專利名稱：薄膜晶體管陣列基板、顯示面板和顯示設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其是指一種薄膜晶體管陣列基板及包含所述薄膜晶體管陣列基板的顯示面板和顯示設(shè)備。
背景技術(shù)：
在TFT (薄膜場效應(yīng)晶體管)基板的電學(xué)特性檢測中以及在尋找不良的過程中，測試效率，耗材的使用和不良分析效率很重要。在TFT的電學(xué)特性測試中，需要輸入電學(xué)信號，而目前所使用的設(shè)備，當(dāng)需要測試距基板邊緣位置較遠(yuǎn)的點(diǎn)的電學(xué)特性時由于要單獨(dú)數(shù)柵掃描線和數(shù)據(jù)掃描線來定位到需要測試的點(diǎn)，靠測試人員手動數(shù)很麻煩且容易出錯，因此需要使用電學(xué)介質(zhì)，通過它與測試探針的連接來給測試點(diǎn)輸入信號進(jìn)行測試。圖1是TFT IXD陣列基板的示意圖，該陣列包括01基板陣列，形成于01外側(cè)的柵掃描線綁定區(qū)02 (gate pad)和數(shù)據(jù)掃描線綁定區(qū)03 (data pad)。圖2是現(xiàn)有測試技術(shù)的測試示意圖。如圖2所示，在進(jìn)行測試之前需要做一些準(zhǔn)備工作:用一種化學(xué)液體把導(dǎo)電銀膠04調(diào)勻，然后用一根細(xì)小的棍如牙簽將銀膠均勻涂在基板01上的柵掃描線綁定區(qū)02和數(shù)據(jù)掃描線綁定區(qū)03上，等待一段時間，讓導(dǎo)電銀膠自然風(fēng)干或者借助烤箱使導(dǎo)電銀膠凝固，最后將測試探針05壓到導(dǎo)電銀膠04上和對應(yīng)的像素點(diǎn)07上，通過信號線06輸入電學(xué)信號進(jìn)行測試。圖3是現(xiàn)有測試技術(shù)的測試示意圖。如圖3所示，在測試TFT LCD基板01上的某一像素的電學(xué)特性時，需要在柵掃描線綁定區(qū)02和數(shù)據(jù)掃描線綁定區(qū)03上找到對應(yīng)的gate綁定線015和data綁定線016,當(dāng)測試探針05壓在對應(yīng)的gate和data綁定線后，再在基板的像素區(qū)找到gate和data綁定線在像素區(qū)的交點(diǎn)處的像素07，最后將探針05壓在該像素07上進(jìn)行測試。以上所述，在圖2的測試過程存在如下問題:導(dǎo)電銀膠調(diào)勻與否沒有一個標(biāo)準(zhǔn)；每次調(diào)勻后的導(dǎo)電銀膠只是通過測試人員的眼睛來大概估計(jì)；導(dǎo)電銀膠的涂敷也沒有一個標(biāo)準(zhǔn)；涂敷的厚度沒有標(biāo)準(zhǔn)；導(dǎo)電銀膠涂敷后的等待時間較長；如果采用烤箱烘烤會對基板的電學(xué)特性有影響以及銀膠的成分會發(fā)生變化。在圖3的測試過程中，測試具體某一像素的電學(xué)特性時在像素區(qū)需要測試人員逐個的數(shù)像素來找到測試點(diǎn)像素，當(dāng)該測試點(diǎn)像素距離基板邊緣較遠(yuǎn)時，需要花費(fèi)很長時間來數(shù)像素，并且容易數(shù)錯，這樣降低了測試效率增加了測試的不便利性。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型技術(shù)方案的目的是提供一種薄膜晶體管陣列基板、顯示面板和顯示設(shè)備，能夠避免TFT電學(xué)特性測試過程中采用人工手動數(shù)線的方式，達(dá)到提高測試效率的目的。本實(shí)用新型一方面提供一種薄膜晶體管陣列基板，包括基板本體、柵掃描線和數(shù)據(jù)掃描線，其中，所述薄膜晶體管陣列基板還包括:多個用于記錄所述柵掃描線和/或所述數(shù)據(jù)掃描線位置的定位標(biāo)記。[0007]優(yōu)選地，上述所述的薄膜晶體管陣列基板，所述定位標(biāo)記以連續(xù)的數(shù)字、數(shù)字組合、字母或者字母組合來記錄不同位置的所述柵掃描線或所述數(shù)據(jù)掃描線。優(yōu)選地，上述所述的薄膜晶體管陣列基板，所述薄膜晶體管陣列基板還包括柵絕緣層，其中所述柵掃描線形成于所述基板本體上，所述柵絕緣層形成于所述柵掃描線上，所述定位標(biāo)記與所述數(shù)據(jù)掃描線同時形成于所述柵絕緣層上。