專利名稱：Oled封裝結(jié)構(gòu)及發(fā)光器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及有機(jī)電致發(fā)光顯示器制造領(lǐng)域，特別涉及一種OLED封裝結(jié)構(gòu)及發(fā)光器件。
背景技術(shù)：
有機(jī)電致發(fā)光器件(Organic Light-Emitting Diode,以下簡稱0LED)因具備主動(dòng)發(fā)光、溫度特性好、功耗小、響應(yīng)快、可彎曲、超輕薄和成本低等優(yōu)點(diǎn)，而被稱之為第三代夢(mèng)幻顯示技術(shù)。目前，在全球廠商持續(xù)資金投入與技術(shù)研發(fā)的推動(dòng)下，OLED平板顯示技術(shù)正趨向于量產(chǎn)技術(shù)日益成熟與市場(chǎng)需求高速增長階段。OLED按照出光方向可以分為三種，即底發(fā)射0LED、頂發(fā)射OLED與雙面發(fā)射OLED。底發(fā)射OLED是指光從基板射出的OLED，雙面發(fā)射OLED是指光同時(shí)從基板和器件頂部射出的0LED，頂發(fā)射OLED是指光從器件頂部射出的0LED。其中，頂發(fā)射OLED由于不受基板是否透光的影響，可有效提高顯示面板的開口率，拓展了基板上TFT電路的設(shè)計(jì)，豐富了電極材料的選擇，有利于器件與TFT電路的集成。由于OLED對(duì)水汽和氧氣非常敏感，滲入OLED內(nèi)的水汽和氧氣會(huì)腐蝕有機(jī)功能層及電極材料，嚴(yán)重影響器件壽命，因此為了延長器件壽命以及提高器件穩(wěn)定性，需要對(duì)OLED進(jìn)行封裝處理以形成OLED封裝結(jié)構(gòu)，具體地，可在OLED上形成一阻隔層，該阻隔層可包括無機(jī)絕緣層和有機(jī)絕緣層，從而達(dá)到避免水汽和氧氣滲入OLED的目的。頂發(fā)射OLED可以提高器件效率、窄化光譜和提高色純度，但往往具有微腔效應(yīng)。微腔效應(yīng)會(huì)使OLED的電致發(fā)光光譜隨觀測(cè)角度變化，導(dǎo)致OLED出現(xiàn)觀測(cè)角度依賴性問題。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型提供一種OLED封裝結(jié)構(gòu)及發(fā)光器件，用以降低OLED因微腔效應(yīng)引起的觀測(cè)角度依賴性。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供了一種OLED封裝結(jié)構(gòu)，包括襯底基板、0LED、阻隔層和光學(xué)調(diào)制層，所述OLED形成于所述襯底基板上，所述阻隔層和所述光學(xué)調(diào)制層交替形成于所述OLED之上?？蛇x地，所述阻隔層和所述光學(xué)調(diào)制層按照交替周期數(shù)交替形成于所述OLED之上，且在每個(gè)交替周期內(nèi)所述光學(xué)調(diào)制層位于所述阻隔層之上?？蛇x地，所述交替周期數(shù)為大于或等于I且小于或等于10的正整數(shù)?？蛇x地，所述光學(xué)調(diào)制層包括網(wǎng)格層和位于所述網(wǎng)格層之上的填充層?？蛇x地，所述網(wǎng)格層由依次斜向生長的金屬/介質(zhì)/金屬三層納米柱薄膜構(gòu)成，所述金屬包括銀、鋁或者銀鋁混合物，所述介質(zhì)包括二氧化硅或者氟化鎂。 可選地，所述填充層由斜向上生長的氧化物納米柱薄膜構(gòu)成，所述填充層的材料包括二氧化鈦、三氧化二鋁、氧化鋅、氧化鎂或者氧化鋯?？蛇x地，所述OLED包括頂發(fā)射OLED或者雙面發(fā)射0LED。[0013]本實(shí)用新型實(shí)施例還提供一種發(fā)光器件，包括上述任一所述的OLED封裝結(jié)構(gòu)。本實(shí)用新型具有以下有益效果本實(shí)用新型提供的OLED封裝結(jié)構(gòu)及發(fā)光器件技術(shù)方案中，阻隔層和光學(xué)調(diào)制層交替形成于OLED之上，光學(xué)調(diào)制層增強(qiáng)了 OLED的散射出光能力并改變了部分光線的傳播方向，從而降低了 OLED因微腔效應(yīng)引起的觀測(cè)角度依賴性。

