專利名稱：一種帶熒光粉層的白光led器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種固體發(fā)光器件，具體涉及一種帶熒光粉層的白光LED器件及其制作方法。
背景技術(shù)：
隨著發(fā)光二極管(LED)的發(fā)光效率不斷提高，LED無疑成為近幾年來最受重視的光源之一。LED是一種具有節(jié)能和環(huán)保特性的照明光源，集高光效、低能耗、低維護(hù)成本等優(yōu)良性能于一身。理論上預(yù)計(jì)，半導(dǎo)體LED照明燈具的發(fā)光效率可以達(dá)到甚至超過白熾燈的10倍，日光燈的2倍。目前LED技術(shù)發(fā)展的目標(biāo)是高效率、全固態(tài)、環(huán)保型LED，推進(jìn)LED在照明領(lǐng)域的應(yīng)用。如圖1所示，傳統(tǒng)白光LED器件是由基板201、芯片202、熒光粉203、金屬線204、硅膠透鏡205組成。其中，芯片202與熒光粉203是分立的，熒光粉203是通過噴涂、點(diǎn)膠等方法置于芯片202上方。以上結(jié)構(gòu)的器件需要進(jìn)行芯片固晶、打金屬線、涂覆熒光粉、灌封膠水等工藝步驟。采用這種工藝方法，步驟較多。為了解決以上的問題，美國專利US2010078667A1公告了一種帶熒光粉層的發(fā)光器件(圖2)。如圖2所示，該發(fā)光器件包括發(fā)光二極管10，第一半導(dǎo)體層101，熒光粉層16。該發(fā)光二極管10包 含兩電極107及金屬焊墊12。該器件先采用傳統(tǒng)的工藝制作出發(fā)光二極管，再利用點(diǎn)膠、噴膠或灌膠的方法在二極管上方形成熒光粉層16，其中使用一個(gè)鋼網(wǎng)遮擋金屬焊墊12。該實(shí)用新型提供的發(fā)光器件即為一經(jīng)過混光的芯片，可直接進(jìn)行封裝，不需要再涂覆熒光粉。其中熒光粉可以根據(jù)需要使用紅色熒光粉、黃色熒光粉、綠色熒光粉或多種熒光粉混合。專利中可以通過對熒光粉層進(jìn)行塑形，制作成正梯形或倒梯形，調(diào)節(jié)LED的光分布。這種發(fā)光器件減少熒光粉與灌封膠之間的應(yīng)力問題，采用金屬襯底提高了 LED的散熱能力。從實(shí)際結(jié)果看，這種設(shè)計(jì)本質(zhì)上是將芯片進(jìn)行一次封裝制作成白光芯片，可以再進(jìn)行二次封裝制作成光源。這種設(shè)計(jì)是將封裝步驟上的工藝轉(zhuǎn)移到芯片制作上的時(shí)候進(jìn)行，這需要新增一些工藝步驟，提高了整個(gè)光源的成本。而更復(fù)雜的工藝，也會降低整體的良率。

實(shí)用新型內(nèi)容為了解決上述問題，本實(shí)用新型的目的在于提供一種帶熒光粉層的白光LED器件及其制作方法，以簡化現(xiàn)有的白光LED器件的制作工藝。為了實(shí)現(xiàn)上述實(shí)用新型目的，本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案如下:—種帶突光粉層的白光LED器件,包括一 LED芯片,在所述LED芯片的出光面設(shè)置有一鈍化層，所述鈍化層為混合有熒光粉的膠體，所述膠體為可固化的透明絕緣介質(zhì)液態(tài)膠體。進(jìn)一步的，所述LED芯片為正裝結(jié)構(gòu)的LED芯片，該LED芯片包括外延襯底、N型氮化鎵層、有源層、P型氮化鎵層、透明導(dǎo)電層、P電極、N電極以及鈍化層；所述N型氮化鎵層設(shè)置在所述外延襯底上，該N型氮化鎵層的上表面呈現(xiàn)高低不同的兩個(gè)平臺面；所述有源層設(shè)置在所述N型氮化鎵層的高平臺面上；所述P型氮化鎵層設(shè)置在所述有源層上；所述透明導(dǎo)電層設(shè)置在所述P型氮化鎵層上；所述P電極設(shè)置在所述透明導(dǎo)電層上；所述N電極設(shè)置在所述N型氮化鎵層的低平臺面上；所述鈍化層設(shè)置在所述LED芯片的出光面，具體是:所述鈍化層設(shè)置在所述P電極和N電極之間的Z形臺面上。