專利名稱：一種高頻微帶基片式隔離器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種隔離器，尤其涉及一種高頻微帶基片式隔離器，屬于微波通信領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
隨著微波通訊的迅速發(fā)展，微波電子設(shè)備的應(yīng)用日趨廣泛，整機(jī)性能也有很大的提高，對其中的鐵氧體隔離器指標(biāo)也提出了更高的要求，嵌入式隔離器已經(jīng)基本不能滿足許多系統(tǒng)貼片的需求，而現(xiàn)有的貼片式隔離器由于工作頻率范圍較低，不能滿足高頻范圍的需要。

實(shí)用新型內(nèi)容實(shí)用新型目的:本實(shí)用新型的目的在于針對現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種高頻微帶基片式隔離器，其結(jié)構(gòu)簡單，適用于表面貼裝和微電路集成，并且滿足較高頻率范圍的工作要求。技術(shù)方案:本實(shí)用新型所述的一種高頻微帶基片式隔離器，包括底座、飽和磁矩為5000Gs的尖晶石鐵氧體基片、電阻I旲層、微帶電路和永磁體，所述尖晶石鐵氧體基片的上表面設(shè)置有電阻膜層和微帶電路，所述微帶電路的一只引腳與電阻膜層連接，電阻膜層用來吸收微波信號，所述微帶電路上設(shè)置有永磁體，所述尖晶石鐵氧體基片固定在底座上，所述尖晶石鐵氧體基片的厚度為0.28-0.32mm。進(jìn)一步地，所述微帶電路通過光刻技術(shù)電鍍在所述微波鐵氧體基片上表面。進(jìn)一步地，所述電阻膜層采用薄膜工藝設(shè)置在所述尖晶石鐵氧體基片上，使其能更好的吸收微波信號。進(jìn)一步地，所述永磁體為釤鈷永磁體，所述底座由磁性金屬材料加工制成,優(yōu)選為鐵或鐵的合金。進(jìn)一步地，所述尖晶石鐵氧體基片的厚度優(yōu)選為為0.3mm。上述技術(shù)方案保證永磁體縱向磁化尖晶石鐵氧體基片，尖晶石鐵氧體基片邊緣磁化均勻，接地良好，并且由于底座與尖晶石鐵氧體基片的熱膨脹系數(shù)相當(dāng)，能夠在焊接時保護(hù)尖晶石鐵氧體基片，降低了由于焊接而導(dǎo)致尖晶石鐵氧體基片開裂的風(fēng)險，提高了產(chǎn)品的可靠性。同時，所述尖晶石鐵氧體基片上表面采取拋光處理，利用化學(xué)方法去油污以及雜質(zhì)粒子，物理方法對表面進(jìn)行活化、去除吸附，保證電路膜層的附著力。上述高頻微帶基片式隔離器適用于表面貼裝技術(shù)，并通過金絲鍵合技術(shù)與微波電路相連接。本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比，其有益效果是:本實(shí)用新型所述的高頻微帶基片式隔離器，其結(jié)構(gòu)簡單、體積小、重量輕，適用于表面貼裝和微電路集成，并且頻率范圍較高。
圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為本實(shí)用新型組裝后的示意圖。
具體實(shí)施方式
下面對本實(shí)用新型技術(shù)方案進(jìn)行詳細(xì)說明，但是本實(shí)用新型的保護(hù)范圍不局限于所述實(shí)施例。如圖1和2所示，一種高頻微帶基片式隔離器，包括鐵鎳合金底座1、飽和磁矩為5000GS的尖晶石鐵氧體基片4、電阻膜層2、微帶電路3和釤鈷永磁體5，所述微帶電路3通過光刻技術(shù)電鍍在所述尖晶石鐵氧體基片4上表面，所述電阻膜層2采用薄膜工藝設(shè)置在所述尖晶石鐵氧體基片4上表面，所述微帶電路3的一只引腳與電阻膜層2連接，所述釤鈷永磁體5通過環(huán)氧樹脂膠合在微帶電路3上，所述釤鈷永磁體5的中心軸線與微帶電路3的圓盤的中心軸線相重疊，所述尖晶石鐵氧體基片4通過焊錫膏焊接在鐵鎳合金底座I上，所述尖晶石鐵氧體基片4的厚度為0.28-0.32_。所述飽和磁矩為5000GS的尖晶石鐵氧體基片4居里溫度高，溫度穩(wěn)定性好，同時減薄基片的厚度能夠使隔離器在高頻范圍內(nèi)工作。所述高頻微帶基片式隔離器適用于表面貼裝技術(shù)，并通過金絲鍵合技術(shù)與微波電路相連接。上述隔離器的主要技術(shù)指標(biāo)如下表:
權(quán)利要求1.一種高頻微帶基片式隔離器，其特征在于，包括底座、飽和磁矩為5000GS的尖晶石鐵氧體基片、電阻膜層、微帶電路和永磁體，所述尖晶石鐵氧體基片的上表面設(shè)置有電阻膜層和微帶電路，所述微帶電路的一只引腳與電阻膜層連接，所述微帶電路上設(shè)置有永磁體，所述尖晶石鐵氧體基片固定在底座上，所述尖晶石鐵氧體基片的厚度為0.28-0.32mm。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高頻微帶基片式隔離器，其特征在于，所述微帶電路通過光刻技術(shù)電鍍在所述微波鐵氧體基片上表面。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高頻微帶基片式隔離器，其特征在于，所述電阻膜層采用薄膜工藝設(shè)置在所述尖晶石鐵氧體基片上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高頻微帶基片式隔離器，其特征在于，所述永磁體為釤鈷永磁體，所述底座由磁性金屬材料加工制成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高頻微帶基片式隔離器，其特征在于，所述尖晶石鐵氧體基片的厚度為0.3mm。
專利摘要本實(shí)用新型公開一種高頻微帶基片式隔離器，包括底座、飽和磁矩為5000Gs的尖晶石鐵氧體基片、電阻膜層、微帶電路和永磁體，所述尖晶石鐵氧體基片的上表面設(shè)置有電阻膜層和微帶電路，所述微帶電路的一只引腳與電阻膜層連接，所述微帶電路上設(shè)置有永磁體，所述尖晶石鐵氧體基片固定在底座上，所述尖晶石鐵氧體基片的厚度為0.28-0.32mm；本實(shí)用新型所述的高頻微帶基片式隔離器，其結(jié)構(gòu)簡單、體積小、重量輕，適用于表面貼裝和微電路集成，并且頻率范圍較高。
文檔編號H01P1/36GK202997017SQ20122063639
公開日2013年6月12日 申請日期2012年11月28日 優(yōu)先權(quán)日2012年11月28日
發(fā)明者劉曠希, 唐正龍 申請人:南京廣順電子技術(shù)研究所