專利名稱：發(fā)光二極管的制作方法
技術領域：
發(fā)光二極管技術領域[0001]本實用新型涉及一種發(fā)光二極管，尤其涉及一種能夠提高光取出效率的發(fā)光二極管。
背景技術：
[0002]請參考圖1-圖4簡要介紹一種發(fā)光二極管的制程。首先，如圖1所示，在基板101 上依序生長緩沖層102、半導體復合層103 ;其中，半導體復合層103包括依序生長的N型 GaN層、多量子阱(Multiple Quantum We 11, MQff)層、以及P型GaN層。接著，如圖2所示， 圖案化半導體復合層103，以在切割道區(qū)(S-S區(qū)域)和制作N電極區(qū)域露出N型GaN層。 然后，如圖3所示，沉積SiO2層作為表面保護層104，之后利用雷射等工藝在切割道區(qū)(S-S 區(qū)域)形成溝渠，該溝渠所占的區(qū)域可稱為雷射切割區(qū)(P-P區(qū)域)。隨后，如圖4所示，利用側(cè)壁蝕刻工藝，蝕刻掉部分緩沖層102。之后，去除剩余的表面保護層104，并制作透明導電層(Transparent Conductive Layer, TCL)以及 N 電極、P 電極即可。[0003]在上述發(fā)光二極管的制程中，由于采用側(cè)壁蝕刻(Side Wall Etching)工藝,能夠使得發(fā)光層發(fā)射出的部分光線在緩沖層102與空氣的界面上折射出來，例如，圖4中的光線 a從MQW層發(fā)出后，若緩沖層102未經(jīng)過側(cè)壁蝕刻，則光線a就會沿著光線b的方向到達基板101，光線不會被導引出來，但若緩沖層102經(jīng)側(cè)壁蝕刻后，光線a會在緩沖層102與空氣的界面處被折射成光線c而被導引出來；故而側(cè)壁蝕刻工藝可以提高發(fā)光二極管的光取出效率。[0004]但是，由于蝕刻過程難以控制，常常會有過度蝕刻的情況發(fā)生。從圖4所示的過度蝕刻的示例可以看出， 過度蝕刻不僅蝕刻掉了部分緩沖層102，還同時蝕刻掉N型GaN層、 MQff層，甚至還會蝕刻掉P型GaN層。顯然，過度蝕刻會造成光源變少，這樣發(fā)光二極管的亮度不增反降，造成得不償失的后果。綜上所述，由于側(cè)壁蝕刻的過程難于控制，會造成發(fā)光二極管的良率及光取出效率非常不穩(wěn)定。實用新型內(nèi)容[0005]本實用新型的實施例提供一種發(fā)光二極管，用以提高發(fā)光二極管的良率和光取出效率。[0006]為達到上述目的，本實用新型的實施例采用如下技術方案[0007]本實用新型提供了一種發(fā)光二極管，包括一基板；一緩沖層，位于基板上；一半導體復合層，位于緩沖層上；其中，半導體復合層的下表面積大于緩沖層的上表面積，以露出部分半導體復合層的下表面。[0008]根據(jù)上述構想，半導體復合層包括一第一半導體層，位于緩沖層上；一發(fā)光層， 位于第一半導體層上；以及一第二半導體層，位于發(fā)光層上。[0009]根據(jù)上述構想，第一半導體層為一 P型半導體層，第二半導體層為一 N型半導體層。[0010]根據(jù)上述構想，第一半導體層為一 N型半導體層，第二半導體層為一 P型半導體層。[0011]根據(jù)上述構想，第一半導體層的下表面積大于緩沖層的上表面積，以露出部分第一半導體層的下表面。[0012]根據(jù)上述構想，發(fā)光二極管還包括一側(cè)壁保護層，位于半導體復合層的側(cè)壁上。[0013]根據(jù)上述構想，發(fā)光二極管還包括一側(cè)壁保護層，位于第一半導體層的側(cè)壁上。[0014]根據(jù)上述構想，側(cè)壁保護層為單層或多層結構。[0015]根據(jù)上述構想，發(fā)光二極管還包括一透明導電層，位于半導體復合層上。[0016]根據(jù)上述構想，發(fā)光二極管還包括一透明導電層，位于第二半導體層上。[0017]本實用新型實施例提供的發(fā)光二極管，其半導體復合層的下表面積大于緩沖層的上表面積，以露出部分半導體復合層的下表面，要制成這種結構，就需要在側(cè)壁蝕刻的過程中保護半導體復合層，以防止半導體復合層的過度蝕刻，這樣既不會影響到光源的發(fā)光量， 又能夠蝕刻掉部分緩沖層，從而本實用新型能夠提高發(fā)光二極管的良率和光取出效率。


