專利名稱：Rfid標(biāo)簽的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及射頻識(shí)別技術(shù)(Radio Frequency Identification,縮寫(xiě)RFID),特別涉及是一種RFID標(biāo)簽。
背景技術(shù)：
射頻識(shí)別技術(shù)(Radio Frequency Identification,縮寫(xiě)RFID)是一項(xiàng)利用射頻信號(hào)通過(guò)空間耦合(交變磁場(chǎng)或電磁場(chǎng))實(shí)現(xiàn)無(wú)接觸信息傳遞并通過(guò)所傳遞的信息達(dá)到識(shí)別目的的技術(shù)。與傳統(tǒng)識(shí)別技術(shù)(二維碼、條形碼等)相比，RFID技術(shù)具有標(biāo)示唯一、信息容量大、讀取快捷方便、多標(biāo)簽讀取、可進(jìn)行數(shù)據(jù)加密的特點(diǎn)。經(jīng)過(guò)多年發(fā)展已廣泛應(yīng)用于物品跟蹤、航空行李分揀、工廠裝配流水線、汽車防盜、電子票證、動(dòng)物管理、商品防偽等領(lǐng)域。RFID由于載波頻段不同，可以劃分為低頻(3(T300kHz)、中頻(300kHz 3MHz)、高頻(3 30MHz)和超高頻(300MHC3GHZ)。其中，超高頻(UHF)頻段的有效作用距離最大，可以達(dá)到8 20m，可廣泛應(yīng)用于商業(yè)物流和交通運(yùn)輸領(lǐng)域。超高頻射頻識(shí)別系統(tǒng)的協(xié)議目前有很多種，主要可以分為兩大協(xié)議制定者:一是ISO(國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)化組織)；二是EPC Global。ISO組織目前針對(duì)UHF頻段制定了射頻識(shí)別協(xié)議IS018000-6，而EPC Global組織則制定了針對(duì)產(chǎn)品電子編碼超高頻射頻識(shí)別系統(tǒng)的標(biāo)準(zhǔn)EPC Cl G2 UHF RFID。RFID系統(tǒng)包括讀寫(xiě)器、標(biāo)簽，一個(gè)完整RFID標(biāo)簽包括標(biāo)簽天線和標(biāo)簽芯片及將它們模塑的外部樹(shù)脂，RFID標(biāo)簽芯片具有發(fā)送接收部、控制部和存儲(chǔ)器。在存儲(chǔ)器中存儲(chǔ)有固有的識(shí)別代碼(唯一 ID)，讀寫(xiě)器對(duì)RFID標(biāo)簽的唯一 ID的讀出，借助RFID標(biāo)簽用天線通過(guò)無(wú)線通信(無(wú)線信息交換)進(jìn)行，該無(wú)線信息交換有電波方式和電磁感應(yīng)方式?，F(xiàn)有的一種RFID標(biāo)簽如圖1所示，標(biāo)簽芯片21、標(biāo)簽天線22和阻抗調(diào)節(jié)部23形成在基板12上，基板12利用PET (聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯)材料或紙等構(gòu)成。標(biāo)簽芯片21形成于基板12的表面的大致中央，標(biāo)簽天線22是偶極天線，形成于標(biāo)簽芯片21的兩側(cè)，標(biāo)簽天線22通過(guò)在基板12的表面上實(shí)施蝕刻和焊膏印刷等形成，阻抗調(diào)節(jié)部23是導(dǎo)體，是為了調(diào)節(jié)標(biāo)簽天線22的阻抗特性而設(shè)置的。在RFID標(biāo)簽I對(duì)應(yīng)于UHF頻帶等高頻電波時(shí)，其阻抗成分可以利用環(huán)狀導(dǎo)體形成，因此阻抗調(diào)節(jié)部23與左右的標(biāo)簽天線22連接，形成為高頻和超高頻在圖書(shū)管理方面均有所應(yīng)用，但由于圖書(shū)管理標(biāo)簽要求體積小、具有抗磁條性能，應(yīng)用時(shí)圖書(shū)厚薄不一，又有環(huán)境的影響?