用于將材料沉積在基板上的設(shè)備的制作方法
【專利摘要】本文提供用于將材料沉積在基板上的方法及設(shè)備。在一些實(shí)施方式中，用于處理基板的設(shè)備可包括：處理腔室，該處理腔室具有安置于該處理腔室中的基板支撐件，以支撐基板的處理表面；噴射器，該噴射器被安置至基板支撐件的第一側(cè)，且該噴射器具有第一流動(dòng)路徑以提供第一處理氣體及具有第二流動(dòng)路徑以獨(dú)立于第一處理氣體而提供第二處理氣體，其中噴射器被定位以提供第一處理氣體及遍及基板的處理表面；噴淋頭，該噴淋頭安置于基板支撐件的上方以提供第一處理氣體至基板的處理表面；以及排氣口，該排氣口安置于基板支撐件的第二側(cè)且與噴射器相對以從處理腔室排出第一處理氣體及第二處理氣體。
【專利說明】用于將材料沉積在基板上的設(shè)備
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明的實(shí)施方式大體而言是涉及用于將材料沉積在基板上的方法及設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002]因?yàn)榛パa(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)器件的臨界尺寸繼續(xù)縮小，舉例而言，需要將新穎材料并入CMOS架構(gòu)中以改良能量效率和/或速度。一個(gè)此族材料是II1- V族材料，該II1- V族材料可用在諸如晶體管器件的溝道中。不幸地，當(dāng)前處理設(shè)備及方法未能出產(chǎn)具有適當(dāng)材料品質(zhì)的II1- V族膜，這些材料品質(zhì)諸如低缺陷密度、成分控制、高純度、形態(tài)、晶片中均勻性(in-wafer uniformity)及批次(run to run)重現(xiàn)性。
[0003]因此，
【發(fā)明者】已提供用于將諸如例如II1- V族材料之類的材料沉積在基板上的改良的方法及設(shè)備。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本文提供用于將材料沉積在基板上的方法及設(shè)備。在一些實(shí)施方式中，本發(fā)明的方法及設(shè)備可有利地用于將II1- V族材料沉積在基板上。在一些實(shí)施方式中，用于處理基板的設(shè)備可包括:處理腔室，該處理腔室具有溫控反應(yīng)容積，該溫控反應(yīng)容積包括包含石英的內(nèi)表面，且該處理腔室具有基板支撐件，該基板支撐件安置于該溫控反應(yīng)容積內(nèi)部以支撐基板的處理表面；加熱系統(tǒng)，該加熱系統(tǒng)安置于基板支撐件的下方以提供熱能至基板支撐件；噴射器，該噴射器被安置至基板支撐件的第一側(cè)，且該噴射器具有第一流動(dòng)路徑以提供第一處理氣體及該噴射器具有第二流動(dòng)路徑以獨(dú)立于第一處理氣體提供第二處理氣體，其中噴射器被定位以提供第一處理氣體及第ニ處理氣體遍及基板的處理表面；噴淋頭，該噴淋頭安置于基板支撐件的上方以提供第一處理氣體至基板的處理表面；以及加熱排氣歧管，該加熱排氣歧管被安置至基板支撐件的第二側(cè)，與噴射器相對以從處理腔室排出第一處理氣體及第ニ處理氣體。
[0005]在一些實(shí)施方式中，在基板上沉積層的方法可包括以下步驟:清潔處理容積內(nèi)的表面；在引入基板至處理容積之前在處理容積內(nèi)部建立溫度；流動(dòng)第一處理氣體至處理容積中并遍及基板的處理表面；從處理表面的上方獨(dú)立地流動(dòng)第一處理氣體至處理容積中且朝向處理表面；流動(dòng)第二處理氣體至處理容積中并遍及處理表面；以及在由第一處理氣體及第ニ處理氣體于處理表面上形成一個(gè)或更多個(gè)層期間調(diào)節(jié)基板的處理表面的溫度。
[0006]本發(fā)明的其他及進(jìn)ー步實(shí)施方式描述如下。
_7]附圖簡要說明
[0008]上文簡要概述且于下文更詳細(xì)論述的本發(fā)明的實(shí)施方式，可通過參照附圖中圖示的本發(fā)明的說明性實(shí)施方式來理解。然而，應(yīng)注意，附圖僅圖示本發(fā)明的典型實(shí)施方式，因此不將附圖視為本發(fā)明范圍的限制，因?yàn)楸景l(fā)明可允許其他同等有效的實(shí)施方式。
[0009]圖1A圖示根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施方式的處理腔室的示意性側(cè)視圖。
[0010]圖1B圖示根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施方式的處理腔室及維護(hù)殼體的示意性俯視圖。[0011]圖2圖示根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施方式的處理腔室的部分示意性俯視圖，該圖示出處理腔室的噴射器及排氣ロ的配置。
[0012]圖3A至圖3C分別圖示根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施方式的噴射器的示意性正視圖及側(cè)視圖。
[0013]圖4A至圖4B分別圖示根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施方式的噴射器的示意性正視圖。
[0014]圖5圖示根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施方式的噴淋頭的示意性側(cè)視圖。
[0015]圖6圖示根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施方式將層沉積在基板上的方法的流程圖。
[0016]圖7圖示根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施方式沉積于基板上的層。
[0017]為了促進(jìn)理解，在可能情況下已使用相同的標(biāo)記數(shù)字以標(biāo)示為各圖所共用的相同元件。這些圖并非按比例繪制且這些圖為清晰起見可能被簡化?？梢灶A(yù)期，一個(gè)實(shí)施方式的元件及特征可有利地并入其他實(shí)施方式中而無需進(jìn)ー步敘述。
[0018]具體描沭
[0019]本文提供用于將材料沉積在基板上的方法及設(shè)備。在一些實(shí)施方式中，本發(fā)明的方法及設(shè)備可有利地用于將II1- V族材料沉積在基板上。本發(fā)明的方法及設(shè)備的實(shí)施方式可有利地提供適用于例如CMOS應(yīng)用的改良II1- V族膜的沉積。在至少ー些實(shí)施方式中，改良的設(shè)備可滿足由主流半導(dǎo)體エ業(yè)放在當(dāng)前外延硅及硅鍺反應(yīng)器上的ー些或所有期望。舉例而言，在一些實(shí)施方式中，如與常規(guī)的市售反應(yīng)器相比，改良的設(shè)備可促進(jìn)在特定基板的內(nèi)部具有更佳材料品質(zhì)(例如更低缺陷密度、良好成分控制、更高純度、良好形態(tài)及更高均勻性中的一個(gè)或更多個(gè)品質(zhì))的外延膜在諸如300mm的硅晶片上生長且按批次生長。在至少ー些實(shí)施方式中，改良設(shè)備可提供可靠運(yùn)行及延長的反應(yīng)器(及エ藝)穩(wěn)定性，由于較不頻繁的維護(hù)周期與介入而具有更少殘留物蓄積。在至少ー些實(shí)施方式中，改良設(shè)備可提供設(shè)備的安全及有效維護(hù)，從而導(dǎo)致設(shè)備的縮短的停エ時(shí)間及高整體可用性。因此，如與常規(guī)的市售反應(yīng)器相比，本文所述的改良設(shè)備及方法的使用可有利地提供在CMOS器件生產(chǎn)中的II1- V族材料的改良沉積。
[0020]圖1A圖示根據(jù)本發(fā)明的一些實(shí)施方式的處理腔室100的示意性側(cè)視圖。在ー些實(shí)施方式中，處理腔室100可自市售的處理腔室改動(dòng)而得，諸如可購自California(加利福尼亞)州Santa Clara(圣克拉拉)的Applied Materials, Inc.(應(yīng)用材料公司)的RP EPI?