[0018]為了更清楚地說明本實用新型實施例或現(xiàn)有技術中的技術方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。[0019]圖1-圖4為現(xiàn)有技術中發(fā)光二極管的制造過程中的截面示意圖；[0020]圖5-14為實施例一中發(fā)光二極管的制造過程中的截面示意圖；[0021]圖15-19為實施例二中發(fā)光二極管的制造過程中的截面示意圖；[0022]圖20-26為實施例三中發(fā)光二極管的制造過程中的截面示意圖。[0023]附圖標記[0024]101-基板；102-緩沖層；103-半導體復合層，1031-第一半導體層，1032-發(fā)光層， 1033-第二半導體層；104-表面保護層；105-側(cè)壁保護層；105a_保護薄膜；105b_第一保護薄膜；105c-第二保護薄膜；201_光阻。
具體實施方式
[0025]下面將結合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒緦嵱眯滦椭械膶嵤├绢I域普通技術人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。[0026]需要說明的是本實用新型的“上” “下”只是參考附圖對本實用新型進行說明。[0027]如圖14所示，本實用新型提供了一種發(fā)光二極管，包括一基板101、一緩沖層102 以及一半導體復合層103?；?01用于承載發(fā)光二極管的層結構,其可為娃基板、氮化鎵基板、碳化硅基板、藍寶石基板、氮化鋁基板或以上述基板再進行圖形化等加工的基板。[0028]半導體復合層103為發(fā)光二極管能夠發(fā)光的關鍵部分， 包括一第一半導體層 1031、位于第一半導體層1031上的一發(fā)光層1032以及位于發(fā)光層1032之上的一第二半導體層1033。其中，發(fā)光層1032可以是MQW層，第一半導體層1031為P型半導體層或N型半導體層兩者之一，而第二半導體層1033則為另一者。其中，P型半導體層例如可為摻雜鎂或鋁的氮基半導體層，而N型半導體層則例如可為摻雜硅或銦的氮基半導體層，但并不以此為限。半導體復合層103在電場的作用下，可以使得P型半導體層中的空穴和N型半導體層中的電子結合，并在發(fā)光層1032處產(chǎn)生光子。[0029]在本實施例中并不對P型半導體層和N型半導體層形成的先后次序做限定；也就是說，可選的，可以按照通常的做法，先形成N型半導體層作為第一半導體層1031，再形成P 型半導體層作為第二半導體層1032，或者可選的，還可以先形成P型半導體層作為第一半導體層1031，再形成N型半導體層作為第二半導體層1032。[0030]為了解決半導體復合層103在基板101上不易生長的問題，需要在形成半導體復合層103之前，先在基板101上生長緩沖層102。換言之，緩沖層102位于基板101之上，而半導體復合層103位于緩沖層102之上，具體而言，是半導體復合層103中的第一半導體層 1031位于緩沖層102之上。[0031]另外，發(fā)光二極管還包含其他部分，例如，為了與外電路連接，發(fā)光二極管還包括第一電極和第二電極(圖中未標不)，其中第一電極與第一半導體層1031電性連接,第二電極與第二半導體層1033電性連接。又例如，為了使得電能得到擴展，發(fā)光二極管的層結構還包括一 TCL層(圖中未標示)位于半導體復合層103上，具體而言，是位于第二半導體層1032上。TCL層的材料例如可為銦錫氧化物(Indium Tin Oxide, ITO)、銦鋅氧化物(Indium Zinc Oxide, IZO)、氧化銦(In2O3)、氧化鋅(ZnO)、氧化氟錫(Fluorine-doped Tin Oxide,FT0)、氧化鋪錫(Antimony-doped Tin Oxide, ΑΤΟ)、氧化招銦(Aluminum-doped Zinc Oxi de, AZ0)或氧化銦鎘(Indium-doped Cadmium Oxide, In-CdO)或薄鑷層與薄金層的雙層結構。