專利名稱：半導(dǎo)體器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體器件技術(shù)，尤其涉及適用于多條引線周邊配置在封裝體的背面的半導(dǎo)體器件的有效技術(shù)。
背景技術(shù)：
在薄型QFN封裝中，俯視觀察時，以基島的側(cè)邊與固定在該基島上的半導(dǎo)體芯片的側(cè)邊一致的方式配置而成的構(gòu)造被例如日本特開2010-177272號公報(專利文獻(xiàn)I)所公開。專利文獻(xiàn)1:日本特開2010-177272號公報
實(shí)用新型內(nèi)容在S0N(Small Outline Nonleaded Package)型半導(dǎo)體器件和 QFN(Quad FlatNonleaded Package)型半導(dǎo)體器件等、成為外部端子的引線從封裝體的下表面(安裝面)露出的構(gòu)造中，為了不使該引線從封裝體脫落(剝落)，例如上述專利文獻(xiàn)I所示，優(yōu)選在引線的周緣部(側(cè)面及前端面)形成層差部(突出部、檐部)。通過本申請發(fā)明人的研究探明了將該層差部設(shè)置在引線的兩側(cè)(引線的延伸方向的兩側(cè)面)時尤為有效。但是，近年來，隨著半導(dǎo)體器件的小型化或多管腳化，彼此相鄰的引線的間隔變小(窄)，因此難以像上述專利文獻(xiàn)I那樣在引線的兩側(cè)(兩側(cè)面)形成層差部。即，若彼此相鄰的引線的間隔變窄，則難以實(shí)現(xiàn)上述專利文獻(xiàn)I那樣的在引線的周緣部(側(cè)面)形成層差部的構(gòu)造。本實(shí)用新型的目的在于提供能夠?qū)崿F(xiàn)半導(dǎo)體器件的小型化或多管腳化的技術(shù)。另外，本實(shí)用新型的其他目的在于提供能夠?qū)崿F(xiàn)半導(dǎo)體器件的防引線脫落對策的技術(shù)。本申請實(shí)用新型的其他技術(shù)課題和新的特征能夠從本說明書的記載和附圖中得以明確。簡單說明用于解決本申請所公開的技術(shù)課題的手段中、具有代表性的實(shí)施方式的概要如下。具有代表性的實(shí)施方式的半導(dǎo)體器件包括:芯片焊盤；多條引線；半導(dǎo)體芯片，其搭載在芯片焊盤的上表面；多條導(dǎo)線，其用于電連接半導(dǎo)體芯片的多個電極焊盤和多條引線；封裝體，其用于封固半導(dǎo)體芯片和多條導(dǎo)線。多條引線在多條引線的各自的延伸方向上還分別具有:位于內(nèi)側(cè)端面?zhèn)鹊牡贗部分；和與第I部分相比位于外側(cè)端面?zhèn)鹊牡?部分，另外，在第I側(cè)面的第I部分形成有第I層差部，在第2側(cè)面的第2部分形成有第2層差部。再有，在第I側(cè)面的第2部分沒有形成第I層差部和第2層差部，在第2側(cè)面的第I部分沒有形成第I層差部和第2層差部。實(shí)用新型效果[0013]簡單說明根據(jù)本申請公開的實(shí)用新型中具有代表性的實(shí)施方式所得到的效果如下。能夠?qū)崿F(xiàn)半導(dǎo)體器件的小型化或多管腳化。另外，能夠?qū)崿F(xiàn)半導(dǎo)體器件的防引線脫落對策。

圖1是表示本實(shí)用新型實(shí)施方式I的半導(dǎo)體器件的構(gòu)造的一例的俯視圖。圖2是透過封裝體而示出圖1的半導(dǎo)體器件的構(gòu)造的俯視圖。圖3是表示圖1的半導(dǎo)體器件的構(gòu)造的一例的仰視圖。圖4是表示圖1的半導(dǎo)體器件的構(gòu)造的一例的側(cè)視圖。圖5是表示沿圖2的A-A線剖切而得到的構(gòu)造的一例的剖視圖。圖6是表示圖2的W部的構(gòu)造的放大局部俯視圖。圖7是表示沿圖6的C-C線剖切而得到的構(gòu)造的一例的剖視圖。圖8是表示沿圖6的D-D線剖切而得到的構(gòu)造的一例的剖視圖。圖9是表示沿圖6的E-E線剖切而得到的構(gòu)造的一例的剖視圖。圖10是表示沿圖6的F-F線剖切而得到的構(gòu)造的一例的剖視圖。圖11是表示在圖1的半導(dǎo)體器件的組裝中所使用的引線框架的構(gòu)造的一例的局部俯視圖。圖12是表示沿圖11的B-B線剖切而得到的構(gòu)造的一例的局部剖視圖。圖13是表示圖1的半導(dǎo)體器件的組裝中的芯片焊接后的構(gòu)造的一例的局部俯視圖。圖14是表示沿圖13的B-B線剖切而得到的構(gòu)造的一例的局部剖視圖。圖15是表示圖1的半導(dǎo)體器件的組裝中的導(dǎo)線接合后的構(gòu)造的一例的局部俯視圖。圖16是表示沿圖15的B-B線剖切而得到的構(gòu)造的一例的局部剖視圖。圖17是表示圖15的X部的構(gòu)造的放大局部俯視圖。圖18是表示圖1的半導(dǎo)體器件的組裝中的樹脂注塑后的構(gòu)造的一例的局部俯視圖。圖19是表示沿圖18的B-B線剖切而得到的構(gòu)造的一例的局部剖視圖。圖20是表示圖1的半導(dǎo)體器件的組裝中切割時的構(gòu)造的一例的局部俯視圖。圖21是表示沿圖20的B-B線剖切而得到的構(gòu)造的一例的局部剖視圖。圖22是透過封裝體而示出本實(shí)用新型實(shí)施方式I的變形例I的半導(dǎo)體器件的構(gòu)造的俯視圖。圖23是表示與圖22的Y部對應(yīng)的、導(dǎo)線接合結(jié)束后的構(gòu)造的放大局部俯視圖。圖24是透過封裝體而示出本實(shí)用新型實(shí)施方式I的變形例2的半導(dǎo)體器件的構(gòu)造的俯視圖。圖25是表示與圖24的Z部對應(yīng)的、導(dǎo)線接合結(jié)束后的構(gòu)造的放大局部俯視圖。圖26是透過封裝體而示出本實(shí)用新型實(shí)施方式2的半導(dǎo)體器件的構(gòu)造的一例的俯視圖。[0042]圖27是表示本實(shí)用新型的變形例I的半導(dǎo)體器件的構(gòu)造的剖視圖。