反應(yīng)器，或被調(diào)適成執(zhí)行外延硅沉積エ藝的任何適當(dāng)半導(dǎo)體處理腔室。處理腔室100可被調(diào)適成執(zhí)行外延沉積エ藝，例如如與下文關(guān)于圖6論述的方法，且處理腔室100說明性地包含腔室主體110、溫控反應(yīng)容積101、噴射器114、可選噴淋頭170及加熱排氣歧管118。處理腔室100可進(jìn)ー步包括如將在下文更詳細(xì)論述的支撐系統(tǒng)130及控制器140。
[0021]噴射器114可安置于在腔室主體110內(nèi)部安置的基板支撐件124的第一側(cè)121上以提供多個(gè)處理氣體，諸如當(dāng)基板安置于基板支撐件124內(nèi)時(shí)遍及基板125的處理表面123的第一處理氣體及第ニ處理氣體。舉例而言，可從氣體控制板(gas panel) 108提供多個(gè)處理氣體。噴射器114可具有提供第一處理氣體的第一流動(dòng)路徑及獨(dú)立于第一處理氣體提供第二處理氣體的第二流動(dòng)路徑。第一流動(dòng)路徑及第二流動(dòng)路徑的實(shí)施方式將于下文關(guān)于圖3A至圖3B及圖4A至圖4B論述。
[0022]加熱排氣歧管118可被安置至基板支撐件124的第二側(cè)129，與噴射器114相対，以從處理腔室100排出第一處理氣體及第ニ處理氣體。加熱排氣歧管118可包括開ロ，該開ロ具有與基板125的直徑大約相同或稍大的寬度。加熱排氣歧管可包括黏著カ減少襯墊117。舉例而言,黏著カ減少襯墊117可包含石英、鎳浸潰含氟聚合物(nickel impregnatedfluoropolymer)或上述物質(zhì)的類似物中的一種或更多種。
[0023]腔室主體110通常包括上部部分102、下部部分104及殼體120。上部部分102安置于下部部分104上且上部部分102包括腔室蓋106及上腔室襯墊116。在一些實(shí)施方式中，可提供上高溫計(jì)156以提供在處理期間關(guān)于基板的處理表面的溫度的數(shù)據(jù)。諸如安置于腔室蓋106的頂上的夾環(huán)和/或上腔室襯墊可靜置于其上的底板(baseplate)的額外元件已自圖1A中省略，但這些額外元件視情況可包含于處理腔室100中。腔室蓋106可具有任何適當(dāng)?shù)膸缀涡螤?，諸如平坦(如圖所示)或具有類拱頂(dome)的形狀(未圖示)，亦預(yù)期諸如反向曲線(reverse curve)蓋的其他形狀。在一些實(shí)施方式中，腔室蓋106可包含諸如石英或石英的類似物之類的材料。因此，腔室蓋106可至少部分地反射從基板125和/或從安置于基板支撐件124的下方的燈輻射的能量。在提供噴淋頭170且該噴淋頭170是安置于蓋(未圖示)的下方的單獨(dú)部件的實(shí)施方式中，噴淋頭170可包含諸如石英或石英的類似物之類的材料，例如，從而至少部分地反射如上論述的能量。如圖所示，上腔室襯墊116可安置于噴射器114及加熱排氣歧管118的上方，且可安置于腔室蓋106的下方。在ー些實(shí)施方式中，上腔室襯墊116可包含諸如石英或石英的類似物之類的材料，例如，從而至少部分地反射如上論述的能量。在一些實(shí)施方式中，上腔室襯墊116、腔室蓋106及下腔室襯墊131 (將于下文論述)可為石英，進(jìn)而有利地提供圍繞基板125的石英封套。
[0024]下部部分104通常包含底板組件119、下腔室襯墊131、下拱頂132、基板支撐件124、預(yù)加熱環(huán)122、基板升降(lift)組件160、基板支撐件組件164、加熱系統(tǒng)151及下高溫計(jì)158。加熱系統(tǒng)151可安置于基板支撐件124的下方以提供熱能至基板支撐件124。加熱系統(tǒng)151可包含ー個(gè)或更多個(gè)外燈152及一個(gè)或更多個(gè)內(nèi)燈154。雖然術(shù)語“環(huán)”被用以描述處理腔室的某些部件，諸如預(yù)加熱環(huán)122，但是預(yù)期這些部件的形狀不必為圓形并且可包括(包括但不限干)矩形、多邊形、橢圓形及上述形狀的類似形狀的任何形狀。下腔室襯墊131可安置于噴射器114及加熱排氣歧管118的下方，且可安置于例如底板組件119的上方。噴射器114及加熱排氣歧管118通常安置于上部部分102與下部部分104之間，且噴射器114及加熱排氣歧管118可耦接至上部部分102及下部部分104的任ー個(gè)或兩個(gè)。
[0025]圖2圖示處理腔室100的部分示意性俯視圖，該圖示出噴射器114及加熱排氣歧管118的配置。如圖所示，噴射器114及排氣歧管118安置于基板支撐件124的相對側(cè)。噴射器114可包括多個(gè)噴射器ロ 202以提供處理氣體至處理腔室100的內(nèi)容積。多個(gè)噴射器ロ 202可周期地沿著面對噴射器114邊緣的基板以ー圖案安置，該圖案適于提供大體上遍及基板125的處理表面123的第一處理氣體及第ニ處理氣體的流動(dòng)。舉例而言，多個(gè)噴射器ロ 202可周期地沿著面對噴射器114邊緣的基板自鄰近基板125第一側(cè)的噴射器114的第一側(cè)至鄰近基板125第二側(cè)的噴射器114的相對第二側(cè)安置。加熱排氣歧管118可包括開ロ，該開ロ具有與基板125的直徑大約相同或稍大的寬度，以在維持大體上的層流(laminar flow)條件時(shí)促進(jìn)從腔室移除過量處理氣體及任何處理副產(chǎn)物。
[0026]在一些實(shí)施方式中，多個(gè)噴射器ロ 202可被配置成獨(dú)立于彼此提供第一處理氣體及第ニ處理氣體。舉例而言，通過多個(gè)第一噴射器ロ可提供第一處理氣體并且通過多個(gè)第ニ噴射器ロ可提供第二處理氣體?？煽刂贫鄠€(gè)第一噴射器ロ的尺寸、數(shù)目及配置以提供遍及基板的處理表面的第一處理氣體的所需流動(dòng)?？瑟?dú)立地控制多個(gè)第二噴射器ロ的尺寸、數(shù)目及配置以提供遍及基板的處理表面的第二處理氣體的所需流動(dòng)。此外，相比于多個(gè)第二噴射器ロ，可控制多個(gè)第一噴射器ロ的相對尺寸、數(shù)目及配置以提供遍及基板的處理表面的相對于第二處理氣體的第一處理氣體所需的濃度或流動(dòng)模式。
