專利名稱：覆晶式的發(fā)光二極管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型有關(guān)一種可有效降低發(fā)光二極管操作電壓，提高流明/瓦，且可維持高的發(fā)光效率的高亮度、高功率的覆晶式的發(fā)光二極管。
背景技術(shù)：
近年來(lái)，已開(kāi)發(fā)出以氮化物、磷化物為材料的高亮度發(fā)光二極管，其不僅可發(fā)出紅、藍(lán)、綠光，且可用以產(chǎn)生各色光與白光。—般傳統(tǒng)的發(fā)光二極管，直接制作發(fā)光二極管嘉晶結(jié)構(gòu)于基材上，且將陰極電極與陽(yáng)極電極分別制作于發(fā)光二極管磊晶結(jié)構(gòu)側(cè)與基材側(cè)，如此的結(jié)構(gòu)，雖具有較佳的電流分布效果，卻因發(fā)光層距離封裝基座較遠(yuǎn)、熱傳導(dǎo)阻抗較大，而使發(fā)光二極管的操作溫度不易下降，阻礙了發(fā)光二極管往更大功率操作的可能！因此，近幾年則逐漸發(fā)展覆晶式(flipchip)的發(fā)光二極管。覆晶式的發(fā)光二極管，使發(fā)光二極管磊晶結(jié)構(gòu)中的p型半導(dǎo)體層與n型半導(dǎo)體層，暴露于發(fā)光二極管磊晶結(jié)構(gòu)的同一側(cè)，以能將陰、陽(yáng)極電極制作于發(fā)光二極管磊晶結(jié)構(gòu)的同一側(cè)上，因而，可采用覆晶方式封裝，以直接將設(shè)置有陰、陽(yáng)極電極的發(fā)光二極管覆置于一封裝焊料上。如此，能免除采用傳統(tǒng)金屬拉線的需求，進(jìn)而有效縮小封裝面積，同時(shí)由于發(fā)光層更接近封裝基座，發(fā)光二極管的熱阻因此下降，而使發(fā)光二極管的可靠性大幅提升!然而，覆晶式的發(fā)光二極管，雖然具有封裝上的優(yōu)勢(shì)，卻因發(fā)光二極管磊晶結(jié)構(gòu)中的P型半導(dǎo)體層與n型半導(dǎo)體層，暴露于發(fā)光二極管磊晶結(jié)構(gòu)的同一側(cè)，加上半導(dǎo)體材料層的導(dǎo)電性較差，而使電流無(wú)法有效且均勻地從接點(diǎn)分散出去，發(fā)光二極管內(nèi)部會(huì)發(fā)生部分區(qū)域電流密度過(guò)高的情況，因而影響整體亮度，降低使用壽命，進(jìn)而影響發(fā)光二極管的發(fā)光效率。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的主要目的在提供一種可有效降低發(fā)光二極管操作電壓，提高流明/瓦，且可維持高的發(fā)光效率的高亮度、高功率的覆晶式的發(fā)光二極管。為達(dá)上述的目的，本實(shí)用新型所設(shè)的一種覆晶式的發(fā)光二極管，其包括一個(gè)透明基板；一個(gè)第一電性半導(dǎo)體層，形成于該透明基板上；一個(gè)發(fā)光層，形成于該第一電性半導(dǎo)體層上；一個(gè)第二電性半導(dǎo)體層，形成于該發(fā)光層上；至少一個(gè)第一歐姆導(dǎo)電部，形成于該第二電性半導(dǎo)體層上，而該第二電性半導(dǎo)體層下另設(shè)有至少一個(gè)第三歐姆導(dǎo)電部，且該第一歐姆導(dǎo)電部與第三歐姆導(dǎo)電部之間設(shè)有至少一個(gè)連接通道，使該第一歐姆導(dǎo)電部與第三歐姆導(dǎo)電部得以電性連接，且該第一歐姆導(dǎo)電部上方形成第一電極區(qū)；以及[0013]一個(gè)第二歐姆導(dǎo)電部，形成于透明基板上，并相鄰于該第一歐姆導(dǎo)電部，且該第二歐姆導(dǎo)電部上方形成第二電極區(qū)。優(yōu)選的，該透明基板上還設(shè)有透明黏著層。