，F(xiàn)有如上述結(jié)構(gòu)的RFID標(biāo)簽，由于厚度較大，抗磁條性能較差，難以普及應(yīng)用。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種RFID標(biāo)簽，厚度薄，抗磁條性能強(qiáng)，便于夾貼于圖書(shū)中。為解決上述技術(shù)問(wèn)題,本實(shí)用新型提供的RFID標(biāo)簽,其包括絕緣膜、標(biāo)簽天線、標(biāo)簽芯片；[0009]所述標(biāo)簽天線，附著在所述絕緣膜的上表面；所述標(biāo)簽天線，包括左矩形金屬貼片、左一彎折線、左二彎折線、左匹配線、右匹配線、右二彎折線、右一彎折線、右矩形金屬貼片、閉環(huán)線；所述左矩形金屬貼片同所述左一彎折線的左端相連接；所述右矩形金屬貼片同所述右一彎折線的右端相連接；所述標(biāo)簽芯片接在所述左匹配線右端同所述右匹配線左端之間；所述左匹配線左端接所述左二彎折線的右端；所述右匹配線右端接所述右二彎折線的左端；所述左一彎折線的右端接所述左二彎折線的左端及所述閉環(huán)線的左端；所述右一彎折線的左端接所述右二彎折線的右端及所述閉環(huán)線的右端；所述左一彎折線同右一彎折線的高度、寬度相等；所述左二彎折線同右二彎折線的高度、寬度相等；所述左二彎折線的高度小于所述左一彎折線的高度。 較佳的，所述左矩形金屬貼片、右矩形金屬貼片、左一彎折線及右一彎折線的高度相等。較佳的，所述左一彎折線及右一彎折線的寬度為0.5mm到1.5mm ；所述左二彎折線及右二彎折線的寬度為0.3mm到1mm。較佳的，所述RFID標(biāo)簽為超高頻RFID標(biāo)簽；所述標(biāo)簽天線為偶極振子天線；所述標(biāo)簽芯片以倒扣的方式與左匹配線右端及右匹配線左端焊接在一起；所述絕緣膜為聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯膜或聚酰亞胺膜，厚度為10 200 μ m ;所述左矩形金屬貼片、左一彎折線、左二彎折線、左匹配線、右匹配線、右二彎折線、右一彎折線、右矩形金屬貼片、閉環(huán)線為鋁貼片或銅貼片，厚度為0.01 0.1mm。較佳的,所述RFID標(biāo)簽還包括標(biāo)簽紙；所述標(biāo)簽紙通過(guò)不干膠粘貼在所述標(biāo)簽天線及標(biāo)簽芯片上方；所述絕緣膜的下表面附著不干膠。本實(shí)用新型公開(kāi)了一種RFID標(biāo)簽，標(biāo)簽天線是由矩形金屬貼片、兩種彎折線、匹配線、閉環(huán)線連接形成，呈細(xì)長(zhǎng)形狀，標(biāo)簽天線附著在絕緣膜上，整個(gè)RFID標(biāo)簽厚度薄、重量輕，適合夾于書(shū)中作為隱蔽式圖書(shū)標(biāo)簽使用，絕緣膜的下表面附著不干膠可以使RFID標(biāo)簽方便的粘貼到圖書(shū)上，調(diào)節(jié)彎折線的寬度和長(zhǎng)短可改變?cè)摌?biāo)簽天線的阻抗特性和增益性能，調(diào)節(jié)閉環(huán)線的長(zhǎng)短也可改變?cè)撎炀€的阻抗特性，彎折線形式可減少標(biāo)簽天線的尺寸，左一彎折線及右一彎折線寬度較大可提高標(biāo)簽天線的輻射性能，左二彎折線及右二彎折線的寬度較小便于精確改變?cè)摌?biāo)簽天線的阻抗特性。在軟性的絕緣膜的上表面形成金屬貼片，刻蝕金屬貼片在絕緣膜的上表面形成標(biāo)簽天線，將附著有標(biāo)簽天線、標(biāo)簽芯片的絕緣膜的下表面附著不干膠即可形成本實(shí)用新型的RFID標(biāo)簽，制造RFID標(biāo)簽的精度高，操作簡(jiǎn)單，易于大批量生產(chǎn)。

