專利名稱：多層封裝基板構(gòu)造的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種多層封裝基板構(gòu)造，特別是有關(guān)于一種具有薄核心板的多層封裝基板構(gòu)造。
背景技術(shù)：
現(xiàn)今，半導體封裝產(chǎn)業(yè)為了滿足各種高整合度(integration)及微型化(miniaturization)的封裝需求，以供更多有源無源組件及線路連接，半導體封裝基板逐漸由雙層電路板演變成多層電路板，以在有限的空間下運用層間連接技術(shù)(interlayerconnection)來擴大半導體封裝基板上可供利用的線路布局面積，除此，降低封裝基板的厚度，就能同時達到封裝件既輕薄短小又能提高電性功能的目的?，F(xiàn)有技術(shù)的多層電路板是由一核心板及對稱形成在其兩側(cè)的線路增層結(jié)構(gòu)所組成。但因為封裝基板在增層期間需要使用具有足夠厚度的核心板以確保能提供足夠的支撐強度，及防止因熱應力(thermal stress)拉扯而產(chǎn)生的翅曲(warpage)等問題,故核心板的厚度造成封裝基板的整體厚度增加；再者，若是在封裝基板制作過程中，移除核心板，一方面需要增加制作手續(xù)，另一方面移除的過程中，也容易造成多層電路的變形。故，有必要提供一種多層封裝基板構(gòu)造，以解決現(xiàn)有技術(shù)所存在的問題
實用新型內(nèi)容
有鑒于此，本實用新型提供一種多層封裝基板構(gòu)造，以解決現(xiàn)有技術(shù)所存在核心板過厚或核心板移除造成封裝基板變形的問題。本實用新型的主要目的在于提供一種多層封裝基板構(gòu)造，其利用一具有一介電層及兩側(cè)金屬層的薄核心板，進行增層電路的工藝，可以降低基板厚度及提高電路集成度。本實用新型的次要目的在于提供一種多層封裝基板構(gòu)造，其利用一具有一介電層及兩側(cè)金屬層的薄核心板，進行增層電路的工藝，可以節(jié)省移除核心板的步驟，進而提高生產(chǎn)速度、降低制造成本及避免基板在移除過程中變形。為達成本實用新型的前述目的，本實用新型一實施例提供一種多層封裝基板構(gòu)造，所述封裝基板構(gòu)造包含:一核心板、一第一增層結(jié)構(gòu)以及一第二增層結(jié)構(gòu)。所述核心板包含:一核心介電層、兩個核心電路層以及至少一第一激光導電孔。所述核心介電層具有一第一表面及一第二表面。所述兩個核心電路層各設(shè)置于所述第一表面及第二表面上。所述第一激光導電孔貫穿所述第一表面及第二表面，以電性連接所述兩個核心電路層。所述第一增層結(jié)構(gòu)包含 一第一介電層、一第一電路層以及至少一第二激光導電孔。所述第一介電層覆蓋于所述核心介電層的第一表面及所述核心電路層上。所述第一電路層設(shè)置于所述第一介電層遠離所述核心電路層的一表面上。所述第二激光導電孔貫穿所述第一介電層內(nèi)，以電性連接所述核心電路層及所述第一電路層。所述第二增層結(jié)構(gòu)包含:一第二介電層、一第二電路層以及多個第一導電柱。所述第二介電層設(shè)置于所述核心介電層的第二表面上。所述第二電路層設(shè)置于所述第二介電層遠離所述核心電路層的一表面上。所述多個第一導電柱貫穿所述第二介電層，以電性連接所述核心電路層以及第二電路層。其中所述第一激光導電孔及第二激光導電孔的粗糙度(Ra) 2微米，所述多個第一導電柱的粗糙度(Ra)小于I微米。再者，本實用新型另一實施例提供另一種多層封裝基板構(gòu)造，所述封裝基板構(gòu)造包含:一核心板、一第一增層結(jié)構(gòu)以及兩個第二增層結(jié)構(gòu)。所述核心板包含:一核心介電層、兩個核心電路層以及至少一第一激光導電孔。所述核心介電層具有一第一表面及一第二表面。所述兩個核心電路層各設(shè)置于所述第一表面及第二表面上。所述至少一第一激光導電孔貫穿所述第一表面及第二表面，以電性連接所述兩個核心電路層。