優(yōu)選地，上述所述的薄膜晶體管陣列基板，所述定位標(biāo)記位于所述柵掃描線的正上方。優(yōu)選地，上述所述的薄膜晶體管陣列基板，相鄰所述定位標(biāo)記之間的距離為N個所述柵掃描線之間的距離或者為M個所述數(shù)據(jù)掃描線之間的距離。優(yōu)選地，上述所述的薄膜晶體管陣列基板，在水平方向，相鄰所述定位標(biāo)記之間的間距為第一固定值；在豎直方向，相鄰所述定位標(biāo)記之間的間距為第二固定值。優(yōu)選地，上述所述的薄膜晶體管陣列基板，所述第一固定值與N個所述數(shù)據(jù)掃描線之間的距離相等，所述第二固定值與M個所述柵掃描線之間的距離相等。優(yōu)選地，上述所述的薄膜晶體管陣列基板，所述定位標(biāo)記的寬度小于或等于所述柵掃描線的寬度。本實(shí)用新型另一方面還提供一種顯示面板，包括如上任一項(xiàng)所述的薄膜晶體管陣列基板。本實(shí)用新型還提供一種顯示設(shè)備，包括如上所述的顯示面板。本實(shí)用新型具體實(shí)施例上述技術(shù)方案中的至少一個具有以下有益效果:所述薄膜晶體管陣列基板通過使用定位標(biāo)記來記錄所述柵掃描線和/或所述數(shù)據(jù)掃描線的位置，使得在測試時，能夠利用定位標(biāo)記快速找到測試點(diǎn)的位置和不良的位置，從而提高測試的效率和不良分析的效率，同時與現(xiàn)有技術(shù)相比，測試過程不需要使用昂貴的導(dǎo)電介質(zhì)，有效節(jié)約了測試成本，減少測試的外在影響因素從而提高測試結(jié)果的準(zhǔn)確性。

圖1表示現(xiàn)有技術(shù)TFT IXD陣列基板的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2表示現(xiàn)有技術(shù)TFT測試的測試結(jié)構(gòu)示意圖；圖3表示現(xiàn)有技術(shù)TFT測試的測試結(jié)構(gòu)示意圖；圖4表示本實(shí)用新型第一實(shí)施例所述TFT基板結(jié)構(gòu)的俯視圖；圖5表示本實(shí)用新型第一實(shí)施例所述TFT基板結(jié)構(gòu)的截面示意圖；圖6表示本實(shí)用新型第二實(shí)施例所述TFT基板結(jié)構(gòu)的俯視圖；圖7表示定位標(biāo)記的設(shè)置位置示意圖。
具體實(shí)施方式
為使本實(shí)用新型的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖及具體實(shí)施例對本實(shí)用新型進(jìn)行詳細(xì)描述。本實(shí)用新型具體實(shí)施例所述薄膜晶體管陣列基板，包括基板本體、柵掃描線和數(shù)據(jù)掃描線，其中，所述薄膜晶體管陣列基板還包括:多個用于記錄所述柵掃描線和/或所述數(shù)據(jù)掃描線的位置的定位標(biāo)記。[0027]所述薄膜晶體管陣列TFT基板通過使用定位標(biāo)記來記錄所述柵掃描線和/或所述數(shù)據(jù)掃描線的位置，使得在測試時，能夠利用定位標(biāo)記快速找到測試點(diǎn)的位置和不良的位置，從而提高測試的效率和不良分析的效率，同時與現(xiàn)有技術(shù)相比，測試過程不需要使用昂貴的導(dǎo)電介質(zhì)，有效節(jié)約了測試成本，減少測試的外在影響因素從而提高測試結(jié)果的準(zhǔn)確性。以下將對本實(shí)用新型具體實(shí)施例所述TFT基板的具體結(jié)構(gòu)及制備方法進(jìn)行詳細(xì)描述。圖4為用于說明本實(shí)用新型第一實(shí)施例所述TFT基板結(jié)構(gòu)的俯視圖，圖5為用于說明本實(shí)用新型第一實(shí)施例所述TFT基板結(jié)構(gòu)的截面示意圖。參閱圖4及圖5，所述TFT基板100包括:基板本體110;柵掃描線120，形成于所述基板本體110上；柵絕緣層130，形成于所述柵掃描線120上；數(shù)據(jù)掃描線140，形成于所述柵絕緣層130上；定位標(biāo)記150，與數(shù)據(jù)掃描線140 —起形成于所述柵絕緣層130上。其中，所述定位標(biāo)記150以連續(xù)的數(shù)字或數(shù)字組合的形式來記錄不同位置的所述柵掃描線或所述數(shù)據(jù)掃描線。