進(jìn)一步的，所述LED芯片為垂直結(jié)構(gòu)的LED芯片，該LED芯片包括N型氮化鎵層、有源層、P型氮化鎵層、金屬基底、透明導(dǎo)電層、N電極、鈍化層、以及金屬反射層；所述金屬反射層設(shè)置在所述金屬基底上；所述P型氮化鎵層設(shè)置在所述金屬反射層上；所述有源層設(shè)置在所述P型氮化鎵層上；所述N型氮化鎵層設(shè)置在所述有源層上；所述透明導(dǎo)電層設(shè)置在所述N型氮化鎵層上；所述N電極設(shè)置在所述透明導(dǎo)電層上；所述鈍化層設(shè)置在所述LED芯片的出光面，具體是:所述鈍化層設(shè)置在所述透明導(dǎo)電層上除所述N電極覆蓋區(qū)域以外的位置。進(jìn)一步的,所述可固化的透明絕緣介質(zhì)液態(tài)膠體為旋涂式玻璃(Spin on glass,SOG)或者聚酰亞胺(Polyimide，PI)。進(jìn)一步的，所述熒光粉可以為黃色熒光粉、紅色熒光粉、綠色熒光粉的其中一種或多種熒光粉混合的 混合物。進(jìn)一步的，在所述鈍化層上光刻有提高LED出光性能的芯片圖形。進(jìn)一步的，在所述鈍化層上包裹設(shè)置有保護(hù)層，所述保護(hù)層為二氧化硅層或氮化娃層。一種帶熒光粉層的白光LED器件的制備方法，包括以下步驟:(I)、在外延襯底上依次外延生長N型氮化鎵層、有源層、以及P型氮化鎵層；(2)、通過蝕刻P型氮化鎵層、有源層、以及N型氮化鎵層，部分露出N型氮化鎵層；(3)、在所述P型氮化鎵層上制作透明導(dǎo)電層；(4)、將混合有熒光粉的透明絕緣介質(zhì)液態(tài)膠體涂覆在所述透明導(dǎo)電層和露出部分的N型氮化鎵層上，并經(jīng)過固化形成Z型鈍化層；(5)、通過光刻在P型氮化鎵層上露出P電極連接區(qū)域，在所述露出部分的N型氮化鎵層上露出N電極連接區(qū)域；(6)、在所述P電極連接區(qū)域上連接P電極，在所述N電極連接區(qū)域連接N電極。進(jìn)一步的，在第(5)步光刻露出P電極連接區(qū)域和N電極連接區(qū)域的同時(shí)，在所述鈍化層上光刻出提高LED出光性能的芯片圖形。進(jìn)一步的，在所述步驟(3)和步驟(4)之間，還包括在所述鈍化層下方沉積一保護(hù)層；在所述步驟(4)和步驟(5)之間，還包括在所述鈍化層上方沉積一保護(hù)層；所述保護(hù)層選用二氧化硅或者氮化硅材料制備。進(jìn)一步的，所述膠體為旋涂式玻璃(Spin on glass, S0G)或者聚酰亞胺(Polyimide, PI)。采用本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)和方法與現(xiàn)有技術(shù)相比，其熒光粉是在制作鈍化層時(shí)同時(shí)制作的，不需要后續(xù)進(jìn)行噴粉、點(diǎn)粉等工藝步驟。因此，本實(shí)用新型省去了封裝工藝上的噴粉或點(diǎn)粉等工藝，減少了工藝步驟，降低了工藝成本。