優(yōu)選的，該透明黏著層上還設(shè)有透明導(dǎo)電層。優(yōu)選的，該透明基板為可導(dǎo)電的材質(zhì)。優(yōu)選的，該第二電性半導(dǎo)體層上的第一歐姆導(dǎo)電部的總面積大于第二電性半導(dǎo)體層下的第三歐姆導(dǎo)電部的總面積。優(yōu)選的，該第二電性半導(dǎo)體層下的第三歐姆導(dǎo)電部被絕緣層所覆蓋，以與該第一電性半導(dǎo)體層隔離。優(yōu)選的，該第一電性半導(dǎo)體層為P型，第二電性半導(dǎo)體層為N型。優(yōu)選的，該第一電性半導(dǎo)體層為N型，第二電性半導(dǎo)體層為P型。 優(yōu)選的，該透明基板具有凹凸不平的表面。優(yōu)選的，該第一電性半導(dǎo)體層與透明基板的接觸面為凹凸不平的表面。優(yōu)選的，該第二電性半導(dǎo)體層的上表面為圖形化的表面，以利形成表面電漿。為達(dá)上述的目的，本實(shí)用新型所設(shè)的另一種覆晶式的發(fā)光二極管，其包括一個(gè)透明基板；一個(gè)第一電性半導(dǎo)體層，形成于該透明基板上，該第一電性半導(dǎo)體層設(shè)有相鄰的
第一表面與第二表面；—個(gè)發(fā)光層，形成于上述該第一電性半導(dǎo)體層的第一表面上；—個(gè)第二電性半導(dǎo)體層，形成于該上述的發(fā)光層上，該第二電性半導(dǎo)體層上形成第一電極區(qū)；至少各一組第一歐姆導(dǎo)電部，分別形成于位于該第一表面與第二表面下方的第一電性半導(dǎo)體層與透明基板之間，而該第一電性半導(dǎo)體層上另設(shè)有至少一個(gè)第三歐姆導(dǎo)電部，且該第一歐姆導(dǎo)電部與第三歐姆導(dǎo)電部之間設(shè)有至少一個(gè)連接通道，使該第一歐姆導(dǎo)電部與第三歐姆導(dǎo)電部得以電性連接，且在該第二表面上方形成第二電極區(qū)。優(yōu)選的，該第一電性半導(dǎo)體層與該透明基板之間設(shè)有透明導(dǎo)電層，使該第一歐姆導(dǎo)電部設(shè)于該透明導(dǎo)電層上。 優(yōu)選的，該透明基板與透明導(dǎo)電層間還設(shè)有透明黏著層。優(yōu)選的，該第一表面上方的第三歐姆導(dǎo)電部被絕緣層所覆蓋，以與該第二電性半導(dǎo)體層隔離。優(yōu)選的，該第一電性半導(dǎo)體層為P型，第二電性半導(dǎo)體層為N型。優(yōu)選的，該第一電性半導(dǎo)體層為N型，第二電性半導(dǎo)體層為P型。優(yōu)選的，該第二電性半導(dǎo)體層的上表面為圖形化的表面，以利形成表面電漿。本實(shí)用新型第二電性半導(dǎo)體層上的所有第一歐姆導(dǎo)電部借由連接通道而與所有第三歐姆導(dǎo)電部電性連接后，等于歐姆導(dǎo)電面積大幅增加，使得發(fā)光二極管的操作電壓可以大幅下降，因此降低發(fā)光二極管的歐姆電損，增加發(fā)光二極管的發(fā)光效率(流明/瓦)，同時(shí)發(fā)光二極管的工作溫度也可以下降，進(jìn)而容許此發(fā)光二極管可以操作在更高功率，而使此發(fā)光元件成本(費(fèi)用/流明)下降。
圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例接合于一封裝承座后的剖面示意圖。圖3為本實(shí)用新型另一實(shí)施例發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖4為本實(shí)用新型另一實(shí)施例接合于一封裝承座后的剖面示意圖。主要元件符號(hào)說(shuō)明1:透明基板11 :透明導(dǎo)電層111 :第一表面112 :第二表面12:透明黏著層2:第一電性半導(dǎo)體層21 :第一表面22 :第二表面3:發(fā)光層4:第一歐姆導(dǎo)電部41:連接通道5:第二電性半導(dǎo)體層6:第二歐姆導(dǎo)電部6a:金屬連接層61:連接通道7:第三歐姆導(dǎo)電部71 :絕緣層8 :反射層9:阻障層X(jué) :第一電極區(qū)Y :第二電極區(qū)a:封裝承座b:導(dǎo)電跡線c :中介層。
