專利名稱：一種具有過壓保護結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管芯片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種發(fā)光二極管芯片，尤其是一種具有過壓保護結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管芯片。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有的發(fā)光二極管芯片主要由N電極、N型摻雜半導(dǎo)體層、發(fā)光區(qū)、P型摻雜半導(dǎo)體層、P電極和襯底疊加而成。由于芯片的尺寸微小，其工作電壓只有幾伏，而靜電都在幾千伏，在生產(chǎn)過程中極易被環(huán)境中的靜電擊穿損壞
實用新型內(nèi)容
本實用新型提供了一種防止靜電擊穿損壞的具有過壓保護結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管芯片。實現(xiàn)本實用新型目的的具有過壓保護結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管芯片，包括襯底、位于襯底上的P型摻雜半導(dǎo)體層，位于P型摻雜半導(dǎo)體層上的P電極和發(fā)光層，位于所述發(fā)光層上的N型摻雜半導(dǎo)體層，位于所述N型摻雜半導(dǎo)體層上的N電極，所述P型摻雜半導(dǎo)體層、發(fā)光層和N型摻雜半導(dǎo)體層的左側(cè)設(shè)有壓敏保護層，所述發(fā)光層和N型摻雜半導(dǎo)體層的右側(cè)也設(shè)有壓敏保護層。本實用新型的具有過壓保護結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管芯片的有益效果如下本實用新型的具有過壓保護結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管芯片，由于在N型摻雜半導(dǎo)體層與P型摻雜半導(dǎo)體層之間連接有壓敏保護層，在發(fā)光層兩側(cè)設(shè)有壓敏保護層，因此可以保護發(fā)光層被靜電擊穿，防止芯片的損壞。

圖I為本實用新型的具有過壓保護結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管芯片的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式
如圖I所示，本實用新型的具有過壓保護結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管芯片，包括襯底6、位于襯底上6的P型摻雜半導(dǎo)體層5，位于P型摻雜半導(dǎo)體層5上的P電極2和發(fā)光層4，位于所述發(fā)光層4上的N型摻雜半導(dǎo)體層3，位于所述N型摻雜半導(dǎo)體層3上的N電極1，所述P型摻雜半導(dǎo)體層5、發(fā)光層4和N型摻雜半導(dǎo)體層3的左側(cè)設(shè)有壓敏保護層7，所述發(fā)光層4和N型摻雜半導(dǎo)體層3的右側(cè)也設(shè)有壓敏保護層7。本實用新型的具有過壓保護結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管芯片的有益效果如下本實用新型的具有過壓保護結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管芯片，由于在N型摻雜半導(dǎo)體層與P型摻雜半導(dǎo)體層之間連接有壓敏保護層，在發(fā)光層兩側(cè)設(shè)有壓敏保護層，因此可以保護發(fā)光層被靜電擊穿，防止芯片的損壞。上面所述的實施例僅僅是對本實用新型的優(yōu)選實施方式進行描述，并非對本實用新型的范圍進行限定，在不脫離本實用新型設(shè)計精神前提下，本領(lǐng)域普通工程技術(shù)人員對 本實用新型技術(shù)方案做出的各種變形和改進，均應(yīng)落入本實用新型的權(quán)利要求書確定的保護范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種具有過壓保護結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管芯片，其特征在于包括襯底、位于襯底上的P型摻雜半導(dǎo)體層，位于P型摻雜半導(dǎo)體層上的P電極和發(fā)光層，位于所述發(fā)光層上的N型摻雜半導(dǎo)體層，位于所述N型摻雜半導(dǎo)體層上的N電極，所述P型摻雜半導(dǎo)體層、發(fā)光層和N型摻雜半導(dǎo)體層的左側(cè)設(shè)有壓敏保護層，所述發(fā)光層和N型摻雜半導(dǎo)體層的右側(cè)也設(shè)有壓敏保護層。
專利摘要本實用新型提供了一種防止靜電擊穿損壞的具有過壓保護結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管芯片，包括襯底、位于襯底上的P型摻雜半導(dǎo)體層，位于P型摻雜半導(dǎo)體層上的P電極和發(fā)光層，位于所述發(fā)光層上的N型摻雜半導(dǎo)體層，位于所述N型摻雜半導(dǎo)體層上的N電極，所述P型摻雜半導(dǎo)體層、發(fā)光層和N型摻雜半導(dǎo)體層的左側(cè)設(shè)有壓敏保護層，所述發(fā)光層和N型摻雜半導(dǎo)體層的右側(cè)也設(shè)有壓敏保護層。本實用新型的具有過壓保護結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管芯片，由于在N型摻雜半導(dǎo)體層與P型摻雜半導(dǎo)體層之間連接有壓敏保護層，在發(fā)光層兩側(cè)設(shè)有壓敏保護層，因此可以保護發(fā)光層被靜電擊穿，防止芯片的損壞。
文檔編號H01L33/44GK202772177SQ20122033127
公開日2013年3月6日 申請日期2012年7月10日 優(yōu)先權(quán)日2012年7月10日
發(fā)明者王四新, 劉先章, 宋亞美 申請人:北京瑞普北光電子有限公司