圖1是現(xiàn)有技術(shù)中陶瓷基板LED發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)圖；圖2是現(xiàn)有技術(shù)中白光LED芯片的結(jié)構(gòu)圖；圖3是本實(shí)用新型實(shí)施例1的LED芯片結(jié)構(gòu)示意圖；圖4是本實(shí)用新型實(shí)施例2的LED芯片結(jié)構(gòu)示意圖；圖5是本實(shí)用新型實(shí)施例3的LED芯片結(jié)構(gòu)示意圖；圖6是本實(shí)用新型實(shí)施例4的LED芯片結(jié)構(gòu)示意圖；圖7是本實(shí)用新型實(shí)施例5的LED芯片結(jié)構(gòu)示意圖；圖8是本實(shí)用新型實(shí)施例6的LED芯片結(jié)構(gòu)示意圖。圖中:10—LED芯片、101—第一半導(dǎo)體層 、103—發(fā)光層、105—第二半導(dǎo)體層、107—電極、12—金屬焊墊、16—突光粉層；201—基板、202—LED芯片、203—熒光粉層、204—金屬線、205—透鏡；300—外延襯底、301—N型氮化鎵層、302—有源層、303— P型氮化鎵層、304—金
屬基底；401 —透明導(dǎo)電層、402— P電極、403— N電極、404—鈍化層、405—芯片圖形、406—保護(hù)層、407一金屬反射層。
具體實(shí)施方式
為了充分地了解本實(shí)用新型的目的、特征和效果，以下將結(jié)合附圖與具體實(shí)施例對本實(shí)用新型的構(gòu)思、具體結(jié)構(gòu)及產(chǎn)生的技術(shù)效果作進(jìn)一步說明。實(shí)施例1:如圖3所示，本實(shí)施例公開了一種帶熒光粉層的白光LED器件，包括正裝結(jié)構(gòu)的LED芯片，在所述LED芯片的出光面設(shè)置有一鈍化層404，鈍化層404由熒光粉與膠體混合制備，所述膠體為可固化的透明絕緣介質(zhì)液態(tài)膠體。如圖3所示，其具體結(jié)構(gòu)包括外延襯底300、N型氮化鎵層301、有源層302、P型氮化鎵層303、透明導(dǎo)電層401、P電極402、N電極403以及鈍化層404。其中，N型氮化鎵層301設(shè)置在所述外延襯底300上，該N型氮化鎵301的上表面呈現(xiàn)高低不同的兩個(gè)平臺面；其中，有源層302，設(shè)置在所述N型氮化鎵層301的高平臺面上；其中，P型氮化鎵層303，設(shè)置在所述有源層302上；其中，透明導(dǎo)電層401，設(shè)置在所述P型氮化鎵層303上；其中，P電極402，設(shè)置在所述透明導(dǎo)電層401上；其中，N電極403，設(shè)置在所述N型氮化鎵層301的低平臺面上；其中，鈍化層404，設(shè)置在所述P電極402和N電極403之間的Z形臺面上，該鈍化層404由熒光粉與膠體混合制備，所述膠體為可固化的透明絕緣介質(zhì)液態(tài)膠體，初始狀態(tài)為透明絕緣的介質(zhì)液體，這種膠體經(jīng)過固化工藝后可以成為固體介質(zhì)，對其下方的金屬層起到保護(hù)作用。其中,所述用于制作鈍化層的膠體為旋涂式玻璃(Spin on glass, S0G)或者聚酰亞胺(Polyimide，PI),這些材料的特點(diǎn)是在沒經(jīng)任何處理前為可流動的膠體，經(jīng)過高溫烘烤固化后，膠體會轉(zhuǎn)化成與二氧化硅(Si02)相似的、具有一定機(jī)械強(qiáng)度的、高穩(wěn)定性的材料。[0043]其中，所述熒光粉可以為黃色熒光粉、紅色熒光粉、綠色熒光粉的其中一種或多種熒光粉混合而成，比如:如果芯片為藍(lán)光芯片，熒光粉為YAG黃色熒光粉，則經(jīng)過混合后芯片發(fā)出的為白光。