具體實(shí)施方式
請(qǐng)參閱圖1，圖式內(nèi)容為本實(shí)用新型覆晶式的發(fā)光二極管的一第一實(shí)施例，其由一透明基板1、一第一電性半導(dǎo)體層2、一發(fā)光層3、數(shù)個(gè)第一歐姆導(dǎo)電部(ohmic contact) 4、一第二電性半導(dǎo)體層5及一第二歐姆導(dǎo)電部6所組成。該透明基板I可為一藍(lán)寶石基板(Sapphire Substrate)玻璃、砷化鎵、磷化鎵、氮化鎵或碳化硅其中一種，該第一電性半導(dǎo)體層2形成于該透明基板I上，該第一電性半導(dǎo)體層2與透明基板I之間更設(shè)有一透明導(dǎo)電層11，該透明導(dǎo)電層11可為IT0、Zn0及其組合。該透明導(dǎo)電層11與透明基板I之間更設(shè)有一透明黏著層12，該透明黏著層12選用于由熱固性樹(shù)脂苯并環(huán)丁烯(BCB)樹(shù)脂、聚酰胺(PI)、氟環(huán)丁烷(PFCB)、氧化銦錫(ITO)及其組合。其中該透明導(dǎo)電層11上形成有第一表面111與第二表面112,該第一電性半導(dǎo)體層2設(shè)于該透明基板I上透明導(dǎo)電層11上的第一表面111上，該發(fā)光層3形成于該第一電性半導(dǎo)體層2上，該發(fā)光層3的材料選自于由AlGalnN、AlGaInP, GaAs, InGaAs, InP及AlGaAs所構(gòu)成的族群中至少一者。該第二電性半導(dǎo)體層5形成于該發(fā)光層3上，該數(shù)個(gè)第一歐姆導(dǎo)電部4形成于該第二電性半導(dǎo)體層5上，而該第二電性半導(dǎo)體層5下另設(shè)有至少一第三歐姆導(dǎo)電部7，該第二電性半導(dǎo)體層5上的第一歐姆導(dǎo)電部4的總面積可大于第二電性半導(dǎo)體層5下的第三歐姆導(dǎo)電部7的總面積，且該第一歐姆導(dǎo)電部4與第三歐姆導(dǎo)電部7之間至少設(shè)有一個(gè)連接通道41，使該所有第一歐姆導(dǎo)電部4與所有第三歐姆導(dǎo)電部7得以電性連接，且該第二電性半導(dǎo)體層5下的第三歐姆導(dǎo)電部7被一絕緣層71所覆蓋，以與該第一電性半導(dǎo)體層2隔離。又，該第一歐姆導(dǎo)電部4上結(jié)合有一反射層8，該反射層8上結(jié)合有一阻障層9。前述的阻障層9材質(zhì)包括N1、W、WN、TiN、Pt，反射層8的材料至少含有Ag、Al、Au、Rh、Ni及其合金，在該第一歐姆導(dǎo)電部4上方的阻障層9上形成一第一電極區(qū)X。該第二歐姆導(dǎo)電部6則形成于該透明基板上透明導(dǎo)電層11上的第二表面112上，且相鄰于該第一歐姆導(dǎo)電部4，且該第二歐姆導(dǎo)電部6上方形成一第二電極區(qū)Y。該第二歐姆導(dǎo)電部6與透明導(dǎo)電層11間可設(shè)有一反射層8，另該第二歐姆導(dǎo)電部6與該反射層8間可設(shè)有一阻障層9，而前述的阻障層9材質(zhì)包括N1、W、WN、TiN, Pt，反射層8的材料至少含有Ag、Al、Au、Rh、Ni及其合金。而該第一電性半導(dǎo)體層2可為P型、第二電性半導(dǎo)體層5為N型，或是設(shè)計(jì)為第一電性半導(dǎo)體層2為N型、第二電性半導(dǎo)體層5為P型。由于N型半導(dǎo)體具有較佳的導(dǎo)電率，可使用較少數(shù)目的金屬電極，以便減少遮光及增加亮度，因此本實(shí)施例較佳的設(shè)計(jì)為第一電性半導(dǎo)體層2為P型，第二電性半導(dǎo)體層5為N型。