圖28是表示圖27所示的半導(dǎo)體器件的組裝中的導(dǎo)線接合后的構(gòu)造的放大局部俯視圖。圖29是表示沿圖28的G-G線剖切而得到的構(gòu)造的一例的剖視圖。圖30是透過封裝體而示出本實(shí)用新型的變形例2的半導(dǎo)體器件的構(gòu)造的俯視圖。圖31是表示沿圖30的A-A線剖切而得到的構(gòu)造的一例的剖視圖。圖32是表示圖30的半導(dǎo)體器件的構(gòu)造的一例的仰視圖。圖33是透過封裝體而示出本實(shí)用新型的變形例3的半導(dǎo)體器件的構(gòu)造的俯視圖。圖34是表示圖33的半導(dǎo)體器件的構(gòu)造的一例的側(cè)視圖。附圖標(biāo)記說明1 半導(dǎo)體芯片1a 表面(主面)1b 背面1c 電極焊盤2 引線框架2a 引線2aa 上表面2ab下表面2b外部2c、2ca 懸垂引線2d芯片焊盤2 da上表面2db下表面2e內(nèi)部2f外側(cè)端面2g內(nèi)側(cè)端面2h、2i 側(cè)面2j中央引線2k前端部2m后端部2n、2p、2q 層差部2r伸出面2s器件區(qū)域2t框部2u幅寬部2v導(dǎo)線接合部2w延伸方向3導(dǎo)線4封裝體[0080]4a側(cè)面4b下表面4c總括封裝體5QFN (半導(dǎo)體器件)6芯片焊接材料7中心線8延伸方向9刀片10切割帶11QFN (半導(dǎo)體器件)
具體實(shí)施方式在以下的實(shí)施方式中，除特別必要時，原則上不重復(fù)相同或等同部分的說明。再有，在以下的實(shí)施方式中，為方便起見，在必要時分成多個部分或?qū)嵤┓绞竭M(jìn)行說明，但是，除特別明示的情況以外，它們之間并不是毫無關(guān)系的，而是一方為另一方的部分或全部的變形例、詳細(xì)、補(bǔ)充說明等的關(guān)系。另外，在以下的實(shí)施方式中，涉及到要素的數(shù)等(包含個數(shù)、數(shù)值、量、范圍等)情況下，除特別明示的情況以及原理上明確限定為特定數(shù)的情況等，不限于該特定數(shù)，可以是特定數(shù)以上也可以是特定數(shù)以下。另外，在以下的實(shí)施方式中，其結(jié)構(gòu)要素(還包含要素步驟等)除特別明示的情況以及原理上明確是必須的情況等，當(dāng)然不必是必須的。另外，在以下的實(shí)施方式中，關(guān)于結(jié)構(gòu)要素等，說“由A構(gòu)成”、“由A形成”、“具有A”、“包含A”時，除特別明確地表示只有該要素的情況等，當(dāng)然不能排除其以外的要素。同樣地，在以下的實(shí)施方式中，涉及到構(gòu)成要素等的形狀、位置關(guān)系等時，除特別明示的情況及原理上明確不成立的情況等，還包含實(shí)質(zhì)上與其形狀等近似或類似的情況等。關(guān)于這一點(diǎn)，上述數(shù)值及范圍也是一樣的。以下，根據(jù)附圖詳細(xì)說明本實(shí)用新型的實(shí)施方式。此外，在用于說明實(shí)施方式的全部附圖中，對具有相同功能的部件標(biāo)注相同的附圖標(biāo)記，并省略其重復(fù)的說明。另外，存在為了便于理解附圖而在俯視圖中也使用了剖面線的情況。(實(shí)施方式I)圖1是表示本實(shí)用新型實(shí)施方式I的半導(dǎo)體器件的構(gòu)造的一例的俯視圖，圖2是透過封裝體而示出圖1的半導(dǎo)體器件的構(gòu)造的俯視圖，圖3是表示圖1的半導(dǎo)體器件的構(gòu)造的一例的仰視圖，圖4是表示圖1的半導(dǎo)體器件的構(gòu)造的一例的側(cè)視圖，圖5是表示沿圖2的A-A線剖切而得到的構(gòu)造的一例的剖視圖。另外，圖6是表示圖2的W部的構(gòu)造的放大局部俯視圖，圖7是表示沿圖6的C-C線剖切而得到的構(gòu)造的一例的剖視圖，圖8是表示沿圖6的D-D線剖切而得到的構(gòu)造的一例的剖視圖，圖9是表示沿圖6的E-E線剖切而得到的構(gòu)造的一例的剖視圖，圖10是表示沿圖6的F-F線剖切而得到的構(gòu)造的一例的剖視圖。首先，對本實(shí)施方式I的半導(dǎo)體器件的構(gòu)造進(jìn)行說明。圖1 圖5所示的本實(shí)施方式I的半導(dǎo)體器件為周邊配置型(peripheral type:外圍型)，其中，作為外部端子的多條引線2a的每一條的一部分在俯視觀察時配置在上述半導(dǎo)體器件的背面?zhèn)鹊闹芫壊?。在此，作為一例列舉用樹脂封固半導(dǎo)體芯片I等的樹脂封固型QFN5來說明。關(guān)于上述QFN5的具體結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明，QFN5具有:圖2及圖3所示的、平面形狀為大致四邊形的板狀的作為芯片搭載部的芯片焊盤2d(也稱為下墊板)；用于支承芯片焊盤2d(與芯片焊盤2d連結(jié))的多條懸垂引線2c ;配置在芯片焊盤2d的周圍、且配置在多條懸垂引線2c中的彼此相鄰的懸垂引線2c之間的多條引線2a ;在圖5所示的表面(主面)Ia上形成有多個電極焊盤(焊接盤)Ic的半導(dǎo)體芯片I ;和分別電連接半導(dǎo)體芯片I的多個電極焊盤Ic和多條引線2a的多條導(dǎo)線3。此外，如圖2及圖5所示，半導(dǎo)體芯片I具有表面Ia和與表面Ia為相反側(cè)的背面lb，并在內(nèi)部形成有半導(dǎo)體集成電路。另外，如圖2所示，形成于表面Ia的多個電極焊盤Ic分別沿四邊形的表面Ia的四條邊并列地設(shè)置在表面Ia的周緣部。再有，如圖5所示，半導(dǎo)體芯片I以其背面Ib與芯片焊盤2d的芯片搭載面即上表面2da相對的方式經(jīng)由芯片焊接材料(粘結(jié)材料)6搭載在該上表面2da上，如圖2所示，多個電極焊盤Ic和與多個電極焊盤Ic分別對應(yīng)的多條引線2a經(jīng)由多條導(dǎo)線3分別電連接。