有機電致發(fā)光器件的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及磷光有機電致發(fā)光器件，其在發(fā)光層中具有低濃度的磷光發(fā)光體。
【專利說明】有機電致發(fā)光器件
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及磷光有機電致發(fā)光器件，其在發(fā)光層中具有低濃度的磷光發(fā)光體。
【背景技術】
[0002]例如在US4539507、US5151629、EP0676461 和 W098/27136 中描述了其中有機半導體用作功能材料的有機電致發(fā)光器件(OLED)的結構。此處使用的發(fā)光材料越來越多地是顯示磷光而不是突光的有機金屬絡合物(M.A.Baldo等人，Appl.Phys.Lett.(應用物理快報)1999, 75,4-6)。出于量子力學原因，使用有機金屬化合物作為磷光發(fā)光體可以實現(xiàn)最高達四倍的能量和功率效率。然而，通常仍需要改進0LED，特別是顯示三重態(tài)發(fā)光(磷光)的OLED。
[0003]在根據(jù)現(xiàn)有技術的OLED情況中，磷光發(fā)光體通常以10體積％或更高的濃度使用。在大批量生產(chǎn)中，除了這些元素稀有，使用磷光發(fā)光體特別是銥或鉬絡合物的一個問題是，熱穩(wěn)定性不總是足夠的。為了獲得高的周期時間，希望具有高的氣相沉積速率。然而，由于相關的較高氣相沉積溫度和由此導致的絡合物熱分解，上述目的僅在有限程度上是可能的。一種可能性是降低發(fā)光體濃度，即使熱不穩(wěn)定，也能夠達到較長的周期時間，原因是較低的氣相沉積速率是足夠的。然而，如果發(fā)光體濃度顯著低于10體積％，則根據(jù)現(xiàn)有技術發(fā)光層的效率和壽命顯著下降。這種情況特別適用于綠色或藍色磷光發(fā)光體，而其中發(fā)光體濃度低于10體積％的紅色發(fā)光OLED存在且顯示良好的性質，這是已知的。
[0004]特別地，隨著發(fā)光體濃度降低，所謂的“滾降(Roll-Off)”特性也變得更重要。這是指有機電致發(fā)光器件在高發(fā)光密度下的效率通常顯著低于在低發(fā)光密度下的效率。因此，在低的發(fā)光密度下獲得高的效率，而在高的發(fā)光密度下僅獲得低的效率。相反，在高發(fā)光密度下較高的量子效率將導致較高的功率效率，并因此導致所述OLED的較低的能量消耗。
[0005]在根據(jù)現(xiàn)有技術的OLED中，此外也觀察到電致發(fā)光器件的性質對發(fā)光體濃度的相對高的依賴性。這導致在大批量生產(chǎn)中小的操作范圍，即，即使在氣相沉積速率微小變化且因此發(fā)光體濃度微小變化的情況中，也觀察到電致發(fā)光器件性質的大的偏差。因此為了操作安全性，希望達到對于氣相沉積速率的變化的較大容許度。
[0006]在根據(jù)現(xiàn)有技術的OLED中，此外觀察到OLED的性質基本取決于磷光發(fā)光體的HOMO或LUMO的位置，特別是取決于發(fā)光體的HOMO的位置。特別是在磷光鉬絡合物的情況下，這可能導致空穴注入的問題，且因此導致這些絡合物的降低的效率和/或壽命。此處希望進行進一步改進。
[0007]因此，本發(fā)明基于的技術問題是提供如下的磷光有機電致發(fā)光器件，其雖然使用低于10%的低發(fā)光體濃度，仍顯示良好的滾降特性，發(fā)光性質對發(fā)光體濃度的低依賴性，和/或發(fā)光性質對發(fā)光體HOMO或LUMO位置的低依賴性，且其中另外，與以10體積％或更高濃度包含磷光發(fā)光體的OLED相比，不損害或至少不顯著損害效率和壽命。