圖I為本實(shí)用新型實(shí)施例一提供的一種OLED封裝結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖2為斜角入射沉積技術(shù)的應(yīng)用示意圖；圖3為納米柱狀結(jié)構(gòu)的示意圖；圖4為圖I中網(wǎng)格層的局部放大剖視圖；圖5為網(wǎng)格層介質(zhì)光線傳播的示意圖；圖6為填充層介質(zhì)光線散射傳播的示意圖；圖7為本實(shí)用新型實(shí)施例二提供的一種OLED封裝結(jié)構(gòu)的制造方法的流程圖；圖8為本實(shí)用新型實(shí)施例三提供的一種OLED封裝結(jié)構(gòu)的制造方法的流程圖；圖9為本實(shí)用新型實(shí)施例四提供的一種OLED封裝結(jié)構(gòu)的制造方法的流程圖；圖10為本實(shí)用新型實(shí)施例五提供的一種OLED封裝結(jié)構(gòu)的制造方法的流程圖。
具體實(shí)施方式
為使本領(lǐng)域的技術(shù)人員更好地理解本實(shí)用新型的技術(shù)方案，
以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型提供的OLED封裝結(jié)構(gòu)及發(fā)光器件進(jìn)行詳細(xì)描述。圖I為本實(shí)用新型實(shí)施例一提供的一種OLED封裝結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖I所示，該OLED封裝結(jié)構(gòu)可包括襯底基板4、OLED I、阻隔層2和光學(xué)調(diào)制層3，阻隔層2和光學(xué)調(diào)制層3交替形成于OLED I上。本實(shí)施例中，優(yōu)選地，阻隔層2和光學(xué)調(diào)制層3可按照交替周期數(shù)交替形成于OLEDI之上，且在每個(gè)交替周期內(nèi)光學(xué)調(diào)制層3位于阻隔層2之上。S卩在OLED I上，阻隔層2和光學(xué)調(diào)制層3以阻隔層2-光學(xué)調(diào)制層3的順序按照交替周期數(shù)重復(fù)形成于OLED I上。其中，交替周期數(shù)為正整數(shù)。優(yōu)選地，交替周期數(shù)η為大于或等于I且小于或等于10的正整數(shù)，SP :1彡η彡10。本實(shí)施例中，光學(xué)調(diào)制層3與阻隔層2交替形成于OLED之上，且在每一個(gè)交替周期內(nèi)，光學(xué)調(diào)制層3均位于阻隔層2之上。如圖I所示，在η大于或者等于2的情況下，則在第一個(gè)交替周期內(nèi)，阻隔層2直接形成于OLED I之上，而在其余交替周期內(nèi)，阻隔層2形成于上一個(gè)交替周期內(nèi)的光學(xué)調(diào)制層3之上。在實(shí)際應(yīng)用中，可選地，阻隔層2和光學(xué)調(diào)制層3還可以按照其它的交替方式交替形成于OLED I上。例如阻隔層2和光學(xué)調(diào)制層3以阻隔層2-光學(xué)調(diào)制層3-阻隔層2的順序交替形成于OLED I上。OLED I可包括頂發(fā)射OLED或者雙面發(fā)射0LED。本實(shí)施例中，OLEDl為頂發(fā)射OLED0 OLED I可包括陽極、有機(jī)發(fā)光層和陰極，其中，陽極形成于襯底基板4之上，有機(jī)發(fā)光層形成于陽極之上，陰極形成于有機(jī)發(fā)光層之上?？蛇x地，OLED I還可包括有機(jī)功能層，具體地，該有機(jī)功能層包括空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層、電子注入層中的一層或者多層。其中，空穴注入層、空穴傳輸層可以設(shè)置在陽極與有機(jī)發(fā)光層之間，電子傳輸層、電子注入層可以設(shè)置在有機(jī)發(fā)光層和陰極層之間。優(yōu)選的，OLED I包括襯底基板4上的陽極，在陽極的表面由下至上依次形成的空穴注入層、空穴傳輸層、有機(jī)發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層以及陰極。例如陽極的材料可以包括銀(Ag)、氧化銦錫/銀/氧化銦錫(Ι /Ag/ITO)或者鎳鉻合金(Ni:Cr合金)。空穴注入層的材料可以包括4，4’，4”_三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)、4，4’，4〃 -三(N，N聯(lián)苯氨基)三苯胺(TDATA)、4，4’，4”-三[2-萘基苯基氨基]三苯基胺(2-TNATA)或者N，N，N’，N’ -四甲氧基苯基)_對(duì)二氨基聯(lián)苯(MeO-TPD)等?？