專利名稱：一種塑封ic開封裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種塑封IC卡，特別涉及一種塑封IC開封裝置。
背景技術(shù)：
隨著電子產(chǎn)品的飛速發(fā)展與進(jìn)步，塑封IC產(chǎn)品的可靠性問題已經(jīng)成為電子元器件供應(yīng)商關(guān)心的主要問題之一。塑封IC剛開始時(shí)，可靠性是很差的。當(dāng)然，IC美國是老大，日本的IC更差。所以日本的電子產(chǎn)品大多要靠進(jìn)口美國的1C。一開始，美國對(duì)塑封IC的可靠性差，認(rèn)為是理所當(dāng)然的。他們稱要用高可靠性的1C，就要用陶瓷封裝的1C，因?yàn)槟鞘峭ㄟ^嚴(yán)格的測(cè)試的。但是日本的失效分析專家做了實(shí)實(shí)在在的測(cè)試、失效分析、DPA (破壞性物理實(shí)驗(yàn)，以良品開封為核心)，把失效的問題找出來了，通過不斷的改善，使日本的塑封IC可靠性也大大提高?，F(xiàn)在國內(nèi)的一些電子元器件供應(yīng)商為了提高塑封IC產(chǎn)品的可靠性，需要對(duì)塑封IC產(chǎn)品進(jìn)行開封，找出失效點(diǎn)，進(jìn)而提出改進(jìn)措施。目前國內(nèi)主要以購買美國和日本的自動(dòng)開封機(jī)為主，進(jìn)行塑封IC產(chǎn)品的開封，但是自動(dòng)開封機(jī)具有以下幾個(gè)缺陷:1.自動(dòng)開封機(jī)成本較高，進(jìn)口價(jià)格一般在3萬美金左右，而且后續(xù)不斷的向設(shè)備供應(yīng)商購買一些專利酸液，對(duì)于國內(nèi)的中小型企業(yè)是一筆沉重的負(fù)擔(dān)。2.自動(dòng)開封機(jī)開封需時(shí)較長(zhǎng)，例如針對(duì)于一顆DIP8的塑封1C，需要時(shí)間大約為45分鐘左右，如果需要進(jìn)行多顆塑封IC進(jìn)行分析時(shí)，需時(shí)較長(zhǎng)，嚴(yán)重影響效率。結(jié)合以上分析，需要一種適合中國中小企業(yè)的一種塑封IC的開封裝置。目前個(gè)別企業(yè)都有自己相應(yīng)的塑封IC開封方案，但技術(shù)均不成熟，存在較多缺陷:其一，開封速度慢。其二，樣品芯片表面殘留膠多不干凈，不利于失效點(diǎn)觀察。除此之外還存在諸多問題，有待改進(jìn)。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型要解決的問題是:提供一種塑封IC開封裝置，操作簡(jiǎn)單、開封時(shí)間短，成本較低。本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案是:一種塑封IC開封裝置，包括塑封1C、對(duì)塑封IC進(jìn)行腐蝕的腐蝕裝置，以及對(duì)塑封IC進(jìn)行清洗的清洗裝置，所述塑封IC表面設(shè)置有凹槽，所述腐蝕裝置包括盛有腐蝕酸液的第一容器以及盛有無水乙醇的第二容器，所述第一容器內(nèi)自帶有溫度計(jì)，以保證腐蝕酸液的溫度在規(guī)定溫度范圍之內(nèi)；所述第一容器內(nèi)的腐蝕酸液滴注在塑封IC的凹槽內(nèi)。作為本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例，所述清洗裝置包括盛有硫酸的第三容器、盛有無水乙醇的第四容器，以及盛有自來水的第五容器。作為本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例，在第三容器和第四容器之間設(shè)置有超聲波清洗機(jī)。作為本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例，所述開封裝置放置在通風(fēng)的位置。本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn):本實(shí)用新型在塑封IC表面開設(shè)有凹槽，這樣，當(dāng)腐蝕混酸滴注到塑封IC表面時(shí)，借助凹槽可以加快腐蝕的速度。

圖1是本實(shí)用新型開封裝置的結(jié)構(gòu)圖。
具體實(shí)施方式