此外，該第二電性半導(dǎo)體層5的上表面為一圖形化的表面，以利形成一表面電衆(zhòng) (surface plasmon),以增強(qiáng)發(fā)光的效率,該透明基板I可設(shè)為一具有一凹凸不平的表面,使發(fā)光向外輸出的機(jī)率增加，進(jìn)而更有助于提升發(fā)光二極管的光取出效率以及整體的光輸出強(qiáng)度。而該第一電性半導(dǎo)體層與透明基板的接觸面也可設(shè)為一凹凸不平的表面，以改善發(fā)光二極管內(nèi)部的光學(xué)全反射現(xiàn)象，有效提升發(fā)光二極管的光輸出強(qiáng)度。借此，當(dāng)該第二電性半導(dǎo)體層5上的所有第一歐姆導(dǎo)電部4借由連接通道41而與所有第三歐姆導(dǎo)電部7電性連接后，等于歐姆導(dǎo)電面積大幅增加，使得發(fā)光二極管的操作電壓可以大幅下降，因此降低發(fā)光二極管的歐姆電損，增加發(fā)光二極管的發(fā)光效率(流明/瓦)，同時(shí)發(fā)光二極管的工作溫度也可以下降，進(jìn)而容許此發(fā)光二極管可以操作在更高功率，而使此發(fā)光元件成本(費(fèi)用/流明)下降。當(dāng)完成上述結(jié)構(gòu)后，如圖2所示，以倒置覆晶方式接合于一封裝承座a之上，該封裝承座a可為一導(dǎo)熱系數(shù)聞的基板，例如為一 n型娃基板,或?yàn)橐?p型娃基板；當(dāng)然,該封裝承座a也可為一陶瓷基板。該封裝承座a之上至少設(shè)有二導(dǎo)電跡線b，分別對(duì)應(yīng)于第一歐姆導(dǎo)電部4上方的第一電極區(qū)X及第二歐姆導(dǎo)電部6上方的第二電極區(qū)Y，借由一焊接材料所構(gòu)成的中介層c使上述結(jié)構(gòu)接合于該封裝承座a之上，形成一覆晶式發(fā)光二極管。其所產(chǎn)生的熱量可以經(jīng)由封裝承座a迅速傳導(dǎo)至元件之外，故可適用于高功率的發(fā)光二極管，而該中介層c是以基礎(chǔ)金屬、金屬合金、半導(dǎo)體合金、具有導(dǎo)熱性和導(dǎo)電性的黏料、LED晶粒和封裝承座a間的不同金屬共熔接點(diǎn)、金凸點(diǎn)、焊料凸塊任一材料所成者。請(qǐng)?jiān)賲㈤唸D3，其為本實(shí)用新型第二實(shí)施例，該實(shí)施例覆晶式的發(fā)光二極管由一透明基板1、第一電性半導(dǎo)體層2、一發(fā)光層3、一第二電性半導(dǎo)體層5、數(shù)個(gè)第一歐姆導(dǎo)電部4及一金屬連接層6a所組成(相關(guān)材料如同第一實(shí)施例中的材料，故不再贅述)。該第一電性半導(dǎo)體層2形成于該透明基板I上,該第一電性半導(dǎo)體層2與該透明基板I之間設(shè)有一透明導(dǎo)電層11，而該透明導(dǎo)電層11與透明基板I之間設(shè)有一透明黏著層12。該第一電性半導(dǎo)體層2設(shè)有一相鄰的第一表面21與一第二表面22,該發(fā)光層3形成于上述該第一電性半導(dǎo)體層2的第一表面21上,該第二電性半導(dǎo)體層5形成于該上述的發(fā)光層3上,且該第二電性半導(dǎo)體層5上皆設(shè)有一反射層8,該反射層8上設(shè)有一阻障層9,在該第二電性半導(dǎo)體層5上的阻障層9上方形成一第一電極區(qū)(X)。[0066]至少各一個(gè)以上的第一歐姆導(dǎo)電部4形成于位于該第一表面21與第二表面22下方的第一電性半導(dǎo)體層2的下表面上，而該第一電性半導(dǎo)體層2上另設(shè)有至少各一個(gè)以上的第三歐姆導(dǎo)電部7，且該第一歐姆導(dǎo)電部4與第三歐姆導(dǎo)電部7之間設(shè)有至少各一連接通道41，使該所有第一歐姆導(dǎo)電部4與所有第三歐姆導(dǎo)電部7得以電性連接，且在該第二表面22上方的第三歐姆導(dǎo)電部7上依序設(shè)有反射層8及阻障層9，并于阻障層9上形成一第二電極區(qū)Y，又，該第二表面22上方的第三歐姆導(dǎo)電部7與反射層8之間也可設(shè)有一金屬連接層6a。