[0027]在一些實(shí)施方式中，如圖3A中的橫斷面視圖中所圖示，噴射器114可包括噴射第一處理氣體的多個(gè)第一噴射器ロ 302 (例如第一流動(dòng)路徑)及噴射第二處理氣體的多個(gè)第二噴射器ロ 304 (例如第二流動(dòng)路徑)。如圖3A中所圖示，多個(gè)第一噴射器ロ 302及第二噴射器ロ 304可相對于彼此以非平面布置。在一些實(shí)施方式中，多個(gè)第一噴射器ロ 302的各個(gè)第一噴射器ロ可安置于多個(gè)第二噴射器ロ 304的各個(gè)第二噴射器ロ的上方(或反之亦然)。如圖3B中所圖示，多個(gè)第一噴射器ロ 302的各個(gè)第一噴射器ロ可以諸如平行平面布置的任何所需布置安置于多個(gè)第二噴射器ロ 304的各個(gè)第二噴射器ロ的上方。舉例而言，平行平面布置可以是多個(gè)第一噴射器ロ 302及多個(gè)第二噴射器ロ 304安置于分離的平面中的布置，其中各平面平行于基板125的處理表面123。舉例而言，如圖3B中所圖示，多個(gè)第一噴射器ロ 302的各個(gè)第一噴射器ロ是沿著第一平面308以第一高度312安置于基板125的上方，并且多個(gè)第二噴射器ロ 304的各個(gè)第二噴射器ロ是沿著第二平面310以第二高度314安置于基板125的上方,該第二高度314不同于第一高度312。在一些實(shí)施方式中，多個(gè)第一噴射器ロ 302每ー個(gè)各自可安置于多個(gè)第二噴射器ロ 304的相應(yīng)ー個(gè)第二噴射器ロ的正上方(例如垂直對準(zhǔn)多個(gè)第二噴射器ロ 304的相應(yīng)ー個(gè)第二噴射器ロ)。在一些實(shí)施方式中，第一噴射器ロ 302及第二噴射器ロ 304的一個(gè)或更多個(gè)個(gè)別的ロ可非垂直對準(zhǔn)，諸如由虛線的噴射器ロ 306所圖示(如圖所示，可除了第二噴射器ロ 304之外還提供這些噴射器ロ 306或把這些噴射器ロ 306作為第二噴射器ロ 304的替代提供，和/或可除了第一噴射器ロ 302之外還提供這些噴射器ロ 306或把這些噴射器ロ 306作為第一噴射器ロ 302的替代提供)。
[0028]在一些實(shí)施方式中，例如,如圖3C中所圖不，當(dāng)多個(gè)第一噴射器ロ 302定位于基板支撐件124上時(shí),該多個(gè)第一噴射器ロ 302可安置于距基板125的邊緣的第一距離316處；當(dāng)多個(gè)第二噴射器ロ 304定位于基板支撐件124上吋，該多個(gè)第二噴射器ロ 304可安置于距基板125的邊緣的第二距離318處。舉例而言，用語“當(dāng)……定位于基板支撐件124上吋”可以理解為在處理腔室100中處理的基板125期望采用的所需位置。舉例而言，基板支撐件124可包括唇部(未圖示)或其他用于將基板125置于所需處理位置的適當(dāng)定位機(jī)構(gòu)。因此，當(dāng)基板125處于所需處理位置時(shí)，可測量距基板125的邊緣的第一距離316及第二距離318。舉例而言，如圖3B中所圖示，第一距離316和第二距離318可以是不同的。在ー些實(shí)施方式中，相對于第二噴射器ロ 304，多個(gè)第一噴射器ロ 302可延伸超出(或進(jìn)ー步超出)基板125的邊緣。舉例而言，相對于噴射第二處理氣體的多個(gè)第二噴射器ロ 304，多個(gè)第一噴射器ロ 302可比多個(gè)第二噴射器ロ 304進(jìn)ー步延伸以進(jìn)ー步噴射第一處理氣體至溫控反應(yīng)容積101中，因?yàn)榈谝惶幚須怏w在溫度條件下可比第二處理氣體更加易于分解。舉例而言，為了在分解之前最大化第一處理氣體的反應(yīng)，多個(gè)第一噴射器可被定位以在第一處理氣體暴露于溫控反應(yīng)容積101之前將第一處理氣體盡可能遠(yuǎn)地噴射至溫控反應(yīng)容積101中。
[0029]第一噴射器ロ 302及第二噴射器ロ 304的數(shù)目、尺寸及配置可以以多種組合受到控制以提供各種益處。舉例而言，在一些實(shí)施方式中，多個(gè)第一噴射器ロ 302中的一些或全部噴射器ロ可具有與多個(gè)第二噴射器ロ 304中的ー些或全部噴射器ロ不同的直徑。控制噴射器ロ的直徑促進(jìn)控制處理氣體經(jīng)由那個(gè)噴射器ロ進(jìn)入處理腔室的速度。在給定上游壓カ下，較小直徑的ロ將比較大直徑的ロ以更高的速度提供處理氣體。舉例而言，在一些實(shí)施方式中，如圖4A至圖4B中所示，多個(gè)第二噴射器ロ 304的各個(gè)第二噴射器ロ可具有比多個(gè)第一噴射器ロ 302的各個(gè)第一噴射器ロ更大的直徑。舉例而言，各第二噴射器ロ 304可具有更大直徑以比第一處理氣體以更低的速度噴射第二處理氣體。
[0030]替代地或結(jié)合地，在一些實(shí)施方式中，如圖4A中所示，較近于噴射器的中心安置的多個(gè)第一噴射器ロ 302之一的第一直徑404可不同于較近于該噴射器114的邊緣安置的多個(gè)第一噴射器ロ的另ー個(gè)第一噴射器ロ的第二直徑402。同樣地，在一些實(shí)施方式中，較近于噴射器114的中心安置的多個(gè)第二噴射器ロ 304之一的第一直徑408可不同于較近于噴射器114的邊緣安置的多個(gè)第二噴射器ロ 304的另ー個(gè)第二噴射器ロ的第二直徑406。舉例而言，如圖4A中所圖示，第一噴射器ロ 302或第二噴射器ロ 304的直徑可自噴射器114的邊緣至中心逐漸地減小，例如以線性遞減的減小方案或任何適當(dāng)?shù)臏p小方案、非線性方案或上述方案的類似方案。或者，第一噴射器ロ 302或第二噴射器ロ 304的直徑可自噴射器114的邊緣至中心更加粗糙地減小，舉例而言，諸如逐步減小方案或該方案的類似方案。