昭▊鬏攲拥牟牧峡梢园∟，N’-二苯基-N，N’-(I-萘基)-1，I’-聯(lián)苯-4，4’ -二胺(alpha-NPB)、N, N’ - 二苯基-N，N’ - 二(3-甲基苯基)-I，I’ -聯(lián)苯-4，4’_ 二胺(TPD)或者 3-(聯(lián)苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4!1-1，2，4-三唑(TAZ)等。有機(jī)發(fā)光層的材料可包括熒光主體材料，例如該熒光主體材料可包括金屬配合物如8-羥基喹啉鋁(Alq3)或者二芳香基蒽衍生物如9，10-二(2_萘基)蒽(AND)等，上述熒光主體材料中可摻雜香豆素類如N，N’ -二甲基喹吖啶酮(DMQA)、10-(2-苯并噻唑)-2，3,6,7-四氫-1，1，7，7，-四甲基 1-1H，5H，11H-[1]苯丙吡喃酮基[6，7，8_ij]喹嗪-11-酮(C545T)，或者熒光主體材料中可摻雜雙吡喃類如4-( 二氰基亞甲基)-2-叔丁基-6-(1，1，7，7-四甲基久羅尼定基-4-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)，或者熒光主體材料中可摻雜其他類4，4’-(二 (9-乙基-3-乙烯咔唑聯(lián)苯(BczVBi) ,1,4,7,10-四叔丁基二萘嵌苯(TBPe)、紅熒烯(Rubrene)等；或者有機(jī)發(fā)光層的材料也可以包括磷光主體咔唑衍生物，例如(9，9’-(1，3_苯基)二-9H-咔唑(MCP)或者4，4’-二(9-咔唑)聯(lián)苯(CBP)等，上述磷光主體咔唑衍生物中可摻雜磷光染料，例如磷光染料可包括三(二苯甲酰甲烷)單·(菲羅啉)鉺(Er(dbm)3(phen))、三(2-苯基卩比唳)合銥(Ir(ppy)3)或者雙(4,6-二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合銥(Firpic)等。電子傳輸層的材料可以包括8_羥基喹啉-鋰(Liq)、8_羥基喹啉鋁(Alq3)、4，7_ 二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)或者雙(2-甲基_8_羥基喹啉-Ν1，08)_(1，Γ -聯(lián)苯-4-羥基)鋁(Balq)等，電子注入層的材料可以包括有機(jī)材料如8-羥基喹啉-鋰(Liq)或者四(8-羥基喹啉)硼鋰(LiBq4)等，也可包括無機(jī)材料如氟化鋰(LiF)或者氮化鋰(Li3N)等，陰極的材料可以包括鎂銀合金(Mg:Ag合金)、鋁/銀(Al/Ag)或者鈣 / 銀(Ca/Ag)。阻隔層2包括無機(jī)絕緣層21和位于無機(jī)絕緣層21之上的有機(jī)絕緣層22。無機(jī)絕緣層21的材料可包括氧化物、硫化物、氮化物、氮氧化物或者碳膜。例如無機(jī)絕緣層21的材料可以為三氧化二鋁(Al2O3)、氮化硅(Si3N4)、氮氧化硅(SiOxNy)或者類金剛石。無機(jī)絕緣層21的厚度可包括50nm至500nm，優(yōu)選為lOOnm。如圖I所示，需要特別說明的是在第一個(gè)交替周期內(nèi)，由于無機(jī)絕緣層21需要覆蓋于OLED I之上，則第一個(gè)交替周期內(nèi)的無機(jī)絕緣層21的厚度大于其余交替周期內(nèi)的無機(jī)絕緣層21的厚度。有機(jī)絕緣層22的材料可包括UV固化膠、聚甲基丙烯酸甲酯、聚酰亞胺、聚對(duì)二甲苯、聚丙烯酸酯或者丙烯酸脂單體。有機(jī)絕緣層22的厚度包括500nm-2000nm，優(yōu)選為lOOOnm。阻隔層2具有水氧阻擋功能，能夠阻擋水汽和氧氣滲入OLED中，從而避免了水汽和氧氣與OLED接觸。本實(shí)用新型中，可選地，阻隔層2還可以僅包括無機(jī)絕緣層，或者阻隔層2還可以僅包括有機(jī)絕緣層。光學(xué)調(diào)制層3包括網(wǎng)格層31和位于網(wǎng)格層31之上的填充層32。填充層32填充于網(wǎng)格層31中的中空空間內(nèi)并覆蓋于網(wǎng)格層31之上。網(wǎng)格層31和填充層32是通過斜角入射沉積技術(shù)制備的。圖2為斜角入射沉積技術(shù)的應(yīng)用示意圖，如圖2所示，斜角入射沉積技術(shù)是指在真空中以傾斜角度將薄膜材料沉積在目標(biāo)基板41上的技術(shù)，是制備光學(xué)薄膜的方法之一。