為了更清楚地說(shuō)明本實(shí)用新型的技術(shù)方案，下面對(duì)本實(shí)用新型所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單的介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1是現(xiàn)有的一種RFID標(biāo)簽示意圖；圖2是實(shí)用新型的RFID標(biāo)簽一實(shí)施例示意圖；圖3是本實(shí)用新型的RFID標(biāo)簽的制造方法一實(shí)施例示意圖。
具體實(shí)施方式
下面將結(jié)合附圖，對(duì)本實(shí)用新型中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整的描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本實(shí)用新型的一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下所獲得的所有其它實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。實(shí)施例一RFID標(biāo)簽,如圖2所示,包括絕緣膜1、標(biāo)簽天線、標(biāo)簽芯片6 ；所述標(biāo)簽天線，附著在所述絕緣膜I的上表面；所述標(biāo)簽天線，包括左矩形金屬貼片11、左一彎折線21、左二彎折線31、左匹配線
41、右匹配線42、右二彎折線32、右一彎折線22、右矩形金屬貼片12、閉環(huán)線5；所述左矩形金屬貼片11同所述左一彎折線21的左端相連接；所述右矩形金屬貼片12同所述右一彎折線22的右端相連接；所述標(biāo)簽芯片6接在所述左匹配線41右端同所述右匹配線42左端之間；所述左匹配線41左端接所述左二彎折線31的右端；所述右匹配線44右端接所述右二彎折線32的左端；所述左一彎折線21的右端接所述左二彎折線31的左端及所述閉環(huán)線5的左端；所述右一彎折線22的左端接所述右二彎折線32的右端及所述閉環(huán)線5的右端；所述左一彎折線21同右一彎折線22的高度、寬度相等；所述左二彎折線31同右二彎折線32的高度、寬度相等；所述左二彎折線31的高度小于所述左一彎折線21的高度。較佳的，所述左矩形金屬貼片11、右矩形金屬貼片12、左一彎折線21及右一彎折線22的高度相等；較佳的，所述左一彎折線21及右一彎折線22的寬度為0.5mm到1.5mm ;所述左二彎折線31及右二彎折線32的寬度為0.3mm到1mm。實(shí)施例二基于實(shí)施例一，所述RFID標(biāo)簽為超高頻(UHF) RFID標(biāo)簽；所述標(biāo)簽天線2為偶極振子天線；所述標(biāo)簽芯片以倒扣的方式與左匹配線41右端及右匹配線42左端焊接在一起；所述絕緣膜I為PET (聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯)膜或PI (聚酰亞胺)膜，厚度為10 200 μ m ；所述左矩形金屬貼片11、左一彎折線21、左二彎折線31、左匹配線41、右匹配線
42、右二彎折線32、右一彎折線22、右矩形金屬貼片12、閉環(huán)線5為鋁貼片或銅貼片，厚度為0.0l 0.1mm。實(shí)施例三基于實(shí)施例二,所述RFID標(biāo)簽還包括標(biāo)簽紙；所述標(biāo)簽紙通過(guò)不干膠粘貼在所述標(biāo)簽天線及標(biāo)簽芯片6上方；所述絕緣膜I的下表面附著不干膠。實(shí)施例四RFID標(biāo)簽的制造方法，如圖3所示，包括以下步驟:一.在軟性的絕緣膜的上表面形成金屬貼片；較佳的，所述絕緣膜為PET (聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯)膜或PI (聚酰亞胺)膜，厚度為 10 200 μ m ；較佳的，所述金屬貼片為鋁貼片或銅貼片，厚度為0.01 0.1mm ;二.