請(qǐng)參閱圖1所示，本實(shí)用新型塑封IC開封裝置包括塑封1C、對(duì)塑封IC進(jìn)行腐蝕的腐蝕裝置，以及對(duì)塑封IC進(jìn)行清洗的清洗裝置，所述腐蝕裝置包括盛有腐蝕酸液的第一容器以及盛有無水乙醇的第二容器，所述第一容器內(nèi)自帶有溫度計(jì)，以保證腐蝕酸液的溫度在規(guī)定溫度范圍之內(nèi)；所述清洗裝置包括盛有硫酸的第三容器、超聲波清洗機(jī)、盛有無水乙醇的第四容器，以及盛有自來水的第五容器。本實(shí)用新型塑封IC放置在通風(fēng)的位置。本實(shí)用新型開封裝置的操作方法如下:1.原材料準(zhǔn)備:需要準(zhǔn)備的原材料有:分析純級(jí)濃硫酸，分析純級(jí)濃硝酸，無水乙
醇，滴管一只，燒杯若干。2.腐蝕酸液配置:將分析純級(jí)濃硝酸和分析純級(jí)濃硫酸按照3:1的體積比進(jìn)行配制，放置在第一容器內(nèi)，配制酸液時(shí)一次不要配制太多。3.加熱腐蝕酸液:將配置好的腐蝕酸液加熱到50 80°C之間后，穩(wěn)定溫度使酸液始終保持在50 80°C，建議溫度為60°C，將溫度計(jì)插入第一容器中監(jiān)控酸液溫度。4.樣品準(zhǔn)備:清理樣品表面的異物，使酸液可以直接與塑封料接觸。最好在芯片上方位置制作出一個(gè)凹處，方便酸液停留腐蝕，這樣可以加快開封速度。5.樣品腐蝕:將加熱好的酸液用滴管滴注在芯片上方位置，使酸液與塑封料反應(yīng)，然后將樣品放入盛有無水乙醇的第三容器中清洗，清洗后繼續(xù)滴注，不斷重復(fù)以上操作，直到芯片全部裸露出來。6.芯片表面清理:將分析純級(jí)濃硫酸滴注在裸露出的芯片表面，停滯5秒后將樣品放入盛有無水乙醇的燒杯中清洗，反復(fù)操作3次。7.樣品清洗:用水將樣品清洗3次，防止酸液殘留對(duì)人員造成傷害。最終將樣品放入無水乙醇中10秒后拿出即可。如果有超聲波清洗機(jī)，可以在樣品放入無水乙醇前進(jìn)行超聲波清洗，效果會(huì)更好。用無水乙醇進(jìn)行清洗能夠防止芯片表面有水痕遺留，影響觀察。最后說明的是，以上實(shí)例僅用以說明本實(shí)用新型的技術(shù)方案而非限制，盡管參照較佳實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行了詳細(xì)說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，可以對(duì)本實(shí)用新型的技術(shù)方案進(jìn)行修改或者等同替換，而不脫離本技術(shù)方案的宗旨和范圍，其均應(yīng)涵蓋在本實(shí)用新型的權(quán)利要求范圍當(dāng)中。
權(quán)利要求1.一種塑封IC開封裝置，其特征在于:包括塑封1C、對(duì)塑封IC進(jìn)行腐蝕的腐蝕裝置，以及對(duì)塑封IC進(jìn)行清洗的清洗裝置，所述塑封IC表面設(shè)置有凹槽，所述腐蝕裝置包括盛有腐蝕酸液的第一容器以及盛有無水乙醇的第二容器，所述第一容器內(nèi)自帶有溫度計(jì)，以保證腐蝕酸液的溫度在規(guī)定溫度范圍之內(nèi)；所述第一容器內(nèi)的腐蝕酸液滴注在塑封IC的凹槽內(nèi)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種塑封IC開封裝置，其特征在于:所述清洗裝置包括盛有硫酸的第三容器、盛有無水乙醇的第四容器，以及盛有自來水的第五容器。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種塑封IC開封裝置，其特征在于:在第三容器和第四容器之間設(shè)置有超聲波清洗機(jī)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種塑封IC開封裝置，其特征在于:所述開封裝置放置在通風(fēng)的位置。
專利摘要本實(shí)用新型提供了一種塑封IC開封裝置，包括塑封IC、對(duì)塑封IC進(jìn)行腐蝕的腐蝕裝置，以及對(duì)塑封IC進(jìn)行清洗的清洗裝置，所述塑封IC表面設(shè)置有凹槽，所述腐蝕裝置包括盛有腐蝕酸液的第一容器以及盛有無水乙醇的第二容器，所述第一容器內(nèi)自帶有溫度計(jì)，以保證腐蝕酸液的溫度在規(guī)定溫度范圍之內(nèi)；所述第一容器內(nèi)的腐蝕酸液滴注在塑封IC的凹槽內(nèi)。本實(shí)用新型在塑封IC表面開設(shè)有凹槽，這樣，當(dāng)腐蝕混酸滴注到塑封IC表面時(shí)，借助凹槽可以加快腐蝕的速度。
文檔編號(hào)H01L21/67GK203038897SQ20122073461
公開日2013年7月3日 申請(qǐng)日期2012年12月27日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月27日
發(fā)明者馮海科 申請(qǐng)人:西安芯派電子科技有限公司