該第一表面21上方的第三歐姆導(dǎo)電部7被一絕緣層71所覆蓋，以與該第二電性半導(dǎo)體層5隔離。該數(shù)個(gè)第一歐姆導(dǎo)電部4也可通過(guò)透明導(dǎo)電層11而互相導(dǎo)通，進(jìn)而借由連接通道41而與所有第三歐姆導(dǎo)電部7電性連接，等于歐姆導(dǎo)電面積大幅增加，使得發(fā)光二極管的操作電壓可以大幅下降，因此降低發(fā)光二極管的歐姆電損，增加發(fā)光二極管的發(fā)光效率(流明/瓦)，同時(shí)發(fā)光二極管的工作溫度也可以下降，進(jìn)而容許此發(fā)光二極管可以操作在更高 功率，而使此發(fā)光元件成本(費(fèi)用/流明)下降。當(dāng)完成上述結(jié)構(gòu)后，如圖4所示，以倒置覆晶方式接合于封裝承座a之上，該封裝承座a的二導(dǎo)電跡線b，分別對(duì)應(yīng)于第一電極區(qū)X及第二電極區(qū)Y，借由一焊接材料所構(gòu)成的中介層c使上述結(jié)構(gòu)接合于該封裝承座a之上，形成一覆晶式發(fā)光二極管。其所產(chǎn)生的熱量可以經(jīng)由封裝承座a迅速傳導(dǎo)至元件之外，故可適用于高功率的發(fā)光二極管。以上所述乃是本實(shí)用新型的具體實(shí)施例及所運(yùn)用的技術(shù)手段，根據(jù)本文的揭露或教導(dǎo)可衍生推導(dǎo)出許多的變更與修正，若依本實(shí)用新型的構(gòu)想所作的等效改變，其所產(chǎn)生的作用仍未超出說(shuō)明書(shū)及圖式所涵蓋的實(shí)質(zhì)精神時(shí)，均應(yīng)視為在本實(shí)用新型的技術(shù)范疇之內(nèi)，合先陳明。
權(quán)利要求1.一種覆晶式的發(fā)光二極管，其特征在于，包括一個(gè)透明基板；一個(gè)第一電性半導(dǎo)體層，形成于該透明基板上；一個(gè)發(fā)光層，形成于該第一電性半導(dǎo)體層上；一個(gè)第二電性半導(dǎo)體層，形成于該發(fā)光層上；至少一個(gè)第一歐姆導(dǎo)電部，形成于該第二電性半導(dǎo)體層上，而該第二電性半導(dǎo)體層下另設(shè)有至少一個(gè)第三歐姆導(dǎo)電部，且該第一歐姆導(dǎo)電部與第三歐姆導(dǎo)電部之間設(shè)有至少一個(gè)連接通道，使該第一歐姆導(dǎo)電部與第三歐姆導(dǎo)電部得以電性連接，且該第一歐姆導(dǎo)電部上方形成第一電極區(qū)；以及一個(gè)第二歐姆導(dǎo)電部，形成于透明基板上，并相鄰于該第一歐姆導(dǎo)電部，且該第二歐姆導(dǎo)電部上方形成第二電極區(qū)。
2.如權(quán)利要求1所述的覆晶式的發(fā)光二極管，其特征在于，該透明基板上還設(shè)有透明黏著層。
3.如權(quán)利要求2所述的覆晶式的發(fā)光二極管，其特征在于，該透明黏著層上還設(shè)有透明導(dǎo)電層。
4.如權(quán)利要求1所述的覆晶式的發(fā)光二極管，其特征在于，該透明基板為可導(dǎo)電的材質(zhì)。
5.如權(quán)利要求1所述的覆晶式的發(fā)光二極管，其特征在于，該第二電性半導(dǎo)體層上的第一歐姆導(dǎo)電部的總面積大于第二電性半導(dǎo)體層下的第三歐姆導(dǎo)電部的總面積。
6.如權(quán)利要求1所述的覆晶式的發(fā)光二極管，其特征在于，該第二電性半導(dǎo)體層下的第三歐姆導(dǎo)電部被絕緣層所覆蓋，以與該第一電性半導(dǎo)體層隔離。