刻蝕所述金屬貼片，在所述絕緣膜I的上表面形成標(biāo)簽天線；三.將標(biāo)簽芯片與所述標(biāo)簽天線焊接在一起；四.將標(biāo)簽紙通過(guò)不干膠粘貼在所述標(biāo)簽天線及標(biāo)簽芯片6上方，并在所述絕緣膜I的下表面附著不干膠，形成RFID標(biāo)簽。實(shí)施例五基于實(shí)施例三，所述RFID標(biāo)簽為超高頻(UHF) RFID標(biāo)簽；所述標(biāo)簽天線為偶極振子天線；所述標(biāo)簽天線，包括左矩形金屬貼片11、左一彎折線21、左二彎折線31、左匹配線41、右匹配線42、右二彎折線32、右一彎折線22、右矩形金屬貼片12、閉環(huán)線5 ;所述左矩形金屬貼片11同所述左一彎折線21的左端相連接；所述右矩形金屬貼片12同所述右一彎折線22的右端相連接；所述標(biāo)簽芯片6以倒扣的方式與左匹配線41右端及右匹配線42左端焊接在一起;所述左匹配線41左端接所述左二彎折線31的右端；所述右匹配線44右端接所述右二彎折線32的左端；所述左一彎折線21的右端接所述左二彎折線31的左端及所述閉環(huán)線5的左端；所述右一彎折線22的左端接所述右二彎折線32的右端及所述閉環(huán)線5的右端；所述左一彎折線21同右一彎折線22的高度、寬度相等；所述左二彎折線31同右二彎折線32的高度、寬度相等；所述左二彎折線31的高度小于所述左一彎折線21的高度。較佳的，所述左矩形金屬貼片11、右矩形金屬貼片12、左一彎折線21及右一彎折線22的高度相等；較佳的，所述左一彎折線21及右一彎折線22的寬度為0.5mm到1.5mm ;所述左二彎折線31及右二彎折線32的寬度為0.3mm到1mm。本實(shí)用新型的RFID標(biāo)簽，標(biāo)簽天線是由左矩形金屬貼片、左一彎折線、左二彎折線、左匹配線、右匹配線、右二彎折線、右一彎折線、右矩形金屬貼片、閉環(huán)線連接形成，呈細(xì)長(zhǎng)形狀，標(biāo)簽天線附著在絕緣膜上，整個(gè)RFID標(biāo)簽厚度薄、重量輕，適合夾于書(shū)中作為隱蔽式圖書(shū)標(biāo)簽使用，絕緣膜的下表面附著不干膠可以使RFID標(biāo)簽方便的附著到圖書(shū)上。本實(shí)用新型的RFID標(biāo)簽，調(diào)節(jié)彎折線的寬度和長(zhǎng)短可改變?cè)摌?biāo)簽天線的阻抗特性和增益性能，調(diào)節(jié)閉環(huán)線的長(zhǎng)短也可改變?cè)撎炀€的阻抗特性，彎折線形式可減少標(biāo)簽天線的尺寸，左一彎折線及右一彎折線寬度較大可提高標(biāo)簽天線的輻射性能，左二彎折線及右二彎折線的寬度較小便于精確改變?cè)摌?biāo)簽天線的阻抗特性和增益性能。在軟性的絕緣膜的上表面形成金屬貼片，刻蝕金屬貼片在絕緣膜的上表面形成標(biāo)簽天線，將附著有標(biāo)簽天線、標(biāo)簽芯片的絕緣膜的下表面附著不干膠即可形成本實(shí)用新型的RFID標(biāo)簽，制造RFID標(biāo)簽的精度高，操作簡(jiǎn)單，易于大批量生產(chǎn)。 以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本實(shí)用新型，凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型保護(hù)的范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種RFID標(biāo)簽，其特征在于，包括絕緣膜、標(biāo)簽天線、標(biāo)簽芯片； 所述標(biāo)簽天線，附著在所述絕緣膜的上表面； 