另外，如圖3 圖5所示，QFN5具有封裝體4，其封固半導(dǎo)體芯片1、多條導(dǎo)線3、芯片焊盤2d的一部分、以及引線2a的一部分。封裝體4由封固用樹脂形成，封裝體4的平面形狀如圖1所示為大致四邊形。再有，在QFN5中，如圖3及圖5所示，芯片焊盤2d的與上表面2da為相反側(cè)的下表面2db從封裝體4的下表面4b露出。S卩，QFN5為芯片焊盤露出型(下墊板露出型)的半導(dǎo)體封裝。另外，芯片焊盤2d的上表面2da大于半導(dǎo)體芯片I的表面la，為所謂的大下墊板構(gòu)造。另外，由于QFN5為周邊配置型(外圍型)，因此如圖3所示，引線2a的分別從封裝體4露出的多個下表面(安裝面)2ab并列地設(shè)置在封裝體4的下表面4b的周緣部。另外，如圖5所示，各引線2a具有:作為外部端子從封裝體4的下表面4b露出的外部2b ;和作為埋設(shè)于封裝體4內(nèi)的部分且與導(dǎo)線3連接的內(nèi)部2e。S卩，多條引線2a分別以下表面2ab為外部2b并如圖3所不從封裝體4的下表面4b露出，另一方面,作為埋設(shè)于封裝體4的內(nèi)部的內(nèi)部2e的一部分的上表面2aa為導(dǎo)線連接面，在該上表面2aa連接有導(dǎo)線3。此外，如圖4所示，各引線2a的外部2b的與芯片焊盤2d側(cè)為相反側(cè)的一端作為外側(cè)端面(通過切斷引線2a而形成的切斷面)2f從封裝體4的側(cè)面4a露出。在此，在多條引線2a的外部2b中的、從封裝體4的下表面4b側(cè)露出的各個下表面2ab形成有鍍錫層等外裝鍍層。另外，如圖2所示，在QFN5中，多條懸垂引線2c分別在俯視觀察時從芯片焊盤2d的各個角部向封裝體4的各個角部延伸。S卩，在搭載有半導(dǎo)體芯片I的大致四邊形的芯片焊盤2d的四個角部連結(jié)有懸垂引線2c，由此，在QFN5中，芯片焊盤2d通過配置在其對角線上的四條懸垂引線2c在角部被支承。[0111]因此，在本實(shí)施方式I的QFN5中，多條引線2a在彼此相鄰的兩條懸垂引線2c之間的區(qū)域分別與半導(dǎo)體芯片I的四條邊對應(yīng)地并列設(shè)置。此外，關(guān)于四條懸垂引線2c，其下表面?zhèn)韧ㄟ^半蝕刻加工而較薄地形成，因此，由于樹脂封固時樹脂也會蔓延到懸垂引線2c的下表面?zhèn)?，所以如圖3所示，四條懸垂引線2c不從封裝體4的下表面4b露出。再有，各懸垂引線2c分別在前端側(cè)分支而呈兩股形狀，分支而成的各懸垂引線2ca如圖4所示從封裝體4的側(cè)面4a露出。接下來，使用圖6 圖10對本實(shí)施方式I的QFN5的引線形狀進(jìn)行詳細(xì)的說明。如圖1及圖2所示，在本實(shí)施方式I的QFN5中，封裝體4的平面形狀為四邊形，在本實(shí)施方式I中，對多條引線2a在俯視觀察時沿封裝體4的各邊各配置奇數(shù)條的情況進(jìn)行說明。另外，在本實(shí)施方式I中，為方便起見，對在每條邊配置5條引線2a的情況進(jìn)行說明，但在多管腳的QFN5中，也存在每條邊配置數(shù)十條以上的引線2a的情況，當(dāng)然這樣的多管腳的QFN5也包含在內(nèi)。在本實(shí)施方式I的QFN5中，多條引線2a俯視觀察時的各個引線圖案在各邊中設(shè)置成以奇數(shù)條(此處為5條)引線2a中的中央引線2j為線對稱(例如基于中心線(假想線)7的線對稱)的形態(tài)。S卩，如圖2所示，QFN5的四邊形的各邊上的5條引線2a的引線圖案配置成中央引線(平面形狀為四邊形的半導(dǎo)體器件5的各邊中的配置在中央部的引線)2j的左右兩側(cè)的引線2a呈線對稱。在此，在QFN5中，如圖5所示，在各邊中，包含中央引線2j在內(nèi)的多條引線2a分別具有:從封裝體4露出的下表面2ab ;與下表面2ab為相反側(cè)的上表面2aa ;位于上表面2aa與下表面2ab之間且與芯片焊盤2d相對的內(nèi)側(cè)端面2g ;和位于內(nèi)側(cè)端面2g的相反側(cè)且從封裝體4露出的外側(cè)端面2f。還具有:位于上表面2aa與下表面2ab之間且位于內(nèi)側(cè)端面2g與外側(cè)端面2f之間的圖6所示的側(cè)面(第I側(cè)面)2h ;和與側(cè)面2h為相反側(cè)的側(cè)面(第2側(cè)面)2i。S卩，包含中央引線2j在內(nèi)的多條引線2a分別具有:圖5所示的下表面2ab、上表面2aa、內(nèi)側(cè)端面2g、外側(cè)端面2f、以及圖6所示的側(cè)面2h和側(cè)面2i。再有，如圖6所示，包含中央引線2j在內(nèi)的多條引線2a分別在引線2a的延伸方向2w上具有:位于內(nèi)側(cè)端面2g側(cè)的前端部(第I部分)2k ;和與前端部2k相比位于外側(cè)端面2f側(cè)的后端部(第2部分)2m。此外，在本實(shí)施方式I的QFN5中，在各邊的除中央引線2j以外的多條引線2a中，分別在側(cè)面2h的前端部2k、且在與下表面2ab相比靠上表面2aa側(cè)形成有如圖9及圖10所示的層差部(第I層差部、突出部、伸出部、檐部)2n (圖6所示的剖面線部)。即，在各邊的除中央引線2j以外的引線2a的各自的前端部2k側(cè)的側(cè)面2h形成有向中央引線2j伸出(突出)的層差部2n。另一方面，在除中央引線2j以外的多條引線2a中，分別在側(cè)面2i的后端部2m、且在與下表面2ab相比靠上表面2aa側(cè)形成有如圖8所示的層差部(第2層差部、突出部、伸出部、檐部)2p (圖6所示的剖面線部)。即，在各邊的除中央引線2j以外的引線2a的各自的后端部2m側(cè)的側(cè)面2i形成有向遠(yuǎn)離中央引線2j的方向伸出(突出)的層差部2p。