7.如權(quán)利要求1所述的覆晶式的發(fā)光二極管，其特征在于，該第一電性半導(dǎo)體層為P 型，第二電性半導(dǎo)體層為N型。
8.如權(quán)利要求1所述的覆晶式的發(fā)光二極管，其特征在于，該第一電性半導(dǎo)體層為N 型，第二電性半導(dǎo)體層為P型。
9.如權(quán)利要求1所述的覆晶式的發(fā)光二極管，其特征在于，該透明基板具有凹凸不平的表面。
10.如權(quán)利要求1所述的覆晶式的發(fā)光二極管，其特征在于，該第一電性半導(dǎo)體層與透明基板的接觸面為凹凸不平的表面。
11.如權(quán)利要求1所述的覆晶式的發(fā)光二極管，其特征在于，該第二電性半導(dǎo)體層的上表面為圖形化的表面，以利形成表面電漿。
12.—種覆晶式的發(fā)光二極管，其特征在于，包括一個(gè)透明基板；一個(gè)第一電性半導(dǎo)體層，形成于該透明基板上，該第一電性半導(dǎo)體層設(shè)有相鄰的第一表面與第二表面；一個(gè)發(fā)光層，形成于上述該第一電性半導(dǎo)體層的第一表面上；一個(gè)第二電性半導(dǎo)體層，形成于該上述的發(fā)光層上，該第二電性半導(dǎo)體層上形成第一電極區(qū)；至少各一組第一歐姆導(dǎo)電部，分別形成于位于該第一表面與第二表面下方的第一電性半導(dǎo)體層與透明基板之間，而該第一電性半導(dǎo)體層上另設(shè)有至少一個(gè)第三歐姆導(dǎo)電部，且該第一歐姆導(dǎo)電部與第三歐姆導(dǎo)電部之間設(shè)有至少一個(gè)連接通道，使該第一歐姆導(dǎo)電部與第三歐姆導(dǎo)電部得以電性連接，且在該第二表面上方形成第二電極區(qū)。
13.如權(quán)利要求12所述的覆晶式的發(fā)光二極管，其特征在于，該第一電性半導(dǎo)體層與該透明基板之間設(shè)有透明導(dǎo)電層，使該第一歐姆導(dǎo)電部設(shè)于該透明導(dǎo)電層上。
14.如權(quán)利要求13所述的覆晶式的發(fā)光二極管，其特征在于，該透明基板與透明導(dǎo)電層間還設(shè)有透明黏著層。
15.如權(quán)利要求12所述的覆晶式的發(fā)光二極管,其特征在于,該第一表面上方的第三歐姆導(dǎo)電部被絕緣層所覆蓋，以與該第二電性半導(dǎo)體層隔離。
16.如權(quán)利要求12所述的覆晶式的發(fā)光二極管，其特征在于，該第一電性半導(dǎo)體層為P 型，第二電性半導(dǎo)體層為N型。
17.如權(quán)利要求12所述的覆晶式的發(fā)光二極管，其特征在于，該第一電性半導(dǎo)體層為N 型，第二電性半導(dǎo)體層為P型。
18.如權(quán)利要求12所述的覆晶式的發(fā)光二極管，其特征在于，該第二電性半導(dǎo)體層的上表面為圖形化的表面，以利形成表面電漿。
專利摘要一種覆晶式的發(fā)光二極管，包括一透明基板，其上至少設(shè)置有一第一電性半導(dǎo)體層、一發(fā)光層、一第二電性半導(dǎo)體層、至少一第一歐姆導(dǎo)電部、一第二歐姆導(dǎo)電部及第三歐姆導(dǎo)電部，其中該至少一第一歐姆導(dǎo)電部通過(guò)一連接通道而與第三歐姆導(dǎo)電部得以電性連接，且于第二電性半導(dǎo)體層上方以形成一第一電極區(qū)，而該第二歐姆導(dǎo)電部則設(shè)于相鄰于所述各第一歐姆導(dǎo)電部的一側(cè)的透明基板上方，其上方形成一第二電極區(qū)。
文檔編號(hào)H01L33/38GK202855792SQ201220551428
公開(kāi)日2013年4月3日 申請(qǐng)日期2012年10月25日 優(yōu)先權(quán)日2011年10月28日
發(fā)明者杜全成 申請(qǐng)人:榮昱顧問(wèn)有限公司