專利名稱：超薄全波整流器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種整流器，尤其涉及一種超薄型全波整流器。
背景技術(shù)：
目前市場(chǎng)上已有的橋式整流器的組裝方式為立式組裝，即為垂直方向上的多層堆疊結(jié)構(gòu)，并用環(huán)氧樹脂來(lái)包覆其結(jié)構(gòu)，其封裝方法比較簡(jiǎn)單，可實(shí)現(xiàn)在一模具上依序進(jìn)行封裝，共效率高，但也存在多個(gè)缺陷，如正、負(fù)極為對(duì)角線位置、體積較大，不利于其內(nèi)部晶片散熱，也不適應(yīng)于高度集成要求體積小的電路上。專利公告號(hào)為CN 2369338Y公開了一 種橋式整流器01，如圖1所示，是以立式封裝的方式進(jìn)行封裝，包括四晶粒02，每二晶粒02堆疊排列在一起，于上、下二晶粒02中各利用焊錫片04以連接一第一支腳03，使第一支腳03與晶粒02形成電連接，且二第一支腳03是于晶粒02的同一側(cè)；另有二第二支腳05分別連接上層二晶粒02與下層二晶粒02，晶粒02與第二支腳05間亦以焊錫片04相連接，以形成電連接，第二支腳05則位于晶粒02的另一側(cè)，且第二支腳05與第一支腳03是沿相對(duì)方向延伸，即晶粒02 二側(cè)的第一支腳03與第二支腳05是相對(duì)稱，并同時(shí)往晶粒02的下方彎曲延伸。最外層的膠體06，包覆晶粒以及第一支腳03與第二支腳05的一部份。本現(xiàn)有技術(shù)為立式多層結(jié)構(gòu)，雖可利用快速的封裝方式，但制作成的產(chǎn)品體積大，工序復(fù)雜、需耗費(fèi)更多的原、料晶粒間的散熱不佳，長(zhǎng)時(shí)間處于工作狀態(tài)下易產(chǎn)生老化，使所應(yīng)用的電子線路出現(xiàn)供電故障。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型實(shí)施例所要解決的技術(shù)問(wèn)題在于，提供一種超薄全波整流器。可利用晶片的特殊的排列結(jié)構(gòu)，將本產(chǎn)品的體積縮小的同時(shí)還提高了晶片的散熱性能。為了解決上述技術(shù)問(wèn)題，本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種超薄全波整流器，其具有四個(gè)晶片，為同一平面上的四邊形排列，且相鄰周邊上的晶片極性為異-同依次交替排列；四個(gè)電極觸片，分為上、下層兩組電極觸片，所述上層兩電極觸片分別用于電連接所述四個(gè)晶片上表面同極性的兩個(gè)晶片；所述下層兩電極觸片分別用于電連接所述四個(gè)晶片下表面的同一方向上的異極性的兩個(gè)晶片；封裝膠體，包覆所述晶片以及所述電極觸片。進(jìn)步一地，所述上層電極觸片的引腳方向?yàn)橥瑐?cè)，所述下層電極觸片的引腳方向?yàn)樗錾蠈右_的相對(duì)稱方向。進(jìn)步一地，根據(jù)權(quán)利要求2所述的超薄全波整流器，其特征在于，所述引腳的腳距為 2. 5mm 或 4. Omnin進(jìn)一步地，所述晶片為STD、FR、HER、SF、SKY之一的晶片材料。更進(jìn)一步地，，所述電極觸片與晶片之間通過(guò)焊錫片電連接。[0013]作為本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式，連接晶片P面的電極觸片表面具有凸起的觸點(diǎn)。作為本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式，所述四邊形排列呈平行四邊形陣列或方形陣列。作為本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式，所述四個(gè)電極觸片的材質(zhì)為銅所制成。作為本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式，所述四個(gè)電極觸片的引腳為鍍錫銅。作為本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式，所述電極觸片經(jīng)過(guò)熱處理。實(shí)施本實(shí)用新型實(shí)施例，具有如下有益效果本實(shí)用新型的晶片與電極觸片的結(jié)構(gòu)排列緊湊，可制作成比現(xiàn)有技術(shù)的芯片更為薄的整流器，且引腳的腳距以及晶片的類型 可根據(jù)實(shí)際應(yīng)用進(jìn)行選擇，如可制作為STD、FR、HER、SF、SKY整流器，使得本實(shí)用新型應(yīng)用靈活、高效率、高可靠性，且四個(gè)晶片為平面放置結(jié)構(gòu)，產(chǎn)品可直接緊貼于PC板的散熱面上，具有更佳的散熱性能，使PN結(jié)的溫度控制在合理的溫度范圍內(nèi)，提高了工作效率。