[0008]令人驚奇地，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)通過如下所述的有機電致發(fā)光器件解決了該問題。特別地，已經(jīng)觀察到，所述性質主要取決于電子阻擋層的HOMO和發(fā)光層的HOMO的差值，以及空穴阻擋層的LUMO和發(fā)光層的LUMO的差值。

【發(fā)明內容】

[0009]因此，本發(fā)明涉及一種有機電致發(fā)光器件，其具有≤570nm的發(fā)光最大值，其按順序包括陽極、電子阻擋層(EBL)、磷光發(fā)光層(EML)、空穴阻擋層(HBL)和陰極，所述磷光發(fā)光層包含至少一種磷光化合物和至少一種基質材料，其中所有磷光化合物的總濃度為< 10體積％，其中所述電致發(fā)光器件在所述發(fā)光層和所述陰極之間不包含鋁金屬絡合物，其特征在于以下適用于所述層:
[0010]a) HOMO (EBL) -HOMO (EML) ≤ 0.4eV ；
[0011 ] b) LUMO (EML) -LUMO (HBL) ≤ 0.4eV ；
[0012]c) EML的所有基質材料的HOMO≥_6.0eV ;且
[0013]d) LUMO (EML) ≤_2.5eV。
[0014]在本發(fā)明意義上的電子阻擋層是與發(fā)光層在陽極側直接相鄰的層。此處電子阻擋層也可以同時是空穴傳輸層或激子阻擋層。HOMO(EBL)是電子阻擋層材料的Η0Μ0。在由多種材料組成的該層中，HOMO(EBL)是這些材料的最高HOMO。LUMO(EBL)是電子阻擋層材料的LUM0。如果該層由多種材料構成，則LUMO(EBL)是這些材料的最低LUMO。
[0015]在本發(fā)明意義上的磷光發(fā)光層是包含磷光化合物的層。HOMO(EML)是所述發(fā)光層的基質材料的Η0Μ0。在單種基質的情況下，HOMO (EML)是該基質材料的Η0Μ0。當使用多種基質材料時(“混合基質”)，HOMO(EML)是基質組分的最高HOMO。LUMO(EML)是所述發(fā)光層的基質材料的LUM0。在單種基質的情況下，LUMO (EML)是該基質材料的LUMO。當使用多種基質材料時(“混合基質”)，LUMO(EML)是基質組分的最低LUM0。
[0016]在本發(fā)明意義上的磷光化合物是在室溫下顯示從具有相對高自旋多重度的激發(fā)態(tài)的發(fā)光，特別是從激發(fā)三重態(tài)發(fā)光的化合物。為了本發(fā)明的目的，所有發(fā)光的過渡金屬絡合物和所有發(fā)光的鑭系金屬絡合物，特別是所有發(fā)光的銥、鉬和銅化合物，被認為是磷光化合物。
[0017]在本發(fā)明意義上的基質材料是存在于發(fā)光層中且不是磷光化合物的任何材料。
[0018]在本發(fā)明意義上的空穴阻擋層是與發(fā)光層在陰極側直接相鄰的層。此處空穴阻擋層也可以同時是電子傳輸層。LUMO(HBL)是空穴阻擋層的材料的LUM0。如果該層由多種材料組成，則LUMO(HBL)是這些材料的最低LUMO。HOMO(HBL)是空穴阻擋層材料的Η0Μ0。如果該層由多種材料構成，則HOMO (HBL)是這些材料的最高Η0Μ0。
[0019]如以下在實施例部分中所一般性解釋的，通過量子化學計算確定Η0Μ0 (最高占據(jù)分子軌道)、LUMO (最低未占分子軌道)和三重態(tài)能級T1。
[0020]為清楚起見，此處再次強調，根據(jù)定義，Η0Μ0和LUMO值是負數(shù)值。因此最高Η0Μ0是具有最小絕對值的Η0Μ0，且最低LUMO是具有最大絕對值的LUM0。