[0031]替代地或結(jié)合地，在一些實(shí)施方式中，如圖4B中所示，多個(gè)第一噴射器ロ 302及多個(gè)第二噴射器ロ 304的各個(gè)第一噴射器ロ與第二噴射器ロ可以共平面布置安置。舉例而言，多個(gè)第一噴射器ロ 302及多個(gè)第二噴射器ロ 304的各個(gè)第一噴射器ロ與第二噴射器ロ可以大約相同高度安置于基板125的上方，或安置干與基板125的處理表面123平行的平面中。在一些實(shí)施方式中，如圖4B中所示，當(dāng)多個(gè)第一噴射器ロ 302及多個(gè)第二噴射器ロ304的各個(gè)第一噴射器ロ與第二噴射器ロ以共平面布置安置吋，多個(gè)第一噴射器ロ 302及多個(gè)第二噴射器ロ 304的個(gè)別的第一噴射器ロ與第二噴射器ロ可交替安置?；蛘?，第一噴射器ロ 302和/或第二噴射器ロ 304中的兩個(gè)或更多個(gè)噴射器ロ可被歸在一起成為ー小組第一噴射器ロ 302和/或第二噴射器ロ 304，其中該小組介于另ー多個(gè)噴射器ロ的相鄰噴射器ロ之間。
[0032]返回圖1A，在一些實(shí)施方式中，噴淋頭170可安置于基板支撐件124的上方(例如與基板支撐件124相対)以提供第三處理氣體至基板125的處理表面123。第三處理氣體可與由噴射器114提供的第一處理氣體、第二處理氣體相同，或者與由噴射器114提供的第一處理氣體及第ニ處理氣體不同。在一些實(shí)施方式中，第三處理氣體與第一處理氣體相同。第三處理氣體亦可例如從氣體控制板108提供。.[0033]在一些實(shí)施方式中，舉例而言如圖1A中所圖示，噴淋頭170可包括用于提供第三處理氣體至基板125的處理表面123的單出口 171。在一些實(shí)施方式中，如圖1A中所圖示，單出ロ 171可安置于ー位置，該位置大體上與處理表面123的中心或基板支撐件124的中心對準(zhǔn)。
[0034]在一些實(shí)施方式中，如圖5中所圖示，噴淋頭170可包括多個(gè)出口 502。在ー些實(shí)施方式中，多個(gè)出口 502可被歸在一起成組(例如安置于具有不大于大約4英寸的直徑的圓形內(nèi)部)。多個(gè)出口可安置于ー位置，該位置大體上與例如處理表面的中心這樣的處理表面的所需區(qū)域?qū)?zhǔn)，以(例如從氣源504)輸送第一處理氣體至基板125的處理表面123。雖然圖示噴淋頭170具有三個(gè)出ロ 502，但是噴淋頭170可具有適合于提供第三處理氣體的任何所需數(shù)目的出口。此外，雖然圖示為對準(zhǔn)處理表面的中心，但是單出口或多個(gè)出口可對準(zhǔn)處理表面的任何所需區(qū)域以在處理期間提供處理氣體至基板的所需區(qū)域。
[0035]噴淋頭170可與腔室蓋106整合(如圖1A中所示)，或者噴淋頭170可為單獨(dú)部件(如圖5中所示)。舉例而言，出口 171可為鉆入腔室蓋106的孔，并且出口 171可視情況包括經(jīng)由鉆入腔室蓋106的孔安置的插入物(insert)?；蛘?，噴淋頭170可為安置于腔室蓋106的下面的單獨(dú)部件。在一些實(shí)施方式中，噴淋頭170及腔室蓋106皆可包含石英，例如，從而限制由噴淋頭170或腔室蓋106從燈152、燈154或從基板125吸收能量。
[0036]如上所述的噴射器114及視情況的噴淋頭170的實(shí)施方式可被利用以促進(jìn)具有最小殘留物形成的最佳沉積均勻性及成分控制。舉例而言，如上文所論述，諸如第一氣體及第ニ氣體之類的特定反應(yīng)物可被引導(dǎo)穿過噴射器114的獨(dú)立可控的噴射器口和/或噴淋頭170的出口。相對于流入處理腔室100中的其他反應(yīng)物，由噴射器114及視情況的噴淋頭170的實(shí)施方式促進(jìn)的噴射方案可允許將各反應(yīng)物的流速和/或流量剖面(flow profile)與該反應(yīng)物的反應(yīng)性匹配。舉例而言，如下文論述，第一處理氣體可以比第二處理氣體更高的流速流動(dòng)，因?yàn)榈谝惶幚須怏w可更具反應(yīng)性且第一處理氣體可比第二處理氣體更快離解(dissociate)。因此，為將第一處理氣體及第ニ處理氣體的反應(yīng)性匹配以限制殘留物形成、最佳化均勻性和/或成分，第一處理氣體可以比第二處理氣體更高的速度流動(dòng)。上述噴射方案僅是示例性的，且其他噴射方案亦是可能的。
[0037]返回圖1A，基板支撐件124可為任何適當(dāng)?shù)幕逯渭?，諸如板(在圖1A中圖示)或環(huán)(由圖1A中的點(diǎn)劃線圖示)以支撐基板支撐件124上的基板125?；逯渭M件164通常包括具有多個(gè)支撐銷166的基板支架134，該多個(gè)支撐銷166耦接至基板支撐件124。該基板升降組件160包含基板升降軸126及多個(gè)升降銷模塊161，該升降銷模塊161選擇性地靜置于基板升降軸126的各個(gè)墊127上。在一個(gè)實(shí)施方式中，升降銷模塊161包含升降銷128的可選上部部分，此升降銷128的上部部分經(jīng)由第一開ロ 162可活動(dòng)地安置于基板支撐件124中。操作時(shí)，基板升降軸126被移動(dòng)以嚙合升降銷128。當(dāng)嚙合時(shí)，升降銷128可將基板125上舉于基板支撐件124的上方或?qū)⒒?25下降至基板支撐件124上。
[0038]基板支撐件124可進(jìn)ー步包括耦接至基板支撐件組件164的升降機(jī)構(gòu)172及旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)174。升降機(jī)構(gòu)172可被利用以在垂直于基板125的處理表面123的方向移動(dòng)基板支撐件124。舉例而言，升降機(jī)構(gòu)172可用以相對于噴淋頭170及噴射器114定位基板支撐件124。可利用旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)174圍繞中心軸旋轉(zhuǎn)基板支撐件124。操作時(shí)，升降機(jī)構(gòu)可促進(jìn)動(dòng)態(tài)控制基板125相對于由噴射器114和/或噴淋頭170建立的流場(flow field)的位置。與由旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)174對基板125連續(xù)旋轉(zhuǎn)相結(jié)合的基板125位置的動(dòng)態(tài)控制可用以最佳地將基板125的處理表面123暴露于流場,從而最佳化處理表面123上的沉積均勻性和/或成分并且最小化殘留物形成。
