熱增強(qiáng)堆疊式封裝和方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種堆疊式封裝（PoP）裝置。該裝置包括帶第一芯片的第一封裝，其中該芯片安裝在第一基板上；堆疊在第一封裝上的散熱器，其中該散熱器與第一芯片保持熱接觸；以及堆疊在散熱器上的第二封裝。在一項(xiàng)實(shí)施例中，散熱器用碳纖維形成，從而提供良好的橫向?qū)嵝?。在一?xiàng)實(shí)施例中，散熱器的末端突出越過第一封裝和第二封裝的外圍。
【專利說明】熱增強(qiáng)堆疊式封裝和方法
相關(guān)申請(qǐng)案的交叉參考
[0001]本發(fā)明要求2011年5月26日遞交的發(fā)明名稱為“熱增強(qiáng)堆疊式封裝(ThermallyEnhanced Stacked Package)”的第61/490，513號(hào)美國(guó)臨時(shí)申請(qǐng)案以及2012年4月13日遞交的發(fā)明名稱為“熱增強(qiáng)堆疊式封裝和方法(Thermally Enhanced Stacked Package andMethod)”的第13/446，874號(hào)美國(guó)專利申請(qǐng)案的在先申請(qǐng)優(yōu)先權(quán)，這些在先申請(qǐng)的內(nèi)容以引入的方式并入本文本中，如全文再現(xiàn)一般。
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0002]本發(fā)明涉及電子部件和方法，且在特定實(shí)施例中涉及熱增強(qiáng)堆疊式封裝，例如，使用高傳導(dǎo)性(X及y平面)的橫向散熱器作為鰭片。
【背景技術(shù)】
[0003]堆疊式封裝(PoP)是一種集成電路封裝技術(shù)，用于在垂直方向上對(duì)離散的邏輯和存儲(chǔ)的球柵陣列(BGA)封裝進(jìn)行聯(lián)合。將兩個(gè)或兩個(gè)以上封裝安裝在彼此頂部，即堆疊，并且用標(biāo)準(zhǔn)接口在它們之間路由信號(hào)。這樣形成較高的密度-例如在移動(dòng)電話/PDA市場(chǎng)中。
[0004]封裝內(nèi)系統(tǒng)或系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)，也稱為芯片堆疊多芯片模塊，包括封閉在單個(gè)封裝或模塊內(nèi)的若干集成電路。在一些實(shí)例中，SiP中的電子設(shè)備執(zhí)行電子系統(tǒng)中所有或大部分的功能，并且通常用于移動(dòng)電話、數(shù)碼音樂播放器等內(nèi)。含有集成電路的集成電路晶粒，可垂直地堆疊在基板上并且可使用接合線而堆疊至封裝。通過接合至封裝的細(xì)線將它們?cè)趦?nèi)部連接起來?；蛘?，在倒裝芯片技術(shù)中，使用焊料凸點(diǎn)來將堆疊芯片連接在一起。
[0005]不同于將晶粒彼此并排且水平地放置的密度稍低的多芯片模塊，SiP的晶粒垂直地堆疊。不同于用貫穿晶粒的導(dǎo)體來連接堆疊的硅片的密度稍高的三維(3D)集成電路，SiP用標(biāo)準(zhǔn)的片外焊線或用焊料凸點(diǎn)來連接晶粒。
[0006]示例性SiP可包含與無源部件(例如，電阻器和電容器)聯(lián)合的若干芯片(例如，專用處理器、DRAM、閃速存儲(chǔ)器等)，它們?nèi)堪惭b在同一基板上。這意味著可在多芯片封裝中建立完整的功能單元，因此要使其工作所需的外部部件較少。這在空間有限的環(huán)境例如MP3播放器和移動(dòng)電話中尤為可貴，因?yàn)樗档土擞∷㈦娐钒搴涂傮w設(shè)計(jì)的復(fù)雜性。盡管有這些益處，但這項(xiàng)技術(shù)仍會(huì)遇到收率問題，這是因?yàn)榉庋b中有缺陷的芯片可產(chǎn)生無用的封裝集成電路，即使該封裝內(nèi)的所有其他模塊都是有用的。
[0007]由于對(duì)減小封裝尺寸并且增加速度、功率和功能性的工業(yè)需求源源不斷，所以微電子封裝逐漸傾向于3D封裝。就此而言，熱管理變成一項(xiàng)特殊的挑戰(zhàn)。單個(gè)部件的散熱可使集成模塊的溫度的加速上升，尤其是在大功率部件(例如，邏輯電路)集成到模塊中時(shí)。此夕卜，一些部件(例如，存儲(chǔ)器)對(duì)熱環(huán)境相對(duì)較敏感。