圖1是現(xiàn)有的橋式整流器的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是本實(shí)用新型第一實(shí)施例的整體結(jié)構(gòu)示意圖；圖3是本實(shí)用新型第一實(shí)施例的電極觸片與晶片的組裝結(jié)構(gòu)示意圖；圖4是第一實(shí)施例的爆炸結(jié)構(gòu)示意圖；圖5是本實(shí)用新型第二實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖6是本發(fā)明第二實(shí)施例的整體結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
為使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步地詳細(xì)描述。實(shí)施例1 :參照?qǐng)D2、圖3、圖4所示的本實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。在本實(shí)用新型實(shí)施例的超薄全波整流器10中，包含了四個(gè)晶片11，四個(gè)電極觸片12a、12b，四個(gè)晶片為一平面上的四邊形分布排列，各邊上的晶片以上表面的極性為參照，極性依次為“異-同-異-同”排列，使得其中一對(duì)邊的晶片各自極性相同，且其對(duì)邊之間極性相異，本實(shí)施中優(yōu)選將晶片11排布成平行四邊形或方形，而為了使結(jié)構(gòu)更加緊湊合理，本實(shí)施例優(yōu)選為平行四邊形分布，平行四邊形分布是指各晶片中心線上形成平行四邊形分布，如圖3所示結(jié)構(gòu)。四個(gè)電極觸片分為上層兩電極觸片12a、下層兩電極觸片12b，上層兩電極觸片12a分別電連接四個(gè)晶片11上表面中的極性相同的兩個(gè)晶片，即電極觸片121電連接兩極性排列相同的晶片111的上表面，電極觸片122電連接另一極性相同的兩晶片112的上表面，且晶片111與晶片112極性相異；而下層兩電極觸片12b則分別電連接四個(gè)晶片11下表面中同一方向上的相異的晶片，同一方向上的相異的晶片是指同一周邊上的兩個(gè)下表面極性相異的晶片，即電極觸片123、124分別電連接四個(gè)晶片下表面上同一側(cè)上的相異極性的晶片，如圖4所不，晶片111的上表面為負(fù)極性，晶片112上表面為正極性。[0030]需要進(jìn)行說(shuō)明的是晶片可根據(jù)對(duì)逆向恢復(fù)時(shí)間的要求選用不同的芯片，可組裝成STD、FR、HER、SF、SKY之一的橋式整流器，本實(shí)施例優(yōu)選為STD普通橋式整流器。為了使電極觸片12a、12b與晶片11表面有可靠的電連接，其之前通過(guò)焊錫13a、13b進(jìn)行連接，連接同一極性的晶片表面的電極觸片上設(shè)置凸起的觸點(diǎn)14，本實(shí)施中，凸起的觸點(diǎn)14優(yōu)選設(shè)置于連接晶片的正極一面上，即P面，如圖4所示。需要進(jìn)行說(shuō)明的是，呈上、下層分布的電極觸片12a、12b將四個(gè)晶片11連接成如圖5所示的電路原理圖所示的電連接。為了使正、負(fù)極同向，上層兩電極觸片12a的引腳方向?yàn)橥瑐舍?，下層兩電極觸片12b的引腳方向?yàn)樯蠈觾呻姌O觸片12a的引腳方向的相對(duì)稱方向，引腳呈S型，當(dāng)然也可制作成直插型，本實(shí)用新型在此不做限定，如圖3、圖4所示結(jié)構(gòu)示意圖。需要進(jìn)行說(shuō)明的是，引腳的腳距可根據(jù)實(shí)際應(yīng)用進(jìn)行設(shè)置，如常用的2. 5mm與4. Omm,本實(shí)施例選擇4. Omm進(jìn)行說(shuō)明，如圖2所示。電極觸片12a、12b的材質(zhì)均為銅片，且銅片經(jīng)過(guò)了熱處理，使得其具有更佳的組織和應(yīng)力狀態(tài)，有利于與晶片11保持牢固的電連接，而電極觸片的引腳則為易于焊接的鍍錫銅。本實(shí)施例的拼接結(jié)構(gòu)示意圖如圖2、圖3所示，封閉膠體15為環(huán)氧樹脂材料，將晶片11與電極觸片12a、12b進(jìn)行封裝，其厚度為1. 4mm。實(shí)施例2 在本實(shí)施例中，選擇使用晶片為FR芯片組裝成FR快速整流器，使得本實(shí)施例的超薄全波整流器的反向恢復(fù)時(shí)間為150 1500nS之間，并且將腳距設(shè)置為2. 5mm，如圖6所示結(jié)構(gòu)封裝示意圖，其它結(jié)構(gòu)與實(shí)施例1描述一致，在此不重復(fù)說(shuō)明。