專利名稱：具有三個(gè)角度的臺(tái)面造型的芯片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及ー種半導(dǎo)體芯片臺(tái)面造型結(jié)構(gòu)，具體是ー種普通電カ整流管芯片的臺(tái)面造型結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
隨著功率器件制造技術(shù)的進(jìn)歩，電カ整流管朝著大電流、高電壓的方向發(fā)展。為了提高器件的工作電壓，就必須要同時(shí)提高電カ整流管芯片的承載高電壓的能力。在現(xiàn)階段的技術(shù)領(lǐng)域中，業(yè)內(nèi)通常采用的方法是沿著圓形的芯片邊緣一周研磨出一定角度和寬度的錐形斜面或弧面(統(tǒng)稱為芯片的臺(tái)面)，從而使芯片具有一定的擊穿電 壓。而隨著不同角度磨角器搭配研磨エ藝新應(yīng)用技術(shù)的出現(xiàn)，芯片邊緣一周研磨成多角度臺(tái)面造型，使電カ整流管芯片具有了承載更高反向擊穿電壓的能力。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供ー種具有三個(gè)角度的臺(tái)面造型的芯片，是圓片結(jié)構(gòu)，這種結(jié)構(gòu)使芯片具有承載更高反向擊穿電壓的能力。本實(shí)用新型采用以下技術(shù)方案解決上述技術(shù)問(wèn)題的三個(gè)角度的臺(tái)面造型的芯片，是圓片結(jié)構(gòu)，所述芯片包括呈圓形的芯片主體、位于硅片主體上方的第一斜面體、位于第一斜面體上方的弧面體、位于弧面體上方的的第二斜面體；所述芯片主體、第一斜面體、弧面體、第二斜面體為一體結(jié)構(gòu)。本實(shí)用新型進(jìn)ー步具體為所述第一斜面體的下表面與芯片的主體直徑相同，并且邊緣重合；所述弧面體的下表面與第一斜面體的上表面的直徑相同，并且邊緣重合；所述第二斜面體的下表面與弧面體的上表面的直徑相同，并且邊緣重合。本實(shí)用新型進(jìn)ー步具體為所述第一斜面體的圓周側(cè)面為斜面，斜面各部分相對(duì)于水平面的傾斜角度為大于O度小于等于25度；所述弧面體的的圓周側(cè)面為弧面，弧面各部分相對(duì)于水平面的傾斜角度為大于O度小于等于20度。所述第二斜面體的圓周側(cè)面為斜面，斜面各部分相對(duì)于水平面的傾斜角度為大于O度小于等于25度。本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)在于三個(gè)角度磨角器(兩個(gè)錐形和ー個(gè)球形)搭配研磨成的芯片臺(tái)面造型，使得電カ整流管芯片具有承載更高反向擊穿電壓的能力。

圖I是本實(shí)用新型是具有三個(gè)角度的臺(tái)面造型的芯片的截面圖。
具體實(shí)施方式
請(qǐng)參閱圖I所示，本實(shí)用新型ー種具有三個(gè)角度的臺(tái)面造型的芯片，是圓片結(jié)構(gòu)。所述芯片包括呈圓形的芯片主體I、位于芯片主體I上方的第一斜面體2、位于第一斜面體2上方的弧面體3、位于弧面體3上方的的第二斜面體4。所述芯片主體I、第一斜面體2、弧面體3、第二斜面體4為一體結(jié)構(gòu)。所述第一斜面體2的下表面與芯片主體I的直徑相同，并且邊緣重合；所述弧面體3的下表面與第一斜面體2的上表面的直徑相同，并且邊緣重合；所述第二斜面體4的下表面與弧面體3的上表面的直徑相同，并且邊緣重合。所述第一斜面體2的圓周側(cè)面為斜面22，斜面22各部分相對(duì)于水平面的傾斜角度為大于O度小于等于25度。 所述弧面體3的的圓周側(cè)面為弧面32，弧面32各部分相對(duì)于水平面的傾斜角度為大于O度小于等于20度。所述第二斜面體4的圓周側(cè)面為斜面42，斜面42各部分相對(duì)于水平面的傾斜角度為大于O度小于等于20度。 從而所述第一斜面體2、弧面體3和第二斜面體4的圓周側(cè)面形成的硅片的側(cè)面截面成異形。本實(shí)用新型是采用手工磨角方式，即用手將硅片按壓在磨角器上，磨角器由電機(jī)帶動(dòng)旋轉(zhuǎn)，手工控制使硅片的邊緣磨出需要的臺(tái)面造型。通過(guò)三個(gè)角度磨角器(兩個(gè)錐形和ー個(gè)球形)搭配研磨成的芯片臺(tái)面造型，使得電カ整流管芯片具有承載更高反向擊穿電壓的能力。以上所述僅為本發(fā)明創(chuàng)造的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本發(fā)明創(chuàng)造，凡在本發(fā)明創(chuàng)造的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明創(chuàng)造的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求1.ー種具有三個(gè)角度的臺(tái)面造型的芯片，是圓片結(jié)構(gòu)，其特征在于所述芯片包括呈圓形的芯片主體、位于芯片主體上方的第一斜面體、位于第一斜面體上方的弧面體、位于弧面體上方的的第二斜面體，所述硅片主體、第一斜面體、弧面體、第二斜面體為一體結(jié)構(gòu)。
2.如權(quán)利要求I所述的具有三個(gè)角度的臺(tái)面造型的芯片，其特征在于所述第一斜面體的下表面與芯片的主體直徑相同，并且邊緣重合；所述弧面體的下表面與第一斜面體的上表面的直徑相同，并且邊緣重合；所述第二斜面體的下表面與弧面體的上表面的直徑相同，并且邊緣重合。
3.如權(quán)利要求2所述的具有三個(gè)角度的臺(tái)面造型的芯片，其特征在于所述第一斜面體的圓周側(cè)面為斜面，斜面各部分相對(duì)于水平面的傾斜角度為大于O度小于等于25度； 所述弧面體的的圓周側(cè)面為弧面，弧面各部分相對(duì)于水平面的傾斜角度為大于O度小于等于20度。
所述第二斜面體的圓周側(cè)面為斜面，斜面各部分相對(duì)于水平面的傾斜角度為大于O度小于等于25度。
專利摘要一種具有三個(gè)角度的臺(tái)面造型的芯片，是圓片結(jié)構(gòu)。芯片臺(tái)面為芯片邊緣一周具有一定角度和寬度的兩個(gè)錐形和一個(gè)弧形的三斜面造型，內(nèi)圓部分(除臺(tái)面的剩余部分)為芯片的應(yīng)接面積部分。所述芯片包括呈圓形的芯片主體、位于芯片主體上方的第一斜面體、位于第一斜面體上方的弧面體、位于弧面體上方的第二斜面體，所述硅片主體、第一斜面體、弧面體、第二斜面體為一體結(jié)構(gòu)。第一斜面體和第二斜面體的斜面相對(duì)于水平面的傾斜角度為大于0度小于等于25度；弧面體的弧面各部分相對(duì)于水平面的傾斜角度為大于0度小于等于20度。本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)在于整流管芯片能承載大電流、高電壓的沖擊，適用于普通特高壓電力整流管芯片。
文檔編號(hào)H01L29/06GK202662605SQ20122036686
公開(kāi)日2013年1月9日 申請(qǐng)日期2012年7月26日 優(yōu)先權(quán)日2012年7月26日
發(fā)明者戴立新 申請(qǐng)人:黃山市七七七電子有限公司