用于制造至少一個(gè)光電子半導(dǎo)體芯片的方法
【專利摘要】提出一種用于制造至少一個(gè)光電子半導(dǎo)體芯片，其具有下述步驟：提供至少一個(gè)光電子結(jié)構(gòu)（2），所述光電子結(jié)構(gòu)包括生長(zhǎng)載體（1）和外延沉積在生長(zhǎng)載體（1）上的具有有源區(qū)域（23）的半導(dǎo)體層序列（20）；提供載體（4）；將至少一個(gè)光電子結(jié)構(gòu)（2）以其背離生長(zhǎng)載體（1）的一側(cè)施加到載體（4）上；用保護(hù)材料（5）對(duì)至少一個(gè)光電子結(jié)構(gòu)（2）進(jìn)行覆層，其中保護(hù)材料（5）覆蓋生長(zhǎng)載體（1）的背離載體（4）的外面以及生長(zhǎng)載體（1）的和半導(dǎo)體層序列（20）的側(cè)面；從至少一個(gè)光電子結(jié)構(gòu)（2）的半導(dǎo)體層序列（20）剝離生長(zhǎng)載體（1）。
【專利說(shuō)明】用于制造至少一個(gè)光電子半導(dǎo)體芯片的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 提出一種用于制造至少一個(gè)光電子半導(dǎo)體芯片的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]文獻(xiàn)W002/33760A1描述了一種用于制造所謂的薄膜發(fā)光二極管芯片的方法，其中生長(zhǎng)襯底從處于晶片復(fù)合體中的光電子結(jié)構(gòu)分離。在剝離生長(zhǎng)襯底之前，將光電子結(jié)構(gòu)以其背離生長(zhǎng)襯底的一側(cè)共同地固定在載體上。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]待實(shí)現(xiàn)的目的在于，提出一種用于制造至少一個(gè)光電子半導(dǎo)體芯片的方法，其中在制造期間降低半導(dǎo)體芯片損壞的危險(xiǎn)。
[0004]根據(jù)方法的至少一個(gè)實(shí)施形式，所述方法包括提供至少一個(gè)光電子結(jié)構(gòu)的方法步驟。光電子結(jié)構(gòu)尤其包括生長(zhǎng)載體和外延沉積到生長(zhǎng)載體上的半導(dǎo)體層序列。此外，光電子結(jié)構(gòu)包括至少一個(gè)有源區(qū)域，所述有源區(qū)域在之后的光電子半導(dǎo)體芯片工作時(shí)設(shè)置為用于發(fā)射或檢測(cè)電磁輻射。因此，光電子半導(dǎo)體芯片例如能夠是發(fā)光二極管芯片、激光二極管芯片或光電二極管芯片。
[0005]生長(zhǎng)載體是生長(zhǎng)襯底的子區(qū)域，所述子區(qū)域連同半導(dǎo)體層序列一起從生長(zhǎng)襯底和外延沉積的半導(dǎo)體層序列的晶片復(fù)合物中分離出來(lái)。也就是說(shuō)，光電子結(jié)構(gòu)是已經(jīng)從生長(zhǎng)晶片中分割出的元件，其中生長(zhǎng)載體仍與半導(dǎo)體層序列連接。尤其在所述方法中可行的是，提供多個(gè)這種光電子結(jié)構(gòu)。
[0006]根據(jù)方法的至少一個(gè)實(shí)施形式，在另一方法步驟中提供載體。載體是光電子半導(dǎo)體芯片的之后機(jī)械承載的元件。例如，載體能夠是連接載體，在隨后的方法步驟中能夠?qū)⒐怆娮咏Y(jié)構(gòu)機(jī)械地固定且導(dǎo)電地連接在所述連接載體上。因此，載體例如包括由電絕緣的材料，例如未摻雜的硅或者如氮化鋁或氧化鋁的陶瓷材料構(gòu)成的基體，在所述基體上和/或在所述基體中設(shè)有用于電接觸和連接光電子結(jié)構(gòu)的帶狀導(dǎo)線和/或接觸部位。
