專利名稱：一種aao多孔納米膜高容量電容的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型屬于電子領(lǐng)域的電子元件，特別涉及ー種AAO多孔納米膜高容量電容。
背景技術(shù)：
電容是“儲(chǔ)存電荷的容器”，在電子制作中經(jīng)常需要用到各種各樣的電容，它們?cè)陔娐分蟹謩e起著不同的作用。電容的品種繁多，分為容量固定的電容與容量可變的電容，不同的電容儲(chǔ)存電荷的能力也不相同。在電子線路中，電容用來通過交流而阻隔直流，也用來存儲(chǔ)和釋放電荷以充當(dāng)濾波器，平滑輸出脈動(dòng)信號(hào)。小容量的電容，通常在高頻電路中使用，如收音機(jī)、發(fā)射機(jī)和振蕩器中。大容量的電容往往是作濾波和存儲(chǔ)電荷用。一般IuF以上的電容均為電解電容，而I μ F以下的電容多為瓷片電容，除此之外，還有其他的電容，比如獨(dú)石電容、滌綸電容、小容量的云母電容等。在所有類型的電容中，由于電解電容有個(gè) 鋁殼，里面充滿了電解質(zhì)，并引出兩個(gè)電扱，作為正、負(fù)極，與其它電容不同，它們?cè)陔娐分械臉O性不能接錯(cuò)，而其他電容則沒有極性。電容的充電即電容極板間建立起電壓，積蓄起電能；電容的放電即電容儲(chǔ)存的電荷向電路釋放的過程。電容的基本作用就是充電與放電，但由這種基本充放電作用所延伸出來的許多電路現(xiàn)象，使得電容有著種種不同的用途，例如在電動(dòng)馬達(dá)中，我們用它來產(chǎn)生相移；在照相閃光燈中，用它來產(chǎn)生高能量的瞬間放電等等。很多電子產(chǎn)品中，電容都是必不可少的電子元器件，它在電子設(shè)備中充當(dāng)整流器的平滑濾波、電源和退耦、交流信號(hào)的旁路、交直流電路的交流稱合等。隨著電子科技領(lǐng)域的發(fā)展，高能量密度的小體積大容量電容的價(jià)值和重要性越來越高，而電容的的容量在介電常數(shù)一定的情況下，與有效電極的面積成正比，同時(shí)與正負(fù)電極的間距即電介質(zhì)的厚度成反比的。因此，提高電容的能量密度，減小正負(fù)電極的間距，降低電介質(zhì)的厚度是急需解決的問題。
發(fā)明內(nèi)容為解決上述問題，本實(shí)用新型公開了ー種AAO多孔納米膜高容量電容，通過降低電介質(zhì)的厚度，提高了電容的能量密度，同時(shí)還降低了大容量電容的生產(chǎn)成本，提高了企業(yè)的效益。本實(shí)用新型公開的ー種AAO多孔納米膜高容量電容，包括殼體、電介質(zhì)、正電極、負(fù)電極、正極引腳和負(fù)極引腳，所述陽極氧化鋁多孔納米膜的層狀結(jié)構(gòu)的電介質(zhì)包括底部的阻隔層和納米多孔層，所述的阻隔層與正電極貼合。本實(shí)用新型公開的ー種AAO多孔納米膜高容量電容，通過以陽極氧化鋁多孔納米膜為電介質(zhì)，實(shí)現(xiàn)了對(duì)電解電容的電介質(zhì)厚度的控制，提高了電解電容的能量密度，提高了電容的容量，同時(shí)還便于生產(chǎn)，降低了電容的生產(chǎn)成本，提高了企業(yè)的效益和市場競爭力。本實(shí)用新型公開的ー種AAO多孔納米膜高容量電容的一種改進(jìn)，所述的納米多孔層的納米孔中沉積有納米導(dǎo)線。本改進(jìn)通過在納米多孔層中沉積納米導(dǎo)線，實(shí)現(xiàn)了以陽極氧化鋁多孔納米膜的阻隔層為電介質(zhì)，進(jìn)一歩地降低了電容中電介質(zhì)的厚度，提高了電容的能量密度，降低了電容的體積，進(jìn)而降低了對(duì)產(chǎn)品體積和安裝空間的要求，降低了電容及其應(yīng)用廣品的體積和生廣成本，提聞了電容以及相關(guān)廣品生廣廠商的生廣成本，提聞了市場競爭力。本實(shí)用新型公開的ー種AAO多孔納米膜高容量電容的一種改進(jìn)，所述的納米多孔層的外表面上鍍有金鍍層或者銀鍍層的鍍層。本改進(jìn)通過在納米多孔層的外表面鍍金鍍層或者銀鍍層，有利于提高納米多孔層中沉積形成的納米導(dǎo)線與負(fù)電極連接的緊密程度，有效地提高了電容的有效電極面積，避免產(chǎn)品連接缺陷而導(dǎo)致的產(chǎn)品的缺陷，提高了電容生產(chǎn)的合格率，降低了企業(yè)的生產(chǎn)成本，提高了企業(yè)的生產(chǎn)效益。本實(shí)用新型公開的ー種AAO多孔納米膜高容量電容的一種改進(jìn)，所述的阻隔層的厚度為10-30nm。本改進(jìn)通過設(shè)置阻隔層的厚度，有利于保證電容批次產(chǎn)品質(zhì)量的穩(wěn)定性， 提高了產(chǎn)品的質(zhì)量，降低了次品率，降低了企業(yè)的生產(chǎn)成本，提高了企業(yè)的效益。本實(shí)用新型公開的ー種AAO多孔納米膜高容量電容的又一種改進(jìn)，所述的納米多孔層的納米孔的直徑為40nm-2 μ m。本改進(jìn)通過采用大直徑的納米孔，有利于提高了電容的有效電極面積，提高了電容的能量密度，減小了電容以及相關(guān)產(chǎn)品的體積，降低了電容及相關(guān)產(chǎn)品的體積和生產(chǎn)成本，提高了企業(yè)的效益和市場競爭力。本實(shí)用新型更快的ー種AAO多孔納米膜高容量電容，通過采用陽極氧化鋁多孔納米膜為電介質(zhì)，并在模板的納米孔中沉積納米導(dǎo)線、采用大孔的納米模板和在納米多孔層外表面鍍金鍍層和銀鍍層等的手段充分地降低了電容的電介質(zhì)的厚度，從而有效地提高了電容的能量密度，減小了電容及相關(guān)產(chǎn)品的體積，降低了電容及相關(guān)產(chǎn)品的體積和生產(chǎn)成本，提高了生產(chǎn)企業(yè)的效益和市場競爭力。

圖I、本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2、本實(shí)用新型的電介質(zhì)的斷面圖；附圖標(biāo)記列表1、殼體，2、正電極，3、負(fù)電扱，4、正極引腳，5、負(fù)極引腳，6、阻隔層，
7、納米導(dǎo)線，8、鍍層。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式
，進(jìn)ー步闡明本實(shí)用新型，應(yīng)理解下述具體實(shí)施方式
僅用于說明本實(shí)用新型而不用于限制本實(shí)用新型的范圍。需要說明的是，下面描述中使用的詞語“前”、“后”、“左”、“右”、“上”和“下”指的是附圖中的方向，詞語“內(nèi)”和“外”分別指的是朝向或遠(yuǎn)離特定部件幾何中心的方向。如圖I和圖2所示，本實(shí)用新型公開的ー種AAO多孔納米膜高容量電容，包括殼體
I、電介質(zhì)、正電極2、負(fù)電極3、正極引腳4和負(fù)極引腳5，所述陽極氧化鋁多孔納米膜的層狀結(jié)構(gòu)的電介質(zhì)包括底部的阻隔層6和納米多孔層，所述的阻隔層6與正電極2貼合。本實(shí)用新型公開的ー種AAO多孔納米膜高容量電容，通過以陽極氧化鋁多孔納米膜為電介質(zhì)，實(shí)現(xiàn)了對(duì)電解電容的電介質(zhì)厚度的控制，提高了電解電容的能量密度，提高了電容的容量，同時(shí)還便于生產(chǎn)，降低了電容的生產(chǎn)成本，提高了企業(yè)的效益和市場競爭力。作為ー種優(yōu)選，所述的納米多孔層的納米孔中沉積有納米導(dǎo)線7。納米導(dǎo)線7為金屬導(dǎo)線或者導(dǎo)電高分子導(dǎo)線等，例如聚酰亞胺納米線、鋁納米線、金納米線等，甚至可以為碳納米管。本實(shí)用新型公開的ー種AAO多孔納米膜高容量電容，通過在納米多孔層中沉積納米導(dǎo)線，實(shí)現(xiàn)了以陽極氧化鋁多孔納米膜的阻隔層為電介質(zhì)，進(jìn)ー步地降低了電容中電介質(zhì)的厚度，提高了電容的能量密度，降低了電容的體積，進(jìn)而降低了對(duì)產(chǎn)品體積和安裝空間的要求，降低了電容及其應(yīng)用產(chǎn)品的體積和生產(chǎn)成本，提高了電容以及相關(guān)產(chǎn)品生產(chǎn)廠商的生產(chǎn)成本，提高了市場競爭力。作為ー種優(yōu)選，所述的納米多孔層的外表面上鍍有金鍍層或者銀鍍層的鍍層8。本 實(shí)用新型公開的ー種AAO多孔納米膜高容量電容，通過在納米多孔層的外表面鍍金鍍層或者銀鍍層，有利于提高納米多孔層中沉積形成的納米導(dǎo)線與負(fù)電極連接的緊密程度，有效地提高了電容的有效電極面積，避免產(chǎn)品連接缺陷而導(dǎo)致的產(chǎn)品的缺陷，提高了電容生產(chǎn)的合格率，降低了企業(yè)的生產(chǎn)成本，提高了企業(yè)的生產(chǎn)效益。作為ー種優(yōu)選，所述的阻隔層6的厚度為10_30nm。本實(shí)用新型公開的ー種AAO多孔納米膜高容量電容，通過設(shè)置阻隔層的厚度，有利于保證電容批次產(chǎn)品質(zhì)量的穩(wěn)定性，堤高了產(chǎn)品的質(zhì)量，降低了次品率，降低了企業(yè)的生產(chǎn)成本，提高了企業(yè)的效益。作為ー種優(yōu)選，所述的納米多孔層的納米孔的直徑為40nm_2 μ m。本實(shí)用新型公開的ー種AAO多孔納米膜高容量電容，通過采用大直徑的納米孔，有利于提高了電容的有效電極面積，提高了電容的能量密度，減小了電容以及相關(guān)產(chǎn)品的體積，降低了電容及相關(guān)產(chǎn)品的體積和生產(chǎn)成本，提高了企業(yè)的效益和市場競爭力。本實(shí)用新型公開的AAO多孔納米膜采用恒電流法或者恒電壓法，以拋光鋁為電極電解磷酸電解液或者硫酸電解液或者草酸電解液電解制得。本實(shí)用新型更快的ー種AAO多孔納米膜高容量電容，通過采用陽極氧化鋁多孔納米膜為電介質(zhì)，并在模板的納米孔中沉積納米導(dǎo)線、采用大孔的納米模板和在納米多孔層外表面鍍金鍍層和銀鍍層等的手段充分地降低了電容的電介質(zhì)的厚度，從而有效地提高了電容的能量密度，減小了電容及相關(guān)產(chǎn)品的體積，降低了電容及相關(guān)產(chǎn)品的體積和生產(chǎn)成本，提高了生產(chǎn)企業(yè)的效益和市場競爭力。本實(shí)用新型方案所公開的技術(shù)手段不僅限于上述技術(shù)手段所公開的技術(shù)手段，還包括由以上技術(shù)特征任意組合所組成的技術(shù)方案。以上所述是本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式
，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本實(shí)用新型原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和潤飾，這些改進(jìn)和潤飾也視為本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求1.ー種AAO多孔納米膜高容量電容，包括殼體、電介質(zhì)、正電極、負(fù)電極、正極引腳和負(fù)極引腳，其特征在干所述陽極氧化鋁多孔納米膜的層狀結(jié)構(gòu)的電介質(zhì)包括底部的阻隔層和納米多孔層，所述的阻隔層與正電極貼合。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的ー種AAO多孔納米膜高容量電容，其特征在于所述的納米多孔層的納米孔中沉積有納米導(dǎo)線。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的ー種AAO多孔納米膜高容量電容，其特征在于所述的納米多孔層的外表面上鍍有金鍍層或者銀鍍層的鍍層。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的ー種AAO多孔納米膜高容量電容，其特征在于所述的阻隔 層的厚度為10-30nm。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的ー種AAO多孔納米膜高容量電容，其特征在于所述的納米多孔層的納米孔的直徑為40nm-2 μ m。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種AAO多孔納米膜高容量電容，包括殼體、電介質(zhì)、正電極、負(fù)電極、正極引腳和負(fù)極引腳，所述陽極氧化鋁多孔納米膜的層狀結(jié)構(gòu)的電介質(zhì)包括底部的阻隔層和納米多孔層，所述的阻隔層與正電極貼合。本實(shí)用新型提高了電容的容量，減小了大容量電容的體積，降低了大容量電容的生產(chǎn)成本，提高了企業(yè)的效益。
文檔編號(hào)H01G9/07GK202650847SQ201220275990
公開日2013年1月2日 申請(qǐng)日期2012年6月13日 優(yōu)先權(quán)日2012年6月13日
發(fā)明者王艷麗, 譚德新 申請(qǐng)人:安徽理工大學(xué)