當(dāng)蒸發(fā)源42將蒸發(fā)物料相對(duì)基板法線以入射角α向 目標(biāo)基板41沉積時(shí)，在自我遮蔽效應(yīng)(self-shadowing effect)的作用下,蒸發(fā)物料優(yōu)先朝蒸氣注入的方向生長成帶空隙的薄膜納米柱狀結(jié)構(gòu)43，納米柱狀結(jié)構(gòu)如圖3所示，圖3為納米柱狀結(jié)構(gòu)的示意圖。蒸發(fā)物料的材料可包括金屬、氧化物或者氟化物，例如，金屬可包括Au、Ag、Co、Fe、Ni或者W,氧化物可包括Si02、TiO2或者ZrO2,氟化物可包括MgF2。而且隨著蒸鍍過程入射角α的變化，薄膜納米柱狀結(jié)構(gòu)43將產(chǎn)生不同的空隙率，從而改變膜層的折射率分布，折射率的變化具有可連續(xù)性。斜角入射沉積生成的多孔性納米柱狀結(jié)構(gòu)43折射率相對(duì)于自然材料具有更低的折射率，能夠接近空氣的折射率，有效減少反射，并且這種納米柱狀結(jié)構(gòu)43也具備散射特性。網(wǎng)格層31和填充層32均是由斜向上生長的納米柱薄膜構(gòu)成。圖4為圖I中網(wǎng)格層的局部放大剖視圖，如圖4所示，網(wǎng)格層31位于有機(jī)絕緣層22之上，并位于填充層32的下方。網(wǎng)格層31呈網(wǎng)格結(jié)構(gòu)，填充層32填充于網(wǎng)格結(jié)構(gòu)的中空空間內(nèi)，并覆蓋于整個(gè)網(wǎng)格層31之上。網(wǎng)格層31可分布在襯底基板的像素單元的非發(fā)光區(qū)域。為使網(wǎng)格層31形成網(wǎng)格結(jié)構(gòu)，可在網(wǎng)格層31的薄膜生長過程中使用圖形化了的掩膜板(Mask)遮擋以實(shí)現(xiàn)在網(wǎng)格層31上形成網(wǎng)格結(jié)構(gòu)的圖案。網(wǎng)格層31由依次斜向生長的金屬/介質(zhì)/金屬三層納米柱薄膜構(gòu)成，其中，金屬可包括銀(Ag)、鋁(Al)或者銀鋁混合物，介質(zhì)可包括二氧化硅(SiO2)、氟化鎂(MgF2)中的一種或者多種，其中，優(yōu)選地介質(zhì)采用二氧化硅(SiO2)、氟化鎂(MgF2)中的一種。填充層32由斜向上生長的氧化物納米柱薄膜構(gòu)成，該納米柱薄膜的折射率沿遠(yuǎn)離網(wǎng)格層31的方向由大變小。這樣當(dāng)光從填充層32的折射率大的一側(cè)入射并從折射率小的一側(cè)出射的過程中，極大的減小了光發(fā)生全反射的幾率，從而增加了光的出射量。其中，氧化物可包括二氧化鈦(TiO2)、三氧化二鋁(Al2O3)、氧化鋅、氧化鎂(MgO)或者氧化鋯(ZrO2)，換言之，填充層32的材料可包括二氧化鈦(TiO2)、三氧化二鋁(Al2O3)、氧化鋅(ZnO)、氧化鎂(MgO)或者氧化鋯(ZrO2)。由于網(wǎng)格層31中的兩層金屬納米柱薄膜的反相電偶極共振，使得介質(zhì)納米柱薄膜呈現(xiàn)負(fù)折射率特性。負(fù)折射率的介質(zhì)具有的物理特性為光在其中的能量與相位的傳播方向相反，當(dāng)光從一種折射率為正的物質(zhì)傳播到折射率為負(fù)的物質(zhì)中時(shí)，入射光線與折射光線位于法線的同一側(cè)，從而改變了光線的傳播方向，圖5為網(wǎng)格層介質(zhì)光線傳播的示意圖，如圖5所示，入射光線52入射至正負(fù)折射率介質(zhì)界面51上時(shí)，其反射光線53被正負(fù)折射率介質(zhì)界面51反射至法線55的另一側(cè)，其折射光線54穿過正負(fù)折射率介質(zhì)界面51后偏折至法線55的同一側(cè)。填充層介質(zhì)是由折射率沿遠(yuǎn)離網(wǎng)格層31的方向由大變小漸變的斜向生長納米柱薄膜構(gòu)成。圖6為填充層介質(zhì)光線散射傳播的示意圖，如圖6所示，光線經(jīng)過填充層32時(shí)，填充層32中的納米柱狀結(jié)構(gòu)43使光線發(fā)生散射，光線會(huì)向多個(gè)方向傳播，從而使得OLED發(fā)光更加均勻，因此具有光散射與增透功能。