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      超導(dǎo)磁體設(shè)備及包括該超導(dǎo)磁體設(shè)備的磁共振系統(tǒng)的制作方法

      文檔序號(hào):7133825閱讀:315來(lái)源:國(guó)知局
      專利名稱:超導(dǎo)磁體設(shè)備及包括該超導(dǎo)磁體設(shè)備的磁共振系統(tǒng)的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本實(shí)用新型涉及具有超導(dǎo)磁體設(shè)備的磁共振系統(tǒng),特別是涉及具有失超管道的超導(dǎo)磁體設(shè)備。
      背景技術(shù)
      超導(dǎo)磁體設(shè)備需要產(chǎn)生極強(qiáng)的磁場(chǎng),通常需要使用包括線圈繞組的超導(dǎo)磁體。一般使用液氦作為冷卻劑以將線圈繞組冷卻到大約略高于絕對(duì)零度幾度的溫度。對(duì)這種大量極冷的液氦的處理為超導(dǎo)磁體設(shè)備提出了較高要求?!N情況與超導(dǎo)磁體系統(tǒng)的失超(quench)有關(guān)。失超是指超導(dǎo)線圈的導(dǎo)線突然失去超導(dǎo)性。當(dāng)超導(dǎo)線圈開(kāi)始呈現(xiàn)正常的電阻性能時(shí),散發(fā)出的熱能將導(dǎo)致超導(dǎo)磁體設(shè)備中的液氦極快地蒸發(fā),設(shè)備必需能夠使以大約1:700的膨脹率從約4. 2開(kāi)溫度下的液體產(chǎn) 生的大量氣體通向室外周圍環(huán)境。失超管道為氦氣提供了從超導(dǎo)磁體至大氣的安全釋放。失超管道通常被裝配在超導(dǎo)磁體的出氣端口處,由于失超管道從超導(dǎo)磁體向上延伸到設(shè)備間的屋頂或屋頂以外,故出氣端口常常位于超導(dǎo)磁體的頂部,以使該失超管道以最短的距離向上延伸到屋頂。失超管道從超導(dǎo)磁體至屋頂?shù)拈L(zhǎng)度取決于超導(dǎo)磁體和設(shè)備間之間的高度。在一些情況下,設(shè)備間的構(gòu)造會(huì)對(duì)超導(dǎo)磁體設(shè)備的安裝提出一些限制,連接于該超導(dǎo)磁體的失超管道需要延伸到設(shè)備間的屋頂并由此與室外相通,當(dāng)需要采用高度較小的超導(dǎo)磁體時(shí),則由該超導(dǎo)磁體向上延伸的失超管道勢(shì)必要加長(zhǎng)才可達(dá)到屋頂,由此在設(shè)備間內(nèi)的失超管道將會(huì)占據(jù)較大的空間。

      實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的在于提出了一種具有失超管道的超導(dǎo)磁體設(shè)備,可節(jié)省房屋上面的空間,并使屋內(nèi)整齊明亮等。為達(dá)上述目的,本實(shí)用新型提供一種超導(dǎo)磁體設(shè)備,其包括一超導(dǎo)磁體,具有排氣端口 ;以及一失超管道,所述失超管道包括一第一管段,所述第一管段的一端與所述排氣端口連接并向下延伸。所述失超管道還包括一第二管段,所述第二管段與所述第一管段的另一端連接并水平延伸。在一實(shí)施例中,所述第二管段在地面表面上延伸。在一實(shí)施例中,所述超導(dǎo)磁體設(shè)備還包括遮蓋物,用于覆蓋所述第二管段。 在一實(shí)施例中,所述第二管段在地面表面下延伸。在一實(shí)施例中,所述第二管段沿一凹槽延伸。在一實(shí)施例中,在所述凹槽上配置一遮蓋物,用于覆蓋所述第二管段。本實(shí)用新型還提供一種磁共振系統(tǒng),所述磁共振系統(tǒng)包括上述的超導(dǎo)磁體設(shè)備。上述方案可節(jié)省房屋上面的空間,并使屋內(nèi)整齊明亮;同時(shí),由于本實(shí)用新型通過(guò)對(duì)超導(dǎo)磁體設(shè)備中的失超管道布設(shè)位置的改進(jìn),使其在不影響安全釋放氦氣的同時(shí),還可將失超管道隱蔽起來(lái),從而不僅可保護(hù)其失超管道,而且還不影響視覺(jué)效果,如果根據(jù)需要將超導(dǎo)磁體體積縮小且高度變矮時(shí),該失超管道的這種布設(shè)更突顯其上述效果,故提供了一種選擇來(lái)獲得超導(dǎo)磁體設(shè)備的更大靈活性。

