專(zhuān)利名稱(chēng)：一種發(fā)光二極管芯片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
一種發(fā)光二極管芯片技術(shù)領(lǐng)域[0001]本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種發(fā)光二極管芯片。
背景技術(shù)：
[0002]發(fā)光二極管是一種半導(dǎo)體固定發(fā)光器件，其直接可以將電能轉(zhuǎn)化為光能。目前，發(fā)光二極管已廣泛地用于顯示屏、背光源、照明等領(lǐng)域。發(fā)光二極管芯片是半導(dǎo)體晶片，是發(fā)光二極管的核心組件。[0003]發(fā)光二極管芯片包括襯底以及依次生長(zhǎng)在襯底上的η型層、MQWs (Multiple Quantum Wells,多量子阱)層和p型層，芯片上設(shè)有從P型層刻蝕到η型層的凹槽，凹槽內(nèi)的η型層上設(shè)有η型焊盤(pán)，P型層上設(shè)有P型焊盤(pán)。[0004]在實(shí)現(xiàn)本實(shí)用新型的過(guò)程中，發(fā)明人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)至少存在以下問(wèn)題[0005]現(xiàn)有的發(fā)光二極管芯片的η型焊盤(pán)是制作在凹槽內(nèi)的η型層上，制作凹槽時(shí)需要刻蝕掉部分發(fā)光區(qū)(多量子阱層)至η型層，當(dāng)發(fā)光二極管芯片為中小型功率的發(fā)光二極管芯片時(shí)，其芯片尺寸較小，制作η型焊盤(pán)時(shí)刻蝕掉的發(fā)光區(qū)的面積占到發(fā)光二極管芯片總發(fā)光區(qū)的面積的10%，減小了發(fā)光二極管芯片的發(fā)光面積，影響了發(fā)光二極管的亮度，降低了發(fā)光二極管的發(fā)光效率。實(shí)用新型內(nèi)容[0006]為了解決現(xiàn)有技術(shù)的問(wèn)題，本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種發(fā)光二極管芯片。所述技術(shù)方案如下—種發(fā)光二極管芯片，所述芯片包括襯底以及依次層疊在所述襯底上的η型層、 多量子阱層和P型層，所述P型層上設(shè)有P型焊盤(pán)，所述P型層上設(shè)有盲孔，所述盲孔從所述P型層延伸至所述η型層，所述盲孔的一端設(shè)有η型焊盤(pán)且所述η型焊盤(pán)位于所述P型層上，所述盲孔內(nèi)設(shè)有將所述η型焊盤(pán)與所述η型層電連接的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，所述η型焊盤(pán)與所述P型層之間、所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)與所述P型層之間以及所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)與所述多量子阱層之間設(shè)有絕緣層。[0008]優(yōu)選地，所述盲孔為垂直盲孔。[0009]優(yōu)選地，所述盲孔的孔徑為5-10um。[0010]優(yōu)選地，所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)為導(dǎo)電膠。[0011]優(yōu)選地,所述絕緣層為SiO2層。[0012]本實(shí)用新型實(shí)施例提供的技術(shù)方案帶來(lái)的有益效果是通過(guò)在P型層設(shè)有盲孔， 盲孔從P型層延伸至η型層，將η型焊盤(pán)設(shè)置在盲孔的上方的P型層上，并在盲孔內(nèi)填充導(dǎo)電結(jié)構(gòu)使得η型焊盤(pán)與η型層電連接，從而減小了制作η型焊盤(pán)時(shí)需要刻蝕掉的發(fā)光面積， 相較于傳統(tǒng)的發(fā)光二極管芯片，本實(shí)用新型的發(fā)光二極管芯片相應(yīng)地增大了發(fā)光面積，從而提聞了發(fā)光~■極管芯片的売度和發(fā)光效率。


[0013]為了更清楚地說(shuō)明本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。[0014]圖1是本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種發(fā)光二極管芯片的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
[0015]為使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施方式作進(jìn)一步地詳細(xì)描述。[0016]實(shí)施例[0017]本實(shí)用新型實(shí)施例提供了一種發(fā)光二極管芯片，參見(jiàn)圖1，該芯片包括[0018]襯底I以及依次層疊在襯底I上的η型層2，多量子阱層3和ρ型層4，ρ型層4上設(shè)有P型焊盤(pán)41，P型層4上設(shè)有盲孔5，盲孔5從P型層4延伸至η型層2，盲孔5的一端設(shè)有η型焊盤(pán)42且η型焊盤(pán)42位于ρ型層4上，盲孔5內(nèi)設(shè)有將η型焊盤(pán)42與η型層2 電連接的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)51，η型焊盤(pán)42與ρ型層4之間、導(dǎo)電結(jié)構(gòu)51與ρ型層4之間以及導(dǎo)電結(jié)構(gòu)51與多量子阱3之間設(shè)有絕緣層52。[0019]具體地，襯底I可以為藍(lán)寶石襯底。[0020]優(yōu)選地，盲孔5可以為垂直盲孔。[0021]優(yōu)選地，盲孔5的孔徑為5-10um。優(yōu)選地，導(dǎo)電結(jié)構(gòu)51可以為導(dǎo)電膠。