[0021]在本發(fā)明意義上的發(fā)光最大值被認為是指有機電致發(fā)光器件的電致發(fā)光光譜的最大值。有機電致發(fā)光領域中的普通技術人員已知何種發(fā)光體具有何種發(fā)光最大值，因此他們能夠選擇具有發(fā)光最大值< 570nm的適當發(fā)光體。
[0022]所述有機電致發(fā)光器件不必須僅包含從有機或有機金屬材料構造的層。因此，陽極、陰極和/或一個或多個層還可以包含無機材料或完全從無機材料構造。[0023]在本發(fā)明的優(yōu)選實施方式中，所述有機電致發(fā)光器件的發(fā)光最大值< 560nm，特別優(yōu)選< 550nm，非常特別優(yōu)選< 540nm。
[0024]一般說來，由于經(jīng)濟原因且由于金屬銥和鉬稀有，希望選擇發(fā)光層中的磷光化合物的比例使其盡可能小，只要這不伴隨有對有機電致發(fā)光器件性質的顯著損害。因此，在本發(fā)明的另外優(yōu)選的實施方式中，在所述發(fā)光層中的所有磷光化合物的總濃度< 9體積％，特別優(yōu)選< 8體積％，非常特別地< 7體積％。
[0025]此外，在所述發(fā)光層中的所有磷光化合物的總濃度優(yōu)選> I體積％，特別優(yōu)選> 2體積％，非常特別優(yōu)選> 3體積％。這種優(yōu)選是由于如下事實:在磷光化合物的濃度低于I體積％時，通常會損害效率、壽命和/或滾降特性。 [0026]在本發(fā)明的另外優(yōu)選的實施方式中，HOMO (EBL)-HOMO (EML) ( 0.35eV，特別優(yōu)選(0.3eV，非常特別優(yōu)選< 0.25eV。
[0027]在本發(fā)明的又一另外的優(yōu)選實施方式中，LUMO (EML)-LUMO (HBL) ( 0.35eV，特別優(yōu)選< 0.3eV，非常特別優(yōu)選< 0.25eV。
[0028]在本發(fā)明的又一另外的優(yōu)選實施方式中，HOMO(EML)，即發(fā)光層中所有基質組分的HOMO≥-5.8eV，特別優(yōu)選≥-5.7eV，非常特別優(yōu)選≥-5.6eV，特別是≥-5.55eV。
[0029]在本發(fā)明的又一另外的優(yōu)選實施方式中，LUMO(EML)，即發(fā)光層中所有基質組分的LUMO≤ -2.55eV，特別選優(yōu)選≤-2.6eV。
[0030]對于所述發(fā)光體，相對于所述一種或多種基質材料，優(yōu)選適用如下關系:
[0031 ] HOMO (發(fā)光體)-HOMO (EML) ( 0.3eV 和 / 或
[0032]LUMO (EML) -LUMO (發(fā)光體)(0.3eV。
[0033]此處，HOMO (發(fā)光體)和LUMO (發(fā)光體)在每種情況下分別是磷光發(fā)光體的HOMO和題0。
[0034]在本發(fā)明的另外的優(yōu)選實施方式中，在所述發(fā)光層和所述陰極之間不存在金屬絡合物。該優(yōu)選是由于金屬絡合物通常低的熱穩(wěn)定性和對于水解的高敏感性，其中金屬絡合物通常用作電子傳輸材料或空穴阻擋材料。此外，如在配體中例如在Alq3中所使用的羥基喹啉是致突變的，因此希望避免這類絡合物。
[0035]上述優(yōu)選實施方式可以根據(jù)需要彼此結合。上述優(yōu)選實施方式特別優(yōu)選同時發(fā)生。
[0036]因此優(yōu)選如下的有機電致發(fā)光器件，其具有≤560nm的發(fā)光最大值，其在所述發(fā)光層中包含的所有磷光化合物的總濃度為I至9體積％，且其在所述發(fā)光層和所述陰極之間不包含金屬絡合物，其特征在于以下適用于所述層:
[0037]a) HOMO (EBL) -HOMO (EML) ( 0.35eV ；