本實(shí)施例提供的OLED封裝結(jié)構(gòu)包括0LED、阻隔層和光學(xué)調(diào)制層，阻隔層和光學(xué)調(diào)制層按照交替周期數(shù)交替形成于OLED之上，光學(xué)調(diào)制層增強(qiáng)了 OLED的散射出光能力并改變了部分光線的傳播方向，從而降低了 OLED因微腔效應(yīng)引起的觀測(cè)角度依賴性，提高了OLED的對(duì)比度。阻隔層可有效阻隔水汽和氧氣，防止水汽和氧氣滲入OLED內(nèi)部，從而避免了水汽和氧氣腐蝕OLED的有機(jī)功能層和電極材料，提高了器件壽命。特別是當(dāng)與光學(xué)調(diào)制層交替形成的阻隔層為多層時(shí)，能夠更加有效的避免滲入的水汽和氧氣腐蝕OLED的有機(jī)功能層和電極材料，從而提高了 OLED的密封性能。并且當(dāng)與阻隔層交替形成的光學(xué)調(diào)制層為多層時(shí)，能夠更加有效的降低因微腔效應(yīng)引起的觀測(cè)角度依賴性。圖7為本實(shí)用新型實(shí)施例二提供的一種OLED封裝結(jié)構(gòu)的制造方法的流程圖，如圖7所示,該方法包括步驟I、在襯底基板上制備OLED。本實(shí)施例中，步驟I具體包括步驟11、在襯底基板上形成陽極。例如陽極12的材料可以包括銀(Ag)、氧化銦錫/銀/氧化銦錫(Ι /Ag/ITO)或者鎳鉻合金(Ni :Cr合金)。步驟12、在陽極之上形成有機(jī)發(fā)光層。具體地，對(duì)有機(jī)發(fā)光層的描述可上述實(shí)施例一的描述，此處不再贅述。步驟13、在有機(jī)發(fā)光層之上形成陰極。例如陰極的材料可以包括鎂銀合金(Mg:Ag 合金)、招 / 銀(Al/Ag)或者 丐 / 銀(Ca/Ag)。步驟2、在OLED上交替形成阻隔層和光學(xué)調(diào)制層。具體地，本實(shí)施例中可在OLED上按照交替周期數(shù)交替形成阻隔層和光學(xué)調(diào)制層，且在每個(gè)交替周期內(nèi)光學(xué)調(diào)制層位于阻隔層之上。其中，交替周期數(shù)為正整數(shù)。優(yōu)選地，交替周期數(shù)η為大于或等于I且小于或等于10的正整數(shù)，SP :1彡η彡10。本實(shí)施例中，步驟2具體包括步驟21、形成阻隔層。其中，阻隔層包括無機(jī)絕緣層和有機(jī)絕緣層，則步驟21具體可包括步驟211、形成無機(jī)絕緣層。具體地，以磁控濺射的方式形成無機(jī)絕緣層，以等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積的方式形成無機(jī)絕緣層，或者以等離子體輔助化學(xué)氣相沉積的方式形成無機(jī)絕緣層。其中，無機(jī)絕緣層的材料可包括氧化物、硫化物、氮化物、氮氧化物或者碳膜，例如無機(jī)絕緣層的材料可以為三氧化二鋁(Al2O3)、氮化硅(Si3N4)、氮氧化硅(SiOxNy)或者類金剛石。步驟212、在無機(jī)絕緣層上形成有機(jī)絕緣層。具體地,可通過噴涂、旋涂或者真空熱蒸鍍的方式在無機(jī)絕緣層上形成有機(jī)絕緣層的材料，并對(duì)有機(jī)絕緣層的材料進(jìn)行固化處理形成有機(jī)絕緣層。其中，有機(jī)絕緣層的材料可以包括UV固化膠、聚甲基丙烯酸甲酯、聚酰亞胺、聚對(duì)二甲苯、聚丙烯酸酯或者丙烯酸脂單體。步驟22、在阻隔層上形成光學(xué)調(diào)制層。其中，光學(xué)調(diào)制層可包括網(wǎng)格層和位于網(wǎng)格層之上的填充層，則步驟22可包括步驟221、在阻隔層上形成網(wǎng)格層。具體地，在阻隔層中的有機(jī)絕緣層上形成網(wǎng)格層。其中，網(wǎng)格層由依次斜向生長的金屬/介質(zhì)/金屬三層納米柱薄膜構(gòu)成，則具體地，以設(shè)定入射角度，通過電子束蒸發(fā)的方式在所述隔離層上形成依次斜向生長的金屬/介質(zhì)/金屬三層納米柱薄膜。其中，金屬可包括銀(Ag)、鋁(Al)或者銀鋁混合物，介質(zhì)可包括二氧化硅(SiO2)或者氟化鎂(MgF2)。優(yōu)選地，以襯底基板的法線為參照，設(shè)定入射角度Θ I大于85°且小于90°即85° < Θ1<90°。本實(shí)用新型中，可根據(jù)網(wǎng)格層的功能確定設(shè)定入射角度ΘI的工藝值，換言之，確定出的設(shè)定入射角度ΘI的工藝值能夠?qū)崿F(xiàn)網(wǎng)格層的功能即可。步驟222、在網(wǎng)格層上形成填充層。其中，填充層由斜向上生長的氧化物納米柱薄膜構(gòu)成，則具體地，以在設(shè)定角度范圍內(nèi)角度階梯增大的入射角度，通過電子束蒸發(fā)的方式在網(wǎng)格層上形成斜向上生長的氧化物納米柱薄膜。其中，氧化物可包括二氧化鈦(TiO2)、三氧化二鋁(Al2O3)、氧化鋅(ZnO)、氧化鎂(MgO)或者氧化鋯(ZrO2)。其中，設(shè)定角度范圍內(nèi)的入射角度均是以襯底基板法線為參照。優(yōu)選地，設(shè)定角度范圍為位于30°至90°之間的角度范圍。例如設(shè)定角度范圍可以為40°至90°的角度范圍或者30°至90°的角度范圍。步驟23、重復(fù)執(zhí)行η-l次步驟21和步驟22，其中，η為交替周期數(shù)，η為大于I的
