔上加電壓。激光器芯片5正常工作，工作時發(fā)出的熱量利用冷卻液的循環(huán)流動帶走。冷卻液通過下液體制冷器2的進液端口進入，冷卻液在下液體制冷器2的液流通道內(nèi)形成湍流。冷卻液充滿入液孔，直接帶走芯片5產(chǎn)生大部分的熱量；冷卻液由內(nèi)部入液通孔依次經(jīng)過絕緣片6、負極連接片7到上液體制冷器1，再進入經(jīng)過上液體制冷器I內(nèi)的液流通道，再由內(nèi)部出液通孔依次經(jīng)過負極連接片、絕緣片6回到下液體制冷器1，最后通過下液體制冷器2的出液端口排出，經(jīng)冷水機將熱量散去后又重新進入下液體制冷器的進液端口，形成單向的液流循環(huán)制冷。冷卻液在入液通道和出液通道里完全密封，以防止因冷卻劑泄露而對半導(dǎo)體激光器造成損壞。本實用新型的冷卻介質(zhì)進出口位置除采用上述的結(jié)構(gòu)外，也可以采用上液體制冷器入液和出液的方式。還可以將冷卻介質(zhì)進出口位置設(shè)計在上、下液體制冷器兩端。具體冷卻液的循環(huán)形式要根據(jù)激光器的安裝方式以及外部配件的設(shè)置確定。上液體制冷器與下液體制冷器的位置以液冷通道的相應(yīng)設(shè)計也可以相互置換，應(yīng)當視為本實用新型等同的技術(shù)方案。本實用新型的上液體制冷器、負極塊可以采用一體的結(jié)構(gòu)，也可以采用獨立的結(jié)構(gòu)。實施例2 參見圖3、圖4，本實用新型的雙液體制冷多量子阱半導(dǎo)體激光器，包括上液體制冷器I、下液體制冷器2、負極連接塊3、正極連接塊4、多量子阱半導(dǎo)體激光器芯片5、絕緣片
6。上液體制冷器I、下液體制冷器2、絕緣片6上分別對應(yīng)設(shè)有垂直于平面的入液通孔和出液通孔。負極連接塊3和正極連接塊4選用CuW材料，其CTE與芯片接近，能夠大大降低施加在芯片上的應(yīng)力。相對于實施例1，實施例2沒有采用負極連接片2，而多了正極連接塊4，能夠更好地達到緩沖芯片應(yīng)力的效果。其加工方法可參考實施例I。實施例3 參見圖5、圖6，本實用新型的雙液體制冷多量子阱半導(dǎo)體激光器，包括上液體制冷器I、下液體制冷器2、負極連接塊3、多量子阱半導(dǎo)體激光器芯片5、絕緣片6。上液體制冷器I、下液體制冷器2、絕緣片6上分別對應(yīng)設(shè)有垂直于平面的入液通孔和出液通孔。負極連接塊采用CuW材料，起到緩沖芯片應(yīng)力的效果。相對于實施例2，本實施例沒有在芯片5和下液體制冷器2之間采用正極連接塊，只在芯片5和上液體制冷器2之間采用了負極連接塊3。半導(dǎo)體激光器芯片5和下液體制冷器2通過焊料直接相連，芯片產(chǎn)生的熱量能夠直接通過下液體制冷器擴散，提高了散熱效率。其加工方法可參考實施例I。根據(jù)本實用新型實施例I的方案，制作出了 808nm，500W微通道液體制冷多量子阱多量子阱半導(dǎo)體激光器，其外形如圖7所示。圖8及圖9所示為808nm單陣列半導(dǎo)體激光器樣品的L-I-V曲線及光譜測試結(jié)果。(I)如圖8所示，在脈沖(50Hz，IOOus) 230A的工作條件下，其最高輸出光功率為514. 8W。激光器的閾值電流為37.82A，斜坡效率為2. 73W/A，典型的電光轉(zhuǎn)換效率為55. 96%ο(2)如圖9所示，使用本實用新型專利制作的半導(dǎo)體激光器樣品，波長808nm，功率250W的光譜測試結(jié)果，其峰值波長為803. 44nm,中心波長為803. 25nm, FffHM為2. 61nm，F(xiàn)W90%E 為 4. 47nm。