[0032]基于上述介紹的發(fā)光二極管結構，本實用新型實施例提供一種半導體復合層103 的下表面積必須大于緩沖層102的上表面積，以露出部分半導體復合層103下表面的結構。 若要制成這種結構，就需要在進行緩沖層102的側(cè)壁蝕刻工藝時，盡可能地保護半導體復合層103，以達到蝕刻掉較多需要被蝕刻的部分緩沖層102，且減少蝕刻或甚至不蝕刻半導體復合層103的目的；這樣既不會影響到光源的發(fā)光量，又能夠蝕刻掉部分緩沖層102，從而能夠提高發(fā)光二極管的良率和光取出效率。[0033]需要說明的是，露出的部分半導體復合層103的下表面最佳是不受到蝕刻的。但由于半導體復合層103中起到發(fā)光作用的主要是上述的第一半導體層1031、發(fā)光層1032和第二半導體層1033，故在半導體復合層103的下表面可允許有一些蝕刻痕跡，至少不將靠近緩沖層102的第一半導體層1031刻穿即可；也就是說，至少需要保護半導體復合層103 中靠近緩沖層1032的第一半導體層1031,從而制成第一半導體層1031的下表面積大于所述緩沖層102的上表面積，以露出部分所述第一半導體層1031的下表面這種結構。同樣， 第一半導體層1031的下表面最佳是不受到蝕刻的，但可允許有一些蝕刻痕跡，只要不被刻穿即可。[0034]若要保護半導體復合層103或至少保護半導體復合層103中靠近緩沖層102的第一半導體層1031不被過度蝕刻，關鍵是要保護第一半導體層1031的側(cè)壁，這就需要在蝕刻緩沖層102側(cè)壁之前，需要在半導體復合層103的側(cè)壁上形成一側(cè)壁保護層105，至少在第一半導體層1031的側(cè)壁上形成一側(cè)壁保護層105。需要說明的是，若是側(cè)壁保護層105僅是位于第一半導體層1031的側(cè)壁上(如圖12所示)，或進一步的覆蓋了部分緩沖層102的側(cè)壁，則可以認為側(cè)壁保護層105不會對發(fā)光二極管的光取出效率造成太大影響，此時，則可選的在緩沖層102的側(cè)壁刻蝕之后，保留側(cè)壁保護層105 (如圖13所示)。當然，優(yōu)選的， 還是如圖14所示將側(cè)壁保護層105去除，以保證發(fā)光二極管的光取出效率。[0035]需特別說明的是，盡管圖中所示的側(cè)壁保護層105為單層結構，但亦可視實際需要而采用多層結構的側(cè)壁保護層105。側(cè)壁保護層105的材質(zhì)為可以耐酸腐蝕的材料，例如為硅(Si)、二氧化硅(SiO2)、五氧化二鈮(Nb2O5)、二氧化鈦(TiO2)或上述的組合。舉例而言，若側(cè)壁保護層為雙層結構，其中一層可為Si，而另一層可為SiO2;又或者，其中一層可為 SiO2，而另一層可為Si/Si02/Nb205/Ti02任意組合的多層膜結構。[0036]參考圖14所示的發(fā)光二極管中的光線路徑，可以看出，發(fā)光層1032發(fā)出的光線a 在緩沖層102與空氣的界面處折射成光線c而被導出，從而能夠提高發(fā)光二極管的光取出效率；另外，由于在該結構中半導體復合層103沒有受到嚴重破壞，故不會減少光源的發(fā)光量，從而能夠提聞發(fā)光_■極管的良率。[0037]關于如何利用側(cè)壁保護層105，以在緩沖層102的側(cè)壁蝕刻過程中保護半導體復合層103，將通過以下幾個實施例提供的發(fā)光二極管的制造方法詳細介紹。[0038]實施例一[0039]本實施例提供了一種發(fā)光二極管的制造方法，可以包括以下步驟[0040]步驟Al、如圖5所不,提供一基板101,并在基板101 上依序生長一緩沖層102和一半導體復合層103。其中，半導體復合層103包括依序生長的一第一半導體層1031，位于第一半導體層上的一發(fā)光層1032，以及位于發(fā)光層1032上的一第二半導體層1033。