[0007]根據(jù)方法的至少一個(gè)實(shí)施形式，在另一方法步驟中將至少一個(gè)光電子結(jié)構(gòu)以其背離生長(zhǎng)載體的一側(cè)施加到載體上。在此，光電子結(jié)構(gòu)能夠機(jī)械固定地且導(dǎo)電地與載體連接。尤其可行的是，多個(gè)光電子結(jié)構(gòu)施加在載體上。然而，還可行的是，提供多個(gè)載體，其中在每個(gè)載體上施加一個(gè)或多個(gè)光電子結(jié)構(gòu)。如果多個(gè)光電子結(jié)構(gòu)施加到載體上，那么在隨后的方法步驟中可行的是，將載體連同光電子結(jié)構(gòu)一起分離成各個(gè)光電子半導(dǎo)體芯片，其中每個(gè)載體件承載至少一個(gè)光電子結(jié)構(gòu)。將至少一個(gè)光電子結(jié)構(gòu)施加到載體上例如通過(guò)釬焊光電子結(jié)構(gòu)來(lái)實(shí)現(xiàn)。
[0008]根據(jù)方法的至少一個(gè)實(shí)施形式，在另一方法步驟中將至少一個(gè)光電子結(jié)構(gòu)借助于保護(hù)材料覆層，其中保護(hù)材料覆蓋生長(zhǎng)載體的背離載體的外面以及生長(zhǎng)載體的和半導(dǎo)體層序列的側(cè)面。在此，能夠以均勻厚度的層施加保護(hù)材料。層的厚度優(yōu)選為至少0.5 μ m和/或最多2 μ m。保護(hù)材料例如構(gòu)成為對(duì)于電磁輻射是能穿透的，尤其是透明的和/或?qū)щ姷摹１Ｗo(hù)材料能夠借助于蒸鍍、派鍍、CVD (化學(xué)氣相沉積)法、ALD (原子層沉積Atomic LayerDeposition)法或借助于旋涂來(lái)施加。保護(hù)材料位于下述部位上,在所述部位上所述保護(hù)材料覆蓋光電子結(jié)構(gòu)，優(yōu)選與光電子結(jié)構(gòu)的外面直接接觸。保護(hù)材料尤其存在于半導(dǎo)體層序列的側(cè)面的區(qū)域中，在那例如側(cè)向地露出有源區(qū)域。
[0009]根據(jù)方法的至少一個(gè)實(shí)施形式，在另一方法步驟中從至少一個(gè)光電子結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體層序列剝離生長(zhǎng)載體。也就是說(shuō)，將生長(zhǎng)載體從半導(dǎo)體層序列移除，以至于在光電子結(jié)構(gòu)中殘存有半導(dǎo)體層序列，并且在光電子結(jié)構(gòu)的背離載體的一側(cè)露出所該半導(dǎo)體層序列。在此，生長(zhǎng)載體例如完全地從半導(dǎo)體層序列移除，以至于沒(méi)有生長(zhǎng)載體的殘余物殘留在半導(dǎo)體層序列上。因?yàn)樯L(zhǎng)載體的外面至少局部地由保護(hù)材料覆蓋，所以在剝離生長(zhǎng)載體時(shí)也同時(shí)部分地去除保護(hù)材料。然而，保護(hù)材料殘留在在半導(dǎo)體層序列的側(cè)面上，至少暫時(shí)地殘留在半導(dǎo)體層序列的側(cè)面上，并且在剝離生長(zhǎng)載體之后，所述保護(hù)材料覆蓋所述半導(dǎo)體層序列的側(cè)面。
[0010]根據(jù)用于制造至少一個(gè)光電子半導(dǎo)體芯片的方法的至少一個(gè)實(shí)施形式，所述方法包括下述步驟:
[0011]-提供至少一個(gè)光電子結(jié)構(gòu)，所述光電子結(jié)構(gòu)包括生長(zhǎng)載體和具有有源區(qū)域的半導(dǎo)體層序列，其中半導(dǎo)體層序列外延沉積到生長(zhǎng)載體上；
[0012]-提供載體；
[0013]-將至少一個(gè)光電子結(jié)構(gòu)以其背離生長(zhǎng)載體的一側(cè)施加到載體上；
[0014]-將至少一個(gè)光電子結(jié)構(gòu)用保護(hù)材料覆層，其中保護(hù)材料覆蓋生長(zhǎng)載體的背離載體的外面以及生長(zhǎng)載體的和半導(dǎo)體層序列的側(cè)面；
