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      一種提高產(chǎn)品良率的cob基板的制作方法

      文檔序號(hào):7135079閱讀:247來源:國知局
      專利名稱:一種提高產(chǎn)品良率的cob基板的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本實(shí)用新型涉及LED領(lǐng)域,尤其是COB基板。
      背景技術(shù)
      由于LED光源具有無污染、低功耗、高可靠、長壽命等優(yōu)點(diǎn),是一種符合環(huán)保、節(jié)能的綠色照明光源,已經(jīng)成為繼白熾燈、熒光燈和高壓氣體放電燈等傳統(tǒng)光源之后的第四代照明光源。由于COB光源模組具有免回流焊,組裝快速、信賴性高等特有的優(yōu)點(diǎn),再加上白光LED具有豐富的光譜,是一種多顏色的混合光。如藍(lán)色光加黃色光可得二波長白光,藍(lán)色光、綠色光與紅色光混合可得三波長白光。以上特點(diǎn)決定了 LED在光源模組領(lǐng)域有著很好的應(yīng)用前景,一些用于球泡燈、筒燈的LED光源模組已經(jīng)面市,它們在一定程度上展示了 LED光源模組的魅力。由此也帶來了 COB基板的高速發(fā)展,采用各種新技術(shù)的基板不斷涌現(xiàn)。由于分立式器件焊接在基板上面引腳外露,故可以在焊接完成之后,進(jìn)行單顆器件的檢測,以便檢查焊接狀況,更換焊接不良器件。而采用COB封裝方式,因芯片都直接固定在基板上,大多數(shù)都是集成陣列封裝,如有多顆芯片時(shí),芯片與芯片間電極直接相互連接,由于芯片外層覆蓋有使芯片發(fā)白光的熒光膠,且基板表面有提高反射率的白油層,故只能檢測到整體陣列芯片的焊接或電性情況。目前市場上的COB基板大多數(shù)芯片在中心區(qū)域位置進(jìn)行集成陣列固定,或者芯片之間用引線進(jìn)行串并聯(lián),基板上只留有正負(fù)極的電路焊盤,因此測試時(shí)只能檢測到整體芯片情況,導(dǎo)致產(chǎn)品的良率較低。
      發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是提供一種提高產(chǎn)品良率的COB基板,能對單顆或多顆LED進(jìn)行測試,顯著提高了 COB產(chǎn)品良率。為解決上述技術(shù)問題,本實(shí)用新型的技術(shù)方案是:一種提聞廣品良率的COB基板,所述基板由下往上依次包括:底部材料層、粘結(jié)層、線路層和防焊白油層;所述線路層由若干串聯(lián)單元構(gòu)成,所述串聯(lián)單元包括正極連接區(qū)和負(fù)極連接區(qū),所述正極連接區(qū)與負(fù)極連接區(qū)電性連接;所述正極連接區(qū)上設(shè)有正極焊盤,所述負(fù)極連接區(qū)上設(shè)有負(fù)極焊盤,所述串聯(lián)單元的正極連接區(qū)的正極焊盤與相鄰串聯(lián)單元的負(fù)極連接區(qū)的負(fù)極焊盤共同組成一個(gè)完整的LED芯片的焊盤;所述正極連接區(qū)或負(fù)極連接區(qū)上設(shè)有測試點(diǎn)。LED芯片可以將相鄰的和串聯(lián)單元串聯(lián)起來,從而使得COB基板上的電路成為串聯(lián)電路,由于在整個(gè)串聯(lián)電路上設(shè)置了測試點(diǎn),通過測試兩個(gè)測試點(diǎn)即可測試這兩個(gè)測試點(diǎn)之間的LED芯片,本實(shí)用新型能檢測到單顆或多顆LED的情況,有利于提高產(chǎn)品良率,同時(shí)也有利于失效分析。作為改進(jìn),所述測試點(diǎn)由未覆蓋所述防焊白油層的線路層上的點(diǎn)區(qū)域構(gòu)成。作為改進(jìn),所述串聯(lián)單元中的正極連接區(qū)與負(fù)極連接區(qū)呈左右錯(cuò)位設(shè)置。作為改進(jìn),相鄰測試點(diǎn)之間的距離相等,方便測試。[0011]作為改進(jìn),測試點(diǎn)與LED芯片焊盤之間有一定的距離,因此,制作過程中進(jìn)行測試,不會(huì)影響到芯片和金線的可靠性。作為改進(jìn),所述測試點(diǎn)為圓形。