所述第一增層結(jié)構(gòu)包含:一第一介電層、一第一電路層以及至少一第二激光導電孔。所述第一介電層覆蓋于所述核心介電層的第一表面及所述核心電路層上。所述第一電路層設(shè)置于所述第一介電層遠離所述核心電路層的一表面上。所述第二激光導電孔貫穿所述第一介電層內(nèi)，以電性連接所述核心電路層及所述第一電路層。所述兩個第二增層結(jié)構(gòu)包含:兩個第二介電層、多個第一導電柱以及兩個第二電路層。所述兩個第二介電層分別設(shè)置于所述核心介電層的第二表面上，以及設(shè)置于所述第一介電層遠離所述核心電路層的表面上。所述多個第一導電柱貫穿所述第二介電層，以分別電性連接所述核心電路層，以及電性連接所述第一電路層。所述兩個第二電路層分別設(shè)置于所述兩個第二介電層遠離所述核心電路層的一表面上，以電性連接所述第一導電柱。其中所述第一激光導電孔及第二激光導電孔的粗糙度小于2微米，所述多個第一導電柱的粗糙度小于I微米。與現(xiàn)有技術(shù)相比較，本實用新型的多層封裝基板構(gòu)造，這樣不但可簡化工藝步驟，還可以使得封裝基板輕薄且不易變形。

圖1是本實用新型一實施例多層封裝基板構(gòu)造的剖面示意圖。圖2是本實用新型另一實施例多層封裝基板構(gòu)造的剖面示意圖。圖3是本實用新型又一實施例多層封裝基板構(gòu)造的剖面示意圖。圖4A-4I是本實用新型一實施例多層封裝基板構(gòu)造的制造方法的示意圖。
具體實施方式
為讓本實用新型上述目的、特征及優(yōu)點更明顯易懂，下文特舉本實用新型較佳實施例，并配合附圖，作詳細說明如下。再者，本實用新型所提到的方向用語，例如「上」、「下」、「頂」、「底」、「前」、「后」、「左」、「右」、「內(nèi)」、「外」、「側(cè)面」、「周圍」、「中央」、「水平」、「橫向」、「垂直」、「縱向」、「軸向」、「徑向」、「最上層」或「最下層」等，僅是參考附加圖式的方向。因此，使用的方向用語是用以說明及理解本實用新型，而非用以限制本實用新型。請參照圖1所示，本實用新型一實施例為四層的多層封裝基板構(gòu)造主要包含:所述封裝基板構(gòu)造包含:一核心板10、一第一增層結(jié)構(gòu)20以及一第二增層結(jié)構(gòu)30a。所述核心板10包含:一核心介電層11、兩個核心電路層12a’、12b’以及至少一第一激光導電孔13。所述核心介電層11具有一第一表面及一第二表面。所述兩個核心電路層12a’、12b’各設(shè)置于所述第一表面及第二表面上。所述第一激光導電孔13貫穿所述第一表面及第二表面，以電性連接所述兩個核心電路層12a’、12b’。[0017]再者，所述第一增層結(jié)構(gòu)20的厚度基本上等于所述核心板的厚度10，并包含:一第一介電層21、一第一電路層22以及至少一第二激光導電孔23。所述第一介電層21覆蓋于所述核心介電層11的第一表面及所述核心電路層12a’上。所述第一電路層22設(shè)置于所述第一介電層21遠離所述核心電路層12a’的一表面上。所述第二激光導電孔23貫穿所述第一介電層21內(nèi)，以電性連接所述核心電路層12a’及所述第一電路層22。此外，所述第二增層結(jié)構(gòu)30a包含:一第二介電層31a、多個第一導電柱32a以及一第二電路層33a。所述第二介電層31a設(shè)置于所述核心介電層11的第二表面上。所述第二電路層33a設(shè)置于所述第二介電層31a遠離所述核心電路層12a’的一表面上。所述多個第一導電柱32a貫穿所述第二介電層31a，以電性連接所述核心電路層12a’以及第二電路層33a。所述第一導電柱32a為銅柱。其中所述第一激光導電孔13及第二激光導電孔23的粗糙度小于2微米，所述多個第一導電柱32a的粗糙度小于I微米。再者，所述多層封裝基板構(gòu)造還包含:兩個阻焊層40a、40b，分別設(shè)置在所述第一電路層22以及所述第二電路層33a外，且所述阻焊層40a、40b具有多個阻焊層開孔，以裸露所述第一電路層22及所述第二電路層33a的一部份，形成多個連接墊。