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      一種用于元器件芯片焊接的金屬端子表面結(jié)構(gòu)的制作方法

      文檔序號(hào):7125266閱讀:135來(lái)源:國(guó)知局
      專利名稱:一種用于元器件芯片焊接的金屬端子表面結(jié)構(gòu)的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體元器件封裝技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種用于元器件芯片焊接的金屬端子表面結(jié)構(gòu)。
      背景技術(shù)
      一般元器件的焊接時(shí),如芯片或者金屬端子表面可焊性不良時(shí),經(jīng)常發(fā)現(xiàn)錫膏鋪錫不均勻的現(xiàn)象,焊接質(zhì)量和焊接良率均受到影響
      實(shí)用新型內(nèi)容
      本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問(wèn)題在于針對(duì)上述技術(shù)所存在的不足而提供一種用于元器件芯片焊接的金屬端子表面結(jié)構(gòu),該金屬端子表面結(jié)構(gòu)相比光滑的金屬表面能使鋪錫更均勻,有效提聞焊接質(zhì)量和焊接良率。本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問(wèn)題可以通過(guò)以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)一種用于元器件芯片焊接的金屬端子表面結(jié)構(gòu),包括金屬端子,其特征在于,在所述金屬端子的焊接面上開設(shè)有供錫膏融化后流動(dòng)的凹槽。所述凹槽為回字形凹槽。所述凹槽為田字形凹槽。所述凹槽為網(wǎng)格化凹槽。由于在金屬端子表面上開設(shè)有供錫膏融化后流動(dòng)的凹槽,相比光滑的金屬表面能使鋪錫更均勻,有效提聞焊接質(zhì)量和焊接良率。

      圖I為現(xiàn)有金屬端子的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為本實(shí)用新型用于元器件芯片焊接的金屬端子表面結(jié)構(gòu)實(shí)施例I的正面結(jié)構(gòu)示意圖。圖3為圖2的側(cè)視圖。圖4為本實(shí)用新型用于元器件芯片焊接的金屬端子表面結(jié)構(gòu)實(shí)施例2的正面結(jié)構(gòu)示意圖。圖5為圖4的側(cè)視圖。圖6為本實(shí)用新型用于元器件芯片焊接的金屬端子表面結(jié)構(gòu)實(shí)施例13的正面結(jié)構(gòu)示意圖。圖7為圖6的側(cè)視圖。
      具體實(shí)施方式
      以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式
      來(lái)進(jìn)一步描述本實(shí)用新型。實(shí)施例I[0019]參見圖2和圖3,圖中給出的一種用于元器件芯片焊接的金屬端子表面結(jié)構(gòu),包括金屬端子10,在金屬端子10的焊接面11上開設(shè)有供錫膏融化后流動(dòng)的回字形凹槽12。實(shí)施例2參見圖4和圖5,圖中給出的一種用于元器件芯片焊接的金屬端子表面結(jié)構(gòu),包括金屬端子20,在金屬端子20的焊接面21上開設(shè)有供錫膏融化后流動(dòng)的田字形凹槽22。實(shí)施例3 參見圖6和圖7,圖中給出的一種用于元器件芯片焊接的金屬端子表面結(jié)構(gòu),包括金屬端子30,在金屬端子30的焊接面31上開設(shè)有供錫膏融化后流動(dòng)的網(wǎng)格形凹槽32。
      權(quán)利要求1.一種用于元器件芯片焊接的金屬端子表面結(jié)構(gòu),包括金屬端子,其特征在于,在所述金屬端子的焊接面上開設(shè)有供錫膏融化后流動(dòng)的凹槽。
      2.如權(quán)利要求I所述的一種用于元器件芯片焊接的金屬端子表面結(jié)構(gòu),其特征在于,所述凹槽為回字形凹槽。
      3.如權(quán)利要求I所述的一種用于元器件芯片焊接的金屬端子表面結(jié)構(gòu),其特征在于,所述凹槽為田字形凹槽。
      4.如權(quán)利要求I所述的一種用于元器件芯片焊接的金屬端子表面結(jié)構(gòu),其特征在于,所述凹槽為網(wǎng)格化凹槽。
      專利摘要本實(shí)用新型公開的一種用于元器件芯片焊接的金屬端子表面結(jié)構(gòu),包括金屬端子,其特征在于,在所述金屬端子的焊接面上開設(shè)有供錫膏融化后流動(dòng)的凹槽。由于在金屬端子表面上開設(shè)有供錫膏融化后流動(dòng)的凹槽,相比光滑的金屬表面能使鋪錫更均勻,有效提高焊接質(zhì)量和焊接良率。
      文檔編號(hào)H01L23/488GK202712168SQ20122034975
      公開日2013年1月30日 申請(qǐng)日期2012年7月18日 優(yōu)先權(quán)日2012年7月18日
      發(fā)明者陳建中, 袁斌, 王曉偉, 丁嗣彬, 潘文正, 李偉亮 申請(qǐng)人:上海同福矽晶有限公司
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