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      高可靠性x2電容器的制作方法

      文檔序號(hào):7119714閱讀:388來(lái)源:國(guó)知局
      專(zhuān)利名稱(chēng):高可靠性x2電容器的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本實(shí)用新型涉及電容器結(jié)構(gòu)的改進(jìn)技術(shù),具體涉及X2安規(guī)電容器結(jié)構(gòu)的改進(jìn)技術(shù)。
      背景技術(shù)
      X2電容器,即X2安規(guī)電容器,它可抑制電源電磁干擾用電容器,它適用于在電容器失效時(shí)不會(huì)導(dǎo)致電擊危險(xiǎn)的場(chǎng)合,如電源跨線路連接,可承受2. 5kV的脈沖電壓。傳統(tǒng)的X2電容焊接采用常規(guī)焊接,接觸面積小,在一些使用要求較高的場(chǎng)合,容易出現(xiàn)開(kāi)路或焊接傷膜引起損耗增大,造成電容器再使用過(guò)程中炸板,很難達(dá)到要求。
      實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型提供一種高可靠性X2電容器,本實(shí)用新型解決現(xiàn)有的X2電容器不具有高可靠性的問(wèn)題。為解決上述問(wèn)題,本實(shí)用新型采用如下技術(shù)方案高可靠性X2電容器,包括電容器本體和引出線;以金屬化聚丙膜為介質(zhì),兩層介質(zhì)上面分別鍍有作為電極的金屬鍍層,介質(zhì)和電極卷繞、環(huán)氧包封形成電容器本體;在金屬鍍層邊沿噴金層CP線彎折焊接引出線。本實(shí)用新型的電容器主要使用在用于支架電源跨線部分,電源輸入的L/N跨接進(jìn)行EMI抑制用,和輸入口并聯(lián)使用。由于此電容器工作時(shí)間長(zhǎng),要求電容器損耗小,可靠性高。采用焊接引出線打扁,增加引出線的接觸面積減小損耗。在切引出線采用打彎的技術(shù),有效固定芯子的位置。電容器引出線居中,腳距一致性好安裝方便。本實(shí)用新型是一種高可靠性能、低損耗電容器。本實(shí)用新型電容器,高頻損耗小,自身升溫小,可靠性高、耐熱能力強(qiáng),介質(zhì)性能穩(wěn)定,還具有較強(qiáng)的防潮能力及抗溫度沖擊能力,主要用于電源跨線部分,電源輸入的L/N跨接進(jìn)行EMI抑制用,和輸入口并聯(lián)使用電路,又能長(zhǎng)期在100°C工作環(huán)境下正常工作。該種電容器安全性能高、高可靠、安全環(huán)保、阻燃性能高,外觀一致性好能夠在高頻率、大電流的場(chǎng)合下應(yīng)用。

      圖I是本實(shí)用新型主視圖;圖2是圖I的側(cè)視圖;圖3是本實(shí)用新型電容器本體的截面圖。圖中符號(hào)說(shuō)明W :電容器本體寬;H:電容器本體高度;;T :電容器本體厚度;Ρ :弓I出線間距離;d :引出線直徑;1 :金屬化薄膜留邊量;2 :金屬化聚丙膜寬度;3 :錯(cuò)邊量及噴金層;4 :金屬鍛層覽度;5 :引出線。
      具體實(shí)施方式
      下面用最佳的實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型做詳細(xì)的說(shuō)明。[0013]如圖1-3所示,高可靠性X2電容器,包括電容器本體和引出線;以金屬化聚丙膜為介質(zhì),兩層介質(zhì)上面分別鍍有作為電極的金屬鍍層,介質(zhì)和電極卷繞、環(huán)氧包封形成電容器本體;在金屬鍍層邊沿焊接引出線,引出線彎折引出。最后應(yīng)說(shuō)明的是顯然,上述實(shí)施例僅僅是為清楚地說(shuō)明本實(shí)用新型所作的舉例,而并非對(duì)實(shí)施方式的限定。對(duì)于所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō),在上述說(shuō)明的基礎(chǔ)上還可以做出其它不同形式的變化或變動(dòng)。這里無(wú)需也無(wú)法對(duì)所有的實(shí)施方式予以窮舉。而由此所引申出的顯而易見(jiàn)的變化或變動(dòng)仍處于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之 中。
      權(quán)利要求1.高可靠性X2電容器,包括電容器本體和引出線;其特征在于,以金屬化聚丙膜為介 質(zhì),兩層介質(zhì)上面分別鍍有作為電極的金屬鍍層,介質(zhì)和電極卷繞、環(huán)氧包封形成電容器本體;在金屬鍍層邊沿噴金層CP線彎折焊接引出線。
      專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)了一種高可靠性X2電容器,涉及電容器結(jié)構(gòu)的改進(jìn)技術(shù),具體涉及X2安規(guī)電容器結(jié)構(gòu)的改進(jìn)技術(shù)。包括電容器本體和引出線;以金屬化聚丙膜為介質(zhì),兩層介質(zhì)上面分別鍍有作為電極的金屬鍍層,介質(zhì)和電極卷繞、灌封環(huán)氧包封和塑殼形成電容器本體;在金屬鍍層邊沿噴金層CP線彎折焊接引出線。本實(shí)用新型提供一種高可靠性X2電容器,本實(shí)用新型解決現(xiàn)有的X2電容器不具有高可靠性的問(wèn)題。
      文檔編號(hào)H01G4/224GK202695137SQ20122024998
      公開(kāi)日2013年1月23日 申請(qǐng)日期2012年5月28日 優(yōu)先權(quán)日2012年5月28日
      發(fā)明者薛永 申請(qǐng)人:佛山市南海區(qū)欣源電子有限公司
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