專利名稱：雙絕緣層片式電阻器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種電阻器，特別是涉及一種雙絕緣層片式電阻器。
背景技術(shù)：
隨著電子技術(shù)迅速發(fā)展，電子產(chǎn)品的集成度越來越高，對電子元器件的要求也越來越高?，F(xiàn)有的片式電阻器，按生產(chǎn)工藝分為厚膜型后薄膜型兩種。厚膜型采用絲網(wǎng)印刷將電阻性材料沉淀在絕緣基體上燒結(jié)而成，薄膜型是在真空中采用蒸發(fā)和濺射等工藝將電阻性材料沉淀在絕緣基體上制成，特點(diǎn)是低溫度系數(shù)(±5PPM/°C )，高精度(±0.019Γ土 1%)。器件的小型化對其特性的穩(wěn)定性和可靠性提出了更高的要求，因此，對其使用的材料和產(chǎn)品結(jié)構(gòu)的特性也要求更高。對于高精度電子產(chǎn)品對其使用器件的可靠性比一般電子產(chǎn)品的要求更高，使用器件微小的參數(shù)波動(dòng)就能影響該電子產(chǎn)品的可靠性。電阻層是片式電阻器的關(guān)鍵組成部分，其特性直接影響電阻器的性能。目前，多采用印刷或?yàn)R射將電阻層直接沉淀于絕緣基片上，如果電阻層采用導(dǎo)電膏印刷后燒結(jié)成膜，燒結(jié)后易出現(xiàn)導(dǎo)電膏滲入絕緣基片的情況，引起電阻層不均勻且導(dǎo)電顆粒進(jìn)入絕緣材料，從而影響產(chǎn)品的性能。因此，為避免導(dǎo)電膏滲入絕緣基片，進(jìn)一步提高電阻器的穩(wěn)定性和可靠性，對絕緣基片的相關(guān)處理是該技術(shù)領(lǐng)域研發(fā)的一個(gè)不容忽視的課題。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的 是為了解決上述問題而提供一種結(jié)構(gòu)簡單和性能穩(wěn)定的電阻器。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采用了以下技術(shù)方案:本實(shí)用新型所述的一種雙絕緣層片式電阻器，包括絕緣基片、底層絕緣層、表電極、電阻層、端電極和表面絕緣層，所述底層絕緣層設(shè)置在所述絕緣基片的上表面，所述表電極分別設(shè)置在所述底層絕緣層和所述絕緣基片的上表面，所述電阻層設(shè)置在所述底層絕緣層的上表面并連接兩塊所述表電極，所述端電極分別設(shè)置在所述絕緣基片的兩端并連接對應(yīng)的表電極，所述表層絕緣層設(shè)置在所述電阻層的上表面，所述電阻層設(shè)置在所述底層絕緣層和所述表層保護(hù)層之間。在絕緣基片上預(yù)先印刷一層絕緣層，該絕緣層材料即填充了絕緣基片部分不致密而產(chǎn)生的微小間隙，也給電阻層提供了一個(gè)平整的附著層，使電阻層更好有一個(gè)更好的附著基體并且避免了電阻層的下滲情況，使電阻層更加均勻和致密，增強(qiáng)電阻器的特性。作為最佳方案，所述底層絕緣層為玻璃介質(zhì)絕緣層。具體地，所述表電極為金屬導(dǎo)電膏，所述表層絕緣層為玻璃介質(zhì)絕緣層，采用絲網(wǎng)印刷形成導(dǎo)電圖形和保護(hù)層圖形。進(jìn)一步地，所述端電極包括金屬導(dǎo)電膏和金屬鍍層，所述金屬鍍層設(shè)置于所述金屬導(dǎo)電膏表面。所述金屬鍍層采用電鍍工藝實(shí)現(xiàn)，也可以采用其他的方式。本實(shí)用新型的有益效果是:[0012]本實(shí)用新型的電阻層與絕緣基片沒有直接接觸，避免了因絕緣基片部分不致密產(chǎn)生空隙而引起的電阻層材料滲入絕緣基片內(nèi)部，提高了產(chǎn)品的穩(wěn)定性。

圖1是本實(shí)用新型雙絕緣層片式電阻器的立體圖；圖2是圖1的橫向截面圖；圖3是圖1除去表面絕緣層后的俯視圖。圖中:1-絕緣基片，2-底層絕緣層，3-電阻層，4-表電極，5-端電極，6_表面絕緣層。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖和較佳實(shí)施例，對本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式