請參照圖2所示，本實用新型另一實施例為五層的多層封裝基板構(gòu)造包含圖1中四層的多層封裝基板構(gòu)造的基本架構(gòu)，其中包含所述核心板10及所述第一增層結(jié)構(gòu)20，但包含二個第二增層結(jié)構(gòu)30a、30b。所述兩個第二增層結(jié)構(gòu)30a、30b包含:兩個第二介電層31a、31b、多個第一導電柱32a、32b以及兩個第二電路層33a、33b。所述兩個第二介電層31a、31b分別設(shè)置于所述核心介電層11的第二表面上，以及設(shè)置于所述第一介電層21遠離所述核心電路層12a’的表面上。所述多個第一導電柱32a、32b貫穿所述第二介電層31a、31b，以分別電性連接所述核心電路層12a’、12b’，以及電性連接所述第一電路層22。所述兩個第二電路層33a、33b分別設(shè)置于所述兩個第二介電層31a、31b遠離所述核心電路層12a’、12b’的一表面上，以電性連接所述第一導電柱32a、32b。所述第一導電柱32a、32b為銅柱。再者，所述多層封裝基板構(gòu)造還包含:兩個阻焊層40a、40b，分別設(shè)置在所述第二電路層33a、33b外，且所述阻焊層40a、40b具有多個阻焊層開孔，以裸露所述第二電路層33a、33b的一部份，形成多個連接墊。請參照圖3所示，本實用新型又一實施例為七層的多層封裝基板構(gòu)造，其主要在五層的多層封裝基板構(gòu)造的基礎(chǔ)上(如圖2，但不含圖中的所述阻焊層40a、40b，所述阻焊層40a、40b在本圖中分別設(shè)置在所述第二電路層33a、33b外)，另包含:兩個第三增層結(jié)構(gòu)，其包含:兩個第三介電層，分別設(shè)置于所述第二介電層遠離所述核心電路層的一表面上；多個第二導電柱，貫穿所述第三介電層，以電性連接所述第二電路層；以及兩個第三電路層，設(shè)置于所述第三介電層遠離所述第二介電層的一表面上，并電性連接所述第二導電柱。除此，還包含兩個阻焊層40a、40b，分別設(shè)置在所述第三電路層外，且所述阻焊層40a、40b具有多個阻焊層開孔，以裸露所述第三電路層的一部份，形成多個連接墊。在以上實施例中之所述核心板10、所述第一增層結(jié)構(gòu)20及所述第二增層結(jié)構(gòu)30a、30b亦或是其他增層的厚度基本上彼此相等。本發(fā)明將于下文利用圖4A至41逐一詳細說明，本發(fā)明一實施例封裝基板條構(gòu)造的制造方法，其主要包含下列步驟:首先，請參照圖4A所示，提供一核心板10，所述核心板10包含一核心介電層11及兩個核心銅箔層12a、12b,所述核心板10的核心介電層11可為ABF(Ajinomoto Build-upFilm)、BCB (Benzocyclo-buthene)、LCP (Liquid CrystalPolymer)、PI (Poly-1mide)、FR4、FR5、BT (Bismaleimide Triazine)、芳香尼龍(Aramide)、環(huán)氧樹脂及玻璃纖維所組群組之一者或其他等效材料，如熱固型樹脂材料等，并且所述核心板的厚度是介于50至80微米之間；接著，請參照圖4B所示，利用一光掩膜形成至少一第一激光導電孔13，貫穿所述第一表面及第二表面，以電性連接所述兩個核心電路層12a、12b，所述第一激光導電孔13約為一上寬下窄的柱狀空孔，形成方式可用激光鉆孔在所述核心介電層11上進行鉆孔，所述柱狀空孔的粗糙度(Ra)小于2微米；然后，請參照圖4C所示，利用一圖案化的第一光刻膠層50a，在所述核心電路層12b上再以導電材料如銅、鎳、金、鋁等物質(zhì)電鍍填滿以形成所述第一激光導電孔13 ；之后，請參照圖4D所示，在所述核心板10的上下兩側(cè)，各利用一圖案化的第二及第三光刻膠層50b、50c使得所述兩個核心銅箔層12a、12b被蝕刻成兩個圖案化的核心電路層 12a，、12b，；接著，要在所述核心板10的下表面形成一第一增層結(jié)構(gòu)20，請參照圖3E所示，先在所述核心介電層11的第一表面及所述核心電路層12a’上壓合一第一介電層21，所述第一介電層21的材料可為絕緣樹脂材料，例如玻璃纖維層經(jīng)過含浸環(huán)氧樹脂(epoxy)并干燥硬化后所制成的B階化膠片(B-stage