第一半導體層1031可為N型半導體層，且第二半導體層為P型半導體層；或者，第一半導體層 1031可為P型半導體層，且第二半導體層為N型半導體層。[0041]舉例而言，可利用有機金屬化學氣相沉積法(Metal Organic Chemical Vapor Deposition, MOCVD)在藍寶石基板101上先形成緩沖層102，再依序形成N型GaN層、MQff 層、以及P型GaN層作為半導體復合層103。[0042]步驟A2、如圖6所示，圖案化半導體復合層103，以在切割道區(qū)(S_S區(qū)域)和制作第一電極的區(qū)域(圖中未標示)露出部分第一半導體層1031。其中切割道區(qū)(S-S區(qū)域) 是指相鄰兩個發(fā)光二極管晶粒之間的區(qū)域。[0043]步驟A3、如圖7所示，形成覆蓋半導體復合層103的表面保護層104。[0044]舉例而言，可利用等離子體增強化學氣相沉積法(Plasma Enhance Chemical Vapor Deposition, PECVD)沉積一 SiO2 層，作為表面保護層 104。[0045]步驟A4、如圖8所示，在切割道區(qū)(S-S區(qū)域)形成溝渠。其中，溝渠所占的區(qū)域可稱為雷射切割區(qū)(P-P區(qū)域)。溝渠的深度至少需到達基板101，這樣有利于后續(xù)的背面劈裂制程。[0046]舉例而言，可利用雷射工藝在切割道區(qū)(S-S區(qū)域)切出一溝渠，由于溝渠在雷射后會殘留大量的燒焦物，還需使用強酸溶液(例如，可以是磷酸與硫酸的混合液)去除掉溝渠內(nèi)的燒焦物。[0047]步驟A5、參考圖9-圖12，形成側(cè)壁保護層105。[0048]由于發(fā)光層1032、第二半導體層1033已被表面保護層104覆蓋，裸露在外的有第一半導體層1031的側(cè)壁以及緩沖層102的側(cè)壁，為保護半導體復合層103不被過度蝕刻， 故側(cè)壁保護層105至少要覆蓋第一半導體層1031的側(cè)壁；為進一步保證半導體復合層103 不被過度蝕刻，優(yōu)選的，側(cè)壁保護層105不僅覆蓋第一半導體層1031的側(cè)壁，還覆蓋了靠近第一半導體層1031的部分緩沖層102的側(cè)壁。本實施例中以該優(yōu)選方案作為圖示。此步驟 A5 包括 A51-A54。[0049]步驟A51、如圖9所示，在具有溝渠的基板101上，涂布一層光阻201，并將光阻201 填滿位于雷射切割區(qū)(P-P區(qū)域)的溝渠。[0050]步驟A52、如圖10所示，利用干蝕刻工藝將多余的光阻201去除，只保留溝渠內(nèi)的部分光阻201 ;保留在溝渠內(nèi)的光阻201高度可選為與半導體復合層103的下表面高度持平，進一步的可選為與第一半導體層1031的下表面高度持平，優(yōu)選為在緩沖層102側(cè)壁的中上部的位置。[0051]步驟A53、如圖11所示，使溝渠內(nèi)暴露在外的側(cè)壁氧化，形成側(cè)壁保護層105。其中，溝渠內(nèi)暴露在外的側(cè)壁包括第一半導體層1031的側(cè)壁，優(yōu)選的還可以進一步包括未被光阻201遮住的部分緩沖層102側(cè)壁。若第一半導體層1031和緩沖層102的組成成分中都含有Si原子，則經(jīng)過氧化作用后，會使暴露在外的側(cè)壁形成SiO2,以作為側(cè)壁保護層 105。[0052]舉例而言，可利用快速熱氧化基臺(Rapid Thermal Oxidation, RT0)或爐管 (Furnace)，對溝渠內(nèi)暴露在外的側(cè)壁進行氧化，以形成側(cè)壁保護層105。[0053]步驟A54、如圖12所示，去除剩余的光阻201。[0054]至此，就為接下來的側(cè)壁蝕刻做好了準備。步驟A6、如圖13所示，利用濕蝕刻工藝，蝕刻掉溝渠兩側(cè)的部分緩沖層102。[0056]舉例而言，可利用磷酸與硫酸的混合液蝕刻酸液所接觸到的緩沖層102，在此過程中，可以通過時間控制緩沖層102被蝕刻的程度。