本實(shí)施例還對應(yīng)公開了上述LED器件的制備方法，包括以下步驟:(I)、在外延襯底300上依次外延生長N型氮化鎵層301、有源層302、以及P型氮化鎵層303 ；(2)、通過蝕刻P型氮化鎵層303、有源層302、以及N型氮化鎵層301，部分露出N型氮化鎵層301，具體可以采用ICP或RIE設(shè)備進(jìn)行干法刻蝕部分露出N型氮化鎵層301 ；(3)、在所述P型氮化鎵層303上制作透明導(dǎo)電層401，具體可以采用蒸發(fā)或?yàn)R射的方法在P型氮化鎵層303上制作透明導(dǎo)電層401 ；(4)、將混合有熒光粉的透明絕緣介質(zhì)液態(tài)膠體涂覆在所述透明導(dǎo)電層401和露出部分的N型氮化鎵層301上形成Z型鈍化層404，所述膠體為旋涂式玻璃(Spin onglass, SOG)或者聚酰亞胺(Polyimide, PI)。(5)、通過光刻在P型氮化鎵層303上露出P電極連接區(qū)域，在所述露出部分的N型氮化鎵層301上露出N電極連接區(qū)域；針對感光型旋涂·式玻璃(Spin on glass, S0G)或者聚酰亞胺(Polyimide, PI),具體可以先涂覆混合有熒光粉的感光型的旋涂式玻璃(Spin on glass, S0G)或者聚酰亞胺(Polyimide, PI)，然后通過光刻、顯影露出P電極連接區(qū)域和N電極連接區(qū)域，并對其進(jìn)行高溫固化；針對非感光型的SOG或PI，具體可以先涂覆混合有熒光粉的非感光型的SOG或PI，并進(jìn)行固化；固化后再在其上涂覆光刻膠，并光刻出P/N電極連接區(qū)域圖形，接著再以光刻膠為掩膜腐蝕露出P/N電極連接區(qū)域，最后去掉光刻膠；(6)、在所述P電極連接區(qū)域上連接P電極402，在所述N電極連接區(qū)域連接N電極403，具體可以采用蒸發(fā)或?yàn)R射的方法在芯片上制作出金屬P/N電極。本實(shí)施例中將透明絕緣介質(zhì)液態(tài)膠體與熒光粉進(jìn)行均勻混合后，均勻涂覆在芯片上方。然后進(jìn)行高溫烘烤固化處理，將混有熒光粉的膠體固化成某種介質(zhì)材料，這層介質(zhì)材料還能夠起到原來芯片上鈍化層類似的保護(hù)作用，介質(zhì)層有一定的機(jī)械強(qiáng)度，能夠承受后續(xù)固晶、綁定等工藝的操作；而且能夠保護(hù)芯片上金屬層，避免金屬層受水汽、有機(jī)物等的污染、腐蝕。這層介質(zhì)層中含有熒光粉，芯片發(fā)出的光可以通過熒光粉進(jìn)行轉(zhuǎn)換、混合，從而發(fā)出白光。實(shí)施例2:如圖4所不,本實(shí)施例公開了一種帶突光粉層的白光LED器件,本實(shí)施例與實(shí)施例1的不同僅在于:在所述鈍化層404上光刻有提高LED出光性能的芯片圖形405。這些提高出光性能的圖形可以為圓孔、線條或其他不規(guī)則圖形，在芯片上制作出的這些圖形，可以提高芯片的出光效率，調(diào)節(jié)芯片的出光角度。而且，由于本實(shí)用新型中鈍化層與熒光粉是一體的，這些圖形的改變，還能夠改變白光LED的色溫。本實(shí)施例方法與實(shí)施例1不同在于:在實(shí)施例1中的第(5)步光刻露出P電極連接區(qū)域和N電極連接區(qū)域的同時(shí)，在所述鈍化層上光刻出提高LED出光性能的芯片圖形405，具體可以是:[0058]針對感光型旋涂式玻璃(Spin on glass, S0G)或者聚酰亞胺(Polyimide, PI),具體可以在光刻、顯影露出P電極連接區(qū)域和N電極連接區(qū)域的同時(shí)，光刻、顯影露出芯片圖形 405 ；針對非感光型的SOG或PI，具體可以在光刻出P/N電極連接區(qū)域圖形的同時(shí)，光刻出芯片圖形405，接著再以光刻膠為掩膜腐蝕露出P/N電極連接區(qū)域和芯片圖形405，最后去掉光刻膠；本實(shí)施例在工序上芯片圖形制作是與實(shí)施例1中所述的P、N電極連接區(qū)域制作同步進(jìn)行的，只是采用光刻板不相同，在芯片的單元設(shè)計(jì)上，增加用于圖形化的部分。