用于高頻應(yīng)用的低溫共燒陶瓷結(jié)構(gòu)及其制造方法
【專利摘要】本文公開了包括多層低溫共燒陶瓷的多層低溫共燒陶瓷（LTCC）結(jié)構(gòu)，所述多層低溫共燒陶瓷包括玻璃-陶瓷介電層，所述玻璃-陶瓷介電層具有在所述層的部分上的絲網(wǎng)印刷厚膜內(nèi)導(dǎo)體，并具有沉積在LTCC的上部外表面和下部外表面上的薄膜外導(dǎo)體。以線的形式將薄膜外導(dǎo)體的至少一部分圖案化，并且線之間的間距小于50μm。本發(fā)明還公開了用于制造所述LTCC結(jié)構(gòu)的方法。
【專利說明】用于高頻應(yīng)用的低溫共燒陶瓷結(jié)構(gòu)及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及包括厚膜導(dǎo)體和薄膜導(dǎo)體的低溫共燒陶瓷(LTCC)結(jié)構(gòu)，以及用于制造所述結(jié)構(gòu)的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]低溫共燒陶瓷(LTCC)結(jié)構(gòu)是眾所周知的，其提供用于高密度、高可靠性、高性能以及低成本互連件封裝的可能性。LTCC結(jié)構(gòu)由通常直接絲網(wǎng)印刷到各個印刷電路基板(greensheet)層上的低損耗、可共燒的玻璃-陶瓷介電帶(dielectric tape)且兼容可共燒的厚膜導(dǎo)電組合物組成。諸如電阻器、電容器和電感器的嵌入式裝置可應(yīng)用到各個印刷電路基板層。通孔(via)形成于每層中并且被填充以提供各層與LTCC的層與外表面之間的電連接。各層層疊，然后焙燒以制造LTCC。厚膜導(dǎo)電組合物可絲網(wǎng)印刷到共燒LTCC的外表面上，然后焙燒。在美國專利7，687，417和美國專利7，611，645中進一步描述了包括在生帶(green tape)上印刷厚膜組合物的多層LTCC處理、層疊方法和高溫焙燒方法。
[0003]圖1中示出具有絲網(wǎng)印刷到外表面上的厚膜導(dǎo)電組合物的LTCC結(jié)構(gòu)的代表性橫截面。LTCC結(jié)構(gòu)10包含玻璃-陶瓷介電層11和絲網(wǎng)印刷厚膜內(nèi)導(dǎo)體12。厚膜通孔互連件13提供內(nèi)導(dǎo)體12之間的電連接，并且厚膜通孔互連件14提供內(nèi)導(dǎo)體12與LTCC的上表面16上的厚膜外導(dǎo)體15和LTCC的下表面18上的厚膜外導(dǎo)體17之間的電連接。
[0004]絲網(wǎng)印刷的厚膜外導(dǎo)體具有空間分辨率有限的缺點。
[0005]存在具有用于在微波和毫米波頻率應(yīng)用中使用的窄導(dǎo)線寬度和導(dǎo)線之間緊密間距的外導(dǎo)體的需要。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明涉及多層低溫共燒陶瓷結(jié)構(gòu)，該多層低溫共燒陶瓷結(jié)構(gòu)包括:
[0007]a)多層低溫共燒陶瓷，其包括玻璃-陶瓷介電層，所述玻璃-陶瓷介電層具有在所述層的部分上的絲網(wǎng)印刷厚膜內(nèi)導(dǎo)體，并具有在內(nèi)導(dǎo)體之間并且從內(nèi)導(dǎo)體到低溫共燒陶瓷的上部外表面和下部外表面的絲網(wǎng)印刷厚膜通孔互連件，其中在焙燒之后已經(jīng)拋光低溫共燒陶瓷的上部外表面和下部外表面；以及
[0008]b)薄膜外導(dǎo)體，其沉積在低溫共燒陶瓷的拋光的上部外表面和下部外表面上，其中將薄膜外導(dǎo)體圖案化，使得薄膜外導(dǎo)體的至少一部分為線形式，并且其中所述線之間的間距小于50 μ m ；