通過(guò)在盲孔5內(nèi)鋪設(shè)導(dǎo)電膠，通過(guò)導(dǎo)電膠實(shí)現(xiàn)η型焊盤(pán)42與η型層2的電連接，工藝簡(jiǎn)單，易于操作。[0023]優(yōu)選地，絕緣層52可以為SiO2層。通過(guò)設(shè)置SiO2層，實(shí)現(xiàn)η型焊盤(pán)42與ρ型層 4、多量子阱層3的電絕緣，保證了芯片的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)穩(wěn)定。[0024]本實(shí)用新型實(shí)施例提供的發(fā)光二極管芯片在制作時(shí)，可以首先采用金屬有機(jī)物氣相沉積法在襯底I上生長(zhǎng)η型層2、多量子阱層3和ρ型層4。其次，可以采用TSV(Thix)Ugh Silicon Via，穿透硅通孔)技術(shù)在ρ型層4上加工孔至η型層2。接著在ρ型層4上和孔內(nèi)沉積絕緣層52，采用光刻工藝和刻蝕工藝去除ρ型層4上的要制作ρ型焊盤(pán)41部分的絕緣層52，同時(shí)刻蝕掉孔的底部的絕緣層52。繼續(xù)采用光刻工藝和TSV技術(shù)在孔內(nèi)的絕緣層 52內(nèi)部加工孔至η型層2的內(nèi)部，得到盲孔5，然后在盲孔5內(nèi)填充導(dǎo)電膠，即制作導(dǎo)電結(jié)構(gòu)51。最后通過(guò)光刻、電極蒸鍍、剝離等方法，在盲孔5的上方的絕緣層52上制作η型焊盤(pán) 42，使得盲孔5內(nèi)的導(dǎo)電材料與η型焊42盤(pán)形成良好的電連接，并在P型層4上制作ρ型焊盤(pán)41。[0025]本實(shí)用新型實(shí)施例提供的技術(shù)方案帶來(lái)的有益效果是通過(guò)在P型層設(shè)有盲孔， 盲孔從P型層延伸至η型層，將η型焊盤(pán)設(shè)置在盲孔的上方的P型層上，并在盲孔內(nèi)填充導(dǎo)電結(jié)構(gòu)使得η型焊盤(pán)與η型層電連接，從而減小了制作η型焊盤(pán)時(shí)需要刻蝕掉的發(fā)光面積， 相較于傳統(tǒng)的發(fā)光二極管芯片，本實(shí)用新型的發(fā)光二極管芯片相應(yīng)地增大了發(fā)光面積，從而提聞了發(fā)光~■極管芯片的売度和發(fā)光效率。[0026]以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例，并不用以限制本實(shí)用新型，凡在本實(shí)用.新型的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種發(fā)光二極管芯片，所述芯片包括襯底以及依次層疊在所述襯底上的η型層、多量子阱層和P型層，所述P型層上設(shè)有P型焊盤(pán)，其特征在于， 所述P型層上設(shè)有盲孔，所述盲孔從所述P型層延伸至所述η型層，所述盲孔的一端設(shè)有η型焊盤(pán)且所述η型焊盤(pán)位于所述P型層上，所述盲孔內(nèi)設(shè)有將所述η型焊盤(pán)與所述η型層電連接的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，所述η型焊盤(pán)與所述P型層之間、所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)與所述P型層之間以及所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)與所述多量子阱層之間設(shè)有絕緣層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片，其特征在于，所述盲孔為垂直盲孔。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片，其特征在于，所述盲孔的孔徑為5-lOum。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片，其特征在于，所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)為導(dǎo)電膠。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片，其特征在于，所述絕緣層為SiO2層。
專(zhuān)利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)了一種發(fā)光二極管芯片，屬于半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。該芯片包括襯底以及依次層疊在襯底上的n型層、多量子阱層和p型層，p型層上設(shè)有p型焊盤(pán)，p型層上設(shè)有盲孔，盲孔從p型層延伸至n型層，盲孔的一端設(shè)有n型焊盤(pán)且n型焊盤(pán)位于p型層上，盲孔內(nèi)設(shè)有將n型焊盤(pán)與n型層電連接的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，n型焊盤(pán)與p型層之間、導(dǎo)電結(jié)構(gòu)與p型層之間以及導(dǎo)電結(jié)構(gòu)與多量子阱層之間設(shè)有絕緣層。本實(shí)用新型通過(guò)上述技術(shù)方案，從而減小了制作n型焊盤(pán)時(shí)需要刻蝕掉的發(fā)光面積，相較于傳統(tǒng)的發(fā)光二極管芯片，本實(shí)用新型的發(fā)光二極管芯片相應(yīng)地增大了發(fā)光面積，從而提高了發(fā)光二極管芯片的亮度和發(fā)光效率。
文檔編號(hào)H01L33/38GK202839727SQ201220476129
公開(kāi)日2013年3月27日 申請(qǐng)日期2012年9月17日 優(yōu)先權(quán)日2012年9月17日
發(fā)明者皮智華, 張建寶 申請(qǐng)人:華燦光電股份有限公司