[0008]本發(fā)明的各方面提供一種3D封裝方法，其可大大降低費(fèi)用并且其熱管理可大大改善。
【發(fā)明內(nèi)容】

[0009]在一項(xiàng)實(shí)施例中，堆疊式封裝(PoP)裝置包括第一封裝、散熱器和第二封裝。第一封裝具有安裝在第一基板上的第一芯片。散熱器堆疊在第一封裝上，并且與第一芯片保持熱接觸。第二封裝堆疊在散熱器上。
[0010]在一項(xiàng)實(shí)施例中，堆疊式封裝(PoP)裝置包括第一封裝、散熱器和第二封裝。第一封裝具有安裝在第一基板上的第一芯片。第一散熱器堆疊在第一封裝上，并且與第一芯片保持熱接觸。第二封裝堆疊在第一散熱器上，并且包括安裝在第二基板上的第二芯片。
[0011]在一項(xiàng)實(shí)施例中，一種構(gòu)建堆疊式封裝(PoP)裝置的方法包括:將散熱器堆疊在第一封裝上，該散熱器與安裝在第一封裝上的第一芯片保持熱接觸；以及將第二封裝堆疊在散熱器上。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0012]為了更完整地理解本發(fā)明及其優(yōu)點(diǎn)，現(xiàn)在參考下文結(jié)合附圖進(jìn)行的描述，其中:
[0013]圖1為包括散熱器的實(shí)施例堆疊式封裝(PoP)裝置的俯視平面圖；
[0014]圖2為大體沿著線2-2截得的圖1所示的PoP裝置的截面；
[0015]圖3為大體沿著線3-3截得的圖1所示的PoP裝置的截面；
[0016]圖4為包括熱絕緣膜的實(shí)施例PoP裝置；
[0017]圖5為具有安置于散熱器相對(duì)側(cè)上的芯片的實(shí)施例PoP裝置；
[0018]圖6a至圖6i共同圖示并入散熱器的實(shí)施例PoP裝置的形成流程的一項(xiàng)實(shí)施例；以及
[0019]圖7所示為圖1所示的PoP裝置的形成方法。
【具體實(shí)施方式】
[0020]下文將詳細(xì)論述對(duì)本發(fā)明實(shí)施例的實(shí)施和使用。但應(yīng)了解，本發(fā)明提供的許多適用發(fā)明概念可實(shí)施在多種具體環(huán)境中。所論述的具體實(shí)施例僅為說明性的，而不限制本發(fā)明的范圍。
[0021]本發(fā)明將關(guān)于堆疊式封裝進(jìn)行描述，即堆疊式封裝(PoP)裝置、封裝嵌入(package-1n-package) (PiP)裝置和系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)裝置。然而,本發(fā)明的概念一般還可應(yīng)用于其他半導(dǎo)體裝置或工藝中。
[0022]共同參考圖1至圖3，其圖示了 PoP裝置10的實(shí)施例。PoP裝置10提供一種帶有限尺寸和高橫向?qū)嵝缘木哂袩嵝实娜S(3D)封裝，這將在下文中更全面地說明。本文所使用的橫向是指X-方向12 (或平面)以及y方向14 (或平面)。如圖1至圖3所示，PoP裝置10大體包括第一封裝16、第一散熱器18和第二封裝20。
[0023]第一封裝16包括安裝在第一印刷電路板(PCB)基板24上的第一芯片22 (又稱晶粒)。第一芯片22可為，例如，邏輯芯片或存儲(chǔ)器芯片。第一 PCB基板24可包括各種跡線、接觸墊、過孔以及其他電路或特征，為便于圖示，這些未在圖1至圖3中示出。此外，盡管圖1至圖3所示的第一 PCB基板24為單層，但是第一 PCB基板24也可由多層形成。第一 PCB基板24可用典型或常規(guī)印刷電路板制造工藝或技術(shù)來形成。
[0024]第一散熱器18大體堆疊在第一封裝16的第一 PCB基板24上。在此配置中，第一散熱器18與第一芯片22保持熱接觸。在一項(xiàng)實(shí)施例中，導(dǎo)熱墊26 (又稱熱界面材料)安置在第一散熱器18與第一封裝16的第一芯片22之間。在一項(xiàng)實(shí)施例中，導(dǎo)熱墊26由,例如，相變材料、導(dǎo)熱膠、潤(rùn)滑脂等形成。在一項(xiàng)實(shí)施例中，第一散熱器18包括中心部分，該中心部分向下降落或延伸進(jìn)入空腔以直接接觸第一芯片22。在此情況下，也可使用導(dǎo)熱墊26，或在替代方案中，可省略導(dǎo)熱墊。