[0057]由于側(cè)壁保護層105的存在，故可以防止半導體復合層103被過度蝕刻，進而形成半導體復合層103下表面積大于緩沖層102上表面積的結構。[0058]步驟A7、如圖14所示，至少去除剩下的表面保護層104，優(yōu)選的，將側(cè)壁保護層105也一并去除。[0059]舉例而言，可以采用濕蝕刻工藝，例如，緩沖蝕刻液(Buffered Oxide Etchant, B0E)工藝，將剩下的表面保護層104和側(cè)壁保護層105—并去除。[0060]接著，可以按照傳統(tǒng)工藝，繼續(xù)形成TCL層、第一電極以及第二電極形成發(fā)光二極管晶片。當然，進一步的還可以利用切割工藝形成發(fā)光二極管晶粒。[0061]實施例二[0062]本實施例提供了一種發(fā)光二極管的制造方法，由于該制造方法與實施例一的區(qū)別僅在于如何形成側(cè)壁保護層105以及如何去除側(cè)壁保護層105，故而在本實施例二中著重對區(qū)別點進行詳述。[0063]本實施例提供的發(fā)光二極管的制造方法可以包括步驟B1-B8。其中，步驟B1-B4 可以依序參照實施例一中的A1-A4。[0064]步驟B5、參考圖9、圖10、以及圖15-圖17，形成側(cè)壁保護層105。[0065]在本實施例中形成的側(cè)壁保護層105不僅覆蓋第一半導體1031的側(cè)壁，還覆蓋了表面保護層104的側(cè)壁，進一步優(yōu)選的，還覆蓋了靠近第一半導體層1031的部分緩沖層102 的側(cè)壁。本實施例中以該優(yōu)選方案作為圖示。此步驟B5包括B51-B55。[0066]步驟B51-B52可以參考圖9、圖10，并參照實施例一中的步驟A51-A52的描述，在此不加贅述。[0067]步驟B53、如圖15所示，形成一保護薄膜105a。其中，該保護薄膜105a可以是由一種耐酸腐蝕的材料所形成的單層膜，也可以是多種耐酸腐蝕的材料所形成的多層膜?？蛇x的，該保護薄膜105a可以是單層S1、單層SiO2、或Si/Si02/Nb205/Ti02任意組合的多層膜結構。[0068]舉例而言，可采用低壓化學氣相沉積法(Low Pressure Chemical Vapor Deposition, LPCVD)沉積一層Si作為保護薄膜105a。[0069]步驟B54、如圖16所示，至少將溝渠內(nèi)未附在溝渠內(nèi)壁上的部分保護薄膜105a去除，以暴露保留在溝渠內(nèi)壁上的光阻201，至此形成側(cè)壁保護層105。[0070]事實上此步驟可以采用干蝕刻工藝,例如電感稱合式等離子干蝕刻(Inductive Coupled Plasma, ICP)工藝,而利用這種工藝,會在去除溝渠內(nèi)多余的保護薄膜105a且保留附在溝渠內(nèi)壁上的保護薄膜105a作為側(cè)壁保護層105的同時，也將沉積在表面保護層 104上方的保護薄膜105a也一并去除；進一步而言，為了便于控制蝕刻的程度，可以在蝕刻到基板101才停止，此時，側(cè)壁保護層105下方的光阻201被保留，而其他光阻201則被去除。[0071]步驟B55、如圖17所示，去除剩下的光阻201。[0072]至此，就為接下來的側(cè)壁蝕刻做好了準備?！0073]步驟B6、如圖18所示，利用濕蝕刻工藝，蝕刻掉溝渠兩側(cè)的部分緩沖層102。[0074]舉例而言，可利用磷酸與硫酸的混合液蝕刻酸液所接觸到的緩沖層102，在此過程中，可以通過時間控制緩沖層102被蝕刻的程度。[0075]由于側(cè)壁保護層105的存在，故可以保護到半導體復合層103不被過度蝕刻，進而形成半導體復合層103下表面積大于緩沖層102上表面積的結構。[0076]步驟B7、去除側(cè)壁保護層105，形成圖19所示的結構。[0077]舉例而言，若側(cè)壁保護層105的材料為Si，可以采用干蝕刻工藝，例如ICP工藝去除側(cè)壁保護層105。若為其他材料，可以按照傳統(tǒng)工藝選擇合適的方式去除側(cè)壁保護層 105。[0078]步驟B8、去除剩下的表面保護層104，形成圖14所示的結構。