[0038]b) LUMO (EML) -LUMO (HBL) ( 0.35eV ；
[0039]c) EML的所有基質材料的HOMO≥_5.9eV ;且
[0040]d) LUMO (EML) ( _2.55eV。
[0041]特別優(yōu)選如下的有機電致發(fā)光器件，其具有< 550nm的發(fā)光最大值，其在所述發(fā)光層中包含的所有磷光化合物的總濃度為2至8體積％，且其在所述發(fā)光層和所述陰極之間不包含金屬絡合物，其特征在于以下適用于所述層:
[0042]a) HOMO (EBL) -HOMO (EML) ( 0.3eV ；[0043]b) LUMO (EML) -LUMO (HBL) ≤0.3eV ；
[0044]c) EML的所有基質材料的HOMO≥-5.8eV ;且
[0045]d) LUMO (EML) ≤ -2.6eV。
[0046]因此非常特別優(yōu)選如下的有機電致發(fā)光器件，其具有≤540nm的發(fā)光最大值，其在所述發(fā)光層中包含的所有磷光化合物的總濃度為3至7體積％，且其在所述發(fā)光層和所述陰極之間不包含金屬絡合物，其特征在于以下適用于所述層:
[0047]a) HOMO (EBL) -HOMO (EML) ≤ 0.25eV ；
[0048]b) LUMO (EML) -LUMO (HBL) ≤ 0.25eV ；
[0049]c) EML的所有基質材料的HOMO≥-5.8eV ;且
[0050]d) LUMO (EML) ≤ -2.6eV。
[0051]此外，在本發(fā)明的有機電致發(fā)光器件中，優(yōu)選適用如下條件:
[0052]在本發(fā)明的優(yōu)選實施方式中，HOMO(EBL)≤-5.5eV，特別優(yōu)選≤-5.45eV，非常特別優(yōu)選≤-5.4eV，特別是≤-5.35eV。特別地，所述EBL的所有材料的Η0Μ0優(yōu)選≤-5.5eV,特別優(yōu)選≤-5.45eV，非常特別優(yōu)選≤-5.4eV，特別是≤-5.35eV。
[0053]在本發(fā)明的另外的優(yōu)選實施方式中，LUMO (HBL) ( - 2.5eV。所述HBL的所有材料的LUMO特別優(yōu)選≤-2.5eV。
[0054]在本發(fā)明的另外的優(yōu)選實施方式中，三重態(tài)能級T1 (發(fā)光體)-T1 (基質)<0.2eV，特別優(yōu)選<0.15eV，非常特別優(yōu)選<0.leV。此處T1 (基質)是發(fā)光層中基質材料的三重態(tài)能級，且T1 (發(fā)光體)是磷光發(fā)光體的三重態(tài)能級。如果發(fā)光層包含多種基質材料，則上述關系優(yōu)選適用于各種基質材料。
[0055]在本發(fā)明的另外的優(yōu)選實施方式中，三重態(tài)能級T1 (發(fā)光體)-T1(EBL) ( 0.3eV,特別優(yōu)選< 0.25eV，非常特別優(yōu)選< 0.2eV。此處T1 (EBL)是電子阻擋層材料的三重態(tài)能級。如果電子阻擋層由多種材料組成，則該條件優(yōu)選適用于電子阻擋層的所有材料。
[0056]在本發(fā)明的另外的優(yōu)選實施方式中，三重態(tài)能級T1 (發(fā)光體)-T1(HBL) ( 0.3eV,特別優(yōu)選< 0.25eV，非常特別優(yōu)選< 0.2eV。此處T1 (HBL)是空穴阻擋層材料的三重態(tài)能級。如果空穴阻擋層由多種材料組成，則該條件優(yōu)選適用于空穴阻擋層的所有材料。
[0057]在本發(fā)明的另外的優(yōu)選實施方式中，所述發(fā)光層包含確切地一種磷光化合物，特別是磷光金屬絡合物。以下更詳細地顯示了適當?shù)牧坠饨饘俳j合物。