[0015]-從至少一個(gè)光電子結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體層序列剝離生長(zhǎng)載體。
[0016]在此，這里所描述的方法此外基于下述認(rèn)知:將保護(hù)材料尤其施加到半導(dǎo)體層序列的側(cè)面上能夠在剝離生長(zhǎng)載體期間保護(hù)半導(dǎo)體層序列免受損壞。以這種方式，能夠提高光電子半導(dǎo)體芯片的產(chǎn)量。在此，除了半導(dǎo)體層序列以外，也能夠在剝離生長(zhǎng)載體期間通過(guò)保護(hù)材料來(lái)保護(hù)光電子結(jié)構(gòu)的其他部件、如可能存在的反射層和/或接觸層免受損壞。
[0017]根據(jù)方法的至少一個(gè)實(shí)施形式，保護(hù)材料在對(duì)至少一個(gè)光電子結(jié)構(gòu)進(jìn)行覆層之后，完全地覆蓋至少一個(gè)光電子結(jié)構(gòu)的不被載體覆蓋的外面并且至少局部地覆蓋載體的朝向至少一個(gè)光電子結(jié)構(gòu)的覆蓋面。也就是說(shuō)，保護(hù)材料置于光電子結(jié)構(gòu)的整個(gè)不被載體覆蓋的外面之上，以至于半導(dǎo)體層序列的以及生長(zhǎng)載體的露出的側(cè)面以及生長(zhǎng)載體的背離載體的外面完全地由保護(hù)材料覆蓋。
[0018]在此，保護(hù)材料尤其施加在光電子結(jié)構(gòu)的將生長(zhǎng)載體的外面與載體連接的側(cè)面上，尤其也施加在載體和光電子結(jié)構(gòu)之間的區(qū)域中，以至于光電子結(jié)構(gòu)在覆層之后完全地用保護(hù)材料和載體封裝。在此，保護(hù)材料優(yōu)選形狀配合地包裹光電子結(jié)構(gòu)。
[0019]保護(hù)材料例如防止液體滲入，尤其防止液體滲入到載體和光電子結(jié)構(gòu)之間的區(qū)域中。在此也可行的是，載體的朝向光電子結(jié)構(gòu)的整個(gè)覆蓋面在不存在光電子結(jié)構(gòu)的部位上完全地被保護(hù)材料覆蓋。
[0020]根據(jù)方法的至少一個(gè)實(shí)施形式，在從至少一個(gè)光電子結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體層序列剝離生長(zhǎng)載體之后，將殘留的保護(hù)材料移除。另外，保護(hù)材料不是永久的保護(hù)膜，而是在剝離過(guò)程之后再被移除的暫時(shí)的保護(hù)膜。也就是說(shuō)，在所述實(shí)施例中，保護(hù)材料在之后的光電子半導(dǎo)體芯片中不具有其他的功能。在此情況下，能夠有利地選擇在用于在剝離期間進(jìn)行保護(hù)的作用方面被優(yōu)化的保護(hù)材料。因此，例如可行的是，保護(hù)材料構(gòu)成為不能被輻射穿透的，因?yàn)樗霰Ｗo(hù)材料在下一過(guò)程中不必完成光學(xué)任務(wù)。
[0021]根據(jù)方法的至少一個(gè)實(shí)施形式，保護(hù)材料的背離至少一個(gè)光電子結(jié)構(gòu)的外面在剝離生長(zhǎng)載體之前至少局部地用反射的材料來(lái)覆層。在此可行的是，整個(gè)外面用反射的材料來(lái)覆層。尤其當(dāng)所述保護(hù)材料殘留在之后的半導(dǎo)體芯片中，即在剝離之后沒(méi)有被移除時(shí)，那么將反射的材料施加到保護(hù)材料上。反射的材料例如能夠是金屬層或金屬層序列。此外可行的是，反射的材料是電絕緣的材料。例如，構(gòu)成為漫反射的、具有由二氧化鈦構(gòu)成的顆粒的層能夠施加到外面上。因此，在施加反射的材料之后，所述外面能夠?qū)τ^察者呈現(xiàn)為例如白色的。
[0022]反射的材料尤其設(shè)置為用于反射電磁輻射，如在光電子半導(dǎo)體芯片的有源區(qū)域中產(chǎn)生或檢測(cè)到的所述電磁輻射。