      下面將通過(guò)參照附圖詳細(xì)描述本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例,使本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員更清楚本實(shí)用新型的上述及其它特征和優(yōu)點(diǎn),附圖中圖1為根據(jù)本實(shí)用新型的具有失超管道的超導(dǎo)磁體設(shè)備的立體圖。圖2為根據(jù)本實(shí)用新型的第一實(shí)施例的超導(dǎo)磁體設(shè)備的主視圖,其中失超管道的一部分從位于地面內(nèi)的凹槽中延伸而出。圖3為根據(jù)本實(shí)用新型的第二實(shí)施例的超導(dǎo)磁體設(shè)備的主視圖,其中失超管道的一部分從地面上延伸而出。圖4為根據(jù)本實(shí)用新型的第三實(shí)施例的超導(dǎo)磁體設(shè)備的主視圖,其中失超管道的一部分從地面下方延伸而出。超導(dǎo)磁體設(shè)備100 該超導(dǎo)磁體I 排氣端口 3 失超管道4第一管段41 第二管段42 墻壁5 地面6 裝飾殼體具體實(shí)施方式
      為使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚,以下舉實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。在圖1-4中,相同的附圖標(biāo)記指示相同的部件。圖1顯示了根據(jù)本實(shí)用新型的具有失超管道的超導(dǎo)磁體設(shè)備100,其設(shè)置于設(shè)備間的地面6上。該超導(dǎo)磁體設(shè)備100包括超導(dǎo)磁體I和失超管道4。該超導(dǎo)磁體I具有線圈繞組(未顯示)、低溫保持器(未顯示)及排氣端口 3,該低溫保持器I用于存儲(chǔ)低溫液體并包覆于該線圈繞組,以冷卻該線圈繞組。超導(dǎo)磁體排氣端口 3設(shè)置在超導(dǎo)磁體I上,盡管在圖中示出為排氣端口 3位于超導(dǎo)磁體的頂部,但本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)認(rèn)識(shí)到,所述排氣端口 3可以設(shè)置于超導(dǎo)磁體的任何位置,例如,端部、中部等。失超管道4在超導(dǎo)磁體I的排氣端口 3處與低溫保持器密封連接,并由該排氣端口 3處向地面6延伸且與設(shè)備間外相通,用于在線圈繞組失超期間從低溫保持器中接收蒸發(fā)的冷卻劑氣體流并排出室外。該失超管道4具有從超導(dǎo)磁體排氣端口 3向地面延伸的第一管段41,這可以通過(guò)與超導(dǎo)磁體排氣端口 3連接的多個(gè)彎曲部實(shí)現(xiàn),失超管道4還具有第二管段42,其與所述第一管段41連接并水平延伸,也即沿地面6延伸至設(shè)備間的墻壁5之外。圖2顯示了根據(jù)本實(shí)用新型的第一實(shí)施例的超導(dǎo)磁體設(shè)備。在該實(shí)施例中,失超管道4的第一管段41可以向下延伸至設(shè)備間的地面6,為了使地面上的失超管道4不易受損并獲得較佳外觀,可以在地面下預(yù)先布置好凹槽,以將失超管道4的沿地面延伸的第二管段42從該凹槽內(nèi)延伸到設(shè)備間外,由此第二管段42埋設(shè)在地面表面下延伸,并且在凹槽上覆蓋有遮蓋物,如裝飾板,用于覆蓋第二管段42,使得地面平整。在該情況下,超導(dǎo)磁體設(shè)備可以安裝在適合于挖掘地面下凹槽的地點(diǎn),例如在一層或地下室內(nèi)。[0027]圖3顯示了根據(jù)本實(shí)用新型的第二實(shí)施例的超導(dǎo)磁體設(shè)備。在該實(shí)施例中,失超管道4的第一管段41可以向下延伸至設(shè)備間的地面6上,為了獲得較佳外觀,可以用裝飾物直接覆蓋于失超管道4的沿地面表面延伸的第二管段42上,該裝飾物可為裝飾殼體7,獲得與設(shè)備間周圍環(huán)境相和諧的外觀且保護(hù)管段。在該情況下,超導(dǎo)磁體設(shè)備可以安裝在不適合于挖掘地下凹槽的地點(diǎn),例如二層或二層以上的樓層中。圖4顯示了根據(jù)本實(shí)用新型的第三實(shí)施例的超導(dǎo)磁體設(shè)備。在該實(shí)施例中,失超管道4的第一管段41可以向下延伸至設(shè)備間的地面6之下,如圖所示,當(dāng)該設(shè)備間為二層或二層以上時(shí),該地面6可以作為下一層房間的天花板。