[0025]在一項(xiàng)實(shí)施例中，第一散熱器18可用碳纖維28形成。碳纖維28可用粘合劑或其他合適材料固定在一起。在一項(xiàng)實(shí)施例中，第一散熱器18可用其他導(dǎo)熱金屬或?qū)岵牧侠玢~、鋁或金剛石等形成。
[0026]在一項(xiàng)實(shí)施例中，第一散熱器18具有填充銅的過孔30 (圖2)以，例如，提高垂直導(dǎo)熱性。本文所使用的垂直是指Z-方向32 (或平面)。在一項(xiàng)實(shí)施例中，第一散熱器18鍍有金屬34 (例如，銅)以，例如，阻止碳纖維降落。
[0027]在第一散熱器18可用碳纖維28形成且鍍有銅的實(shí)施例中，第一散熱器18的密度大約為1.85克每立方厘米(gm/cm3)。在一項(xiàng)實(shí)施例中，對(duì)于陽極電鍍鋁，其密度大約為
2.7gm/cm3 ;對(duì)于電鍍銅,其密度大約為8.92gm/cm3,這也可適用。因此,在一些實(shí)施例中，采用由碳纖維28形成的第一散熱器18的PoP裝置10，可尤其適用于對(duì)重量敏感的應(yīng)用中(例如，軍事裝置和航天裝置)。
[0028]第一散熱器18還具有橫向方向(X方向和I方向)上的導(dǎo)熱率，其值在大約600瓦特每米每開爾文(W/ (m-K))與大約1，500W/ (m-K)之間。在一項(xiàng)實(shí)施例中，對(duì)于陽極電鍍鋁，其導(dǎo)熱率約為220W/ (m-K);對(duì)于電鍍銅，其導(dǎo)熱率約為394W/ (m_K)，這也可適用。因此，第一散熱器18能夠非常有效地將第一芯片22所產(chǎn)生的熱量橫向驅(qū)散開。
[0029]此外，第一散熱器18具有熱膨脹系數(shù)，其值約為百萬分之5每攝氏度(ppm/°C)。在一項(xiàng)實(shí)施例中，對(duì)于陽 極電鍍鋁，其熱膨脹系數(shù)約為27ppm/°C ;對(duì)于電鍍銅，其熱膨脹系數(shù)約為17ppm/°C，這也可適用。另一個(gè)益處是使用碳纖維28來制作第一散熱器18的成本與使用，例如，陽極電鍍鋁形成散熱器的成本近似一樣。
[0030]所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將了解，無論碳纖維28是否已被增強(qiáng)以增大表面積，可基于，例如，對(duì)第一散熱器18中碳纖維28、第一散熱器18中碳纖維28的百分比的調(diào)整等等來對(duì)第一散熱器18的性質(zhì)和/或特性進(jìn)行進(jìn)一步的改進(jìn)或修改。
[0031]如圖1至圖2所示，在一項(xiàng)實(shí)施例中，第一散熱器18的末端36延伸越過第一封裝16、第二封裝20或二者的外圍38。在此配置中，通過提供更多用于散熱的表面積，第一散熱器18能夠像,例如,散熱片的鰭片一樣發(fā)揮功能。在一項(xiàng)實(shí)施例中，第一散熱器18的兩側(cè)40也可延伸越過第一封裝16、第二封裝20或二者的外圍38。
[0032]如圖1至圖3所示，在一項(xiàng)實(shí)施例中，第二封裝20直接堆疊在第一散熱器18上。第二封裝20包括安裝在第二印刷電路板(PCB)基板44上的第二芯片42 (亦稱晶粒)。第二芯片42可為，例如，邏輯芯片或存儲(chǔ)器芯片。第二 PCB基板44可包括各種跡線、接觸墊、過孔以及其他電路或特征，為便于圖示，這些未在圖1至圖3中繪出。此外，盡管圖1至圖3所示的第二 PCB基板44為單層，但是第二 PCB基板44也可由多層形成。第二 PCB基板44可用典型或常規(guī)印刷電路板制造工藝或技術(shù)來形成。
[0033]仍然參考圖1至圖3，在一項(xiàng)實(shí)施例中，PoP裝置10包括第二散熱器46、第三封裝48和第三散熱器50。如圖所示，第二散熱器46、第三封裝48和第三散熱器50可，例如，以交替形式，彼此堆疊。其他實(shí)施例中也可采用其他的堆疊形式。