pr印reg)，其利用其在高溫高壓中的再熔膠以及流膠特性，壓合在所述核心電路層12a’，接著再次加熱固化即可得到所述第一介電層21，其厚度基本上等于所述核心板10的厚度；之后，請參照圖4F所示，再利用一光掩膜形成至少一第二激光導電孔23，貫穿所述第一介電層21內(nèi)，在所述第一增層結(jié)構(gòu)20中使用激光鉆孔是避免若使用電鍍導電柱，在刷磨工藝時因基板較薄，亦將電路刷開，造成斷路現(xiàn)象，故在第一增層結(jié)構(gòu)20中，將使用激光鉆孔的工藝，所述第二激光導電孔23的粗糙度(Ra)小于2微米；接下來，請參照圖4G所示，各利用一圖案化的第四光刻膠層50d形成一圖案化的第一電路層22于所述第一介電層21遠離所述核心電路層12a’的一表面上，所述第一電路層22的材質(zhì)例如為銅、鎳、金、銀或鋁等，但并不限于此，如此完成所述第一增層結(jié)構(gòu)20，其厚度基本上等于所述核心板的厚度；然后，請參照圖4H所示，繼續(xù)形成一第二增層結(jié)構(gòu)30a，利用一圖案化的第五光刻膠層50e形成多個第一導電柱32a，所述多個第一導電柱32a為銅柱，并且其粗糙度(Ra)小于I微米；之后，如圖41所示，移除所述第五光刻膠層50e，接著壓合一第二介電層31b設(shè)置于所述核心介電層11的第二表面上，并包覆住所述多個第一導電柱32a;最后，如圖1所示，形成兩個阻焊層40a、40b于所述第一電路層22以及所述第二電路層33a外，且所述阻焊層40a、40b具有多個阻焊層開孔，以裸露所述第一電路層22以及所述第二電路層33a的一部份，形成多個連接墊，所述阻焊層40a、40b可為阻焊綠漆及黑漆(solder mask)之感光性高分子材料之其中一者或其他等效之材料。且所述阻焊層40a、40b之多個阻焊層開孔之形成方法可為曝光及顯影、或其他等效之方法。本實用新型提供一種多層封裝基板構(gòu)造，其利用具有所述核心介電層11及兩側(cè)的所述兩個核心電路層12a’、12b’的所述核心板10，進行增層電路的工藝，可以降低基板厚度及提高電路集成度，也可以通過節(jié)省移除核心板的步驟，而提高生產(chǎn)速度、降低制造成本，以及進而避免基板在移除過程中變形。本實用新型已由上述相關(guān)實施例加以描述，然而上述實施例僅為實施本實用新型的范例。必需指出的是，已公開的實施例并未限制本實用新型的范圍。相反地，包含于權(quán)利要求書的精神及范圍的修改及均等設(shè)置均包括于本實用新型的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種多層封裝基板構(gòu)造，其特征在于:所述多層封裝基板構(gòu)造包含: 一核心板，包含: 一核心介電層,具有一第一表面及一第二表面； 兩個核心電路層，各設(shè)置于所述第一表面及第二表面上；以及至少一第一激光導電孔，貫穿所述第一表面及第二表面，以電性連接所述兩個核心電路層； 一第一增層結(jié)構(gòu)，包含: 一第一介電層，覆蓋于所述核心介電層的第一表面及所述核心電路層上； 一第一電路層，設(shè)置于所述第一介電層遠離所述核心電路層的一表面上；以及至少一第二激光導電孔，貫穿所述第一介電層，以電性連接所述核心電路層及所述第一電路層；以及 一第二增層結(jié)構(gòu)，包含: 一第二介電層，設(shè)置于所述核心介電層的第二表面上； 一第二電路層，設(shè)置于所述第二介電層遠離所述核心電路層的一表面上；以及 多個第一導電柱，貫穿所述第二介電層，以電性連接所述核心電路層以及第二電路層； 其中所述第一激光導 電孔及第二激光導電孔的側(cè)表面的粗糙度大于2微米，所述多個第一導電柱的側(cè)表面的粗糙度小于I微米。
2.如權(quán)利要求1所述的多層封裝基板構(gòu)造，其特征在于:所述核心板的厚度是介于50至80微米之間。