權(quán)利要求1.雙通道液體制冷多量子阱半導(dǎo)體激光器，包括分別位于多量子阱芯片上方的上液體制冷器和下方的下液體制冷器、以及與多量子阱芯片處于同一層面用于隔離上、下液體制冷器的絕緣片；多量子阱芯片的負極面和/或正極面通過應(yīng)力緩沖導(dǎo)電層與上液體制冷器和/或下液體制冷器連接；應(yīng)力緩沖導(dǎo)電層的厚度使得多量子阱芯片位置處的總厚度與絕緣片位置處的總厚度相等。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的雙通道液體制冷多量子阱半導(dǎo)體激光器，其特征在于所述應(yīng)力緩沖導(dǎo)電層僅為負極連接塊；多量子阱芯片的負極面通過負極連接塊與上液體制冷器的下端面焊接；或者所述應(yīng)力緩沖導(dǎo)電層還包括一個彎折的電連接片，該電連接片彎折形成有兩端平行的高、低兩段，其中電連接片的高段貼合焊接在絕緣片的上端面與上液體制冷器的下端面之間，電連接片的低段貼合焊接在多量子阱芯片的負極面與所述負極連接塊的下端面之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的雙通道液體制冷多量子阱半導(dǎo)體激光器，其特征在于所述應(yīng)力緩沖導(dǎo)電層僅為正極連接塊，多量子阱芯片的正極面通過正極連接塊與下液體制冷器的上端面焊接。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的雙通道液體制冷多量子阱半導(dǎo)體激光器，其特征在于所述應(yīng)力緩沖導(dǎo)電層包括負極連接塊和正極連接塊，多量子阱芯片的負極面和正極面分別通過負極連接塊和正極連接塊與上液體制冷器和下液體制冷器焊接。
5.根據(jù)權(quán)利要求I至4任一所述的雙通道液體制冷多量子阱半導(dǎo)體激光器，其特征在于在豎直方向上自上液體制冷器、絕緣片至下液體制冷器，內(nèi)部貫穿設(shè)置有固定螺栓。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的雙通道液體制冷多量子阱半導(dǎo)體激光器，其特征在于上液體制冷器的下端面與下液體制冷器的上端面之間設(shè)置有內(nèi)部入液通孔和內(nèi)部出液通孔，上液體制冷器與下液體制冷器通過所述內(nèi)部入液通孔和內(nèi)部出液通孔構(gòu)成整體的液冷通道。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的雙通道液體制冷多量子阱半導(dǎo)體激光器，其特征在于應(yīng)力緩沖導(dǎo)電層采用銅鎢合金或者銅金剛石復(fù)合材料；焊料均采用軟焊料。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的雙通道液體制冷多量子阱半導(dǎo)體激光器，其特征在于上液體制冷器和/或下液體制冷器與相應(yīng)的電連接塊為一體件。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的雙通道液體制冷多量子阱半導(dǎo)體激光器，其特征在于在內(nèi)部入液通孔和內(nèi)部出液通孔處設(shè)置有橡膠密封圈。
專利摘要本實用新型提供了一種雙通道液體制冷多量子阱半導(dǎo)體激光器，以提高多量子阱半導(dǎo)體激光器的散熱效率，實現(xiàn)大功率的激光輸出。該雙通道液體制冷多量子阱半導(dǎo)體激光器，包括分別位于多量子阱芯片上方的上液體制冷器和下方的下液體制冷器、以及與多量子阱芯片處于同一層面用于隔離上、下液體制冷器的絕緣片；多量子阱芯片的負極面和/或正極面通過應(yīng)力緩沖導(dǎo)電層與上液體制冷器和/或下液體制冷器連接；應(yīng)力緩沖導(dǎo)電層的厚度使得多量子阱芯片位置處的總厚度與絕緣片位置處的總厚度相等。本實用新型采用上下兩個微通道制冷器，大大增加散熱面積，達到減小器件熱阻，提高散熱能力的目的。
文檔編號H01S5/024GK202772419SQ20122024675
公開日2013年3月6日 申請日期2012年5月29日 優(yōu)先權(quán)日2012年5月29日
發(fā)明者張普, 王警衛(wèi), 梁雪杰, 宗恒軍, 劉興勝 申請人:西安炬光科技有限公司