[0079]接著，可以按照傳統(tǒng)工藝，繼續(xù)形成TCL層、第一電極以及第二電極形成發(fā)光二極管晶片。當然，進一步的還可以利用切割工藝形成發(fā)光二極管晶粒。[0080]實施例三[0081]本實施例提供了一種發(fā)光二極管的制造方法，由于該制造方法與實施例一的區(qū)別僅在于如何形成側(cè)壁保護層105以及如何去除側(cè)壁保護層105，故而在本實施例三中著重對區(qū)別點進行詳述。[0082]本實施例提供的發(fā)光二極管的制造方法可以包括步驟C1-C8。其中，步驟C1-C4 依次可以參照實施例一中的A1-A4。[0083]步驟C5、參考圖9、圖10、以及圖20-圖23，形成側(cè)壁保護層105。[0084]在本實施例中所形成的側(cè)壁保護層105不僅覆蓋第一半導體1031的側(cè)壁，還覆蓋了表面保護層104的側(cè)壁，進一步優(yōu)選的，還覆蓋了靠近第一半導體層1031的部分緩沖層 102的側(cè)壁。本實施例中以該優(yōu)選方案作為圖示。此步驟C5包括C51-C54。[0085]步驟C51-C52可以參照實施例一中的步驟A51-A52，在此不加贅述。[0086]步驟C53、如圖20所示，依序形成第一保護薄膜105b和第二保護薄膜105c。其中， 第一保護薄膜105b和第二保護薄膜105c的材料可以是不同的耐酸腐蝕材料?？蛇x的，第一保護薄膜105b可以是由一種耐酸腐蝕的材料形成的單層膜，第二保護薄膜105c可以是多種耐酸腐蝕的材料形成的多層膜?？蛇x的，第一保護薄膜105b可以是單層Si。第二保護薄膜105c可以是單層SiO2 ;或Si/Si02/Nb205/Ti02任意組合的多層膜結構。[0087]此步驟可選的，先沉積第一保護薄膜105b，之后，再沉積第二保護薄膜105c。但若是第一保護薄膜105b材料中的組成成分是第二保護薄膜105c材料的組成成分之一，則此步驟可選的，先沉積第一保護薄膜105b，之后，將第一保護薄膜105b的表面氧化形成第二保護薄膜105c。[0088]舉例而言，若選用Si作為第一保護薄膜105b的材料，且選用SiO2作為第二保護薄膜105c的材料，則此步驟可以是，先使用LPCVD工藝沉積一層Si，形成Si薄膜作為第一保護薄膜105b，然后利用RT0、爐管或PECVD工藝來氧化Si薄膜的表面，以形成SiO2薄 膜作為第二保護薄膜105c。[0089]步驟C54、如圖21-圖22所示，至少將溝渠內(nèi)未附在溝渠內(nèi)壁上的部分第一保護薄膜105b和第二保護薄膜105c去除，以暴露保留在溝渠內(nèi)的光阻201，至此形成側(cè)壁保護層 105。其中，側(cè)壁保護層105包含直接附在溝渠內(nèi)壁上的第一保護薄膜105b以及附在第一保護薄膜105b上的第二保護薄膜105c。[0090]事實上此步驟可以采用干蝕刻工藝，例如ICP工藝，而利用這種工藝，會在去除溝渠內(nèi)多余保護薄膜且保留附在溝渠內(nèi)壁上的部分第一保護薄膜105b和第二保護薄膜105c 的同時，也將沉積在表面保護層104上方的第一保護薄膜105b和第二保護薄膜105c也一并去除；進一步的，為了便于控制蝕刻的程度，可以在蝕刻到基板101才停止，此時，側(cè)壁保護層105下方的光阻201被保留，而其他光阻201被蝕刻掉。[0091]舉例而言，如圖21所示，先利用ICP工藝將多余的第二保護薄膜105c去除，只留下溝渠內(nèi)的第二保護薄膜105c ;如圖22所示，接著利用ICP工藝將多余的第一保護薄膜 105b去除，只留下溝渠內(nèi)的第一保護薄膜105b。[0092]步驟C55、如圖23所示，去除剩下的光阻201。[0093]至此，就為接下來的側(cè)壁蝕刻做好了準備。[0094]步驟C6、如圖24所示，利用濕蝕刻工藝，蝕刻掉溝渠兩側(cè)的部分緩沖層102。[0095]舉例而言，利用磷酸與硫酸的混合液蝕刻酸液所接觸到的緩沖層102，在此過程中，可以通過時間控制緩沖層102被蝕刻的程度。