[0034]第二封裝20和第三封裝48與第一封裝16可為相同的或大體相同的。此外，第二散熱器46和第三散熱器50與第一散熱器18可為相同的或大體相同的?；蛘?第二封裝20和第三封裝48可不同于第一封裝16,并且第二散熱器46和第三散熱器50可不同于第一散熱器18。
[0035]盡管圖2至圖3所示的PoP裝置10包括總共三個(gè)封裝以及總共三個(gè)散熱器，但是更多的封裝、更多的散熱器可并入PoP裝置10中，這取決于，例如，PoP裝置10的性能要求、
所需散熱量等等。
[0036]現(xiàn)在參考圖4，在一項(xiàng)實(shí)施例中，PoP裝置10的第一芯片22為大功率部件。為適應(yīng)由大功率部件引起的熱量的增加，熱絕緣膜52 (即，額外的熱絕緣器)可并入PoP裝置10中。在一項(xiàng)實(shí)施例中，熱絕緣膜52安置在大功率部件正上方的第一散熱器18與第二 PCB基板44之間。熱絕緣膜52可嵌入第一散熱器18、第二 PCB基板44中，或同時(shí)嵌入二者中。在一項(xiàng)實(shí)施例中，熱絕緣膜52是雙軸取向聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(BoPET)膜(市售商品名為]5拉? (Mylar))?；蛘?，可使用其他材料。在一項(xiàng)實(shí)施例中，第一散熱器18、第二 PCB基板44或二者中均無位于大功率部件正上方的任何結(jié)構(gòu)(例如，填充銅的過孔30或熱過孔)從而可阻止或防止Z-方向32上的熱傳導(dǎo)。在一項(xiàng)實(shí)施例中，除了用作熱絕緣膜52之外，或者代替該熱絕緣膜，第二 PCB基板44也可用作絕緣器。在這些實(shí)施例中，熱過孔可在第二 PCB基板44中省略。
[0037]現(xiàn)在參考圖5，在一項(xiàng)實(shí)施例中，PoP裝置10的第一散熱器18和第二散熱器46分別與第一倒置芯片54和第二倒置芯片56保持熱接觸。換言之，第一散熱器18與第一芯片22和第一倒置芯片54相接合，并且驅(qū)散由它們產(chǎn)生的熱量，所述第一芯片和第一倒置芯片位于第一散熱器18的相對(duì)側(cè)。同樣地，第二散熱器46與第二芯片42和第二倒置芯片56相接合，并且驅(qū)散由它們產(chǎn)生的熱量，所述第二芯片和第二倒置芯片位于第二散熱器46的相對(duì)側(cè)。如圖所不，在芯片與散熱器之間可插入一個(gè)導(dǎo)熱墊26。在其他實(shí)施例中,PoP裝置10中的散熱器可與多個(gè)芯片保持熱接觸。出于說明的目的，圖5中提供虛線箭頭，該箭頭繪出了通過一個(gè)散熱器18的橫向散熱。
[0038]圖6a至圖6i共同圖示了實(shí)施例PoP裝置10的形成流程的一項(xiàng)實(shí)施例，該P(yáng)oP裝置并入有散熱器(例如，第一散熱器18、第二散熱器46和第三散熱器50)。在圖6a中，第一PCB基板24、第二 PCB基板44和第三PCB基板58分別表示PoP裝置10的底層、第二層和第三層或頂層，它們可用典型或常規(guī)PCB制造工藝來制造。在該制造工藝中，各種不同配置中，第一 PCB基板24、第二 PCB基板44和第三PCB基板58可具有各個(gè)接觸墊60、過孔62和銅跡線64。如圖6b所示，楔形掏槽66可在單獨(dú)的基板(例如，第一 PCB基板24、第二 PCB基板44和第三PCB基板58)之間形成以促進(jìn)稍后的單獨(dú)基板的分離。
[0039]如圖6c至圖6d所示，空腔68形成于第一 PCB基板24、第二 PCB基板44和第三PCB基板58中每一個(gè)中以暴露接觸墊60。在一項(xiàng)實(shí)施例中，空腔68可用蝕刻技術(shù)形成。在其他實(shí)施例中，空腔68可通過將側(cè)部分堆疊至平基板層上而形成。在空腔68形成后，如圖6e所示，露出的接觸墊60鍍有鍍層材料70像，例如，化學(xué)鍍鎳浸銀(ENIS)、化學(xué)鍍鎳浸金(ENIG )、化學(xué)鍍鎳化學(xué)鍍鈀(ENEP )、化學(xué)鍍鎳化學(xué)鍍鈀浸金(ENEPIG )、浸錫(IT )、有機(jī)保焊膜(OSP)或其他另一種鍍層。[0040]接著，圖6f圖示出翻轉(zhuǎn)的第一 PCB基板24、第二 PCB基板44和第三PCB基板58。此后，在一些接觸墊60上印刷焊膏，并且在接觸墊60上放置焊球72。隨后，第一 PCB基板