在此，在本實(shí)施方式中，如圖8至圖10所示，各層差部2n、2p與形成有各層差部2n、2p的部分處的引線2a的厚度的一半(中心)相比，以不位于下表面(安裝面)側(cè)而位于上表面?zhèn)鹊姆绞叫纬?。但是，若僅著眼于引線的防脫落對策這一觀點(diǎn)，則只要在各層差部2n、2p的下表面配置有封裝體4的一部分即可。即，只要各層差部2n、2p不與引線2a的下表面(安裝面)為同一面，則各層差部2n、2p的下表面也可以不必位于與引線2a的厚度方向的一半相比靠上表面?zhèn)鹊奈恢?。但是，由于配置在各層差?n、2p的下表面的封裝體4的厚度(量)越大，對引線的防脫落對策越有效，因此作為引線2a的側(cè)面上的形成部位，優(yōu)選在本實(shí)施方式那樣的位置(參照圖8至圖10)形成各層差部2n、2p。另外，在除中央引線2j以外的多條引線2a的每一條中，在側(cè)面2h的后端部2m沒有如圖8所示形成層差部2n或?qū)硬畈?p。另外，在側(cè)面2i的前端部2k也沒有如圖9及圖10所示形成層差部2n或?qū)硬畈?p。像這樣，在各邊中，在除中央引線2j以外的多條引線2a的每一條中，層差部2n僅形成于側(cè)面2h的前端部2k，另一方面，層差部2p僅形成于側(cè)面2i的后端部2m。因此，通過使該引線圖案在俯視觀察時連續(xù)，在各條引線2a的左右兩側(cè)的錯開位置形成層差部2n、2p。S卩，在各引線2a中，維持將層差部2n、2p中的某一個配置在其兩側(cè)，并且在相鄰的引線2a中層差部2n、2p的位置錯開，因此能夠盡可能地緊湊相鄰的引線2a的間隔。此外，關(guān)于各邊的中央引線2j，如圖2所示，在圖6的側(cè)面2h、2i這兩側(cè)的后端部2m形成有層差部2p。即，在左右兩側(cè)的后端部2m形成有層差部2p。如上所述，在本實(shí)施方式I的QFN5中，如圖2所示，以各邊的5條引線2a俯視觀察時的引線圖案通過中央引線2j的左右兩側(cè)的多條引線2a呈線對稱的方式，形成各個層差部2n和層差部2p。另外，在本實(shí)施方式I的QFN5中，形成于各邊的多條引線2a的各自的側(cè)面2i的后端部2m的層差部2p、以及形成于中央引線2j的左右兩側(cè)的后端部2m的層差部2p，均位于封裝體4的內(nèi)部(如圖7的剖視圖所示，在各引線2a的封裝體4的外周的邊緣部未形成層差部2n、2p)。換言之，在各邊的全部引線2a中，各后端部2m的層差部2p在未到達(dá)(未露出)如圖4所示的封裝體4的側(cè)面4a的范圍內(nèi)終結(jié)。再有，在本實(shí)施方式I的QFN5中，在各邊的引線2a的各自的前端部2k的下表面2ab，如圖5所示，形成有與內(nèi)側(cè)端面2g相連的層差部(第3層差部，突出部、伸出部、檐部)2q(圖6所示的剖面線部)。即，在各邊的包含中央引線2j在內(nèi)的引線2a的各自的前端部2k側(cè)(芯片焊盤2d側(cè))的下表面2ab形成有向芯片焊盤2d伸出(突出)的層差部2q。在此，在多條引線2a的每一條中，層差部2q向芯片焊盤2d方向的伸出量(突出量)分別大于層差部2n向相鄰的引線2a方向的伸出量(突出量)、及層差部2p向相鄰的引線2a方向的伸出量(突出量)。S卩，如圖6所示，在各引線2a中，成為如下關(guān)系:層差部2q的伸出量J >層差部2n的伸出量H、層差部2p的伸出量I (J > H、I)。這樣設(shè)置的原因在于:在各引線2a中，由于前端部2k側(cè)(芯片焊盤2d側(cè))至芯片焊盤2d存在間隔，所以能夠?qū)⑸斐隽吭O(shè)置得較大，另一方面，若引線2a的兩側(cè)多管腳，則與相鄰的引線2a的引線間間距窄，因此無法將伸出量設(shè)置得較大。作為一例，各引線2a的前端部(第I部分，位于芯片焊盤2d側(cè)的部分)2k的層差部(突出部、伸出部、檐部)2q的伸出量(突出量)為0.2mm(此時，引線2a的下表面2ab的露出長為0.47mm)。另外，引線2a的兩側(cè)(側(cè)面2h、2i)的層差部2n、2p的伸出量(突出量)為 0.05_。另外，在各邊的除中央引線2j以外的圖6的多條引線2a中，形成有層差部2n的側(cè)面2h位于導(dǎo)線3的延伸方向8側(cè)。即，在各邊的多條引線2a中，均優(yōu)選側(cè)面2h相對于延伸方向8側(cè)配置，并且在該側(cè)面2h的前端部2k設(shè)置層差部2n，在各引線2a的前端部2k中，優(yōu)選層差部2n的設(shè)置側(cè)與導(dǎo)線3的延伸方向8側(cè)為同一側(cè)。由此，在各邊的多條引線2a中，由于在導(dǎo)線3的延伸方向8側(cè)的同一側(cè)形成層差部2n (側(cè)面2h)，因此各邊的5條引線2a俯視觀察時的引線圖案能夠通過中央引線2j的左右兩側(cè)的多條引線2a呈線對稱。另外，在QFN5中，優(yōu)選多條引線2a分別通過蝕刻加工而形成。即，關(guān)于后述的圖11的引線框架2，優(yōu)選其引線圖案通過蝕刻加工而形成。也就是說，優(yōu)選QFN5的多條引線2a分別通過蝕刻加工而形成。在通過蝕刻加工形成引線2a時，使用半蝕刻對層差部2n、2p、2q進(jìn)行加工，由此能夠使層差部2n、2p、2q的、圖8及圖9所示的伸出面2r為具有曲率的面(彎曲的面)。由此，與通過沖壓加工等形成的伸出面相比具有曲率，相應(yīng)地能夠增加樹脂封固時填充到伸出面2r的下部的封固用樹脂的量。另外，在各引線2a中，關(guān)于未形成層差部2n、2p、2q的側(cè)面2h、2i，如圖7 圖9所示，由于蝕刻液相對于引線2a從表背兩面?zhèn)攘魅?，因此具有至引線2a的厚度方向的1/2附近呈曲率面(彎曲的面)的截面形狀。在此，在QFN5中，各引線2a、懸垂引線2c、以及芯片焊盤2d由例如銅合金形成，但也可以由銅合金以外的鐵鎳合金等形成，另外，導(dǎo)線3為例如金線(金導(dǎo)線)等。