具體地，所述定位標(biāo)記150形成于間隔一定距離的柵掃描線120的正上方，因此各個所述定位標(biāo)記150 之間間隔設(shè)置，在水平方向，相鄰定位標(biāo)記150之間的距離為第一固定值，在豎直方向，相鄰定位標(biāo)記150之間的距離為第二固定值，如圖7所示，該第一固定值可以為N個數(shù)據(jù)掃描線140之間的距離，該第二固定值可以為M個柵掃描線120之間的距離；此外，第一固定值也可以等于第二固定值，也即前、后、左、右相鄰定位標(biāo)記150之間的距離相等。另外，所述定位標(biāo)記150的寬度小于或等于所述柵掃描線120的寬度。參閱圖5，本實(shí)用新型第一實(shí)施例所述TFT基板的制備方法包括:步驟一，在玻璃材料的基板本體110上形成一層?xùn)沤饘俦∧?00，采用構(gòu)圖工藝在基板本體110上形成柵掃描線120 ;需要說明的是，基板本體的材料可以為玻璃，也可以為塑料或石英等材料；步驟二，在形成柵金屬薄膜200的基板本體110上形成一層?xùn)沤^緣層薄膜，采用構(gòu)圖工藝形成柵絕緣層130，其中柵絕緣層130的材料通常為氮化硅；步驟三，在形成柵絕緣層130的基板本體110上形成一層數(shù)據(jù)金屬薄膜，用于形成數(shù)據(jù)掃描線140以及源漏電極等；步驟四，采用掩模板mask通過構(gòu)圖工藝在數(shù)據(jù)金屬薄膜上形成數(shù)據(jù)掃描線140，并在與柵掃描線120相對應(yīng)的位置處形成定位標(biāo)記150 ；上述步驟四中，mask的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)如下:在mask上設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)掃描線140的圖形，同時在以像素為單位的一定距離為間隔(此間隔距離N=n X像素，其中n=l，2，3……)的數(shù)據(jù)掃描線和以像素為單位的一定距離為間隔(此間隔距離N’ =n’ X像素，其中η’ =1，2，3……，并且η與η’可以相等也可以不相等)的柵掃描線相交的像素對應(yīng)于柵掃描線的位置設(shè)計(jì)定位標(biāo)記150的圖形(參閱圖7所示)。根據(jù)以上，本實(shí)用新型具體實(shí)施例中上述結(jié)構(gòu)的TFT基板中，其中相鄰的兩個定位標(biāo)記150在柵掃描線120方向上間距可以等于也可以不等于相鄰兩個定位標(biāo)記150在數(shù)據(jù)掃描線140上的間距，另外定位標(biāo)記150與數(shù)據(jù)掃描線140在同一層，并且位于柵掃描線120的上方位置。此外，本實(shí)用新型具體實(shí)施例中，無需限定所述定位標(biāo)記150的寬度大小，只要不影響正常透光區(qū)域即可，優(yōu)選地，如圖4所示，定位標(biāo)記150的寬度小于或等于相對應(yīng)柵掃描線120的寬度W。根據(jù)以上，定位標(biāo)記150是利用形成數(shù)據(jù)掃描線140的數(shù)據(jù)金屬薄膜采用構(gòu)圖工藝與數(shù)據(jù)掃描線140 —起形成，其中所述定位標(biāo)記150可與鄰近的一根數(shù)據(jù)掃描線140相連也可以不相連，如果與一根數(shù)據(jù)掃描線相連會使寄生電容增大對電學(xué)特性有影響，因此優(yōu)選定位標(biāo)記150與數(shù)據(jù)掃描線140不相連。本實(shí)用新型第一實(shí)施例中，所述定位標(biāo)記150形成為連續(xù)性的數(shù)字或者數(shù)字組合，但不限于為連續(xù)性的數(shù)字或者數(shù)字組合，也可以形成為圖形或字母結(jié)構(gòu)形式，如圖6所示第二實(shí)施例的結(jié)構(gòu)，其中所述定位標(biāo)記150為圖形或者字母時，所述TFT基板的制備方法與第一實(shí)施例相同，在此不再贅述。本實(shí)用新型具體實(shí)施例所述TFT基板，相對于現(xiàn)有技術(shù)，可以使用定位標(biāo)記快速定位到具體某一像素，因此能快速找到測試點(diǎn)的位置和不良的位置，提高了測試效率和不良分析的效率，同時不需要使用昂貴的導(dǎo)電介質(zhì)，有效節(jié)約了測試成本，減少測試的外在影響因素從而提高測試結(jié)果的準(zhǔn)確性。