正整數(shù)。本實(shí)施例中，當(dāng)η = I時(shí)，則無需再執(zhí)行步驟23。需要說明的是本實(shí)施例中當(dāng)?shù)谝淮螆?zhí)行步驟21時(shí)，直接在制備出的OLED上形成阻隔層，而在后續(xù)重復(fù)執(zhí)行步驟21時(shí)，是在上一個(gè)交替周內(nèi)形成的光學(xué)調(diào)制層中的填充層上形成阻隔層。在實(shí)際應(yīng)用中，可選地，在OLED上還可以按照其它的交替方式交替形成阻隔層和光學(xué)調(diào)制層。例如在OLED上以阻隔層-光學(xué)調(diào)制層-阻隔層的順序交替形成阻隔層和光學(xué)調(diào)制層。本實(shí)施例提供的OLED封裝結(jié)構(gòu)的制造方法包括在制備出的OLED上按照交替周期數(shù)交替形成阻隔層和光學(xué)調(diào)制層，光學(xué)調(diào)制層增強(qiáng)了 OLED的散射出光能力并改變了部分光線的傳播方向，從而降低了 OLED因微腔效應(yīng)引起的觀測(cè)角度依賴性，提高了 OLED的對(duì)比度。阻隔層可有效阻隔水汽和氧氣，防止水汽和氧氣滲入OLED內(nèi)部，從而避免了水汽和氧氣腐蝕OLED的有機(jī)功能層和電極材料，提高了器件壽命。特別是當(dāng)與光學(xué)調(diào)制層交替形成的阻隔層為多層時(shí)，能夠更加有效的避免滲入的水汽和氧氣腐蝕OLED的有機(jī)功能層和電極材料，從而提高了 OLED的密封性能。并且當(dāng)與阻隔層交替形成的光學(xué)調(diào)制層為多層時(shí)，能夠更加有效的降低因微腔效應(yīng)引起的觀測(cè)角度依賴性。本實(shí)施例提供的OLED封裝結(jié)構(gòu)的制造方法中，光學(xué)調(diào)制層與OLED都是在真空環(huán)境中制備的，也就是說，光學(xué)調(diào)制層與OLED的制備工藝條件是相似的，從而在工藝上光學(xué)調(diào)制層與OLED具有兼容性；通過斜角入射沉積技術(shù)制備光學(xué)調(diào)制層的工藝，有利于大面積成膜，從而有利于連續(xù)大規(guī)模生產(chǎn)。下面通過具體的實(shí)例對(duì)上述實(shí)施例二中的方案進(jìn)行詳細(xì)描述。圖8為本實(shí)用新型實(shí)施例三提供的一種OLED封裝結(jié)構(gòu)的制造方法的流程圖，如圖8所示,該方法包括步驟301、在襯底基板上制備OLED。對(duì)步驟301的具體描述可參見上述實(shí)施例二中對(duì)步驟I的描述。本實(shí)施例中，陽極的材料為銀(Ag),陰極的材料為鎂銀合金(Mg:Ag合金)。步驟302、以磁控濺射的方式形成無機(jī)絕緣層。無機(jī)絕緣層的材料為類金剛石。[0070]步驟303、在無機(jī)絕緣層上噴涂UV固化膠，并對(duì)UV固化膠進(jìn)行紫外線固化處理，形成有機(jī)絕緣層。步驟304、以設(shè)定入射角度，通過電子束蒸發(fā)的方式在阻隔層中的有機(jī)絕緣層上形成依次斜向生長的金屬/介質(zhì)/金屬三層納米柱薄膜，形成的依次斜向生長的金屬/介質(zhì)/金屬三層納米柱薄膜為網(wǎng)格層。金屬為銀(Ag)，介質(zhì)為二氧化硅(SiO2),設(shè)定入射角度為89。。步驟305、以在40°至90°的角度范圍內(nèi)角度階梯增大的入射角度，通過電子束蒸發(fā)的方式在網(wǎng)格層上形成斜向上生長的氧化物納米柱薄膜，形成的斜向上生長的氧化物納米柱薄膜為填充層。其中，氧化物可以為二氧化鈦(TiO2)、三氧化二鋁(Al2O3)或者氧化鋅(ZnO)。步驟306、重復(fù)執(zhí)行η-l次步驟302至步驟305，其中，η為交替周期數(shù)，η為大于I的正整數(shù)。