24、第二 PCB基板44和第三PCB基板58經(jīng)歷回流溫度曲線。接著，如圖6g所示，采用模板工藝來在接觸墊60上印刷焊膏并且將第一芯片22、第二芯片42和第三芯片74插入空腔68中。隨后，第一 PCB基板24、第二 PCB基板44和第三PCB基板58再次經(jīng)歷回流溫度曲線。由于第一芯片22、第二芯片42和第三芯片74固定在適當(dāng)位置，所以單獨(dú)的芯片可彼此分離，因此，它們可合適地堆疊。
[0041]如圖6h所示，將焊膏76印刷于接觸墊60上并且將粘合劑78涂覆于最上面的PCB基板，在圖6中所示的該基板為第三PCB基板58。此后，導(dǎo)熱墊26或其他界面材料安置在第一芯片22、第二芯片42和第三芯片74的各個(gè)頂部上。接著，第一散熱器18、第二散熱器46和第三散熱器50經(jīng)放置與導(dǎo)熱墊26 (例如，熱界面材料)和/或第一芯片22、第二芯片42和第三芯片74保持熱接觸。如圖所示，第三散熱器50，在圖6h所示的y-方向上大大寬于第一散熱器18和第二散熱器46，也接合粘合劑78。
[0042]隨著第一 PCB基板24、第二 PCB基板44和第三PCB基板58如圖6h至圖6i大體所示而堆疊，第一封裝16、第二封裝20和第三封裝48(它們包括第一 PCB基板24、第二 PCB基板44和第三PCB基板58)經(jīng)歷回流溫度曲線從而將基板緊固在一起并且形成如圖6i所示的PoP裝置10。如圖6i所示的PoP裝置10可經(jīng)受各種檢查和測(cè)試以確保所需操作性和性能。
[0043]在圖7所示流程圖中示出了形成PoP裝置10的方法80的一項(xiàng)實(shí)施例。在方框82中，第一散熱器18堆疊在第一封裝16上，因此第一散熱器18與安裝在第一封裝16上的第一芯片22保持熱接觸。在方框84中，第二封裝20堆疊在第一散熱器18上。
[0044]并入有一個(gè)或多個(gè)散熱器的PoP裝置10，由于它具有較低密度、高導(dǎo)熱性和較低成本，所以在移動(dòng)裝置、筆記本電腦及平板電腦、200G及400G路由器、功率放大器、基礎(chǔ)設(shè)備、功率模塊、絕緣柵雙極性晶體管等等中是非常理想的。實(shí)際上，與已知封裝裝置相比，PoP裝置10在大大降低成本的同時(shí)還大大改善了熱管理。
[0045]本發(fā)明的實(shí)施例允許使用靠近各電源芯片的多個(gè)散熱器以增強(qiáng)熱傳遞。并且，在散熱器布置的方式中，它們各自單獨(dú)地用作側(cè)鰭以充分利用大部分路由產(chǎn)品中存在的對(duì)流。本發(fā)明的實(shí)施例可允許較小尺寸熱封裝的組裝，這些在現(xiàn)有散熱片技術(shù)中是難以構(gòu)建的。這些產(chǎn)品可受益于節(jié)省空間和改善熱管理的優(yōu)勢(shì)。例如，大大改善的熱管理可用大大降低的成本實(shí)現(xiàn)。
[0046]雖然已參考說明性實(shí)施例描述了本發(fā)明，但此描述并不旨在限制本發(fā)明。所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員在參考該描述后，將會(huì)明白說明性實(shí)施例的各種修改和組合，以及其他實(shí)施例。因此，希望所附權(quán)利要求書涵蓋任何此類修改或?qū)嵤├?br> 【權(quán)利要求】
1.一種堆疊式封裝(PoP)裝置，其包括: 包括第一芯片的第一封裝，所述第一芯片安裝在第一基板上； 堆疊在所述第一封裝上的散熱器，所述散熱器與所述第一芯片保持熱接觸；以及 堆疊在所述散熱器上的第二封裝。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述散熱器包括碳纖維。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述散熱器由銅、鋁和金剛石中至少一種形成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述散熱器的末端延伸越過所述第一封裝的外圍。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述散熱器的末端延伸越過所述第一封裝和所述第二封裝的外圍。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中導(dǎo)熱墊安置在所述散熱器與所述第一封裝的所述第一芯片之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述散熱器包括鍍金屬的過孔。