為解決上述技術(shù)問題,本實(shí)用新型另一技術(shù)方案是:一種提聞廣品良率的COB基板,所述基板由下往上依次包括:底部材料層、粘結(jié)層、線路層和防焊白油層;所述線路層由若干串聯(lián)單元構(gòu)成,所述串聯(lián)單元包括正極連接區(qū)和負(fù)極連接區(qū),所述正極連接區(qū)與負(fù)極連接區(qū)電性連接;所述正極連接區(qū)上設(shè)有正極焊盤,所述負(fù)極連接區(qū)上設(shè)有負(fù)極焊盤;所述串聯(lián)單元的正極連接區(qū)與相鄰串聯(lián)單元的負(fù)極連接區(qū)之間設(shè)有過渡區(qū),所述過渡區(qū)一側(cè)設(shè)有負(fù)極焊盤,另一側(cè)設(shè)有正極焊盤;其中串聯(lián)單元的正極連接區(qū)的正極焊盤與過渡區(qū)的負(fù)極焊盤構(gòu)成一個(gè)LED芯片的焊盤,相鄰串聯(lián)單元的負(fù)極連接區(qū)的負(fù)極焊盤與過渡區(qū)的正極焊盤構(gòu)成另一個(gè)LED芯片的焊盤;所述正極連接區(qū)或負(fù)極連接區(qū)上設(shè)有測試點(diǎn)。LED芯片可以將相鄰的和串聯(lián)單元串聯(lián)起來,從而使得COB基板上的電路成為串聯(lián)電路,由于在整個(gè)串聯(lián)電路上設(shè)置了測試點(diǎn),通過測試兩個(gè)測試點(diǎn)即可測試這兩個(gè)測試點(diǎn)之間的LED芯片,本實(shí)用新型能檢測到單顆或多顆LED的情況,有利于提高產(chǎn)品良率,同時(shí)也有利于失效分析。作為改進(jìn),所述測試點(diǎn)與焊盤之間有一定的距離,因此在制作過程中進(jìn)行測試,不會(huì)影響到芯片與金線的可靠性。作為改進(jìn),所述測試點(diǎn)由未覆蓋所述防焊白油層的線路層上的點(diǎn)區(qū)域構(gòu)成。作為改進(jìn),所述串聯(lián)單元中的正極連接區(qū)與負(fù)極連接區(qū)呈左右錯(cuò)位設(shè)置。作為改進(jìn),相鄰測試點(diǎn)之間的距離相等,方便測試。作為改進(jìn),所述測試點(diǎn)為圓形。本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比所帶來的有益效果是:(I)LED芯片直接固定在基板上,工藝簡單、模組體積減小、易于實(shí)現(xiàn);(2)由于增設(shè)了測試點(diǎn),在COB產(chǎn)品制作的焊線過程中,可以方便的對COB產(chǎn)品中各個(gè)LED進(jìn)行單獨(dú)或多顆的測試,提高焊線工序的良率;(3)由于增設(shè)了測試點(diǎn),在COB產(chǎn)品制作的點(diǎn)熒光粉過程中,可以方便的對COB產(chǎn)品中各個(gè)LED進(jìn)行單獨(dú)或多顆的測試,提高點(diǎn)熒光粉工序的良率;(4)由于增設(shè)了測試點(diǎn),在COB產(chǎn)品的測試過程中,可以方便的對COB產(chǎn)品中各個(gè)LED進(jìn)行單獨(dú)或多顆的測試,提高測試工序的良率;(5)由于增設(shè)了測試點(diǎn),在COB產(chǎn)品失效分析過程中,可以方便的對COB產(chǎn)品中各個(gè)LED進(jìn)行單獨(dú)或多顆的測試,有利于尋找失效真因。

      圖1為實(shí)施例1的COB基板結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為圖1的A處放大圖。圖3為實(shí)施例1COB基板的剖視圖。圖4為實(shí)施例2的COB基板上的線路層連接不意圖。
      具體實(shí)施方式
      [0029]下面結(jié)合說明書附圖對本實(shí)用新型作進(jìn)一步說明。實(shí)施例1如圖1、3所不,一種提聞廣品良率的COB基板9,所述基板9由下往上依次包括:底部材料層1、粘結(jié)層2、線路層3和防焊白油層4。如圖2、3所示,所述線路層3由若干串聯(lián)單元7構(gòu)成,所述串聯(lián)單元7包括正極連接區(qū)71和負(fù)極連接區(qū)72,所述串聯(lián)單元7中的正極連接區(qū)71與負(fù)極連接區(qū)72呈左右錯(cuò)位設(shè)置呈“Z”形,所述正極連接區(qū)71與負(fù)極連接區(qū)72電性連接。所述正極連接區(qū)71上設(shè)有正極焊盤61,所述負(fù)極連接區(qū)72上設(shè)有負(fù)極焊盤62,所述串聯(lián)單元7的正極連接區(qū)71的正極焊盤61與相鄰串聯(lián)單元7的負(fù)極連接區(qū)72的負(fù)極焊盤62共同組成一個(gè)完整的LED芯片的焊盤6,如圖1、2所示,因此在COB基板9上只能形成一排焊盤,也可以根據(jù)需要設(shè)置成多排焊盤的形式;LED芯片通過金線鍵合在焊盤上后,可以將相鄰的和串聯(lián)單元7串聯(lián)起來,從而使得COB基板9上的電路成為串聯(lián)電路。