[0058]在本發(fā)明的優(yōu)選實施方式中，所述發(fā)光層包含確切地一種基質材料，上述對于Η0Μ0和LUMO的條件適用于該基質材料。
[0059]在本發(fā)明的另外的優(yōu)選實施方式中，所述發(fā)光層包含兩種或更多種不同的基質材料(“混合基質”)，特別優(yōu)選兩種或三種基質材料。
[0060]如果使用兩種或更多種基質材料，則具有最高Η0Μ0的組分的濃度優(yōu)選< 50體積％，特別優(yōu)選< 45體積％，非常特別優(yōu)選< 40體積％，特別是< 35體積％。
[0061]如果使用兩種或更多種基質材料，則具有最高Η0Μ0的組分的濃度此外優(yōu)選> 4體積％，特別優(yōu)選> 6體積％，非常特別優(yōu)選> 8體積％，特別是> 10體積％。
[0062]在本發(fā)明的另外的優(yōu)選實施方式中，具有最高Η0Μ0的基質材料不存在于電子阻擋層中。
[0063]為使電子阻擋層有效地阻擋電子，如下條件優(yōu)選適用:LUMO (EBL) -LUMO (EML)≥0.2eV，特別優(yōu)選≤0.25eV，非常特別優(yōu)選≥0.3eV，特別是≥ 0.35eV。
[0064]為使空穴阻擋層有效地阻擋空穴，如下條件優(yōu)選適用=HOMO(EML)-HOMO(HBL)≥0.2eV，特別優(yōu)選≥0.25eV，非常特別優(yōu)選≥0.3eV，特別是≥0.35eV。
[0065]除電子阻擋層、發(fā)光層和空穴阻擋層之外，本發(fā)明有機電致發(fā)光器件還可以包括另外的層，例如空穴注入和/或空穴傳輸層、電子注入和/或電子傳輸層、電荷產(chǎn)生層或其它中間層。
[0066]在本發(fā)明的優(yōu)選實施方式中，本發(fā)明的有機電致發(fā)光器件包括確切地一個發(fā)光層。
[0067]在本發(fā)明的優(yōu)選實施方式中，所述有機電致發(fā)光器件在陽極和電子阻擋層之間包括至少一個空穴傳輸層(HTL)，其中如下是優(yōu)選的:H0M0(HTL)-HOMO (EBL) ≤ 0.4eV，特別優(yōu)選≤0.35eV，非常特別優(yōu)選≤0.3eV，特別是≤0.25eV。此處HOMO (HTL)是空穴傳輸層的HOMO。如果該層由多種材料組成，則HOMO (HTL)是這些材料的最高HOMO。
[0068]在本發(fā)明的另外的優(yōu)選實施方式中，所述有機電致發(fā)光器件在陰極和空穴阻擋層之間包括至少一個電子傳輸層(ETL)。對于所述電子傳輸層，LUMO(ETL) <-2.5eV優(yōu)選適用于該層的LUM0。此處LUMO(ETL)是電子傳輸層的LUM0。如果該層由多種材料組成，則LUMO(ETL)是這些材料的具有最大絕對值的LUM0，即，最低LUM0。
[0069]在本發(fā)明的特別優(yōu)選的實施方式中，本發(fā)明的有機電致發(fā)光器件包括至少一個空穴傳輸層和至少一個電子傳輸層兩者。
[0070]只要所述材料滿足上述關于物理參數(shù)的條件，用于電子阻擋層中、發(fā)光層中、空穴阻擋層中以及可能存在的另外層中的材料的確切結構就是次重要的。一般說來，可以使用如通常用于這些層中的所有材料，只要所述材料以如下的方式彼此匹配，所述方式是滿足如上所述的物理參數(shù)。本領域普通技術人員將能夠無問題地確定相應的物理參數(shù)，且能夠選擇適當?shù)牟牧辖M合。