[0023]根據(jù)方法的至少一個(gè)實(shí)施形式，反射的材料完全地覆蓋保護(hù)材料的露出的外面。在此，反射的材料在剝離載體期間能夠執(zhí)行另一保護(hù)功能并且補(bǔ)充保護(hù)材料的保護(hù)作用。
[0024]根據(jù)方法的至少一個(gè)實(shí)施形式，生長(zhǎng)載體的剝離利用刻蝕劑來(lái)進(jìn)行，并且保護(hù)材料不能被刻蝕劑侵蝕或者在刻蝕過(guò)程期間不能夠被刻蝕劑侵蝕。也就是說(shuō)，保護(hù)材料相對(duì)于刻蝕劑例如能夠是化學(xué)惰性的。
[0025]例如，保護(hù)材料用能被輻射穿透的塑料構(gòu)成并且能夠由所述塑料制成。有機(jī)的聚合物、如例如在文獻(xiàn)W02010/054628中所描述的有機(jī)的聚合物尤其適合作為保護(hù)材料。在此，文獻(xiàn)W02010/054628尤其關(guān)于在那里所描述的有機(jī)的聚合物明確地通過(guò)參引結(jié)合于此。
[0026]在此，特別適合的保護(hù)材料能夠包含聚對(duì)二甲苯或由聚對(duì)二甲苯構(gòu)成。尤其，這種保護(hù)材料也能夠殘留在光電子半導(dǎo)體芯片中，因?yàn)樗霰Ｗo(hù)材料例如能夠?qū)τ谠谟性磪^(qū)域中待產(chǎn)生的或待檢測(cè)的電磁輻射能穿透地、尤其透明地構(gòu)成。
[0027]尤其當(dāng)將通過(guò)剝離技術(shù)、例如激光分離工藝不能夠從外延沉積的半導(dǎo)體層序列剝離的材料用作為生長(zhǎng)襯底時(shí)，這里描述的方法在應(yīng)用刻蝕劑的情況下適合于剝離生長(zhǎng)載體。例如，所述方法特別好地適合于包含硅的或由硅構(gòu)成的生長(zhǎng)載體。保護(hù)材料防止:用于剝離生長(zhǎng)載體所使用的化學(xué)品能夠侵蝕光電子結(jié)構(gòu)的部件。
[0028]根據(jù)方法的至少一個(gè)實(shí)施形式，生長(zhǎng)載體包含硅并且半導(dǎo)體層序列基于II1-V族化合物半導(dǎo)體材料，尤其基于氮化物化合物半導(dǎo)體材料，例如GaN。
[0029]根據(jù)方法的至少一個(gè)實(shí)施形式，至少一個(gè)光電子結(jié)構(gòu)在其朝向載體的一側(cè)上具有η型側(cè)的接觸部位和P型側(cè)的接觸部位，其中在將至少一個(gè)光電子結(jié)構(gòu)施加到載體上時(shí)接觸部位導(dǎo)電地與載體連接。也就是說(shuō)，在光電子結(jié)構(gòu)的背離載體的外面上，在剝離生長(zhǎng)載體之后，這是半導(dǎo)體層序列，不存在光電子結(jié)構(gòu)的電連接部位。更確切地說(shuō)，例如半導(dǎo)體層序列的η型側(cè)穿過(guò)P型側(cè)和有源區(qū)域進(jìn)行接觸。因此，尤其不在光電子半導(dǎo)體芯片的輻射出射面或輻射入射面上進(jìn)行電流分布，以至于在光電子半導(dǎo)體芯片的電流分布結(jié)構(gòu)上不會(huì)發(fā)生電磁輻射的吸收。尤其，借助于這種光電子結(jié)構(gòu)還可行的是，實(shí)現(xiàn)沒(méi)有連接線的光電子器件。借助于所述方法制成的光電子半導(dǎo)體芯片例如能夠是可表面貼裝的，也就是說(shuō)半導(dǎo)體芯片的電連接部位能夠位于載體的背離光電子結(jié)構(gòu)的外面上。[0030]在這里描述的方法中，還尤其可行的是，在剝離生長(zhǎng)載體之前，就已經(jīng)將外延地沉積到生長(zhǎng)襯底上的半導(dǎo)體層序列分成之后例如分配給各個(gè)光電子半導(dǎo)體芯片的各個(gè)光電子結(jié)構(gòu)。也就是說(shuō)，在剝離生長(zhǎng)載體之后分割成各個(gè)光電子半導(dǎo)體芯片時(shí)，不必穿過(guò)有源區(qū)域來(lái)分割。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0031]在下文中，借助于實(shí)施例和所屬的附圖詳細(xì)地闡述這里所描述的方法。