所述正極連接區(qū)71或負(fù)極連接區(qū)72上設(shè)有圓形的測試點(diǎn)5,所述測試點(diǎn)5由未覆蓋所述防焊白油層4的線路層3上的點(diǎn)區(qū)域構(gòu)成,相鄰測試點(diǎn)5之間的距離相等。除測試點(diǎn)5與焊盤6以外,其他區(qū)域被防焊白油層4所覆蓋。實(shí)施例2如圖4所不,一種提聞廣品良率的COB基板,所述基板由下往上依次包括:底部材料層、粘結(jié)層、線路層和防焊白油層。所述線路層由若干串聯(lián)單元7構(gòu)成,所述串聯(lián)單元7包括正極連接區(qū)71和負(fù)極連接區(qū)72,所述正極連接區(qū)71與負(fù)極連接區(qū)72電性連接;所述正極連接區(qū)71上設(shè)有正極焊盤711,所述負(fù)極連接區(qū)72上設(shè)有負(fù)極焊盤721 ;所述串聯(lián)單元7的正極連接區(qū)71與相鄰串聯(lián)單元7的負(fù)極連接區(qū)72之間設(shè)有過渡區(qū)8,所述過渡區(qū)8 一側(cè)設(shè)有負(fù)極焊盤81,另一側(cè)設(shè)有正極焊盤82,其中串聯(lián)單元7的正極連接區(qū)71的正極焊盤711與過渡區(qū)8的負(fù)極焊盤81構(gòu)成一個(gè)LED芯片的焊盤,該焊盤位于第一排的焊盤中;相鄰串聯(lián)單元7的負(fù)極連接區(qū)72的負(fù)極焊盤721與過渡區(qū)8的正極焊盤82構(gòu)成另一個(gè)LED芯片的焊盤,該焊盤位于第二排的焊盤中,使得COB基板上同時(shí)具有兩排焊盤,也可以根據(jù)需要設(shè)置成多排焊盤的形式。所述正極連接區(qū)71或負(fù)極連接區(qū)72上設(shè)有圓形的測試點(diǎn)5,所述測試點(diǎn)5由未覆蓋所述防焊白油層4的線路層3上的點(diǎn)區(qū)域構(gòu)成,相鄰測試點(diǎn)5之間的距離相等。除測試點(diǎn)5與焊盤6以外,其他區(qū)域被防焊白油層4所覆蓋。綜上實(shí)施例1、2,本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)在于=(I)LED芯片直接固定在基板上,工藝簡單、模組體積減小、易于實(shí)現(xiàn);(2)由于增設(shè)了測試點(diǎn)5,在COB產(chǎn)品制作的焊線過程中,可以方便的對COB產(chǎn)品中各個(gè)LED進(jìn)行單獨(dú)或多顆的測試,提高焊線工序的良率;(3)由于增設(shè)了測試點(diǎn)5,在COB產(chǎn)品制作的點(diǎn)熒光粉過程中,可以方便的對COB產(chǎn)品中各個(gè)LED進(jìn)行單獨(dú)或多顆的測試,提高點(diǎn)熒光粉工序的良率;(4)由于增設(shè)了測試點(diǎn)5,在COB產(chǎn)品的測試過程中,可以方便的對COB產(chǎn)品中各個(gè)LED進(jìn)行單獨(dú)或多顆的測試,提高測試工序的良率;
      (5)由于增設(shè)了測試點(diǎn)5,在COB產(chǎn)品失效分析過程中,可以方便的對COB產(chǎn)品中各個(gè)LED進(jìn)行單獨(dú)或多顆的測試,有利于尋找失效真因。
      權(quán)利要求1.一種提聞廣品良率的COB基板,所述基板由下往上依次包括:底部材料層、粘結(jié)層、線路層和防焊白油層;其特征在于:所述線路層由若干串聯(lián)單元構(gòu)成,所述串聯(lián)單元包括正極連接區(qū)和負(fù)極連接區(qū),所述正極連接區(qū)與負(fù)極連接區(qū)電性連接;所述正極連接區(qū)上設(shè)有正極焊盤,所述負(fù)極連接區(qū)上設(shè)有負(fù)極焊盤,所述串聯(lián)單元的正極連接區(qū)的正極焊盤與相鄰串聯(lián)單元的負(fù)極連接區(qū)的負(fù)極焊盤共同組成一個(gè)完整的LED芯片的焊盤;所述正極連接區(qū)或負(fù)極連接區(qū)上設(shè)有測試點(diǎn)。
      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種提高產(chǎn)品良率的COB基板,其特征在于:所述測試點(diǎn)由未覆蓋所述防焊白油層的線路層上的點(diǎn)區(qū)域構(gòu)成。