8.根據(jù)權(quán)利要求1 所述的裝置，其中所述散熱器是鍍銅的。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中熱絕緣膜安置在所述散熱器與所述第二封裝的第二印刷電路板之間。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述第二封裝包括第二芯片，所述散熱器與所述第二芯片保持熱接觸。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述散熱器水平面上的導(dǎo)熱率在大約每米每開爾文六百瓦特(600W/ (m-K))與大約每米每開爾文一千五百瓦特(1500W/ (m_K))之間；并且垂直面上的導(dǎo)熱率低于大約每米每開爾文二百瓦特(200W/ (m-K))。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述第一芯片安置在形成于所述第一基板中的空腔中。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述散熱器經(jīng)布置可用作側(cè)鰭以驅(qū)散熱量。
14.一種堆疊式封裝(PoP)裝置，其包括: 包括第一芯片的第一封裝，所述第一芯片安裝在第一基板上； 堆疊在所述第一封裝上的第一散熱器，所述第一散熱器與所述第一芯片保持熱接觸；以及 堆疊在所述第一散熱器上的第二封裝，所述第二封裝包括第二芯片，所述第二芯片安裝在第二基板上。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的裝置，其中所述第二芯片與所述第一散熱器保持熱接觸。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的裝置，其中所述第二芯片與堆疊在所述第二封裝上的第二散熱器保持熱接觸。
17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的裝置，其中熱絕緣膜安置在所述第一散熱器與所述第二封裝的所述第二印刷電路板之間。
18.一種構(gòu)建堆疊式封裝(PoP)裝置的方法，其包括:將散熱器堆疊在第一封裝上，所述散熱器與安裝在所述第一封裝上的第一芯片保持熱接觸；以及將第二封裝堆疊在所述散熱器上。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，進(jìn)一步包括用碳纖維來形成所述散熱器。
20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，進(jìn)一步包括對(duì)所述散熱器進(jìn)行定向，因此所述散熱器的末端延伸越過所述第一封裝和所述第二封裝的外圍。
21.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，進(jìn)一步包括將導(dǎo)熱墊插入所述散熱器與所述第一封裝的所述第一芯片之間。
22.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，進(jìn)一步包括形成穿過所述散熱器的鍍金屬的過孔。
23.根據(jù)權(quán)利要求1 8所述的方法，進(jìn)一步包括對(duì)所述散熱器鍍銅。
【文檔編號(hào)】H01L23/367GK103430301SQ201280013114
【公開日】2013年12月4日 申請(qǐng)日期:2012年5月12日 優(yōu)先權(quán)日:2011年5月26日
【發(fā)明者】安瓦爾·A·穆罕默德, 劉偉鋒 申請(qǐng)人:華為技術(shù)有限公司