[0039]在處理期間，基板125安置于基板支撐件124上。燈152及燈154是紅外線(IR)輻射(亦即熱)的來源，在操作時(shí)，燈152及燈154產(chǎn)生遍及基板125的預(yù)定溫度分布。腔室蓋106、上腔室襯墊116及下拱頂132可由如上論述的石英形成；然而，其他紅外線(IR)透明的及エ藝相容(process compatible)的材料亦可用以形成這些部件。燈152、燈154可為多區(qū)域燈加熱設(shè)備的一部分，以對基板支撐件124背側(cè)提供熱均勻性。舉例而言，加熱系統(tǒng)151可包括多個(gè)加熱區(qū)域，其中每個(gè)加熱區(qū)域包括多個(gè)燈。舉例而言，一個(gè)或更多個(gè)燈152可為第一加熱區(qū)域且ー個(gè)或更多個(gè)燈154可為第二加熱區(qū)域。燈152、燈154可提供大約200至大約900攝氏度的寬熱范圍。燈152、燈154可提供每秒大約5至大約20攝氏度的快速響應(yīng)控制。舉例而言，燈152、燈154的熱范圍及快速響應(yīng)控制可以在基板125上提供沉積均勻性。此外，下拱頂132可由例如主動(dòng)冷卻(active cooling)、視窗設(shè)計(jì)(windowdesign)或該設(shè)計(jì)的類似設(shè)計(jì)進(jìn)行溫度控制，以進(jìn)一歩幫助控制基板支撐件124的背面?zhèn)壬虾?或基板125的處理表面123上的熱均勻性。
[0040]溫控反應(yīng)容積101可由包括腔室蓋106的多個(gè)腔室部件形成。舉例而言，這些腔室部件可包括腔室蓋106、上腔室襯墊116、下腔室襯墊131及基板支撐件124之一或更多個(gè)。溫控處理容積101可包括包含石英的內(nèi)表面，諸如形成溫控反應(yīng)容積101的任何ー個(gè)或更多個(gè)腔室部件的表面。溫控反應(yīng)容積101可為大約20至大約40公升。容積101可容納任何合適尺寸的基板，例如，諸如200mm、300mm或類似尺寸的基板。舉例而言，在ー些實(shí)施方式中，若基板125是約300mm，則例如上腔室襯墊116及下腔室襯墊131的內(nèi)表面遠(yuǎn)離基板125邊緣的距離可達(dá)約50mm。舉例而言，在一些實(shí)施方式中，諸如上腔室襯墊116及下腔室襯墊131的內(nèi)表面遠(yuǎn)離基板125邊緣的距離可達(dá)基板125直徑的大約18%。舉例而言，在一些實(shí)施方式中，基板125的處理表面123距腔室蓋106的距離可達(dá)大約100毫米，或?yàn)榇蠹s0.8英寸至大約I英寸的范圍。
[0041]溫控反應(yīng)容積101可具有變化的容積，例如當(dāng)升降機(jī)構(gòu)172將基板支撐件124上舉靠近于腔室蓋106時(shí)容積101的尺寸可縮小，并且當(dāng)升降機(jī)構(gòu)172將基板支撐件124遠(yuǎn)離腔室蓋106下降時(shí)該容積101的尺寸可擴(kuò)大。溫控反應(yīng)容積101可由一個(gè)或更多個(gè)主動(dòng)冷卻或被動(dòng)冷卻(passive cooling)部件冷卻。舉例而言,容積101可由處理腔室100的壁被動(dòng)冷卻，例如該壁可為不銹鋼或不銹鋼的類似物。舉例而言，或獨(dú)立于被動(dòng)冷卻或結(jié)合被動(dòng)冷卻，容積101可通過例如在腔室100周圍流動(dòng)冷卻劑而被主動(dòng)冷卻。舉例而言，冷卻劑可為氣體。
[0042]支撐系統(tǒng)130包括被用以執(zhí)行及監(jiān)控在處理腔室100中的預(yù)定エ藝(例如生長外延硅膜)的部件。這些部件通常包括處理腔室100的各種子系統(tǒng)(例如氣體控制板、氣體分配導(dǎo)管、真空及排氣子系統(tǒng)及類似物)及器件(例如電源、エ藝控制儀表及類似物)。示例性支撐系統(tǒng)130可包括化學(xué)輸送系統(tǒng)186,該化學(xué)輸送系統(tǒng)186將于下文論述并于圖1B中圖
/Jn o
[0043]控制器140可直接(如圖1A中所示)或者經(jīng)由與處理腔室和/或支撐系統(tǒng)相關(guān)聯(lián)的計(jì)算機(jī)(或控制器)耦接至處理腔室100及支撐系統(tǒng)130。控制器140可為可用于控制各種腔室及子處理器的エ業(yè)設(shè)定中的任何形式的通用計(jì)算機(jī)處理器的ー種。CPU142的存儲(chǔ)器或計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)144可為ー個(gè)或更多個(gè)便于得到的存儲(chǔ)器，諸如隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)、只讀存儲(chǔ)器(ROM)、軟盤、硬盤或任何其他形式的本地或遠(yuǎn)程的數(shù)字儲(chǔ)存裝置。支持電路146以常規(guī)方式耦接至CPU142，用于支持處理器。這些電路包括高速緩沖存儲(chǔ)器、電源、時(shí)鐘電路、輸入/輸出電路及子系統(tǒng)等等。