[0032]借助于圖1A、1B、1C、1D、1E、1F、1G、1H、1I的示意剖面圖詳細(xì)地闡述這里所描述的方法的一個(gè)實(shí)施例的不同的方法步驟。
[0033]圖2A和2B不出借助于這里所描述的方法制成的光電子半導(dǎo)體芯片的一個(gè)實(shí)施例的示意圖。
[0034]相同的、同類的或起相同作用的元件在附圖中設(shè)有相同的附圖標(biāo)記。附圖和在附圖中所示出的元件的彼此間的尺寸關(guān)系不能夠視為是合乎比例的。相反地，為了更好的可視性和/或?yàn)榱烁玫睦斫饽軌蚩浯蟮厥境龈鱾€(gè)元件。
【具體實(shí)施方式】
[0035]結(jié)合圖1A詳細(xì)地闡述這里所描述的方法的一個(gè)方法步驟，其中半導(dǎo)體層序列20外延沉積到生長(zhǎng)襯底10上。生長(zhǎng)襯底10例如是硅晶片并且包含硅或由硅構(gòu)成。半導(dǎo)體層序列20例如基于氮化物化合物半導(dǎo)體材料、如GaN。半導(dǎo)體層序列20包括p型層21、n型層22以及設(shè)置在P型側(cè)21和η型側(cè)22之間的有源區(qū)域22。
[0036]在下一方法步驟，圖1B中，將半導(dǎo)體層序列分割成之后例如能夠分配給各個(gè)半導(dǎo)體芯片的各個(gè)光電子結(jié)構(gòu)2。在此，除了在各個(gè)光電子結(jié)構(gòu)之間的隔離溝槽6以外，在各個(gè)光電子結(jié)構(gòu)2中也制備有穿過(guò)每個(gè)光電子結(jié)構(gòu)的P型側(cè)21以及有源區(qū)域23并且直至到達(dá)η型側(cè)22的通孔9。
[0037]此外，施加一個(gè)或多個(gè)鈍化層25。所述鈍化層例如能夠包含二氧化硅和/或氮化硅或由所述材料構(gòu)成。
[0038]結(jié)合圖1C描述一個(gè)方法步驟，其中為了形成P型側(cè)的接觸部位27和η型側(cè)的接觸部位28，將導(dǎo)電的材料、例如金屬施加到各個(gè)結(jié)構(gòu)2上。η型側(cè)的接觸部位28從半導(dǎo)體層序列的背離生長(zhǎng)襯底10的一側(cè)例如穿過(guò)通孔9延伸到η型側(cè)22中。在此，如在圖1C中所示出的，η型側(cè)的接觸部位28包圍P型側(cè)的接觸部位27，所述ρ型側(cè)的接觸部位通過(guò)環(huán)形地構(gòu)成的鈍化層25與η型側(cè)的接觸部位28分開(kāi)。
[0039]在下一方法步驟，圖1D中，這樣制成的復(fù)合物以其背離生長(zhǎng)襯底10的一側(cè)施加至IJ、例如粘貼到輔助載體上。輔助載體例如能夠用膜構(gòu)成。此外，能夠打薄生長(zhǎng)載體10;這例如能夠通過(guò)磨削和/或刻蝕來(lái)進(jìn)行。
[0040]在下一方法步驟中，如其結(jié)合圖1E所描述的，沿隔離溝槽6分開(kāi)生長(zhǎng)襯底10，以至于產(chǎn)生各個(gè)光電子結(jié)構(gòu)2，其中每個(gè)光電子結(jié)構(gòu)2包括產(chǎn)生于之前的生長(zhǎng)襯底中的生長(zhǎng)載體I。
[0041]在結(jié)合圖1F所描述的方法步驟中，各個(gè)光電子結(jié)構(gòu)2施加到載體4上。載體4包括P型接觸部41和η型接觸部42，所述P型接觸部和所述η型接觸部分別從背離光電子結(jié)構(gòu)2的一側(cè)穿過(guò)載體4的基體延伸至光電子結(jié)構(gòu)2的ρ型側(cè)的接觸部位27和η型側(cè)的接觸部位28。例如，光電子結(jié)構(gòu)通過(guò)焊接工藝與載體4連接。在此，例如能夠使用厚度為至少
1.5 μ m和最多4.5 μ m、例如3 μ m的金錫焊接材料。