實(shí)施例3 在本實(shí)施例中，選擇使用晶片為SF芯片組裝成SF快速整流器，使得本實(shí)施例的超薄全波整流器的反向恢復(fù)時(shí)間為15 35nS之間，并且將腳距設(shè)置為4. 0mm，其它結(jié)構(gòu)與實(shí)施例I描述一致，在此不重復(fù)說(shuō)明。實(shí)施例4:在本實(shí)施例中，選擇使用晶片為SKY芯片組裝成肖特基橋式整流器，使得本實(shí)施例的超薄全波整流器的反向恢復(fù)時(shí)間為7. 5 15nS之間，并且將腳距設(shè)置為4. Omm,其它結(jié)構(gòu)與實(shí)施例1描述一致，在此不重復(fù)說(shuō)明。以上所述是本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本實(shí)用新型原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和潤(rùn)飾，這些改進(jìn)和潤(rùn)飾也視為本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求1.一種超薄全波整流器，其特征在于，其具有四個(gè)晶片，為同一平面上的四邊形排列，且相鄰周邊上的晶片極性為異-同依次交替排列；四個(gè)電極觸片，分為上、下層兩組電極觸片，所述上層兩電極觸片分別用于電連接所述四個(gè)晶片上表面同極性的兩個(gè)晶片；所述下層兩電極觸片分別用于電連接所述四個(gè) 晶片下表面的同一方向上的異極性的兩個(gè)晶片；封裝膠體，包覆所述晶片以及所述電極觸片。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超薄全波整流器，其特征在于，所述上層電極觸片的引腳方向?yàn)橥瑐?cè)，所述下層電極觸片的引腳方向?yàn)樗錾蠈右_的相對(duì)稱方向。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的超薄全波整流器，其特征在于，所述引腳的腳距為2.5mm或4.Omnin
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超薄全波整流器，其特征在于，所述晶片為STD、FR、HER、SF、 SKY之一的晶片材料。
5.根據(jù)權(quán)利要求1 4任一項(xiàng)所述的超薄全波整流器，其特征在于，所述電極觸片與晶片之間通過(guò)焊錫片電連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的超薄全波整流器，其特征在于，連接晶片P面的電極觸片表面具有凸起的觸點(diǎn)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超薄全波整流器，其特征在于，所述四邊形排列呈平行四邊形排列或方形排列。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超薄全波整流器，其特征在于，所述四個(gè)電極觸片的材質(zhì)為銅所制成。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的超薄全波整流器，其特征在于，所述四個(gè)電極觸片的引腳為鍍錫銅。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的超薄全波整流器，其特征在于，所述電極觸片經(jīng)過(guò)熱處理。
專利摘要本實(shí)用新型實(shí)施例公開了一種超薄全波整流器，具有四個(gè)晶片，為同一平面上的四邊形排列，且相鄰周邊上的晶片極性為異-同依次交替排列；四個(gè)電極觸片，分為上、下層兩組電極觸片，所述上層兩電極觸片分別用于電連接所述四個(gè)晶片上表面同極性的兩個(gè)晶片；所述下層兩電極觸片分別用于電連接所述四個(gè)晶片下表面的同一方向上的異極性的兩個(gè)晶片；封裝膠體，包覆所述晶片以及所述電極觸片。采用本實(shí)用新型，可制作成比現(xiàn)有技術(shù)的芯片更為薄的整流器，且引腳的腳距以及晶片的類型可根據(jù)實(shí)際應(yīng)用進(jìn)行選擇，使得本實(shí)用新型應(yīng)用靈活，且四個(gè)晶片為平面放置結(jié)構(gòu)，產(chǎn)品可直接緊貼于PC板的散熱面上，具有更佳的散熱性能，使PN結(jié)的溫度控制在合理的范圍內(nèi)，提高了工作效率。
文檔編號(hào)H01L23/48GK202839600SQ201220324658
公開日2013年3月27日 申請(qǐng)日期2012年7月6日 優(yōu)先權(quán)日2012年7月6日
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