[0044]改良設(shè)備的實(shí)施方式可提供處理腔室100的安全及有效維護(hù)，從而導(dǎo)致處理腔室100的縮短的停エ時(shí)間及高整體可用性。舉例而言，如圖1B中所圖示，處理腔室100的殼體120可以是可由維護(hù)人員從維護(hù)殼體180進(jìn)出的，該維護(hù)殼體180可相鄰于殼體120安置。舉例而言，處理腔室100可以被做成對于維護(hù)人員來說可經(jīng)由門182進(jìn)出，該門182可將殼體120與維護(hù)殼體180分開。替代地或結(jié)合地，處理腔室100可以被做成對于在維護(hù)殼體180內(nèi)的維護(hù)人員來說可經(jīng)由手套箱184實(shí)現(xiàn)對處理腔室100的存取，該手套箱184安置于殼體120與維護(hù)殼體180之間。舉例而言，手套箱184可允許諸如在受控環(huán)境或類似環(huán)境下對處理腔室100和/或安置于殼體120內(nèi)部的處理腔室100的部件的受控存取。在一些實(shí)施方式中，維護(hù)殼體180可進(jìn)ー步包括化學(xué)輸送系統(tǒng)186，諸如氣體柜或氣體柜的類似物，該化學(xué)輸送系統(tǒng)186是可從維護(hù)殼體180進(jìn)出的和/或安置于維護(hù)殼體180內(nèi)部?；瘜W(xué)輸送系統(tǒng)186可提供處理氣體至處理腔室100以促進(jìn)所需基板處理。如圖1B中所示，殼體120及維護(hù)殼體180可例如被分開來排氣至房屋排氣系統(tǒng)(house exhaust system)188。替代地或結(jié)合地，殼體120可經(jīng)由可從維護(hù)殼體180進(jìn)出的輔助排氣裝置190排氣至房屋排氣系統(tǒng)188或另ー排氣系統(tǒng)(未圖不)。
[0045]圖6是圖示在基板125上沉積層700的方法600的流程圖。方法600根據(jù)處理腔室100的實(shí)施方式描述如下。然而，方法600可用于能夠提供方法600的要素的任何適當(dāng)?shù)奶幚砬皇仪也幌抻谔幚砬皇?00。
[0046]—個(gè)或更多個(gè)層700圖示于圖7中并且該一個(gè)或更多個(gè)層700可為可沉積于基板125上的任何適當(dāng)?shù)囊粋€(gè)或更多個(gè)層。舉例而言，一個(gè)或更多個(gè)層700可包含II1- V族材料。一個(gè)或更多個(gè)層700可為器件的要素，例如，諸如晶體管器件的溝道或該晶體管器件的溝道的類似物。
[0047]方法600可視情況在引入基板125至溫控反應(yīng)容積101中之前，由清潔溫控反應(yīng)容積101 (例如處理容積)的表面和/或在溫控反應(yīng)容積101內(nèi)部建立溫度而開始。舉例而言，在各基板125上形成層之前和/或之后，可原位清潔腔室100以維持低顆粒水平和/或限制各基板125上的殘留物蓄積。舉例而言，原位清潔エ藝可包括交替地將鹵素氣體與凈化氣體流經(jīng)噴射器114和/或噴淋頭170，以凈化具有殘留物或殘留物的類似物的腔室。舉例而言，清潔溫控反應(yīng)容積101的表面可包括用鹵素氣體蝕刻表面并且用惰性氣體凈化處理容積。舉例而言，鹵素氣體可包括氯氣(Cl2)、氯化氫(HCl)、三氟化氮(NF3)或上述氣體的類似物中的一種或更多種。鹵素氣體可應(yīng)用至溫控反應(yīng)容積101的任何適當(dāng)部件，諸如基板支撐件124、上腔室襯墊116及下腔室襯墊131、腔室蓋106或上述部件的類似物。
[0048]溫控反應(yīng)容積101內(nèi)部的溫度的建立可包括以下步驟:緩慢升高(ramp)溫度至任何適當(dāng)溫度，該溫度達(dá)到或接近于基板125的處理表面123上執(zhí)行エ藝的溫度；在引入基板125至容積101中之前，將溫度穩(wěn)定在所需溫度的所需容限程度范圍內(nèi)。
[0049]方法600由將第一處理氣體流動(dòng)遍及基板125的處理表面123而開始于步驟602?？捎缮衔恼撌龅年P(guān)于噴射器114的多個(gè)第一進(jìn)氣ロ 302的實(shí)施方式中的任一個(gè)實(shí)施方式將第一處理氣體流動(dòng)遍及處理表面123。在一些實(shí)施方式中，第一處理氣體可比第二處理氣體更易離解和/或更快反應(yīng)。舉例而言，可能需要最小化第一處理氣體在溫控反應(yīng)容積101內(nèi)相對于第二處理氣體的滯留時(shí)間。舉例而言，最小化第一處理氣體的滯留時(shí)間可最小化第一處理氣體相對于第二處理氣體的耗盡(depletion)且最小化第一處理氣體的滯留時(shí)間可改良在一個(gè)或更多個(gè)層700中的成分和/或厚度均勻性。因此，在一些實(shí)施方式中，可為第一進(jìn)氣ロ 302設(shè)置較小直徑以提供第一處理氣體的較高速度，以便第一處理氣體在離解或反應(yīng)之前更快到達(dá)基板125或基板125的中心或更接近基板125的中心。如此，第一處理氣體可比第二處理氣體以更高流動(dòng)速率(flow rate)流動(dòng)。同樣地，在其中第一噴射器ロ 302的直徑可如圖3C中所圖示從噴射器114的邊緣至中心減少的一些實(shí)施方式中，第一處理氣體流經(jīng)處理表面中心的流動(dòng)速率可高于流經(jīng)處理表面邊緣的流動(dòng)速率。在ー些實(shí)施方式中，第一處理氣體可在第一載氣中包括ー個(gè)或更多個(gè)III族元素。示例性第一處理氣體包括三甲基鎵、三甲基銦或三甲基鋁的ー個(gè)或更多個(gè)。摻雜劑及氯化氫(HCl)亦可添加至第一處理氣體。
[0050]在步驟604處，可將第一處理氣體視情況從處理表面123的上方獨(dú)立地朝向處理表面123流動(dòng)。舉例而言，可使用如上論述的噴淋頭170的任何適當(dāng)?shù)膶?shí)施方式從噴淋頭170流動(dòng)第一處理氣體。舉例而言，由于第一處理氣體的較高反應(yīng)性的緣故，可從噴淋頭170流動(dòng)第一處理氣體以確保適量的第一處理氣體到達(dá)處理表面123的中心并且反應(yīng)以形成層700。可從噴射器114及噴淋頭170以任何適當(dāng)?shù)姆桨噶鲃?dòng)第一處理氣體，例如，以諸如同時(shí)、交替或周期性流動(dòng)或任何適當(dāng)?shù)牧鲃?dòng)方案流動(dòng)第一處理氣體，以提供處理表面123上的層700的充分覆蓋?；蛘?，可將諸如氮?dú)?N2)之類的惰性氣體或氫氣(H2)從處理表面123的上方朝向處理表面123流動(dòng)。