[0071]如果使用兩種或更多種基質材料，則具有最聞Η0Μ0的基質材料組分優(yōu)選選自:二芳基胺衍生物、咔唑衍生物、稠合咔唑衍生物以及二氮雜硅雜環(huán)戊二烯和四氮雜硅雜環(huán)戊二烯衍生物。在本申請意義上的三芳基胺衍生物被認為是指其中三個芳族或雜芳族基團鍵合至氮的化合物。此處所述化合物同樣可以含有多于一個氨基基團，或所述芳族基團可以彼此連接，例如通過碳橋連基或單鍵彼此連接。在本申請意義上的咔唑衍生物被認為是指咔唑或氮雜咔唑，其優(yōu)選含有鍵合至氮的芳族或雜芳族基團且還可以被取代。在本申請意義上的稠合咔唑衍生物被認為是指如下的咔唑或氮雜咔唑，其上稠合有至少一個另外的芳族和/或非芳族環(huán)。因此，例如，形成吲哚并咔唑或茚并咔唑。此外，在所述咔唑氮上的芳族或雜芳族取代基可以通過單鍵或橋連基例如碳橋連基連接至咔唑骨架。
[0072]優(yōu)選的三芳基胺衍生物是如下式(I)至(7)的化合物，
[0073]
【權利要求】
1.一種有機電致發(fā)光器件，其具有< 570nm的發(fā)光最大值，其按順序包括陽極、電子阻擋層(EBL)、磷光發(fā)光層(EML)、空穴阻擋層(HBL)和陰極，所述磷光發(fā)光層包含至少一種磷光化合物和至少一種基質材料，其中所有磷光化合物的總濃度為< 10體積％，其中所述電致發(fā)光器件在所述發(fā)光層和所述陰極之間不包含鋁金屬絡合物，其特征在于以下適用于所述層:
a)HOMO(EBL)-HOMO (EML) ( 0.4eV ；
b)LUMO(EML)-LUMO(HBL)( 0.4eV ； c)EML的所有基質材料的HOMO^ -6.0eV ;且
d)LUMO (EML) ( -2.5eV ； 其中HOMO (EBL)代表電子阻擋層材料的Η0Μ0，HOMO (EML)代表發(fā)光層基質材料的Η0Μ0，LUMO(EML)代表發(fā)光層基質材料的LUM0，且LUMO (HBL)代表空穴阻擋層材料的LUM0。
2.根據(jù)權利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于在所述發(fā)光層中所有磷光化合物的總濃度為I至9體積％，優(yōu)選2至8體積％。
3.根據(jù)權利要求1或2所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于以下是適用的:
a)Η0Μ0 (發(fā)光體)-HOMO (EML) ( 0.3eV ;且
b)LUMO (EML) -LUMO (發(fā)光體)(0.3eV, 其中Η0Μ0 (發(fā)光體)和LUMO (發(fā)光體)分別代表所述磷光發(fā)光體的Η0Μ0和LUM0。
4.根據(jù)權利要求1至3中的一項或多項所述的有機電致發(fā)光器件，其具有<560nm的發(fā)光最大值，其在所述發(fā)光層中包含的所有磷光化合物的總濃度為I至9體積％，且其在所述發(fā)光層和所述陰極之間不包含鋁金屬絡合物，其特征在于以下適用于所述層:
a)HOMO(EBL)-HOMO (EML) ( 0.35eV ；
b)LUMO(EML)-LUMO(HBL)( 0.35eV ； c)EML的所有基質材料的HOMO≤-5.9eV ;且
d)LUMO (EML) ( -2.55eV。
5.根據(jù)權利要求1至4中的一項或多項所述的有機電致發(fā)光器件，其具有<550nm的發(fā)光最大值，其在所述發(fā)光層中包含的所有磷光化合物的總濃度為2至8體積％，且其在所述發(fā)光層和所述陰極之間不包含鋁金屬絡合物，其特征在于以下適用于所述層:
a)HOMO(EBL)-HOMO (EML) ( 0.3eV ；
b)LUMO(EML)-LUMO(HBL)( 0.3eV ； c)EML的所有基質材料的HOMO≤-5.8eV ;且
d)LUMO (EML) ( -2.6eV。
