專利名稱：一種帶保護(hù)層的晶體硅太陽能電池組件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及太陽能電池技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種帶保護(hù)層的晶體硅太陽能電池組件。
背景技術(shù)：
太陽能電池組件，也叫太陽能電池板，是太陽能發(fā)電系統(tǒng)中的核心部分，也是太陽能發(fā)電系統(tǒng)中最重要的部分。太陽能電池是通過光電效應(yīng)或者光化學(xué)效應(yīng)直接把光能轉(zhuǎn)化成電能的裝置。太陽能電池作為綠色能源，越來越受到人們的關(guān)注。晶體硅材料質(zhì)量對太陽電池的效率起至關(guān)重要的作用，晶體硅基體材料表面缺陷密度很高，如大量的懸掛鍵、雜質(zhì)和斷鍵等，導(dǎo)致硅片表面少子壽命大大降低，復(fù)合速率較低
實用新型內(nèi)容
本實用新型的目的是克服現(xiàn)有技術(shù)存在的缺陷，提供一種轉(zhuǎn)換效率高的帶保護(hù)層的晶體硅太陽能電池組件。實現(xiàn)本實用新型目的的技術(shù)方案是一種帶保護(hù)層的晶體硅太陽能電池組件，具有依次層疊的負(fù)極層、N型硅層、P型硅層和正極層；還具有減反射膜層和鈍化膜層；所述減反射膜層設(shè)置在負(fù)極層和N型硅層之間；所述減反射膜層和N型硅層之間以及正極層和P型硅層之間均具有鈍化膜層。上述技術(shù)方案所述減反射膜層為氮化硅層。上述技術(shù)方案所述鈍化膜層為二氧化硅層。上述技術(shù)方案所述負(fù)極層和正極層均為銀層。上述技術(shù)方案所述負(fù)極層的表面上設(shè)有通過網(wǎng)版圖形印刷形成的主柵以及與主柵垂直且等間距分布的副柵。上述技術(shù)方案所述正極層上具有背電極和背電場。采用上述技術(shù)方案后，本實用新型具有以下積極的效果(I)本實用新型采用PECVD沉積氮化硅膜作為太陽能組件的減反射膜層，主要作用是減少光的反射，而且氮化硅膜含有大量的氫，可以很好的鈍化硅中的表面懸掛鍵，從而提高了載流子遷移率；同時，在氮化硅膜與N型硅之間沉積二氧化硅膜，可以更有效的減少入射光在太陽能電池表面的反射損失，提高太陽能組件吸收陽光的量，并能讓太陽能組件吸收來自各個角度的全部陽光光譜，從而使太陽能電站的經(jīng)濟效益大為改善。(2)本實用新型的正極層和P型硅層之間設(shè)有鈍化膜層；鈍化膜層為二氧化硅層，二氧化硅具有吸雜、鈍化的作用，可以提高反射效率。(3)本實用新型應(yīng)用銀漿料制作電極和背電場，優(yōu)化圖形設(shè)計，不僅確保了電極良好的導(dǎo)電性、可焊性以及背電場的平整性，更具有優(yōu)異的印刷性能、附著力高、彎曲度低和轉(zhuǎn)換效率高的優(yōu)點。
為了使本實用新型的內(nèi)容更容易被清楚地理解，下面根據(jù)具體實施例并結(jié)合附圖，對本實用新型作進(jìn)一步詳細(xì)的說明，其中圖I為本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；圖中I.負(fù)極層，11.主柵，12.副柵，2.N型硅層，3.P型硅層，4.正極層，41.背電極，42.背電場，5.減反射膜層，6.鈍化膜層。
具體實施方式
(實施例I)見圖1，本實用新型具有依次層疊的負(fù)極層1、N型硅層2、P型硅層3、正極層4、減反射膜層5和鈍化膜層6 ;負(fù)極層I和正極層4均為銀層；負(fù)極層I的表面上設(shè)有通過網(wǎng)版圖形印刷形成的主柵11以及與主柵11垂直且等間距分布的副柵12 ;正極層4上具有背電·極41和背電場42 ;減反射膜層6設(shè)置在負(fù)極層I和N型硅層2之間；減反射膜層6和N型硅層2之間以及正極層4和P型硅層3之間均具有鈍化膜層5。其中，減反射膜層5為氮化娃層；鈍化膜層6為二氧化娃層。以上所述的具體實施例，對本實用新型的目的、技術(shù)方案和有益效果進(jìn)行了進(jìn)一步詳細(xì)說明，所應(yīng)理解的是，以上所述僅為本實用新型的具體實施例而已，并不用于限制本實用新型，凡在本實用新型的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種帶保護(hù)層的晶體硅太陽能電池組件，具有依次層疊的負(fù)極層(1)、N型硅層(2)、P型硅層(3)和正極層(4);其特征在于還具有減反射膜層(5)和鈍化膜層(6);所述減反射膜層(6 )設(shè)置在負(fù)極層(I)和N型硅層(2 )之間；所述減反射膜層(6 )和N型硅層(2 )之間以及正極層(4)和P型硅層(3)之間均具有鈍化膜層(5)。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的帶保護(hù)層的晶體硅太陽能電池組件，其特征在于所述減反射膜層(5)為氮化娃層。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的帶保護(hù)層的晶體硅太陽能電池組件，其特征在于所述鈍化膜層(6)為二氧化硅層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的帶保護(hù)層的晶體硅太陽能電池組件，其特征在于所述負(fù)極層(I)和正極層(4)均為銀層。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的帶保護(hù)層的晶體硅太陽能電池組件，其特征在于所述負(fù)極層(I)的表面上設(shè)有通過網(wǎng)版圖形印刷形成的主柵(11)以及與主柵(11)垂直且等間距分布的副柵(12)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的帶保護(hù)層的晶體硅太陽能電池組件，其特征在于所述正極層(4 )上具有背電極(41)和背電場(42 )。
專利摘要本實用新型涉及一種帶保護(hù)層的晶體硅太陽能電池組件，具有依次層疊的負(fù)極層、N型硅層、P型硅層和正極層；還具有減反射膜層和鈍化膜層；所述減反射膜層設(shè)置在負(fù)極層和N型硅層之間；所述減反射膜層和N型硅層之間以及正極層和P型硅層之間均具有鈍化膜層。本實用新型采用PECVD沉積氮化硅膜作為太陽能組件的減反射膜層, 可減少光的反射，而且氮化硅膜含有大量的氫，可以很好的鈍化硅中的表面懸掛鍵，提高載流子遷移率；同時，在氮化硅膜與N型硅之間沉積二氧化硅膜，可更有效的減少入射光在太陽能電池表面的反射損失，提高太陽能組件吸收陽光的量，并能讓太陽能組件吸收來自各個角度的全部陽光光譜，從而使太陽能電站的經(jīng)濟效益大為改善。
文檔編號H01L31/0224GK202695455SQ20122041311
公開日2013年1月23日 申請日期2012年8月20日 優(yōu)先權(quán)日2012年8月20日
發(fā)明者金劉 申請人:江蘇格林保爾光伏有限公司