優(yōu)選地，η為4或者6。本實(shí)施例中，若η為I時(shí)，則無需執(zhí)行步驟306。圖9為本實(shí)用新型實(shí)施例四提供的一種OLED封裝結(jié)構(gòu)的制造方法的流程圖，如圖9所示,該方法包括步驟401、在襯底基板上制備OLED。對(duì)步驟401的具體描述可參見上述實(shí)施例二中對(duì)步驟I的描述。本實(shí)施例中，陽極的材料為氧化銦錫/銀/氧化銦錫(Ι /Ag/ITO)，陰極的材料為鋁/銀(Al/Ag)。步驟402、以等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積的方式形成無機(jī)絕緣層。無機(jī)絕緣層的材料為氮化硅(Si3N4)。步驟403、通過真空熱蒸鍍的方式在無機(jī)絕緣層上形成丙烯酸脂單體，并對(duì)丙烯酸脂單體進(jìn)行紫外線固化處理，形成有機(jī)絕緣層。步驟404、以設(shè)定入射角度，通過電子束蒸發(fā)的方式在阻隔層中的有機(jī)絕緣層上形成依次斜向生長的金屬/介質(zhì)/金屬三層納米柱薄膜，形成的依次斜向生長的金屬/介質(zhì)/金屬三層納米柱薄膜為網(wǎng)格層。金屬為銀(Ag)，介質(zhì)為氟化鎂(MgF2),設(shè)定入射角度為86。。步驟405、以在30°至90°的角度范圍內(nèi)角度階梯增大的入射角度，通過電子束蒸發(fā)的方式在網(wǎng)格層上形成斜向上生長的氧化物納米柱薄膜，形成的斜向上生長的氧化物納米柱薄膜為填充層。其中，氧化物可以為二氧化鈦(TiO2)、三氧化二鋁(Al2O3)或者氧化鋅(ZnO)。步驟406、重復(fù)執(zhí)行η-l次步驟402至步驟405，其中，η為交替周期數(shù)，η為大于I的正整數(shù)。優(yōu)選地，η為4或者3。本實(shí)施例中，若η為I時(shí)，則無需執(zhí)行步驟406。圖10為本實(shí)用新型實(shí)施例五提供的一種OLED封裝結(jié)構(gòu)的制造方法的流程圖，如圖10所示,該方法包括步驟501、在襯底基板上制備0LED。對(duì)步驟501的具體描述可參見上述實(shí)施例二中對(duì)步驟I的描述。本實(shí)施例中，陽極的材料為氧化銦錫/銀/氧化銦錫(Ι /Ag/ITO)，陰極的材料為鋁/銀(Al/Ag)。步驟502、以等離子體輔助化學(xué)氣相沉積的方式形成無機(jī)絕緣層。無機(jī)絕緣層的材料為氮氧化娃(SiOxNy)。步驟503、在無機(jī)絕 緣層上噴涂或者旋涂聚甲基丙烯酸甲酯，并對(duì)聚甲基丙烯酸甲酯進(jìn)行紫外線固化處理，形成有機(jī)絕緣層。步驟504、以設(shè)定入射角度，通過電子束蒸發(fā)的方式在阻隔層中的有機(jī)絕緣層上形成依次斜向生長的金屬/介質(zhì)/金屬三層納米柱薄膜，形成的依次斜向生長的金屬/介質(zhì)/金屬三層納米柱薄膜為網(wǎng)格層。金屬為鋁(Al)或者銀鋁混合物，介質(zhì)為二氧化硅(SiO2),設(shè)定入射角度為88°。步驟505、以在30°至90°的角度范圍內(nèi)角度階梯增大的入射角度，通過電子束蒸發(fā)的方式在網(wǎng)格層上形成斜向上生長的氧化物納米柱薄膜，形成的斜向上生長的氧化物納米柱薄膜為填充層。其中，氧化物可以為氧化鎂(MgO)、二氧化鈦(TiO2)或者氧化鋯(ZrO2)。步驟506、重復(fù)執(zhí)行η-l次步驟502至步驟505，其中，η為交替周期數(shù)，η為大于I的正整數(shù)。優(yōu)選地，η為4或者3。本實(shí)施例中，若η為I時(shí)，則無需執(zhí)行步驟506。本實(shí)用新型實(shí)施例還提供一種發(fā)光器件，包括上述任一所述的OLED封裝結(jié)構(gòu)。通過本實(shí)用新型的技術(shù)方案封裝后的有機(jī)電致發(fā)光器件可以應(yīng)用在制備有機(jī)電致發(fā)光顯示器、有機(jī)晶體管、有機(jī)集成電路、有機(jī)太陽能電池、有機(jī)激光器和/或有機(jī)傳感器中。所述有機(jī)電致發(fā)光顯示器可以為=OLED面板、電子紙、手機(jī)、平板電腦、電視機(jī)、顯示器、筆記本電腦、數(shù)碼相框、導(dǎo)航儀等任何具有顯示功能的產(chǎn)品或部件等?？梢岳斫獾氖?，以上實(shí)施方式僅僅是為了說明本實(shí)用新型的原理而采用的示例性實(shí)施方式，然而本實(shí)用新型并不局限于此。