由于，本實(shí)施例在鈍化層上的芯片圖形是通過光刻工藝實(shí)現(xiàn)，芯片圖形能夠做到較高的精度，能夠更好的對芯片的光學(xué)性能進(jìn)行調(diào)節(jié)。而且這一步工藝是在制作電極連接區(qū)域時(shí)同時(shí)進(jìn)行的，不會額外增加工藝步驟。因此，本實(shí)施例在不增加工藝步驟的情況下，提升了 LED器件的出光性能。實(shí)施例3:如圖5所不,本實(shí)施例公開了一種帶突光粉層的白光LED器件,本實(shí)施例與實(shí)施例1的不同僅在于:在所述鈍化層404上包裹設(shè)置有保護(hù)層406，所述保護(hù)層406為二氧化硅
層或氮化娃層。在實(shí)施例1的基礎(chǔ)上，在鈍化層上下可以制作一層保護(hù)層406將鈍化層包覆起來，保護(hù)層的材料可以為Si02 (二氧化硅)或Si3N4 (氮化硅)，這層保護(hù)層是通過PECVD的方法制作上去。本實(shí)施例方法與 實(shí)施例1不同在于:在所述步驟(3)和步驟(4)之間，還包括在所述鈍化層404下方沉積一保護(hù)層406 ；在所述步驟(4 )和步驟(5 )之間，還包括在所述鈍化層404上方沉積一保護(hù)層406 ；所述保護(hù)層選用二氧化硅或者氮化硅材料制備。其中，保護(hù)層的具體制造方法可以是等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法，即PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)。本實(shí)施例在工序上，在實(shí)施例1的步驟(4)之前新增加I步驟:用PECVD制作Si02或Si3N4。并在步驟(4)之后新增I步驟:用PECVD制作Si02或Si3N4，再在上方進(jìn)行光刻腐蝕，露出P、N電極連接區(qū)域。由于混有熒光粉的鈍化層暴露在空氣上，有被氧化的風(fēng)險(xiǎn)。而且后續(xù)的固晶、打線等工藝有可能會對鈍化層造成損傷或污染，而鈍化層與金屬層的接觸也較差，有脫落的可能。因此，本實(shí)施例在鈍化層404上下各增加一層保護(hù)層406，這層保護(hù)層能夠防止出現(xiàn)以上的問題。實(shí)施例4:如圖6所不,本實(shí)施例公開了一種帶突光粉層的白光LED器件,包括垂直結(jié)構(gòu)的LED芯片，在所述LED芯片的出光面設(shè)置有一鈍化層404，鈍化層404由熒光粉與膠體混合制備，所述膠體為可固化的透明絕緣介質(zhì)液態(tài)膠體。如圖6所示，其具體結(jié)構(gòu)包括N型氮化鎵層301、有源層302、P型氮化鎵層303、金屬基底304、透明導(dǎo)電層401、N電極403、金屬反射層407以及鈍化層404 ;其中，金屬反射層407設(shè)置在所述金屬基底304上；其中，P型氮化鎵層303設(shè)置在所述金屬反射層407上；其中，有源層302設(shè)置在所述P型氮化鎵層303上；其中，N型氮化鎵層301設(shè)置在所述有源層302上；其中，透明導(dǎo)電層401設(shè)置在所述N型氮化鎵層301上；其中，N電極403設(shè)置在所述透明導(dǎo)電層401上；其中，鈍化層404設(shè)置在所述LED芯片的出光面，具體是:鈍化層404設(shè)置在所述透明導(dǎo)電層401上除所述N電極403覆蓋區(qū)域以外的位置。本實(shí)施例與實(shí)施例1不同在于:實(shí)施例1中描述的是正裝結(jié)構(gòu)的芯片，本實(shí)施例對應(yīng)的是垂直結(jié)構(gòu)的芯片。本實(shí)施例方法與實(shí)施例1不同在于:將實(shí)施例1中的第(2)步替換為，(2) P型氮化鎵上制作金屬反射層407，再將其綁定到金屬基板304上，最后通過激光剝離的方法將外延襯底300去除。