再有，封裝體4由例如環(huán)氧類樹脂等封固用樹脂形成。接下來，對本實(shí)施方式I的QFN(半導(dǎo)體器件)5的制造方法進(jìn)行說明。圖11是表示在圖1的半導(dǎo)體器件的組裝中所使用的引線框架的構(gòu)造的一例的局部俯視圖，圖12是表示沿圖11的B-B線剖切而得到的構(gòu)造的一例的局部剖視圖，圖13是表示圖1的半導(dǎo)體器件的組裝中的芯片焊接后的構(gòu)造的一例的局部俯視圖，圖14是表示沿圖13的B-B線剖切而得到的構(gòu)造的一例的局部剖視圖。另外，圖15是表示圖1的半導(dǎo)體器件的組裝中的導(dǎo)線接合后的構(gòu)造的一例的局部俯視圖，圖16是表示沿圖15的B-B線剖切而得到的構(gòu)造的一例的局部剖視圖，圖17是表示圖15的X部的構(gòu)造的放大局部俯視圖。再有，圖18是表示圖1的半導(dǎo)體器件的組裝中的樹脂注塑后的構(gòu)造的一例的局部俯視圖，圖19是表示沿圖18的B-B線剖切而得到的構(gòu)造的一例的局部剖視圖，圖20是表示圖1的半導(dǎo)體器件的組裝中切割時的構(gòu)造的一例的局部俯視圖，圖21是表示沿圖20的B-B線剖切而得到的構(gòu)造的一例的局部剖視圖。首先，準(zhǔn)備如圖11所示的形成有多個器件區(qū)域2s的薄板狀的引線框架2。如上所述，器件區(qū)域2s為形成I個QFN5的區(qū)域，在此，關(guān)于采用了一次樹脂注塑多個器件區(qū)域2s的、所謂批量注塑方式的組裝進(jìn)行說明。如圖11及圖12所示，準(zhǔn)備引線框架2，其具有:1個芯片焊盤(芯片搭載部)2d ；支承該芯片焊盤2d的多條懸垂引線2c ;配置在芯片焊盤2d附近(周圍)且配置在多條懸垂引線2c中的彼此相鄰的懸垂引線2c之間的多條引線2a。即，芯片焊盤2d位于多條引線2a之間。此外，各器件區(qū)域2s被框部2t包圍，多條引線2a和多條懸垂引線2c被框部2t支承。另外，在本實(shí)施方式I的引線框架2中，對各器件區(qū)域2s中、在彼此相鄰的懸垂引線2c之間設(shè)置有5條(奇數(shù)條)引線2a的情況進(jìn)行說明。首先，各邊的包含中央引線2j在內(nèi)的多條引線2a分別具有:圖5所示的下表面2ab、上表面2aa、內(nèi)側(cè)端面2g、外側(cè)端面2f、以及圖6所示的側(cè)面2h和側(cè)面2i，另外，如圖6所示，在引線2a的延伸方向2w上還具有:位于內(nèi)側(cè)端面2g側(cè)的前端部2k ;和位于外側(cè)端面2f側(cè)的后端部2m。另外，在各邊的除中央引線2j以外的多條引線2a的各自的前端部2k側(cè)的側(cè)面2h形成有向中央引線2j伸出的層差部2n(圖6所示的剖面線部)。另一方面，在除中央引線
2j以外的多條引線2a的各自的后端部2m側(cè)的側(cè)面2i形成有向遠(yuǎn)離中央弓I線2 j的方向伸出的層差部2p (圖6所示的剖面線部)。此外，在除中央引線2j以外的多條引線2a的每一條中，在側(cè)面2h的后端部2m沒有形成層差部2n或?qū)硬畈?p。另外，在側(cè)面2i的前端部2k也沒有形成層差部2n或?qū)硬畈?p。即，在各邊中，在除中央引線2j以外的多條引線2a的每一條中，層差部2n僅形成于側(cè)面2h的前端部2k,另一方面,層差部2p僅形成于側(cè)面2i的后端部2m。另外，關(guān)于各邊的中央引線2j，如圖2及圖6所示，在側(cè)面2h、2i這兩側(cè)的后端部2m形成有層差部2p。即，在左右兩側(cè)的后端部2m形成有層差部2p。如上所述，在本實(shí)施方式I的QFN5的組裝所使用的引線框架2中，在圖11所示的各器件區(qū)域2s中，以各邊的5條引線2a俯視觀察時的引線圖案通過中央引線2j的左右兩側(cè)的多條引線2a呈線對稱的方式形成各個層差部2n和層差部2p。另外，引線框架2的引線圖案通過蝕刻加工而形成。其后，進(jìn)行芯片焊接。在芯片焊接工序中，如圖13及圖14所示，將半導(dǎo)體芯片I經(jīng)由芯片焊接材料6搭載到芯片焊盤2d的上表面2da。其后，進(jìn)行導(dǎo)線接合。在導(dǎo)線接合工序中，如圖15及圖16所示，使半導(dǎo)體芯片I的多個電極焊盤Ic與多條引線2a經(jīng)由多條導(dǎo)線3分別電連接。在本實(shí)施方式I中，采用首先在使導(dǎo)線3的一部分與半導(dǎo)體芯片I的電極焊盤Ic連接后，使導(dǎo)線3的另一部分與引線2a連接的、所謂正接合方式。即，半導(dǎo)體芯片I的電極焊盤Ic為第一側(cè)，引線2a為第二側(cè)。在此，如上所述，在本實(shí)施方式I中，如圖17所示，層差部2n形成于與導(dǎo)線3的延伸方向8側(cè)相同的側(cè)面2h側(cè)，且設(shè)置于該側(cè)面2h的圖6所示的前端部2k。即，由于在導(dǎo)線3的入射角側(cè)形成有層差部2n，因此當(dāng)對多條引線2a中的除中央引線2j以外的引線2a進(jìn)行導(dǎo)線接合工序時，能夠防止在引線2a上滑行的未圖示的焊針從引線2a脫落。即，關(guān)于第二接合側(cè)，由于所述焊針進(jìn)行滑行，因此層差部2n與導(dǎo)線3的延伸方向8對應(yīng)地設(shè)置更容易進(jìn)行第二側(cè)(引線側(cè))的導(dǎo)線接合。其后，進(jìn)行樹脂注塑。由于本實(shí)施方式I的QFN5的組裝為批量注塑方式，因此在本注塑工序中，用樹脂對半導(dǎo)體芯片I和多條導(dǎo)線3進(jìn)行封固，由此，如圖18及圖19所示，在引線框架2上形成總括封裝體4c。此時，在各個器件區(qū)域2s中，以多條引線2a的各自的下表面(外部2b的一部分(安裝面))2ab從總括封裝體4c的下表面4b露出的方式，用樹脂封固半導(dǎo)體芯片1、引線2a的內(nèi)部2e、以及多條導(dǎo)線3。