[0051]在步驟606處，可將第二處理氣體流動(dòng)遍及處理表面123?？捎缮衔恼撌龅年P(guān)于噴射器114的多個(gè)第二進(jìn)氣ロ 304的實(shí)施方式中的任一個(gè)實(shí)施方式將第二處理氣體流動(dòng)遍及處理表面123。舉例而言，第二處理氣體可比第一處理氣體更慢離解和/或具有更低反應(yīng)性。因此，如上論述的第二進(jìn)氣ロ 304的較大直徑可向第二處理氣體提供較低速度，以便第二處理氣體比第一處理氣體更慢進(jìn)入處理腔室100并且可在移動(dòng)經(jīng)過基板表面的較大部分移動(dòng)時(shí)離解。如此，可以以比第一處理氣體更低的流動(dòng)速率流動(dòng)第二處理氣體。同樣地，因?yàn)榈诙娚淦鳐?304的直徑可如圖3C中所圖示從噴射器114的邊緣至中心減少，所以第二處理氣體流經(jīng)處理表面中心的流動(dòng)速率可高于流經(jīng)處理表面邊緣的流動(dòng)速率。在一些實(shí)施方式中，第二處理氣體可在第二載氣中包括ー個(gè)或更多個(gè)V族元素。示例性第ニ處理氣體包括胂(AsH3)、磷化氫(PH3)、叔丁基胂(tertiarybutyl arsine)、叔丁基磷(tertiarybutyl phosphine)或上述物質(zhì)的類似物的ー個(gè)或更多個(gè)。摻雜劑及氯化氫(HCl)亦可添加至第二處理氣體。
[0052]可以任何適當(dāng)?shù)姆桨笍膰娚淦?14及噴淋頭170流動(dòng)第一處理氣體及第ニ處理氣體，例如，以諸如同時(shí)、交替或周期性流動(dòng)或任何適當(dāng)?shù)牧鲃?dòng)方案流動(dòng)第一處理氣體及第ニ處理氣體，以提供處理表面123上的一個(gè)或更多個(gè)層700的充分覆蓋。
[0053]在步驟608處，可調(diào)節(jié)基板125的處理表面123的溫度以由第一處理氣體及第ニ處理氣體在基板125的處理表面123上形成一個(gè)或更多個(gè)層700。舉例而言，溫度的調(diào)節(jié)可包括加熱及冷卻溫控處理容積101，諸如加熱或冷卻組成容積101的部件和/或內(nèi)表面任何一個(gè)或更多個(gè)。舉例而言，加熱可包括提供能量至基板支撐件124的背側(cè)表面，其中基板靜置于基板支撐件124的前側(cè)表面上。在流動(dòng)第一處理氣體及第ニ處理氣體之前和/或期間可提供加熱。加熱可為連續(xù)的或間斷的且加熱可采用諸如周期性的或類似的任何所需方案。在流動(dòng)第一處理氣體及第ニ處理氣體之前和/或期間，加熱可提供任何所需溫度分布(profile)至基板125以實(shí)現(xiàn)處理表面123上的層700的沉積。可由燈152、燈154提供加熱。燈152、燈154可能能夠從每秒大約5攝氏度至每秒大約20攝氏度升高基板溫度。燈152、燈154可能能夠提供從大約200攝氏度至大約900攝氏度的范圍的溫度給基板125。
[0054]可結(jié)合諸如上文論述的冷卻機(jī)構(gòu)及設(shè)備之類的其他部件利用燈152、燈154，從而從每秒大約5攝氏度至毎秒大約20攝氏度調(diào)節(jié)處理表面123的溫度。舉例而言，一個(gè)或更多個(gè)層可包括如圖7中圖示的第一層702及第ニ層704，該第二層704沉積于第一層702的頂上。舉例而言，可在第一溫度下于處理表面123上沉積第一層702。舉例而言，第一層702可為成核層(nucleation layer)或類似層?？稍诘诙囟认掠诘谝粚?02的頂上沉積第二層704。舉例而言，第二層704可為主體層(bulk layer)或類似層。在一些實(shí)施方式中，第二溫度可高于第一溫度?？芍貜?fù)第一層702、第二層704的沉積，例如，在第一溫度下沉積第一層702，在比第一溫度高的第二溫度下沉積第二層704，且隨后在第一溫度下于第ニ層704的頂上沉積額外的第一層702等等，直到已達(dá)到所需層厚度為止。
[0055]方法600的額外和/或替代性實(shí)施方式是可能的。舉例而言，當(dāng)沉積諸如第一層702、第二層704之類的ー個(gè)或更多個(gè)層時(shí)可旋轉(zhuǎn)基板125。単獨(dú)地或結(jié)合地，處理表面123的位置可相對于第一處理氣體及第ニ處理氣體的流動(dòng)氣流改變，以調(diào)整一個(gè)或更多個(gè)層的成分。舉例而言，升降機(jī)構(gòu)174可用以上舉和/或下降處理表面123相對于噴射器114和/或噴淋頭170的位置，同時(shí)第一處理氣體和/或第二處理氣體正在流動(dòng)以控制一個(gè)或更多個(gè)層的成分。
[0056]因此，本文提供了用于II1- V族材料的沉積的改良方法及設(shè)備。與經(jīng)由常規(guī)的沉積設(shè)備沉積的II1- V族膜相比，本發(fā)明的方法及設(shè)備的實(shí)施方式可有利地提供用于適合于CMOS應(yīng)用的改良II1- V族膜的沉積。
[0057]雖然上文是針對本發(fā)明的實(shí)施方式，但是在不脫離本發(fā)明的基本范圍的情況下可設(shè)計(jì)本發(fā)明的其他及進(jìn)ー步實(shí)施方式。
【權(quán)利要求】