[0042]在結(jié)合圖1G所描述的方法步驟中，將保護(hù)材料5的層施加到光電子結(jié)構(gòu)2的露出的外面以及載體4的覆蓋面4a上。保護(hù)材料完全地包裹光電子結(jié)構(gòu)2。例如，保護(hù)材料5用聚合物、例如透明的聚合物構(gòu)成。層厚度例如位于0.5 μ m和2 μ m之間。保護(hù)材料能夠由聚對(duì)二甲苯構(gòu)成或包含聚對(duì)二甲苯。
[0043]在另一方法步驟，圖1H中，可選地將由反射的材料7構(gòu)成的層施加到保護(hù)材料5的露出的外面上。在此，例如是反射的金屬覆層，所述金屬覆層例如能夠包含鋁和/或銀。尤其當(dāng)之后應(yīng)移除由保護(hù)材料5構(gòu)成的層時(shí)，所述層的施加是可選的。
[0044]在隨后的方法步驟，圖1J中，將每個(gè)生長(zhǎng)載體I從每個(gè)光電子結(jié)構(gòu)2移除。這例如通過(guò)磨削和刻蝕的組合來(lái)實(shí)現(xiàn)。在所述方法期間，由保護(hù)材料5和必要時(shí)反射的材料7構(gòu)成的層保護(hù)光電子結(jié)構(gòu)2免受損壞。
[0045]結(jié)合圖2A示出借助于所述方法制成的光電子半導(dǎo)體芯片的示意剖面圖。在所述實(shí)施例中，保護(hù)材料5殘留在光電子半導(dǎo)體芯片中。如從圖2A中可見(jiàn)，保護(hù)材料5完全地覆蓋半導(dǎo)體層序列20的側(cè)面直至載體4。由此，在剝離生長(zhǎng)載體期間，保護(hù)材料5例如也保護(hù)在本文中多層地構(gòu)成的反射層24免受例如刻蝕劑的影響。所述反射層24例如能夠包含銀。
[0046]在背離保護(hù)材料5的外面上施加反射的材料7，在光電子半導(dǎo)體芯片工作時(shí)，所述反射的材料例如能夠?qū)⒃谟性磪^(qū)域23中產(chǎn)生的電磁輻射朝半導(dǎo)體層序列20的η型側(cè)22的背離載體4的外面反射。在本文中，借助于KOH刻蝕來(lái)粗化外面，這能夠改進(jìn)光出射的概率。
[0047]將例如能夠用二氧化硅構(gòu)成的鈍化層8施加到反射的材料7和保護(hù)材料5的以及半導(dǎo)體層序列20的外面上。
[0048]圖2Β示出所述光電子半導(dǎo)體芯片的示意立體圖，其中所述光電子半導(dǎo)體芯片例如是可表面貼裝的發(fā)光二極管芯片。
[0049]本發(fā)明不通過(guò)借助于實(shí)施例進(jìn)行的描述而局限于所述實(shí)施例。相反，本發(fā)明包括每個(gè)新的特征以及特征的任意組合，這尤其是包括在權(quán)利要求中的特征的任意組合，即使該特征本身并未在權(quán)利要求或者實(shí)施例中明確地說(shuō)明。
[0050]本專利申請(qǐng)要求德國(guó)專利申請(qǐng)102011013821.8的優(yōu)先權(quán)，其公開(kāi)內(nèi)容通過(guò)參引
結(jié)合于此。
【權(quán)利要求】
1.一種用于制造至少一個(gè)光電子半導(dǎo)體芯片的方法，所述方法具有下述步驟: -提供至少一個(gè)光電子結(jié)構(gòu)(2 )，所述光電子結(jié)構(gòu)包括生長(zhǎng)載體(I)和外延沉積在所述生長(zhǎng)載體(I)上的具有有源區(qū)域(23)的半導(dǎo)體層序列(20)； -提供載體(4); -將所述至少一個(gè)光電子結(jié)構(gòu)(2)以其背離所述生長(zhǎng)載體(I)的一側(cè)施加到所述載體⑷上； -借助于保護(hù)材料(5)對(duì)所述至少一個(gè)光電子結(jié)構(gòu)(2)進(jìn)行覆層，其中所述保護(hù)材料(5)覆蓋所述生長(zhǎng)載體(I)的背離所述載體(4)的外面以及所述生長(zhǎng)載體(I)的和所述半導(dǎo)體層序列(20)的側(cè)面； -從所述至少一個(gè)光電子結(jié)構(gòu)(2)的所述半導(dǎo)體層序列(20)剝離所述生長(zhǎng)載體(I)。