樹脂注塑結(jié)束后，進(jìn)行各封裝的單片化(封裝切割)，從而圖1 圖5所示的QFN5的組裝結(jié)束。在此，在本單片化工序中，如圖20及圖21所示，使用切割用的刀片9進(jìn)行單片化。具體而言，如圖21所示，將切割帶10粘貼到總括封裝體4c的表面?zhèn)?，并在上下翻轉(zhuǎn)的狀態(tài)下使刀片9從引線框架側(cè)(上方)切入而進(jìn)行切斷。此時，由于切割帶10沒有被完全切斷而一部分殘留，因此在下道工序的拾取工序中，各封裝(QFN5)能夠維持粘貼在切割帶10上的狀態(tài)而在被拾取之前不會散亂。根據(jù)本實(shí)施方式I的QFN5，由于在各條引線2a的左右兩側(cè)的錯開的位置形成有層差部2n、2p，因此能夠與相鄰的引線2a錯開層差部2n、2p的位置，從而能夠盡可能地緊湊與相鄰引線2a的間隔。因此，能夠減小相鄰引線2a間的間隙，從而能夠?qū)崿F(xiàn)QFN5的小型化或多管腳化。此外，在僅著眼于減小引線2a的間隔(引線間距)的情況下，在沿封裝體4的下表面4b的相對的兩條邊配置有多個外部端子的SON(Small Outline Non-1eaded Package)中也是有效的，但在還要考慮到擴(kuò)大與懸垂引線2c之間的間隔的情況下，可以說在本實(shí)施方式I那樣的QFN5中更為有效。另外，通過在各條引線2a的左右兩側(cè)形成層差部2n、2p，能夠使其在各引線2a中相對于封裝體4具有固定效果，從而能夠防止或減少Q(mào)FN5的引線2a從封裝體4脫落。由此，能夠?qū)崿F(xiàn)引線2a的防脫落對策。在此，關(guān)于各邊的中央引線2j，通過在其左右兩側(cè)的后端部2m形成層差部2p，也能夠防止或減少中央引線2j從封裝體4脫落。另外，形成于各邊的多條引線2a的各自的側(cè)面2i的層差部2p、以及中央引線2j的左右兩側(cè)的層差部2p，均為在封裝體4的內(nèi)部終結(jié)的形狀。即，在各邊的全部引線2a中，各后端部2m的層差部2p在未到達(dá)(未露出)封裝體4的側(cè)面4a的范圍內(nèi)終結(jié)，由此，能夠防止或減少引線2a在引線延伸方向(圖6所示的引線2a的延伸方向2w)從封裝體4脫落。另外，在各邊的多條引線2a的各自的前端部2k的下表面2ab形成有與內(nèi)側(cè)端面2g相連的層差部2q，由此能夠進(jìn)一步提高針對引線2a在封裝高度(厚度)方向從封裝體4脫落的強(qiáng)度。另外，由于各引線2a的層差部2n、2p、2q(引線框架2的引線圖案)通過蝕刻加工而形成，因此能夠使層差部2n、2p、2q的伸出面2r為具有曲率的面。由此，與通過沖壓加工而形成的伸出面相比具有曲率，相應(yīng)地能夠增加樹脂封固時填充到伸出面2r的下部的封固用樹脂的量。其結(jié)果為，與通過沖壓加工而形成的層差部相比能夠進(jìn)一步提高固定效果，從而能夠進(jìn)一步防止或減少各引線2a從封裝體4脫落。另外，引線框架2通過蝕刻加工而形成，由此與沖壓加工相比，即使是較少的伸出量也能夠產(chǎn)生大的固定效果，因此能夠減小層差部2n、2p的伸出量，其結(jié)果為，能夠使相鄰引線2a間的間隙盡可能地減小而實(shí)現(xiàn)QFN5的進(jìn)一步小型化或多管腳化。接下來，對本實(shí)施方式I的變形例進(jìn)行說明。圖22是透過封裝體而示出本實(shí)用新型實(shí)施方式I的變形例I的半導(dǎo)體器件的構(gòu)造的俯視圖，圖23是表示與圖22的Y部對應(yīng)的導(dǎo)線接合結(jié)束后的構(gòu)造的放大局部俯視圖，圖24是透過封裝體而示出本實(shí)用新型實(shí)施方式I的變形例2的半導(dǎo)體器件的構(gòu)造的俯視圖，圖25是表示與圖24的Z部對應(yīng)的導(dǎo)線接合結(jié)束后的構(gòu)造的放大局部俯視圖。關(guān)于圖22所示的變形例I的引線形狀，如圖23所示，在各邊的多條引線2a中的、除中央引線2j以外的引線2a的各自的內(nèi)側(cè)端部俯視觀察時的形狀以沿著導(dǎo)線3的延伸方向8的方式彎曲。S卩，使各邊的除中央引線2j以外的引線2a的內(nèi)側(cè)端部沿著布線方向(導(dǎo)線3的延伸方向8)彎曲，在沿各邊配置的多條引線2a中，引線2a越接近懸垂引線2c (越朝向引線排列的端部)，引線2a的內(nèi)側(cè)端部相對于外側(cè)端部的彎曲度越大。由此，能夠?qū)?dǎo)線3的延伸收納在引線前端的引線寬度內(nèi)，從而能夠確保第二次接合時未圖示的焊針的滑行區(qū)域而容易地進(jìn)行第二次接合。此外，圖23所示的剖面線部為層差部2n、2p、2q的區(qū)域。接下來，圖24所示的變形例2的引線形狀為在各邊的多條引線2a中的中央引線2j的內(nèi)側(cè)端部形成有俯視觀察時幅寬的幅寬部2u的形狀。該幅寬部2u的寬度在俯視觀察時大于引線2j中的圖25所示的未形成層差部2p的部分的寬度。此外，如圖25所示，經(jīng)由導(dǎo)線3與中央引線2j電連接的半導(dǎo)體芯片的電極焊盤Ic不必配置在中心線(假想線)7上。因此，關(guān)于與各邊的中央引線2j連接的導(dǎo)線3，如圖25所示，存在相對于中央引線2j向左右某一方錯開的情況。因此，如本變形例2那樣，通過在中央引線2j的內(nèi)側(cè)端部形成在中心線(假想線)7的兩側(cè)幅寬的幅寬部2u，即使布線向左右某一方錯開也能夠可靠地進(jìn)行所述焊針的滑行(第二次接合)。在圖25所示的例子中，中央引線2j的內(nèi)側(cè)端部俯視觀察時的形狀為倒梯形。此外，圖25所示的剖面線部為層差部2n、2p、2q的區(qū)域。(實(shí)施方式2)圖26是透過封裝體而示出本實(shí)用新型的實(shí)施方式2的半導(dǎo)體器件的構(gòu)造的一例的俯視圖。