本實(shí)施例是對應(yīng)于垂直結(jié)構(gòu)的LED芯片，本工藝結(jié)構(gòu)及方案能更廣泛的應(yīng)用于LED上。而且這一工藝無論是用于垂直結(jié)構(gòu)芯片還是正裝結(jié)構(gòu)芯片都不會對傳統(tǒng)工藝有工藝步驟上的增加。實(shí)施例5:如圖7所不,本實(shí)施例公開了一種帶突光粉層的白光LED器件,本實(shí)施例與實(shí)施例4的不同僅在于:在所述鈍化層404上光刻有提高LED出光性能的芯片圖形405。這些提高出光性能的圖形可以為圓孔、線條或其他不規(guī)則圖形，在芯片上制作出的這些圖形，可以提高芯片的出光效率，調(diào)節(jié)芯片的出光角度。而且，由于本實(shí)用新型中鈍化層與熒光粉是一體的，這 些圖形的改變，還能夠改變白光LED的色溫。實(shí)施例6:如圖8所示，本實(shí)施例公開了一種帶熒光粉層的白光LED器件，本實(shí)施例與實(shí)施例4的不同僅在于:在所述鈍化層404上包裹設(shè)置有保護(hù)層406，所述保護(hù)層406為二氧化硅層或氮化娃層。由于混有熒光粉的鈍化層暴露在空氣上，有被氧化的風(fēng)險(xiǎn)。而且后續(xù)的固晶、打線等工藝有可能會對鈍化層造成損傷或污染，而鈍化層與金屬層的接觸也較差，有脫落的可能。因此，本實(shí)施例在鈍化層404上下各增加一層保護(hù)層406，這層保護(hù)層能夠防止出現(xiàn)以上的問題。與現(xiàn)有的方案相比，以上實(shí)施例中的帶熒光粉層是在鈍化層制作時(shí)同時(shí)進(jìn)行的，不需要后續(xù)進(jìn)行噴粉、點(diǎn)粉的工藝。本實(shí)用新型省去了封裝工藝上的噴粉或點(diǎn)粉的工藝，減少了工藝步驟，降低了工藝成本。而且這種鈍化層為透明絕緣介質(zhì)液態(tài)膠體經(jīng)過固化而來，這種鈍化層的機(jī)械性能、耐腐蝕性不輸于傳統(tǒng)的二氧化硅(Si02)和氮化硅(Si3N4)，對于整個(gè)器件來說，不會對芯片的性能及可靠性帶有負(fù)面的影響。以上詳細(xì)描述了本實(shí)用新型的較佳具體實(shí)施例，應(yīng)當(dāng)理解，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員無需創(chuàng)造性勞動就可以根據(jù)本實(shí)用新型的構(gòu)思作出諸多修改和變化。因此，凡本技術(shù)領(lǐng)域中技術(shù)人員依本實(shí)用新型構(gòu)思在現(xiàn)有技術(shù)基礎(chǔ)上通過邏輯分析、推理或者根據(jù)有限的實(shí)驗(yàn)可以得到的技術(shù)方案，均應(yīng)該在由本權(quán)利要求書所確定的保護(hù)范圍之中。
權(quán)利要求1.一種帶突光粉層的白光LED器件,包括一 LED芯片,其特征在于: 在所述LED芯片的出光面設(shè)置有一鈍化層(404)，所述鈍化層(404)為混合有熒光粉的膠體，所述膠體為可固化的透明絕緣介質(zhì)液態(tài)膠體。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的白光LED器件，其特征在于: 所述LED芯片為正裝結(jié)構(gòu)的LED芯片，該LED芯片包括外延襯底(300)、N型氮化鎵層(301)、有源層(302)、P型氮化鎵層(303)、透明導(dǎo)電層(401)、P電極(402)、N電極(403)以及鈍化層(404)； 所述N型氮化鎵層(301)設(shè)置在所述外延襯底(300 )上，該N型氮化鎵層(301)的上表面呈現(xiàn)高低不同的兩個(gè)平臺面； 