專利名稱：一種晶體硅太陽能電池組件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及太陽能電池技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種晶體硅太陽能電池組件。
背景技術(shù)：
太陽能電池組件，也叫太陽能電池板，是太陽能發(fā)電系統(tǒng)中的核心部分，也是太陽能發(fā)電系統(tǒng)中最重要的部分。太陽能電池是通過光電效應(yīng)或者光化學(xué)效應(yīng)直接把光能轉(zhuǎn)化成電能的裝置。太陽能電池作為綠色能源，越來越受到人們的關(guān)注。傳統(tǒng)的太陽能電池組件的主柵采用銀印制柵線，成本較高。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的是克服現(xiàn)有技術(shù)存在的缺陷，提供一種制作簡便的低成本的晶 體硅太陽能電池組件。實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型目的的技術(shù)方案是一種晶體硅太陽能電池組件，具有依次層疊的負(fù)極層、N型硅層、P型硅層和正極層；所述負(fù)極層的表面上設(shè)有通過網(wǎng)版圖形印刷形成的主柵以及與主柵垂直且等間距分布的副柵；所述正極層上具有背電極和背電場；所述主柵上均布有若干方形或菱形的小孔。上述技術(shù)方案所述負(fù)極層和正極層均為銀層。上述技術(shù)方案所述負(fù)極層和N型硅層之間還設(shè)有氮化硅減反射膜層。上述技術(shù)方案所述氮化硅減反射膜層和N型硅層之間還設(shè)有第一二氧化硅鈍化膜層。上述技術(shù)方案所述P型硅層和正極層之間還設(shè)有第二二氧化硅鈍化膜層。采用上述技術(shù)方案后，本實(shí)用新型具有以下積極的效果(I)本實(shí)用新型的主柵上均布有若干方形的小孔；可以減少銀漿的使用，降低了制作成本。(2)本實(shí)用新型采用PECVD沉積氮化硅膜作為太陽能組件的減反射膜層，主要作用是減少光的反射，而且氮化硅膜含有大量的氫，可以很好的鈍化硅中的表面懸掛鍵，從而提高了載流子遷移率；同時(shí)，在氮化硅膜與N型硅之間沉積二氧化硅膜，可以更有效的減少入射光在太陽能電池表面的反射損失，提高太陽能組件吸收陽光的量，并能讓太陽能組件吸收來自各個角度的全部陽光光譜，從而使太陽能電站的經(jīng)濟(jì)效益大為改善。(3)本實(shí)用新型的正極層和P型硅層之間設(shè)有第二二氧化硅鈍化膜層；二氧化硅具有吸雜、鈍化的作用，可以提高反射效率。

為了使本實(shí)用新型的內(nèi)容更容易被清楚地理解，下面根據(jù)具體實(shí)施例并結(jié)合附圖，對本實(shí)用新型作進(jìn)一步詳細(xì)的說明，其中圖I為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；[0015]圖2為本實(shí)用新型的負(fù)極層的結(jié)構(gòu)示意圖；圖中I.負(fù)極層，11.主柵，111.小孔，12.副柵，2. N型硅層，3. P型硅層，4.正極層，41.背電極,42.背電場,5.氮化娃減反射膜層,6.第一二氧化娃鈍化膜層,7.第二二氧化硅鈍化膜層。
具體實(shí)施方式
(實(shí)施例I)見圖I和圖2，本實(shí)用新型具有依次層疊的負(fù)極層I、N型硅層2、P型硅層3和正極層4 ;負(fù)極層I為銀層，負(fù)極層I的表面上設(shè)有通過網(wǎng)版圖形印刷形成的主柵11以及與主柵11垂直且等間距分布的副柵12 ;主柵11上均布有若干方形的小孔111 ;負(fù)極層I和N型硅層2之間還設(shè)有氮化硅減反射膜層5 ;氮化硅減反射膜層5和N型硅層2之間設(shè)有第一二氧化硅鈍化膜層6 ;正極層4為銀層，正極層4上具有背電極41和背電場42 ; P型硅層3和正極層4之間還設(shè)有第二二氧化硅鈍化膜層7。 以上所述的具體實(shí)施例，對本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案和有益效果進(jìn)行了進(jìn)一步詳細(xì)說明，所應(yīng)理解的是，以上所述僅為本實(shí)用新型的具體實(shí)施例而已，并不用于限制本實(shí)用新型，凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種晶體硅太陽能電池組件，具有依次層疊的負(fù)極層(I)、N型硅層(2)、P型硅層(3)和正極層(4);所述負(fù)極層(I)的表面上設(shè)有通過網(wǎng)版圖形印刷形成的主柵(11)以及與主柵(11)垂直且等間距分布的副柵(12);所述正極層(4)上具有背電極(41)和背電場(42 );其特征在于所述主柵(11)上均布有若干方形或菱形的小孔(111)。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的晶體硅太陽能電池組件，其特征在于所述負(fù)極層(I)和正極層(4)均為銀層。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的晶體硅太陽能電池組件，其特征在于所述負(fù)極層(I)和N型硅層(2 )之間還設(shè)有氮化硅減反射膜層(5 )。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的晶體硅太陽能電池組件，其特征在于所述氮化硅減反射膜層(5)和N型娃層(2)之間還設(shè)有第一二氧化娃鈍化膜層(6)。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的晶體硅太陽能電池組件，其特征在于所述P型硅層(3)和正極層(4)之間還設(shè)有第二二氧化硅鈍化膜層(7)。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種晶體硅太陽能電池組件，具有依次層疊的負(fù)極層、N型硅層、P型硅層和正極層；所述負(fù)極層的表面上設(shè)有通過網(wǎng)版圖形印刷形成的主柵以及與主柵垂直且等間距分布的副柵；所述正極層上具有背電極和背電場；所述主柵上均布有若干方形或菱形的小孔。本實(shí)用新型的主柵上均布有若干方形的小孔；可以減少銀漿的使用，降低了制作成本。
文檔編號H01L31/0216GK202695468SQ20122041319
公開日2013年1月23日 申請日期2012年8月20日 優(yōu)先權(quán)日2012年8月20日
發(fā)明者金劉 申請人:江蘇格林保爾光伏有限公司