3.如權(quán)利要求1所述的多層封裝基板構(gòu)造，其特征在于:所述核心板為熱固型樹脂核心板。
4.如權(quán)利要求1或2所述的多層封裝基板構(gòu)造，其特征在于:所述核心板、所述第一增層結(jié)構(gòu)及所述第二增層結(jié)構(gòu)的厚度彼此相等。
5.如權(quán)利要求1所述的多層封裝基板構(gòu)造，其特征在于:所述多層封裝基板構(gòu)造還包含: 兩個阻焊層，分別設(shè)置在所述第一電路層及所述第二電路層外，且所述阻焊層具有多個阻焊層開孔，分別裸露所述第一電路層及所述第二電路層的一部份，形成多個連接墊。
6.如權(quán)利要求1所述的多層封裝基板構(gòu)造，其特征在于:所述第一導電柱為銅柱。
7.一種多層封裝基板構(gòu)造，其特征在于:所述多層封裝基板構(gòu)造包含: 一核心板，包含: 一核心介電層,具有一第一表面及一第二表面； 兩個核心電路層，各設(shè)置于所述第一表面及第二表面上；以及至少一第一激光導電孔，貫穿所述第一表面及第二表面，以電性連接所述兩個核心電路層； 一第一增層結(jié)構(gòu)，包含: 一第一介電層，覆蓋于所述核心介電層的第一表面及所述核心電路層上； 一第一電路層，設(shè)置于所述第一介電層遠離所述核心電路層的一表面上；以及 至少一第二激光導電孔，貫穿所述第一介電層，以電性連接所述核心電路層及所述第一電路層；以及 兩個第二增層結(jié)構(gòu)，包含: 兩個第二介電層，分別設(shè)置于所述核心介電層的第二表面上，以及設(shè)置于所述第一介電層遠離所述核心電路層的表面上； 多個第一導電柱，貫穿所述第二介電層，以分別電性連接所述核心電路層，以及電性連接所述第一電路層；以及 兩個第二電路層，分別設(shè)置于所述兩個第二介電層遠離所述核心電路層的一表面上，以電性連接所述第一導電柱； 其中所述第一激光導電孔及第二激光導電孔的側(cè)表面的粗糙度大于2微米，所述多個第一導電柱的側(cè)表面的粗糙度小于I微米。
8.如權(quán)利要求7所述的多層封裝基板構(gòu)造，其特征在于:所述多層封裝基板構(gòu)造還包含: 兩個第三增層結(jié)構(gòu)，包含: 兩個第三介電層，分別設(shè)置于所述第二介電層遠離所述核心電路層的一表面上； 多個第二導電柱，貫穿所述第三介電層，以電性連接所述第二電路層；以及兩個第三電路層，設(shè)置于所述第三介電層遠離所述第二介電層的一表面上，并電性連接所述第二導電柱。
9.如權(quán)利要求8所述的多層封裝基板構(gòu)造，其特征在于:所述多層封裝基板構(gòu)造還包含: 兩個阻焊層，分別設(shè)置在所述第三電路層外，且所述阻焊層具有多個阻焊層開孔，以裸露所述第三電路層的一部份，形成多個連接墊。
10.如權(quán)利要求7所述的多層封裝基板構(gòu)造，其特征在于:所述核心板、所述第一增層結(jié)構(gòu)及所述第二增層結(jié)構(gòu)的厚度彼此相等。
專利摘要本實用新型公開一種多層封裝基板構(gòu)造，包含一核心板，包含一核心介電層、兩個核心電路層以及至少一第一激光導電孔；一第一增層結(jié)構(gòu)，其位于所述核心介電層的一表面且厚度等于所述核心板的厚度，并包含一第一介電層、一第一電路層以及至少一第二激光導電孔；以及一第二增層結(jié)構(gòu)，位于所述核心介電層的另一表面上，并包含一第二介電層、至少一第一導電柱貫穿所述第二介電層以及一第二電路層。本實用新型利用具有介電層及兩側(cè)金屬層的薄核心板，進行增層電路的工藝，可以降低基板厚度及提高電路集成度。
文檔編號H01L23/14GK203055903SQ20122069050
公開日2013年7月10日 申請日期2012年12月13日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月13日
發(fā)明者凌東風, 黃建華, 陸松濤, 王德峻, 羅光淋, 方仁廣 申請人:日月光半導體(上海)股份有限公司