所述有源層(302 )設(shè)置在所述N型氮化鎵層(301)的高平臺面上； 所述P型氮化鎵層(303 )設(shè)置在所述有源層(302 )上； 所述透明導(dǎo)電層(401)設(shè)置在所述P型氮化鎵層(303 )上； 所述P電極(402 )設(shè)置在所述透明導(dǎo)電層(401)上； 所述N電極(403)設(shè)置在所述N型氮化鎵層(301)的低平臺面上； 所述鈍化層(404)設(shè)置在所述LED芯片的出光面，具體是:所述鈍化層(404)設(shè)置在所述P電極(402)和N電極(403)之間的Z形臺面上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的白光LED器件，其特征在于: 所述LED芯片為垂直結(jié)構(gòu)的LED芯片，該LED芯片包括N型氮化鎵層(301)、有源層(302)、P型氮化鎵層(303)、金屬基底(304)、透明導(dǎo)電層(401)、N電極(403)、鈍化層(404)、以及金屬反射層(407)； 所述金屬反射層(407)設(shè)置在所述金屬基底(304)上； 所述P型氮化鎵層(303)設(shè)置在所述金屬反射層(407)上； 所述有源層(302 )設(shè)置在所述P型氮化鎵層(303 )上； 所述N型氮化鎵層(301)設(shè)置在所述有源層(302 )上； 所述透明導(dǎo)電層(401)設(shè)置在所述N型氮化鎵層(301)上； 所述N電極(403)設(shè)置在所述透明導(dǎo)電層(401)上； 所述鈍化層(404)設(shè)置在所述LED芯片的出光面，具體是:所述鈍化層(404)設(shè)置在所述透明導(dǎo)電層(401)上除所述N電極(403 )覆蓋區(qū)域以外的位置。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3所述的白光LED器件，其特征在于: 所述可固化的透明絕緣介質(zhì)液態(tài)膠體為旋涂式玻璃或者聚酰亞胺。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-3所述的白光LED器件，其特征在于: 所述熒光粉為黃色熒光粉、紅色熒光粉、綠色熒光粉的其中一種。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-3所述的白光LED器件，其特征在于: 在所述鈍化層(404)上光刻有提高LED出光性能的芯片圖形(405)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-3所述的白光LED器件，其特征在于: 在所述鈍化層(404 )上包裹設(shè)置有保護(hù)層(406 )，所述保護(hù)層(406 )為二氧化硅層或氮化娃層。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種固體發(fā)光器件，具體公開了一種帶熒光粉層的白光LED器件。該包括一LED芯片，在所述LED芯片的出光面設(shè)置有一鈍化層，所述鈍化層為混合有熒光粉的膠體，所述膠體為可固化的透明絕緣介質(zhì)液態(tài)膠體。采用本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)，可以減少LED器件的制作工藝步驟，從而降低LED器件的總工藝成本。
文檔編號H01L33/50GK203103350SQ20122051182
公開日2013年7月31日 申請日期2012年9月29日 優(yōu)先權(quán)日2012年9月29日
發(fā)明者黃智聰, 許朝軍, 周玉剛, 姜志榮, 賴燃興, 林志平 申請人:晶科電子(廣州)有限公司