作進(jìn)一步的詳細(xì)說明:如圖1和圖2所示，本實(shí)用新型所述的一種電阻器，包括絕緣基片1，在絕緣基片I的上表面設(shè)置一層底層絕緣層2，在絕緣基片I的兩端底層絕緣層2的上表面設(shè)置表電極4并延伸至絕緣基片I的下表面，電阻層3設(shè)置底層絕緣層2的上表面并連接兩端的表電極4，端電極5分別設(shè)置在絕緣基片I的兩端并設(shè)置在對應(yīng)表電極4的表面，表面絕緣層6設(shè)置在電阻層3和絕緣基片I的表面。如圖3所示，底層絕緣層2的寬度小于絕緣基片I的寬度，電阻層3的寬度小于底層絕緣層2的寬度。電阻器結(jié)構(gòu)中，增加一層底層絕緣層2，增強(qiáng)了電阻層載體接觸面的平整度和致密度，避免電阻層滲入絕緣基片1，以達(dá)到提高電阻器性能的目的。上述實(shí)施例僅為本實(shí)用新型的一種實(shí)施例，是說明性的而不是限制性的，還有許多變化均屬于本實(shí)用新型的技術(shù)方案，如底層絕緣層可以兩層或多層，各層的材料可以相同也可以不同，因此，在不脫離本實(shí)用新型構(gòu)思下所做是改變和修改，均在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種雙絕緣層片式電阻器，包括絕緣基片、表電極、電阻層、端電極和表層表面層，所述表電極分別設(shè)置在所述絕緣基片載體的兩端，所述電阻層設(shè)置在所述絕緣基片載體上并連接兩塊所述表電極，所述端電極分別設(shè)置在所述絕緣基片的兩端并連接對應(yīng)的表電極，所述表層絕緣層設(shè)置在所述電阻層的上表面，其特征在于:還包括底層絕緣層，所述底層絕緣層設(shè)置在所述絕緣基片的上表面，所述電阻層設(shè)置在所述底層絕緣層和所述表層絕緣層之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種雙絕緣層片式電阻器，其特征在于:所述底層絕緣層為玻璃介質(zhì)絕緣層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種雙絕緣層片式電阻器，其特征在于:所述電阻層為導(dǎo)電膏電阻層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種雙絕緣層片式電阻器，其特征在于:所述表電極為金屬導(dǎo)電膏表電極。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種雙絕緣層片式電阻器，其特征在于:所述端電極包括金屬導(dǎo)電膏層和金屬鍍層，所述金屬鍍層設(shè)置于所述金屬導(dǎo)電膏層的表面。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種雙絕緣層片式電阻器，其特征在于:所述表層絕緣層為玻璃介質(zhì)絕緣層。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種雙絕緣層片式電阻器，包括絕緣基片、底層絕緣層、表電極、電阻層、端電極和表層絕緣層，所述底層絕緣層設(shè)置在所述絕緣基片的上表面，所述表電極分別設(shè)置在所述底層絕緣層和所述絕緣基片的上表面，所述電阻層設(shè)置在所述底層保護(hù)層的上表面并連接兩塊所述表電極，所述端電極分別設(shè)置在所述絕緣基片的兩端并連接對應(yīng)的表電極，所述表層絕緣層設(shè)置在所述電阻層的上表面，所述電阻層設(shè)置在所述底層絕緣層和所述表層絕緣層之間。本實(shí)用新型的電阻層與絕緣基片沒有直接接觸，避免了因絕緣基片的部分空隙而引起的電阻層材料滲入絕緣基片內(nèi)部，提高了產(chǎn)品的穩(wěn)定性。
文檔編號H01C7/00GK202996456SQ20122045345
公開日2013年6月12日 申請日期2012年9月7日 優(yōu)先權(quán)日2012年9月7日
發(fā)明者張君 申請人:成都默一科技有限公司