本實(shí)用新型具體實(shí)施例另一方面還提供一種具有上述TFT基板結(jié)構(gòu)的顯示面板和顯示設(shè)備，其中所述顯示設(shè)備可以為液晶電視、液晶顯示器、有機(jī)發(fā)光二極管OLED電視、OLED顯示器、手機(jī)或電子紙等，所述顯示面板和所述顯示設(shè)備中的TFT基板的具體結(jié)構(gòu)可以參閱上述所述，在此不再詳細(xì)描述。以上所述僅是本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本實(shí)用新型原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和潤飾，這些改進(jìn)和潤飾也應(yīng)視為本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求1.一種薄膜晶體管陣列基板，包括基板本體、柵掃描線和數(shù)據(jù)掃描線，其特征在于，所述薄膜晶體管陣列基板還包括:多個用于記錄所述柵掃描線和/或所述數(shù)據(jù)掃描線位置的定位標(biāo)記。
2.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述定位標(biāo)記以連續(xù)的數(shù)字、數(shù)字組合、字母或者字母組合來記錄不同位置的所述柵掃描線或所述數(shù)據(jù)掃描線。
3.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管陣列基板還包括柵絕緣層，其中所述柵掃描線形成于所述基板本體上，所述柵絕緣層形成于所述柵掃描線上，所述定位標(biāo)記與所述數(shù)據(jù)掃描線同時形成于所述柵絕緣層上。
4.如權(quán)利要求3所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述定位標(biāo)記位于所述柵掃描線的正上方。
5.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，相鄰所述定位標(biāo)記之間的距離為N個所述柵掃描線之間的距離或者為M個所述數(shù)據(jù)掃描線之間的距離。
6.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，在水平方向，相鄰所述定位標(biāo)記之間的間距為第一固定值；在豎直方向，相鄰所述定位標(biāo)記之間的間距為第二固定值。
7.如權(quán)利要求6所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述第一固定值與N個所述數(shù)據(jù)掃描線之間的距離相等，所述第二固定值與M個所述柵掃描線之間的距離相等。
8.如權(quán)利要求1所述的薄膜晶體管陣列基板，其特征在于，所述定位標(biāo)記的寬度小于或等于所述柵掃描線的寬度。
9.一種顯示面板，包括如權(quán)利要求1至8任一項(xiàng)所述的薄膜晶體管陣列基板。
10.一種顯示設(shè)備，包括如權(quán)利要求9所述的顯示面板。
專利摘要本實(shí)用新型提供一種薄膜晶體管陣列基板、顯示面板和顯示設(shè)備，所述薄膜晶體管陣列基板包括基板本體、柵掃描線和數(shù)據(jù)掃描線，所述薄膜晶體管陣列基板還包括多個用于記錄所述柵掃描線和/或所述數(shù)據(jù)掃描線位置的定位標(biāo)記。所述薄膜晶體管陣列基板通過使用定位標(biāo)記來記錄所述柵掃描線和/或所述數(shù)據(jù)掃描線的位置，使得在測試時，能夠利用定位標(biāo)記快速找到測試點(diǎn)的位置和不良的位置，從而提高測試的效率和不良分析的效率，同時與現(xiàn)有技術(shù)相比，測試過程不需要使用昂貴的導(dǎo)電介質(zhì)，有效節(jié)約了測試成本，減少測試的外在影響因素從而提高測試結(jié)果的準(zhǔn)確性。
文檔編號H01L23/544GK203164565SQ20122072967
公開日2013年8月28日 申請日期2012年12月26日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月26日
發(fā)明者李利平, 李坤 申請人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 成都京東方光電科技有限公司