因此,第二管段42從該天花板之下延伸到室外。此外,用一裝飾物可以遮蓋在失超管道4上,例如下一層房間的吊頂(未顯示),使得第二管段42在天花板和吊頂之間延伸。本實(shí)用新型還公開(kāi)一種磁共振系統(tǒng),其包括上述超導(dǎo)磁體設(shè)備I。上述超導(dǎo)磁體設(shè)備的具體結(jié)構(gòu)更適用于小于一般超導(dǎo)磁體高度的情景,當(dāng)該失超管道由上向下延伸到室外時(shí),不會(huì)使該失超管道占據(jù)屋頂上較多的空間,而使該設(shè)備間內(nèi) 顯得更為整潔。以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已,并不用以限制本實(shí)用新型,凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi),所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等,均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
      權(quán)利要求1.一種超導(dǎo)磁體設(shè)備,其特征在于,該超導(dǎo)磁體設(shè)備包括一超導(dǎo)磁體,具有排氣端口 ;以及一失超管道,所述失超管道包括一第一管段,所述第一管段的一端與所述排氣端口連接并向下延伸。
      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述超導(dǎo)磁體設(shè)備,其特征在于,所述失超管道還包括一第二管段, 所述第二管段與所述第一管段的另一端連接并水平延伸。
      3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的超導(dǎo)磁體設(shè)備,其特征在于,所述第二管段在地面表面上延伸。
      4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的超導(dǎo)磁體設(shè)備,其特征在于,所述超導(dǎo)磁體設(shè)備還包括遮蓋物,用于覆蓋所述第二管段。
      5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的超導(dǎo)磁體設(shè)備,其特征在于,所述第二管段在地面表面下延伸。
      6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的超導(dǎo)磁體設(shè)備,其特征在于,所述第二管段沿一凹槽延伸。
      7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的超導(dǎo)磁體設(shè)備,其特征在于,在所述凹槽上配置一遮蓋物,用于覆蓋所述第二管段。
      8.一種磁共振系統(tǒng),其特征在于,所述磁共振系統(tǒng)包括如權(quán)利要求1-7任一所述的超導(dǎo)磁體設(shè)備。
      專利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)一種超導(dǎo)磁體設(shè)備及其磁共振系統(tǒng),該超導(dǎo)磁體設(shè)備包括一超導(dǎo)磁體,具有排氣端口;以及一失超管道,所述失超管道包括一第一管段,所述第一管段的一端與所述排氣端口連接并向下延伸。本實(shí)用新型通過(guò)對(duì)超導(dǎo)磁體設(shè)備的失超管道布設(shè)位置改進(jìn),使其在不影響安全釋放氦氣的同時(shí),可將失超管道隱蔽起來(lái),從而不僅可保護(hù)其失超管道而且還不影響視覺(jué)效果,如果根據(jù)需要將超導(dǎo)磁體體積縮小且高度矮時(shí),失超管道的這種布設(shè)更突顯其上述效果。
      文檔編號(hào)H01F6/00GK202855467SQ201220504528
      公開(kāi)日2013年4月3日 申請(qǐng)日期2012年9月28日 優(yōu)先權(quán)日2012年9月28日
      發(fā)明者江樂(lè), 方志春 申請(qǐng)人:西門子(深圳)磁共振有限公司
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