2.根據(jù)上一項(xiàng)權(quán)利要求所述的方法，其中 -所述保護(hù)材料(5)包括聚對(duì)二甲苯； -在對(duì)所述至少一個(gè)光電子結(jié)構(gòu)(2 )進(jìn)行覆層之后，所述保護(hù)材料(5 )完全地覆蓋所述至少一個(gè)光電子結(jié)構(gòu)的不被所述載體(4)覆蓋的外面以及至少局部地覆蓋所述載體(4)的朝向所述至少一個(gè)光電子結(jié)構(gòu)(2)的覆蓋面(4a);以及 -在剝離所述生長(zhǎng)載體(I)之前，至少局部地用反射的材料(7 )對(duì)所述保護(hù)材料(5 )的背離所述至少一個(gè)光電子結(jié)構(gòu)(2)的外面進(jìn)行覆層。
3.根據(jù)上述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的方法，其中在將所述至少一個(gè)光電子結(jié)構(gòu)(2)覆層之后，所述保護(hù)材料(5)完全地覆蓋所述至少一個(gè)光電子結(jié)構(gòu)的不被所述載體(4)覆蓋的外面以及至少局部地覆蓋所述載體(4)的朝向所述至少一個(gè)光電子結(jié)構(gòu)(2)的覆蓋面(4a)。
4.根據(jù)上述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的方法，其中在從所述至少一個(gè)光電子結(jié)構(gòu)(2)的所述半導(dǎo)體層序列(20)剝離所述生長(zhǎng)載體之后，將殘留的所述保護(hù)材料(5)移除。
5.根據(jù)上述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的方法，其中在剝離所述生長(zhǎng)襯底(I)之前，至少局部地用反射的材料(7)對(duì)所述保護(hù)材料(5)的背離所述至少一個(gè)光電子結(jié)構(gòu)(2)的外面進(jìn)行覆層。
6.根據(jù)上一項(xiàng)權(quán)利要求所述的方法，其中所述反射的材料(7)完全地覆蓋所述保護(hù)材料(5)的露出的外面。
7.根據(jù)上述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的方法，其中利用刻蝕劑進(jìn)行所述生長(zhǎng)載體(I)的剝離，并且所述保護(hù)材料(5)不能被所述刻蝕劑侵蝕。
8.根據(jù)上述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的方法，其中所述保護(hù)材料(5)由能被輻射穿透的塑料構(gòu)成。
9.根據(jù)上述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的方法，其中所述保護(hù)材料(5)包含聚對(duì)二甲苯。
10.根據(jù)上述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的方法，其中所述生長(zhǎng)載體(I)包含硅并且所述半導(dǎo)體層序列(20)基于氮化物化合物半導(dǎo)體材料。
11.根據(jù)上述權(quán)利要求中的任一項(xiàng)所述的方法，其中所述至少一個(gè)光電子結(jié)構(gòu)(2)在其朝向所述載體(4)的一側(cè)具有η型側(cè)的接觸部位(27)和P型側(cè)的接觸部位(28)，其中所述接觸部位(27，28 )在將所述至少一個(gè)光電子結(jié)構(gòu)(2 )施加到所述載體(4)上時(shí)導(dǎo)電地與所述 載體(4)連接。
【文檔編號(hào)】H01L33/44GK103430330SQ201280013293
【公開(kāi)日】2013年12月4日 申請(qǐng)日期:2012年3月12日 優(yōu)先權(quán)日:2011年3月14日
【發(fā)明者】西格弗里德·赫爾曼, 斯特凡·伊萊克 申請(qǐng)人:歐司朗光電半導(dǎo)體有限公司