所述標(biāo)簽天線，包括左矩形金屬貼片、左一彎折線、左二彎折線、左匹配線、右匹配線、右二彎折線、右一彎折線、右矩形金屬貼片、閉環(huán)線； 所述左矩形金屬貼片同所述左一彎折線的左端相連接； 所述右矩形金屬貼片同所述右一彎折線的右端相連接； 所述標(biāo)簽芯片接在所述左匹配線右端同所述右匹配線左端之間； 所述左匹配線左端接所述左二彎折線的右端； 所述右匹配線右端接所述右二彎折線的左端； 所述左一彎折線的右端接所述左二彎折線的左端及所述閉環(huán)線的左端； 所述右一彎折線的左端接所述右二彎折線的右端及所述閉環(huán)線的右端； 所述左一彎折線同右一彎折線的高度、寬度相等； 所述左二彎折線同右二彎折線的高度、寬度相等； 所述左二彎折線的高度小于所述左一彎折線的高度。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的RFID標(biāo)簽，其特征在于， 所述左矩形金屬貼片、右矩形金屬貼片、左一彎折線及右一彎折線的高度相等。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的RFID標(biāo)簽，其特征在于， 所述左一彎折線及右一彎折線的寬度為0.5mm到1.5mm ； 所述左二彎折線及右二彎折線的寬度為0.3mm到1_。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的RFID標(biāo)簽，其特征在于， 所述RFID標(biāo)簽為超高頻RFID標(biāo)簽； 所述標(biāo)簽天線為偶極振子天線； 所述標(biāo)簽芯片以倒扣的方式與左匹配線右端及右匹配線左端焊接在一起； 所述絕緣膜為聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯膜或聚酰亞胺膜，厚度為10 200μπι ; 所述左矩形金屬貼片、左一彎折線、左二彎折線、左匹配線、右匹配線、右二彎折線、右一彎折線、右矩形金屬貼片、閉環(huán)線為鋁貼片或銅貼片，厚度為0.01 0.1mm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的RFID標(biāo)簽，其特征在于， 所述RFID標(biāo)簽還包括標(biāo)簽紙； 所述標(biāo)簽紙通過(guò)不干膠粘貼在所述標(biāo)簽天線及標(biāo)簽芯片上方；所述絕緣膜的下表面附著不干膠。
專利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)了一種RFID標(biāo)簽，標(biāo)簽天線是由矩形金屬貼片、兩種彎折線、匹配線、閉環(huán)線連接形成，呈細(xì)長(zhǎng)形狀，標(biāo)簽天線附著在絕緣膜上，整個(gè)RFID標(biāo)簽厚度薄、重量輕，適合夾于書(shū)中作為隱蔽式圖書(shū)標(biāo)簽使用，絕緣膜的下表面附著不干膠可以使RFID標(biāo)簽方便的粘貼到圖書(shū)上，調(diào)節(jié)彎折線的寬度和長(zhǎng)短可改變?cè)摌?biāo)簽天線的阻抗特性和增益性能，調(diào)節(jié)閉環(huán)線的長(zhǎng)短也可改變?cè)撎炀€的阻抗特性，彎折線形式可減少標(biāo)簽天線的尺寸，一種彎折線寬度較大可提高標(biāo)簽天線的輻射性能，另一種彎折線寬度較小便于精確改變?cè)摌?biāo)簽天線的阻抗特性。本實(shí)用新型的RFID標(biāo)簽，厚度薄，抗磁條性能強(qiáng)，便于夾貼于圖書(shū)中。
文檔編號(hào)H01Q1/38GK203012771SQ20122072116
公開(kāi)日2013年6月19日 申請(qǐng)日期2012年12月24日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月24日
發(fā)明者張志勇 申請(qǐng)人:上海中科高等研究院