專利名稱：一種真空滅弧室新型縱磁線圈構(gòu)造的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種真空滅弧室新型縱磁線圈構(gòu)造，屬于真空滅弧室技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
真空滅弧室是真空開(kāi)關(guān)的關(guān)鍵原件，擔(dān)負(fù)控制電弧的任務(wù)，電路的切斷與關(guān)合都靠真空滅弧室中的觸頭來(lái)完成，如圖3和圖4在現(xiàn)有的小型真空滅弧室中，以觸頭座開(kāi)口端為上方，其滅弧所用的杯狀縱磁觸頭的觸頭座線圈構(gòu)成包括一個(gè)觸頭座，圓環(huán)上方開(kāi)有凹槽，凹槽下開(kāi)有沿圓環(huán)圓周旋轉(zhuǎn)的斜槽，斜槽為貫通結(jié)構(gòu)，在加工及焊接過(guò)程中，容易發(fā)生端面變形影響焊接性能，造成接觸電阻偏大影響開(kāi)斷效果。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型的目的在于·提供一種真空滅弧室新型縱磁線圈構(gòu)造，杯狀圓環(huán)表面為完整圓環(huán)，無(wú)開(kāi)槽，新型觸頭座結(jié)構(gòu)提高了觸頭的接觸平面，使后期裝配焊接性能得到有效改善，提高產(chǎn)品的一次合格率。本實(shí)用新型是這樣構(gòu)成的一種真空滅弧室新型縱磁線圈構(gòu)造，包括碗型觸頭座，觸頭座開(kāi)口端為上方，觸頭座碗底端為下方，在觸頭座碗底端開(kāi)有二個(gè)或者二個(gè)以上的凹槽，凹槽連接觸頭座側(cè)壁上的斜槽，斜槽沿觸頭座圓周向上旋轉(zhuǎn)，觸頭座上方開(kāi)口端表面為完整的圓環(huán)結(jié)構(gòu)。上述觸頭座上方與觸頭相連，觸頭座下方與導(dǎo)桿相連。上述斜槽上方的開(kāi)口與觸頭座開(kāi)口端表面的距離為O. 5-3毫米。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型在原結(jié)構(gòu)上從觸頭座底部開(kāi)始開(kāi)槽，斜槽為非貫通結(jié)構(gòu)，斜槽離上方圓環(huán)表面距離為O. 5-3mm,這樣就保留了圓環(huán)表面本身的完整度，使得觸頭座本身與觸頭的接觸面平面度提高，在加工及焊接過(guò)程中，由于杯狀圓環(huán)本身堅(jiān)固性變強(qiáng)，減少了變形的可能性，使得焊接造成的形變影響變小，避免形變?cè)斐山佑|電阻偏大影響開(kāi)斷效果，從源頭提高產(chǎn)品的合格率。

附圖I為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；附圖2為本實(shí)用新型側(cè)視圖；附圖3為現(xiàn)有結(jié)構(gòu)示意圖；附圖4為現(xiàn)有結(jié)構(gòu)側(cè)視圖。附圖中標(biāo)記為1-觸頭座，2-凹槽，3-斜槽。
具體實(shí)施方式
一種真空滅弧室新型縱磁線圈構(gòu)造，如圖I和2所示，包括碗型觸頭座1，觸頭座I開(kāi)口端為上方，觸頭座I碗底端為下方，在觸頭座I下方開(kāi)有二個(gè)或者二個(gè)以上凹槽2，附圖中為四個(gè)凹槽2，在凹槽2的上方開(kāi)有沿觸頭座I側(cè)壁向上旋轉(zhuǎn)的斜槽3，觸頭座I的斜槽3開(kāi)槽方向?yàn)閺南孪蛏祥_(kāi)槽，斜槽3為非貫通結(jié)構(gòu)，開(kāi)槽在離觸頭座I表面圓環(huán)O. 5-3mm的地方停止，這樣就保留了觸頭座I上方開(kāi)口端為完整的圓環(huán)結(jié)構(gòu)。裝配時(shí)觸頭座I上方可以直接與觸頭相連，觸頭座I下方可以直接與導(dǎo)桿相連。這樣觸頭座I開(kāi)口端為完整的圓環(huán)結(jié)構(gòu)，與觸頭的接觸面平面度提高，在加工及焊接過(guò)程中，由于杯狀圓環(huán) 本身堅(jiān)固性變強(qiáng)，減少了變形的可能性，使得裝配過(guò)程更加簡(jiǎn)便快速，工作時(shí)由于觸頭本身的堅(jiān)固度提1 ,使得真空滅弧室的使用壽命得到提1 。
權(quán)利要求1.一種真空滅弧室新型縱磁線圈構(gòu)造，其特征在于包括碗型觸頭座(1)，觸頭座(I)開(kāi)口端為上方，觸頭座(I)碗底端為下方，在觸頭座(I)碗底端開(kāi)有二個(gè)或者二個(gè)以上的凹槽(2)，凹槽(2)連接觸頭座(I)側(cè)壁上的斜槽(3)，斜槽(3)沿觸頭座(I)圓周向上旋轉(zhuǎn)，觸頭座(I)上方開(kāi)口端表面為完整的圓環(huán)結(jié)構(gòu)。
2.根據(jù)權(quán)利要求書(shū)I所述的真空滅弧室新型縱磁線圈構(gòu)造，其特征在于觸頭座(I)上方與觸頭相連，觸頭座(I)下方與導(dǎo)桿相連。
3.根據(jù)權(quán)利要求書(shū)I所述的真空滅弧室新型縱磁線圈構(gòu)造，其特征在于斜槽(3)上方的開(kāi)口與觸頭座(I)開(kāi)口端圓環(huán)表面的距離為O. 5-3毫米。
專利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)了一種真空滅弧室新型縱磁線圈構(gòu)造，其特征在于包括碗型觸頭座(1)，觸頭座(1)開(kāi)口端為上方，觸頭座(1)碗底端為下方，在觸頭座(1)碗底端開(kāi)有二個(gè)或者二個(gè)以上的凹槽(2)，凹槽(2)連接觸頭座(1)側(cè)壁上的斜槽(3)，斜槽(3)沿觸頭座(1)圓周向上旋轉(zhuǎn)，觸頭座(1)上方開(kāi)口端表面為完整的圓環(huán)結(jié)構(gòu)。本實(shí)用新型觸頭座開(kāi)槽方向從下至上，為非貫通槽，保留圓環(huán)本身的完整性使得狀圓環(huán)本身堅(jiān)固性變強(qiáng)，減少了變形的可能性，使得焊接造成的形變影響變小，避免形變?cè)斐山佑|電阻偏大影響開(kāi)斷效果，并且使得裝配過(guò)程更加簡(jiǎn)便快速，真空滅弧室的質(zhì)量也得到提高。
文檔編號(hào)H01H33/664GK202712045SQ201220361369
公開(kāi)日2013年1月30日 申請(qǐng)日期2012年7月25日 優(yōu)先權(quán)日2012年7月25日
發(fā)明者張毅, 康一, 周吉冰, 張梅, 陳志會(huì) 申請(qǐng)人:中國(guó)振華電子集團(tuán)宇光電工有限公司(國(guó)營(yíng)第七七一廠)