[0009]所述厚膜內(nèi)導(dǎo)體和在內(nèi)導(dǎo)體之間的厚膜通孔互連件、薄膜外導(dǎo)體、以及從內(nèi)導(dǎo)體到上部外表面和下部外表面的厚膜通孔互連件均包含獨立地選自金、銀、鉬、鈀、它們的混合物及其合金的貴金屬，并且其中從內(nèi)導(dǎo)體到上部外表面和下部外表面的厚膜通孔互連件提供至薄膜外導(dǎo)體的電連接。
[0010]本發(fā)明還涉及多層低溫共燒陶瓷結(jié)構(gòu)，所述多層低溫共燒陶瓷結(jié)構(gòu)包括:
[0011 ] a)多層低溫共燒陶瓷，其包括玻璃-陶瓷介電層，所述玻璃-陶瓷介電層具有在所述層的部分上的絲網(wǎng)印刷厚膜內(nèi)導(dǎo)體，并具有在內(nèi)導(dǎo)體之間并且從內(nèi)導(dǎo)體到低溫共燒陶瓷的一個外表面的絲網(wǎng)印刷厚膜通孔互連件，其中在焙燒之后已經(jīng)拋光低溫共燒陶瓷的所述一個外表面；以及
[0012]b)薄膜外導(dǎo)體，其沉積在低溫共燒陶瓷的所述一個拋光的外表面上，其中將薄膜外導(dǎo)體圖案化，使得薄膜外導(dǎo)體的至少一部分為線形式，并且其中所述線之間的間距小于50 μ m ；
[0013]厚膜內(nèi)導(dǎo)體和在內(nèi)導(dǎo)體之間的厚膜通孔互連件、薄膜外導(dǎo)體、以及從內(nèi)導(dǎo)體到所述一個外表面的厚膜通孔互連件均包含獨立地選自金、銀、鉬、鈀、它們的混合物及其合金的貴金屬，并且其中從內(nèi)導(dǎo)體到所述一個外表面的厚膜通孔互連件提供至薄膜外導(dǎo)體的電連接。
[0014]本發(fā)明還提供了用于制造多層低溫共燒陶瓷結(jié)構(gòu)的方法，所述方法包括:
[0015]a)提供包括玻璃-陶瓷介電層的多層低溫共燒陶瓷，所述玻璃-陶瓷介電層具有在所述層的部分上的絲網(wǎng)印刷厚膜內(nèi)導(dǎo)體，并具有在內(nèi)導(dǎo)體之間并且從內(nèi)導(dǎo)體到低溫共燒陶瓷的上部外表面和下部外表面的絲網(wǎng)印刷厚膜通孔互連件；
[0016]b)拋光上部外表面和下部外表面；以及
[0017]c)在低溫共燒陶瓷的拋光的上部外表面和下部外表面上真空沉積薄膜外導(dǎo)體；以及
[0018]d)將薄膜外導(dǎo)體圖案化，使得薄膜外導(dǎo)體的至少一部分為線形式，其中所述線之間的間距小于50ym ；
[0019]所述厚膜內(nèi)導(dǎo)體和在內(nèi)導(dǎo)體之間的厚膜通孔互連件、薄膜外導(dǎo)體、以及從內(nèi)導(dǎo)體到上部外表面和下部外表面的厚膜通孔互連件均包含獨立地選自金、銀、鉬、鈀、它們的混合物及其合金的貴金屬，并且其中從內(nèi)導(dǎo)體到上部外表面和下部外表面的厚膜通孔互連件提供至薄膜外導(dǎo)體的電連接。
[0020]本發(fā)明還提供用于制造多層低溫共燒陶瓷結(jié)構(gòu)的方法，所述方法包括:
[0021]a)提供包括玻璃-陶瓷介電層的多層低溫共燒陶瓷，所述玻璃-陶瓷介電層具有在所述層的部分上的絲網(wǎng)印刷厚膜內(nèi)導(dǎo)體，并具有在內(nèi)導(dǎo)體之間并且從內(nèi)導(dǎo)體到低溫共燒陶瓷的所述一個外表面的絲網(wǎng)印刷厚膜通孔互連件；
[0022]b)拋光所述一個外表面；
[0023]c)在低溫共燒陶瓷的所述一個拋光的外表面上真空沉積薄膜外導(dǎo)體；以及
[0024]d)將薄膜外導(dǎo)體圖案化，使得薄膜外導(dǎo)體的至少一部分為線形式，其中所述線之間的間距小于50ym ；
[0025]所述厚膜內(nèi)導(dǎo)體和在內(nèi)導(dǎo)體之間的厚膜通孔互連件、薄膜外導(dǎo)體、以及從內(nèi)導(dǎo)體到所述一個外表面的厚膜通孔互連件均包含獨立地選自金、銀、鉬、鈀、它們的混合物及其合金的貴金屬，并且其中從內(nèi)導(dǎo)體到所述一個外表面的厚膜通孔互連件提供至薄膜外導(dǎo)體的電連接。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0026]圖1是具有絲網(wǎng)印刷到內(nèi)表面和外表面上的厚膜導(dǎo)體的LTCC結(jié)構(gòu)的代表性橫截面。[0027]圖2是具有沉積到外表面上的薄膜導(dǎo)體和絲網(wǎng)印刷到內(nèi)表面上的厚膜導(dǎo)體的本發(fā)明的LTCC結(jié)構(gòu)的代表性橫截面。