1.ー種用于處理基板的設(shè)備，所述設(shè)備包含: 處理腔室，所述處理腔室具有溫控反應(yīng)容積，所述溫控反應(yīng)容積包括包含石英的內(nèi)表面，且所述處理腔室具有基板支撐件，所述基板支撐件安置于所述溫控反應(yīng)容積內(nèi)部以支撐基板的處理表面； 加熱系統(tǒng)，所述加熱系統(tǒng)安置于所述基板支撐件的下方以提供熱能至所述基板支撐件； 噴射器，所述噴射器被安置至所述基板支撐件的第一側(cè)，且所述噴射器具有第一流動(dòng)路徑以提供第一處理氣體及所述噴射器具有第二流動(dòng)路徑以獨(dú)立于所述第一處理氣體而提供第二處理氣體，其中所述噴射器被定位以提供所述第一處理氣體及所述第二處理氣體遍及所述基板的所述處理表面； 噴淋頭，所述噴淋頭安置于所述基板支撐件的上方以提供所述第一處理氣體至所述基板的所述處理表面；以及 加熱排氣歧管，所述加熱排氣歧管被安置至所述基板支撐件的第二側(cè)，與所述噴射器相對以從所述處理腔室排出所述第一處理氣體及所述第二處理氣體。
2.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述基板支撐件進(jìn)一歩包含: 旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)，所述旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)旋轉(zhuǎn)所述基板支撐件；以及 升降機(jī)構(gòu)，所述升降機(jī)構(gòu)相對于所述噴淋頭及所述噴射器定位所述基板支撐件。
3.如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述加熱系統(tǒng)進(jìn)一歩包含: 多個(gè)加熱區(qū)域，其中所述多個(gè)加熱區(qū)域中的每ー個(gè)加熱區(qū)域包括多個(gè)燈。
4.如權(quán)利要求1至權(quán)利要求3中的任一項(xiàng)所述的設(shè)備，其中所述溫控反應(yīng)容積至少部分地由多個(gè)腔室元件形成，所述多個(gè)腔室元件包括: 腔室蓋，所述腔室蓋安置于所述基板支撐件的上方； 上腔室襯墊，所述上腔室襯墊被安置相鄰于所述基板支撐件，且在所述噴射器及所述排氣歧管的上方并在所述腔室蓋的下方；以及 下腔室襯墊，所述下腔室被安置相鄰于所述基板支撐件且在所述噴射器及所述排氣歧管的下方。
5.如權(quán)利要求4所述的設(shè)備，其中所述噴淋頭或安置于所述腔室蓋中或安置于所述腔室蓋的下方。
6.如權(quán)利要求4所述的設(shè)備，其中所述噴淋頭、所述上腔室襯墊、所述下腔室襯墊、所述腔室蓋及所述噴射器包含石英。
7.如權(quán)利要求1至權(quán)利要求3中的任一項(xiàng)所述的設(shè)備，其中所述噴射器進(jìn)ー步包含: 多個(gè)第一噴射器ロ，所述多個(gè)第一噴射器ロ用以噴射所述第一處理氣體；以及 多個(gè)第二噴射器ロ，所述多個(gè)第二噴射器ロ用以噴射所述第二處理氣體。
8.如權(quán)利要求7所述的設(shè)備，其中所述多個(gè)第二噴射器ロ的各個(gè)第二噴射器ロ具有大于所述多個(gè)第一噴射器ロ的各個(gè)第一噴射器ロ的直徑。
9.如權(quán)利要求7所述的設(shè)備，其中所述多個(gè)第一噴射器ロ及所述多個(gè)第二噴射器ロ安置于分離的平面中，其中各平面并行于所述基板的所述處理表面。
10.如權(quán)利要求7所述的設(shè)備，其中當(dāng)所述多個(gè)第一噴射器ロ定位于所述基板支撐件上時(shí)，所述多個(gè)第一噴射器ロ安置于離基板的邊緣第一距離處，且當(dāng)所述多個(gè)第二噴射器ロ定位于所述基板支撐件上時(shí)，所述多個(gè)第二噴射器ロ安置于離所述基板的所述邊緣第二距離處，其中所述第一距離不同于所述第二距離。
11.如權(quán)利要求7所述的設(shè)備，其中所述多個(gè)第一噴射器口中的ー個(gè)第一噴射器ロ具有與所述多個(gè)第一噴射器口中的另ー個(gè)第一噴射器ロ不同的直徑，且其中所述多個(gè)第二噴射器ロ中的ー個(gè)第二噴射器ロ具有與所述多個(gè)第二噴射器ロ中的另ー個(gè)第二噴射器ロ不同的直徑。
12.如權(quán)利要求1至權(quán)利要求3中的任一項(xiàng)所述的設(shè)備，其中所述噴淋頭進(jìn)一歩包含: 單出口，其中所述單出口安置于ー位置中，所述位置與所述處理表面的中心對準(zhǔn)；或者 多個(gè)出口，其中所述多個(gè)出口安置于ー位置中，所述位置與所述處理表面的所需區(qū)域?qū)?zhǔn)。
13.—種在處理容積內(nèi)基板上沉積層的方法，所述方法包含以下步驟: 清潔處理容積內(nèi)的表面； 在引入基板至所述處理容積中之前在所述處理容積內(nèi)部建立溫度； 流動(dòng)第一處理氣體至所述處理容積中并遍及所述基板的處理表面； 自所述處理表面的上方獨(dú)立地流動(dòng)所述第一處理氣體至所述處理容積中并且朝向所述處理表面； 流動(dòng)第二處理氣體至所述處理容積中并遍及所述處理表面；以及在由所述第一處理氣體及所述第二處理氣體于所述處理表面上形成一個(gè)或更多個(gè)層期間調(diào)節(jié)所述基板的所述處理表面的所述溫度。
14.如權(quán)利要求13所述的方法，其中所述第一處理氣體在第一載氣中包含一個(gè)或更多個(gè)III族元素以及摻雜劑及氯化氫(HCl)，且其中所述第二處理氣體在第二載氣中包含ー個(gè)或更多個(gè)V族元素以及摻雜劑及氯化氫(HCl)。
15.如權(quán)利要求13至權(quán)利要求14中的任一項(xiàng)所述的方法，其中所述第一處理氣體是以與所述第二處理氣體不同的速度流動(dòng)。
【文檔編號(hào)】H01L21/205GK103597580SQ201280019802
【公開日】2014年2月19日 申請日期:2012年4月19日 優(yōu)先權(quán)日:2011年4月22日
【發(fā)明者】埃羅爾·安東尼奧·C·桑切斯, 理查德·O·柯林斯, 戴維·K·卡爾森, 凱文·鮑蒂斯塔, 赫爾曼·P·迪尼茲, 凱拉什·帕塔雷, 尼·O·謬, 丹尼斯·L·德馬斯, 克里斯托夫·馬卡德, 史蒂夫·江珀, 薩瑟施·庫珀奧 申請人:應(yīng)用材料公司