      3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種提高產(chǎn)品良率的COB基板,其特征在于:所述串聯(lián)單元中的正極連接區(qū)與負(fù)極連接區(qū)呈左右錯(cuò)位設(shè)置。
      4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種提高產(chǎn)品良率的COB基板,其特征在:相鄰測試點(diǎn)之間的距離相等。
      5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種提高產(chǎn)品良率的COB基板,其特征在:所述測試點(diǎn)為圓形。
      6.一種提聞廣品良率的COB基板,所述基板由下往上依次包括:底部材料層、粘結(jié)層、線路層和防焊白油層;其特征在于:所述線路層由若干串聯(lián)單元構(gòu)成,所述串聯(lián)單元包括正極連接區(qū)和負(fù)極連接區(qū),所述正極連接區(qū)與負(fù)極連接區(qū)電性連接;所述正極連接區(qū)上設(shè)有正極焊盤,所述負(fù)極連接區(qū)上設(shè)有負(fù)極焊盤;所述串聯(lián)單元的正極連接區(qū)與相鄰串聯(lián)單元的負(fù)極連接區(qū)之間設(shè)有過渡區(qū),所述過渡區(qū)一側(cè)設(shè)有負(fù)極焊盤,另一側(cè)設(shè)有正極焊盤;其中串聯(lián)單元的正極連接區(qū)的正極焊盤與過渡區(qū)的負(fù)極焊盤構(gòu)成一個(gè)LED芯片的焊盤,相鄰串聯(lián)單元的負(fù)極連接區(qū)的負(fù)極焊盤與過渡區(qū)的正極焊盤構(gòu)成另一個(gè)LED芯片的焊盤;所述正極連接區(qū)或負(fù)極連接區(qū)上設(shè)有測試點(diǎn)。
      7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種提高產(chǎn)品良率的COB基板,其特征在于:所述測試點(diǎn)由未覆蓋所述防焊白油層的線路層上的點(diǎn)區(qū)域構(gòu)成。
      8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種提高產(chǎn)品良率的COB基板,其特征在于:所述串聯(lián)單元中的正極連接區(qū)與負(fù)極連接區(qū)呈左右錯(cuò)位設(shè)置。
      9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種提高產(chǎn)品良率的COB基板,其特征在:相鄰測試點(diǎn)之間的距離相等。
      10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種提高產(chǎn)品良率的COB基板,其特征在:所述測試點(diǎn)為圓形。
      專利摘要一種提高產(chǎn)品良率的COB基板,所述基板由下往上依次包括底部材料層、粘結(jié)層、線路層和防焊白油層;所述線路層由若干串聯(lián)單元構(gòu)成,所述串聯(lián)單元包括正極連接區(qū)和負(fù)極連接區(qū),所述正極連接區(qū)與負(fù)極連接區(qū)電性連接;所述正極連接區(qū)上設(shè)有正極焊盤,所述負(fù)極連接區(qū)上設(shè)有負(fù)極焊盤,所述串聯(lián)單元的正極連接區(qū)的正極焊盤與相鄰串聯(lián)單元的負(fù)極連接區(qū)的負(fù)極焊盤共同組成一個(gè)完整的LED芯片的焊盤,還可以通過改變電路設(shè)置成具有多排焊盤;所述正極連接區(qū)或負(fù)極連接區(qū)上設(shè)有測試點(diǎn)。測試點(diǎn)的加入能對單顆或多顆LED進(jìn)行測試,顯著提高了COB產(chǎn)品良率。
      文檔編號(hào)H01L33/48GK202930425SQ20122052994
      公開日2013年5月8日 申請日期2012年10月17日 優(yōu)先權(quán)日2012年10月17日
      發(fā)明者尹曉鴻, 周志勇, 趙洋, 王躍飛, 吳乾, 向?qū)氂? 李國平 申請人:廣州市鴻利光電股份有限公司
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