本實(shí)施方式2的半導(dǎo)體器件與實(shí)施方式I的QFN5同樣地為周邊配置型的QFNlI，即:作為外部端子的多條引線2a的各自的一部分配置在背面?zhèn)鹊闹芫壊?，但是，與實(shí)施方式I的QFN5的不同點(diǎn)在于:多條引線2a在俯視觀察時沿封裝體4的各邊各配置偶數(shù)條。即，關(guān)于本實(shí)施方式2的QFN11，在四邊形的封裝體4的各邊中，多條引線2a在俯視觀察時各配置有偶數(shù)條(在此為四條)，再有，各引線2a的層差部2n和層差部2p相對于偶數(shù)條引線2a的排列方向分別以同一朝向形成。因此，各邊的多條引線2a俯視觀察時的圖案相對于這些引線2a的排列方向?yàn)橄嗤膱D案，相同圖案的引線2a并列。此外，在QFNll中，由于各邊的引線數(shù)量為偶數(shù)條，所以不存在與實(shí)施方式I的QFN5中的、存在于各邊的中央引線2j相當(dāng)?shù)囊€。像這樣，通過使各邊的多條引線2a的俯視觀察時的圖案相對于引線排列方向?yàn)橄嗤瑘D案，當(dāng)對導(dǎo)線接合時的引線2a進(jìn)行識別時，能夠容易地進(jìn)行圖像識別。S卩，在QFNll的組裝的導(dǎo)線接合工序中，在連接導(dǎo)線3時，各引線2a的導(dǎo)線接合部(前端部2k、第I部分)2v由未圖示的識別裝置(照相機(jī)等)進(jìn)行圖像識別后連接導(dǎo)線3，因此通過事先使各引線2a的俯視觀察時的引線圖案為相同圖案，相較于對引線圖案不同的引線2a連接導(dǎo)線3的情況，能夠容易地進(jìn)行導(dǎo)線接合。另外，通過使各邊的多條引線2a的俯視觀察時的圖案相對于引線排列方向?yàn)橄嗤瑘D案，能夠縮短各邊的引線列L的長度。也就是說，通過使多條引線2a俯視觀察時的圖案作為相同圖案而并列，能夠進(jìn)一步緊湊引線間隔，因此，能夠縮短引線列L的長度。此外，若能夠縮短引線列L，則能夠確保引線列中的端部位置的引線2a與懸垂引線2c的間隔。由此，當(dāng)為多管腳時，可以不使引線2a向后方(外側(cè))后退，因此能夠?qū)崿F(xiàn)封裝(QFNll)的小型化。換言之，能夠?qū)崿F(xiàn)封裝(QFNll)的多管腳化。關(guān)于本實(shí)施方式2的QFNll的其他構(gòu)造，由于與實(shí)施方式I的QFN5相同而省略其重復(fù)說明。根據(jù)本實(shí)施方式2的QFNlI，通過使各邊的多條引線2a的俯視觀察時的引線圖案為相同圖案，能夠進(jìn)一步緊湊與相鄰引線2a的間隔，從而能夠?qū)崿F(xiàn)QFNll的小型化或多管腳化。另外，通過在各條引線2a的左右兩側(cè)形成層差部2n、2p，能夠使其在各引線2a中相對于封裝體4具有固定效果，從而能夠防止或減少Q(mào)FNll的引線2a從封裝體4脫落。由此，能夠?qū)崿F(xiàn)引線2a的防脫落對策。關(guān)于通過本實(shí)施方式2的QFNll得到的其他效果，由于與實(shí)施方式I的QFN5相同而省略其重復(fù)說明。另外，關(guān)于本實(shí)施方式2的QFNll的組裝，由于也與實(shí)施方式I的QFN5相同而省略其重復(fù)說明。以上，根據(jù)實(shí)用新型的實(shí)施方式對本發(fā)明人研發(fā)的實(shí)用新型進(jìn)行了具體說明，但本實(shí)用新型不限于上述實(shí)施方式，在不脫離其主旨的范圍內(nèi)當(dāng)然能夠進(jìn)行各種變更。例如，在上述實(shí)施方式1、2中，說明了在各引線2a中在其內(nèi)側(cè)端面2g的下表面2ab側(cè)形成層差部2q的情況，但如圖27及圖28所示，也可以不必形成內(nèi)側(cè)端部的層差部(伸出部、突出部、檐部)。即，在圖27 圖29的變形例I的各引線2a中，在側(cè)面2h的前端部2k(參照圖6)形成有層差部2n，另一方面，在相反側(cè)的側(cè)面2i的后端部2m(參照圖6)形成有層差部2p，但是，在內(nèi)側(cè)端部沒有形成上述層差部。因此，與上述實(shí)施方式1、2相t匕，各引線2a的封裝厚度方向的拉伸強(qiáng)度稍微下降，但通過層差部2n、2p能夠充分地得到防止引線2a脫落的效果。另外，例如，在上述實(shí)施方式1、2中，列舉半導(dǎo)體器件(QFN)為大下墊板構(gòu)造的情況進(jìn)行了說明，但如圖30 圖32的變形例2的QFN5所示，不限于大下墊板構(gòu)造，也可以為芯片焊盤2d的外形尺寸(圖31的上表面2da的大小)小于半導(dǎo)體芯片I的外形尺寸(圖31的背面Ib的大小)的、所謂小下墊板構(gòu)造。即，即使為小下墊板構(gòu)造的QFN5，也能夠得到與大下墊板構(gòu)造的QFN5同樣的效果。另外，例如，在上述實(shí)施方式1、2中，列舉QFN5、11為芯片焊盤露出型(下墊板露出型)的情況進(jìn)行了說明，但QFN5、11也可以為芯片焊盤(下墊板)2d埋設(shè)于封裝體4的內(nèi)部的下墊板內(nèi)置型的構(gòu)造，或者還可以為芯片焊盤2d從封裝體4露出并且僅懸垂引線2c埋設(shè)于封裝體4的內(nèi)部的構(gòu)造。另外，例如，在上述實(shí)施方式1、2中，在半導(dǎo)體器件(QFN5、11)的各引線2a中，其后端部2m的層差部2p在封裝體4內(nèi)終結(jié)。換言之，對形成在各引線2a上的層差部2p不從封裝體4的側(cè)面露出的情況進(jìn)行了說明，但如圖33及圖34的QFN5所示，層差部2p也可以不在封裝體4內(nèi)終結(jié)而到達(dá)側(cè)面4a并露出。因此，與上述實(shí)施方式1、2相比，引線延伸方向的拉伸強(qiáng)度稍微下降，但通過層差部2n、2p能夠充分地得到防止引線2a脫落的效果。另外，例如，在上述實(shí)施方式1、2中，以半導(dǎo)體器件為QFN的情況作為一例進(jìn)行了說明，但上述半導(dǎo)體器件不限于QFN，例如，也可以是SON等，其中作為外部端子的外部2b沿封裝體4的下表面4b的四條邊中的相對的兩條邊配置有多個。工業(yè)實(shí)用性本實(shí)用新型能夠利用于使用弓I線框架進(jìn)行組裝的半導(dǎo)體器件。