[0096]由于側(cè)壁保護層105的存在，故可以保護到半導體復合層103不被過度蝕刻，進而形成半導體復合層103下表面積大于緩沖層102上表面積的結構，。[0097]步驟C7、如圖25-圖26所示，去除側(cè)壁保護層105。[0098]舉例而言，如圖25所示，若第一保護薄膜105b的材料是Si而第二保護薄膜105c的材料是SiO2，可以使用BOE工藝將SiO2去除掉，與此同時，表面保護層104的部分也會被蝕刻掉；接著，如圖26所示，可以采用干蝕刻工藝，例如ICP工藝把Si去除掉。[0099]步驟C8、去除剩下的表面保護層104，形成圖14所示的結構。[0100]接著，可以按照傳統(tǒng)工藝，繼續(xù)形成TCL層、第一電極以及第二電極形成發(fā)光二極管晶片。當然，進一步的還可以利用切割工藝形成發(fā)光二極管晶粒。[0101]以上所述，僅為本實用新型的具體實施方式
，但本實用新型的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本技術領域的技術人員在本實用新型揭露的技術范圍內(nèi)，可輕易想到的變化或替換，都應涵蓋在本實用新型的保護范圍之內(nèi)。因此，本實用新型的保護 范圍應以所述權利要求的保護范圍為準。
權利要求1.一種發(fā)光二極管，其特征在于，包括一基板；一緩沖層，位于所述基板上；一半導體復合層，位于該緩沖層上；其中，所述半導體復合層的下表面積大于所述緩沖層的上表面積，以露出部分所述半導體復合層的下表面。
2.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述半導體復合層包括一第一半導體層，位于所述緩沖層上；一發(fā)光層，位于所述第一半導體層上；以及一第二半導體層，位于所述發(fā)光層上。
3.根據(jù)權利要求2所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述第一半導體層為一P型半導體層，所述第二半導體層為一N型半導體層。
4.根據(jù)權利要求2所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述第一半導體層為一N型半導體層，所述第二半導體層為一 P型半導體層。
5.根據(jù)權利要求2所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述第一半導體層的下表面積大于所述緩沖層的上表面積，以露出部分所述第一半導體層的下表面。
6.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，還包括一側(cè)壁保護層，位于所述半導體復合層的側(cè)壁上。
7.根據(jù)權利要求2所述的發(fā)光二極管，其特征在于，還包括一側(cè)壁保護層，位于所述第一半導體層的側(cè)壁上。
8.根據(jù)權利要求6或7所述的發(fā)光二極管，其特征在于，所述側(cè)壁保護層為單層或多層結構。
9.根據(jù)權利要求1所述的發(fā)光二極管，其特征在于，還包括一透明導電層，位于所述半導體復合層上。
10.根據(jù)權利要求2所述的發(fā)光二極管，其特征在于，還包括一透明導電層，位于所述第二半導體層上。
專利摘要本實用新型公開一種發(fā)光二極管，其涉及發(fā)光二極管的設計和制造領域，用以提高發(fā)光二極管的良率和光取出效率。本實用新型提供的發(fā)光二極管包括一基板；一緩沖層，位于所述基板上；一半導體復合層，位于該緩沖層上；其中，所述半導體復合層的下表面積大于所述緩沖層的上表面積，以露出部分所述半導體復合層的下表面。這樣既不會影響到光源的發(fā)光量，又能夠蝕刻掉部分緩沖層，從而能夠提高發(fā)光二極管的良率和光取出效率。
文檔編號H01L33/24GK202839726SQ201220510308
公開日2013年3月27日 申請日期2012年9月29日 優(yōu)先權日2012年9月29日
發(fā)明者孫謝陽, 金峰 申請人:西安華新聯(lián)合科技有限公司