6.根據(jù)權利要求1至5中的一項或多項所述的有機電致發(fā)光器件，其具有<540nm的發(fā)光最大值，其在所述發(fā)光層中包含的所有磷光化合物的總濃度為3至7體積％，且其在所述發(fā)光層和所述陰極之間不包含鋁金屬絡合物，其特征在于以下適用于所述層:
a)HOMO(EBL)-HOMO (EML) ( 0.25eV ；`
b)LUMO(EML)-LUMO(HBL)( 0.25eV ； c)EML的所有基質材料的HOMO≤-5.8eV ;且
d)LUMO (EML) ( -2.6eV。
7.根據(jù)權利要求1至6中的一項或多項所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于HOMO (EBL)≥-5.5eV。
8.根據(jù)權利要求1至7中的一項或多項所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于以下是適用的: T1 (發(fā)光體)-T1 (基質)^ 0.2eV, 其中T1 (基質)代表基質材料的三重態(tài)能級，且T1 (發(fā)光體)代表磷光發(fā)光體的三重態(tài)能級。
9.根據(jù)權利要求1至8中的一項或多項所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于以下是適用的:
a)T1 (發(fā)光體)-T1 (EBL) ( 0.3eV 且
b)T1 (發(fā)光體)-T1 (HBL) ( 0.3eV, 其中T1 (EBL)代表電子阻擋層材料的三重態(tài)能級，且T1 (HBL)代表空穴阻擋層材料的三重態(tài)能級。
10.根據(jù)權利要求1至9中的一項或多項所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，如果使用兩種或更多種基質材料，則具有最高HOMO的組分的濃度為4至50體積％。
11.根據(jù)權利要求1至10中的一項或多項所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于以下是適用的:LUM0 (EBL)-LUMO (EML)≥ 0.2eV。
12.根據(jù)權利要求1至11中的一項或多項所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于以下是適用的:H0M0 (EML) - HOMO (HBL)≥ 0.2eV。
13.根據(jù)權利要求1至12中的一項或多項所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，如果使用兩種或更多種基質材料，則具有最聞HOMO的基質材料組分選自:二芳基胺衍生物、橋連三芳基胺衍生物、咔唑衍生物、氮雜咔唑衍生物、稠合咔唑衍生物、二氮雜硅雜環(huán)戊二烯和四氮雜硅雜環(huán)戊二烯衍生物以及二苯并呋喃和苯并呋喃基二苯并呋喃衍生物。
14.根據(jù)權利要求1至13中的一項或多項所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，如果使用兩種或更多種基質材料，則具有最低LUMO的基質材料組分選自:芳族酮、芳族氧化膦、芳族亞砜或砜、硅烷、氮雜硼雜環(huán)戊二烯、硼酸酯、三嗪衍生物、嘧啶衍生物、二氮雜磷雜環(huán)戊二烯衍生物、被缺電子雜芳族基團取代的吲哚并咔唑衍生物、或被缺電子雜芳族基團取代的茚并咔唑衍生物。
【文檔編號】H01L51/50GK103477462SQ201280017350
【公開日】2013年12月25日 申請日期:2012年3月7日 優(yōu)先權日:2011年4月5日
【發(fā)明者】克里斯托夫·普夫盧姆, 尼爾斯·舒爾特 申請人:默克專利有限公司