權(quán)利要求1.一種半導(dǎo)體器件，其特征在于，包括: 芯片焊盤； 多條懸垂引線，其用于支承所述芯片焊盤； 多條引線，其配置在所述多條懸垂引線之間； 半導(dǎo)體芯片，其搭載在所述芯片焊盤的上表面，具有:主面、形成于所述主面的多個電極焊盤、以及與所述主面為相反側(cè)的背面； 多條導(dǎo)線，其分別電連接所述半導(dǎo)體芯片的所述多個電極焊盤和所述多條引線；封裝體，其以使得所述多條引線的各自的下表面露出的方式封固所述半導(dǎo)體芯片和所述多條導(dǎo)線， 所述多條引線分別具有:從所述封裝體露出的所述下表面；與所述下表面為相反側(cè)的上表面；位于所述上表面與所述下表面之間且與所述芯片焊盤相對的內(nèi)側(cè)端面；位于所述內(nèi)側(cè)端面的相反側(cè)且從所述封裝體露出的外側(cè)端面；位于所述上表面與所述下表面之間且位于所述內(nèi)側(cè)端面與所述外側(cè)端面之間的第I側(cè)面；與所述第I側(cè)面為相反側(cè)的第2側(cè)面，而且，所述多條引線在所述多條引線的各自的延伸方向上還分別具有:位于所述內(nèi)側(cè)端面?zhèn)鹊牡贗部分；和與所述第I部分相比位于所述外側(cè)端面?zhèn)鹊牡?部分， 在所述第I側(cè)面的所述第I部分、且在與所述下表面相比靠所述上表面?zhèn)刃纬捎械贗層差部， 在所述第2側(cè)面的所述第2部分、且在與所述下表面相比靠所述上表面?zhèn)刃纬捎械?層差部， 在所述第I側(cè)面的所述第2部分沒有形成所述第I層差部和第2層差部， 在所述第2側(cè)面的所述第I部分沒有形成所述第I層差部和第2層差部。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于， 在所述多條引線的各自的所述第I部分的所述下表面，形成有與所述內(nèi)側(cè)端面相連的第3層差部。
3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于， 所述第3層差部向所述芯片焊盤的方向的伸出量分別大于所述第I層差部向相鄰的所述引線的方向的伸出量和所述第2層差部向相鄰的所述引線的方向的伸出量。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于， 所述封裝體的平面形狀為四邊形，所述多條引線在俯視觀察時沿所述封裝體的各邊各配置有奇數(shù)條， 在所述各邊上，以相對于所述奇數(shù)條的所述引線中的中央引線為線對稱的方式形成有所述多條引線的各自的所述第I層差部及所述第2層差部。
5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于， 在所述中央引線的內(nèi)側(cè)端部形成有俯視觀察時幅寬的幅寬部。
6.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于， 形成有所述第I層差部的所述第I側(cè)面位于所述導(dǎo)線的延伸方向側(cè)。
7.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于， 關(guān)于所述各邊的所述奇數(shù)條的所述引線中的、除配置在所述中央的所述引線以外的引線，各所述引線的內(nèi)側(cè)端部俯視觀察時的形狀以沿著所述導(dǎo)線的延伸方向的方式彎曲。
8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于， 所述封裝體的平面形狀為四邊形，所述多條引線在俯視觀察時沿所述封裝體的各邊各配置有偶數(shù)條， 在所述各邊上，關(guān)于所述偶數(shù)條的所述引線，各引線的所述第I層差部及所述第2層差部相對于所述偶數(shù)條的所述引線的排列方向分別以同一朝向形成。
9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于， 所述多條引線分別通過蝕刻加工而形成。
10.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于， 形成于所述多條引線的各自的所述第2側(cè)面的所述第2部分的所述第2層差部在所述封裝體的內(nèi) 部終結(jié)。
專利摘要本實(shí)用新型提供一種半導(dǎo)體器件，能夠?qū)崿F(xiàn)半導(dǎo)體器件的小型化或多管腳化。QFN(5)具有芯片焊盤(2d)；半導(dǎo)體芯片(1)，其搭載在芯片焊盤(2d)上；多條引線(2a)，其配置在半導(dǎo)體芯片(1)周圍；多條導(dǎo)線(3)，其用于電連接半導(dǎo)體芯片(1)的多個電極焊盤(1c)和多條引線(2a)；和封裝體(4)，其用于封固半導(dǎo)體芯片(1)和多條導(dǎo)線(3)，在QFN(5)中，在各引線(2a)的左右兩側(cè)的錯開位置處形成層差部(2n、2p)，使與相鄰引線(2a)的層差部(2n、2p)的位置錯開，由此縮小引線間的間隙而實(shí)現(xiàn)QFN(5)的小型化或多管腳化。
文檔編號H01L23/49GK202996818SQ20122061361
公開日2013年6月12日 申請日期2012年11月12日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月1日
發(fā)明者沼崎雅人 申請人:瑞薩電子株式會社