[0028]圖3是在實例I中制備的共面波導(dǎo)的示意圖。
[0029]圖4示出用于實例I的共面波導(dǎo)(CPW)薄膜/厚膜LTCC結(jié)構(gòu)并且用于比較薄膜CPff的回波損耗。
[0030]圖5示出用于實例I的CPW薄膜/厚膜LTCC結(jié)構(gòu)并且用于比較薄膜CPW的插入損耗。
【具體實施方式】
[0031]圖2中示出了具有沉積在LTCC拋光表面上的薄膜導(dǎo)體的本多層低溫共燒結(jié)構(gòu)的一個實施例。薄膜/厚膜LTCC結(jié)構(gòu)20由包括玻璃-陶瓷介電層21的多層低溫共燒陶瓷構(gòu)成，玻璃-陶瓷介電層21具有層21的部分上的絲網(wǎng)印刷厚膜內(nèi)導(dǎo)體22和分別沉積在LTCC拋光的上部外表面26和下部外表面28上的薄膜外導(dǎo)體25和27。內(nèi)導(dǎo)體22之間的絲網(wǎng)印刷厚膜通孔互連件23提供內(nèi)導(dǎo)體22之間的電連接。從內(nèi)導(dǎo)體22到LTCC的上部外表面26和下部外表面28的絲網(wǎng)印刷厚膜通孔互連件24提供內(nèi)導(dǎo)體22與薄膜外導(dǎo)體25和27之間的電連接。應(yīng)當(dāng)理解，包含絲網(wǎng)印刷厚膜內(nèi)導(dǎo)體22的層21的一些部分的位置、薄膜外導(dǎo)體25和27的位置以及通孔23和24的位置符合特定的電路設(shè)計的要求。將薄膜外導(dǎo)體25和27圖案化，使得薄膜外導(dǎo)體25和27的至少一部分為線形式。所述線之間的間距小于50 μ m。
[0032]厚膜內(nèi)導(dǎo)體22和厚膜通孔互連件23、薄膜外導(dǎo)體25和27、以及到上部表面和下部表面的厚膜通孔互連件24均包含獨立地選自金、銀、鉬、鈀、它們的混合物及其合金的貴金屬。因此，這些各種導(dǎo)體可包含不同的貴金屬或相同的貴金屬。在實施例中，厚膜內(nèi)導(dǎo)體22和厚膜通孔互連件23是銀，薄膜外導(dǎo)體25和27是金，而至上部表面和下部表面的厚膜通孔互連件24是銀和金的混合物。在一個此類實施例中，這些互連件可以是20-100重量％的金和0-80重量％的銀。在另一個實施例中，厚膜內(nèi)導(dǎo)體22和厚膜通孔互連件23、薄膜外導(dǎo)體25和27、以及至上部表面和下部表面的厚膜通孔互連件24均是金。
[0033]金外導(dǎo)體相對于銀外導(dǎo)體具有顯著的優(yōu)勢。例如，如果外導(dǎo)體是需要直接暴露于環(huán)境才能適當(dāng)工作的天線，則金具有耐腐蝕性，而銀將被侵蝕并且失去效力。此外焊接和引線鍵合更易于用金實現(xiàn)。
[0034]用于制備圖2中所示的多層低溫共燒陶瓷結(jié)構(gòu)的方法通過提供包括玻璃-陶瓷介電層21的多層LTCC開始，所述玻璃-陶瓷介電層21具有層21的部分上的絲網(wǎng)印刷厚膜內(nèi)導(dǎo)體22、和在內(nèi)導(dǎo)體22之間的絲網(wǎng)印刷厚膜互連件23、以及從內(nèi)導(dǎo)體22到LTCC的上部外表面26和下部外表面28的絲網(wǎng)印刷厚膜通孔互連件24。然后拋光LTCC的上部外表面26和下部外表面28以提供足夠平滑的表面，以便能夠分別在LTCC的上部外表面26和下部外表面28上真空沉積薄膜外導(dǎo)體25和27。
[0035]在本多層低溫共燒陶瓷結(jié)構(gòu)的另一個實施例中，僅在LTCC的一個外表面上有薄膜外導(dǎo)體。對于這個實施例，僅LTCC的一個外表面需要拋光，并且來自內(nèi)導(dǎo)體的絲網(wