專(zhuān)利名稱：一種薄膜太陽(yáng)能芯片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及太陽(yáng)能芯片，具體涉及一種薄膜太陽(yáng)能芯片。
背景技術(shù)：
薄膜太陽(yáng)能光伏電池能提供大面積，低成本的有效公共電力發(fā)電，現(xiàn)有的薄膜銅銦鎵硒芯片在鍍膜過(guò)程中，必須調(diào)離真空系統(tǒng)，進(jìn)行切割成型，使兩個(gè)鄰近薄膜芯片的頂層及底層電極能串聯(lián)，一般鑰底層電極的成型是使用光刻濕法，或激光切割；這些工藝必須將尚未封裝的銅銦鎵硒半成品芯片暴露大氣，引起針孔的產(chǎn)生；同時(shí)，當(dāng)若使用機(jī)械切割，它對(duì)玻璃基板造成的損傷，或使用高溫激光切割時(shí)，它對(duì)其薄膜的損傷等，故此，將兩個(gè)鄰近薄膜“芯片”的頂層和底層電極串聯(lián)，所需進(jìn)行的切割成型，是一項(xiàng)十分耗時(shí)的工藝，需將使半成品芯片暴露大氣，制造薄膜太陽(yáng)能芯片受污染，有針孔，影響生產(chǎn)效率
實(shí)用新型內(nèi)容
·本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種無(wú)針孔并能夠大量生產(chǎn)的薄膜太陽(yáng)能
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心/T O為解決上述的技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型通過(guò)以下方案來(lái)實(shí)現(xiàn)一種薄膜太陽(yáng)能芯片，I. O微米標(biāo)準(zhǔn)厚度的銅銦鎵硒薄膜層電鍍?cè)贗. O毫米標(biāo)準(zhǔn)厚度的玻璃基板上，中間有鑰薄膜所述銅銦鎵硒薄膜層上面鍍有硫化鎘薄膜層、氧化鋅絕緣層和透明導(dǎo)電氧化鋅參鋁薄膜層，所述玻璃基板內(nèi)有光刻膠或其它絕緣體，還鋪有金屬電極薄膜。所述透明導(dǎo)電氧化鋅參鋁薄膜層上鍍鎳。所述鎳上有導(dǎo)電鋁薄膜，該導(dǎo)電鋁薄膜上面加上一層保護(hù)鎳薄膜。所述保護(hù)鎳薄膜上有鈉鈣覆蓋玻璃。本實(shí)用新型薄膜太陽(yáng)能芯片在生產(chǎn)成型過(guò)程中銅銦鎵硒芯片的鑰電極層有O. 35微米，使用較厚的光刻膠或其它絕緣體，上面鋪上金屬電極薄膜，在濺射薄膜時(shí)，整個(gè)薄膜層濺射過(guò)程無(wú)需離開(kāi)真空環(huán)境，避免了薄膜芯片受污染，能大批量的生產(chǎn)。

圖I為本實(shí)用新型的橫截面圖。
具體實(shí)施方式
如圖I所示，一種薄膜太陽(yáng)能芯片，I. O微米標(biāo)準(zhǔn)厚度的銅銦鎵硒薄膜層3電鍍?cè)?br> I.O毫米標(biāo)準(zhǔn)厚度的玻璃基板上1，中間有鑰薄膜2所述銅銦鎵硒薄膜層3上面鍍有硫化鎘薄膜層4、氧化鋅絕緣層5和透明導(dǎo)電氧化鋅參鋁薄膜層6，所述玻璃基板I內(nèi)有光刻膠或其它絕緣體，還鋪有金屬電極薄膜，透明導(dǎo)電氧化鋅參鋁薄膜層6上鍍鎳7，該鎳7上有導(dǎo)電鋁薄膜8，該導(dǎo)電鋁薄膜8上面加上一層保護(hù)鎳薄膜9，該保護(hù)鎳薄膜9上有鈉鈣覆蓋玻璃10。[0011]實(shí)施例圖I所示，是事先在玻璃基板I上鋪好橫桿蔭罩，將鑰真空濺射，覆蓋于上，使用光刻膠鋪蓋玻璃基板I上，形成凸出的橫柱，使鑰電極在芯片與芯片間斷開(kāi)，一般的有機(jī)發(fā)光二極管的薄膜厚度只有O. 06微米，而銅銦鎵硒芯片的鑰電極層有O. 35微米，因此我們需要使用較厚的光刻膠或其它絕緣體，上面鋪上金屬電極薄膜，鑰以上的三層薄膜，芯片間隔是5到20毫米，假設(shè)上層的負(fù)電極-氧化鋅的電阻是400hms/sq，厚度是O. 15微米。以上的幾何形狀是可以適應(yīng)我們建議的接觸蔭罩橫桿，則防止濺射鍍膜到芯片間的間隔，省除掉切割工藝，無(wú)需用切割方式，切開(kāi)一條已鍍上薄膜材料的間隔，我們建議的蔭罩可以是一張繃緊的金屬鐵片，也可以是鋼絲，保證蔭罩的平整，沒(méi)有扭曲，影響芯片間的間隔的完好，繃緊的金屬絲可支撐蔭罩鋼絲，不必在金屬蔭罩上加添橫向達(dá)橋，此外，我們將使用定向性的蔭罩，可保證電鍍材料能垂直濺射于玻璃基板上，通常情況下，為此目的的蔭罩架可以使用5英寸X 5英寸大小的鋼架，典型鋼絲的直徑是50+/-10微米，圓狀金屬鋼絲，在框架兩邊拉緊，并在加熱時(shí)收緊，方便在450 deg C高溫濺射銅銦鎵硒薄膜時(shí)，仍有 足夠的張力，保持良好的蔭罩功能。蔭罩絲網(wǎng)的線寬要隨時(shí)做好記錄，保證任何時(shí)候不超過(guò)+/-15微米的偏差。金屬蔭罩需盡量靠近靶材，使濺射離子成垂直方向。此做法之另一優(yōu)點(diǎn)是促使最窄的線寬成型，進(jìn)而提高電池的轉(zhuǎn)換效率。銅銦鎵硒薄膜層3的基板溫度控制在400C到520C，銅銦鎵硒薄膜層3使用脈沖直流濺射，氧化鋅及硫化鎘使用射頻濺射，由于無(wú)需離開(kāi)真空狀態(tài)，針孔的形成會(huì)減小，絕緣層被取消的可能，也有可能避免使用有毒的鎘，在鍍上負(fù)電極-氧化鋅薄膜層后，并在真空環(huán)境內(nèi)或大氣環(huán)境退火后，玻璃基板需電鍍很薄一層O. 05微米的鎳和3微米的鋁方塊導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)層，這兩層薄膜皆能在真空系統(tǒng)鍍膜。
權(quán)利要求1.一種薄膜太陽(yáng)能芯片，其特征在于1. O微米標(biāo)準(zhǔn)厚度的銅銦鎵硒薄膜層(3)電鍍?cè)贗. O毫米標(biāo)準(zhǔn)厚度的玻璃基板上(I)，中間有鑰薄膜(2)所述銅銦鎵硒薄膜層(3)上面鍍有硫化鎘薄膜層(4)、氧化鋅絕緣層(5)和透明導(dǎo)電氧化鋅參鋁薄膜層￠)，所述玻璃基板(I)內(nèi)有光刻膠或其它絕緣體，還鋪有金屬電極薄膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的薄膜太陽(yáng)能芯片，其特征在于所述透明導(dǎo)電氧化鋅參鋁薄膜層(6)上鍍鎳(7)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜太陽(yáng)能芯片，其特征在于所述鎳(7)上有導(dǎo)電鋁薄膜(8)，該導(dǎo)電鋁薄膜(8)上面加上一層保護(hù)鎳薄膜(9)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的薄膜太陽(yáng)能芯片，其特征在于所述保護(hù)鎳薄膜(9)上有鈉鈣覆蓋玻璃(10)。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)了一種薄膜太陽(yáng)能芯片，1.0微米標(biāo)準(zhǔn)厚度的銅銦鎵硒薄膜層電鍍?cè)?.0毫米標(biāo)準(zhǔn)厚度的玻璃基板上，中間有鉬薄膜所述銅銦鎵硒薄膜層上面鍍有硫化鎘薄膜層、氧化鋅絕緣層和透明導(dǎo)電氧化鋅參鋁薄膜層，所述玻璃基板內(nèi)有光刻膠或其它絕緣體，還鋪有金屬電極薄膜，透明導(dǎo)電氧化鋅參鋁薄膜層上鍍鎳，鎳上有導(dǎo)電鋁薄膜，該導(dǎo)電鋁薄膜上面加上一層保護(hù)鎳薄膜，保護(hù)鎳薄膜上有鈉鈣覆蓋玻璃，避免了薄膜芯片受污染，能大批量的生產(chǎn)。
文檔編號(hào)H01L31/0224GK202721143SQ20122032136
公開(kāi)日2013年2月6日 申請(qǐng)日期2012年7月4日 優(yōu)先權(quán)日2012年7月4日
發(fā)明者彭壽, 馬給民, 保羅·比帝, 向光, 王蕓 申請(qǐng)人:廣東凱盛光伏技術(shù)研究院有限公司, 東莞日陣薄膜光伏技術(shù)有限公司, 廣東凱盛光電科技有限公司