對(duì)于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本實(shí)用新型的精神和實(shí)質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進(jìn)，這些變型和改進(jìn)也視為本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求1.一種OLED封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括襯底基板、0LED、阻隔層和光學(xué)調(diào)制層，所述OLED形成于所述襯底基板上，所述阻隔層和所述光學(xué)調(diào)制層交替形成于所述OLED之上。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的OLED封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述阻隔層和所述光學(xué)調(diào)制層按照交替周期數(shù)交替形成于所述OLED之上，且在每個(gè)交替周期內(nèi)所述光學(xué)調(diào)制層位于所述阻隔層之上。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的OLED封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述交替周期數(shù)為大于或等于I且小于或等于10的正整數(shù)。
4.根據(jù)權(quán)利要求I至3任一所述的OLED封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述光學(xué)調(diào)制層包括網(wǎng)格層和位于所述網(wǎng)格層之上的填充層。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的OLED封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述網(wǎng)格層由依次斜向生長的金屬/介質(zhì)/金屬三層納米柱薄膜構(gòu)成，所述金屬包括銀、鋁或者銀鋁混合物，所述介質(zhì)包括二氧化硅或者氟化鎂。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的OLED封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述填充層由斜向上生長的氧化物納米柱薄膜構(gòu)成，所述填充層的材料包括二氧化鈦、三氧化二鋁、氧化鋅、氧化鎂或者氧化鋯。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的OLED封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述OLED包括頂發(fā)射OLED或者雙面發(fā)射OLED。
8.一種發(fā)光器件，其特征在于，包括權(quán)利要求I至7任一所述的OLED封裝結(jié)構(gòu)。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種OLED封裝結(jié)構(gòu)及發(fā)光器件。該OLED封裝結(jié)構(gòu)包括襯底基板、OLED、阻隔層和光學(xué)調(diào)制層，所述OLED形成于所述襯底基板上，所述阻隔層和所述光學(xué)調(diào)制層交替形成于所述OLED之上。本實(shí)用新型提供的OLED封裝結(jié)構(gòu)及發(fā)光器件的技術(shù)方案中，阻隔層和光學(xué)調(diào)制層交替形成于OLED之上，光學(xué)調(diào)制層增強(qiáng)了OLED的散射出光能力并改變了部分光線的傳播方向，從而降低了OLED因微腔效應(yīng)引起的觀測(cè)角度依賴性。
文檔編號(hào)H01L51/52GK202749419SQ201220439198
公開日2013年2月20日 申請(qǐng)日期2012年8月30日 優(yōu)先權(quán)日2012年8月30日
發(fā)明者朱儒暉, 于軍勝 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司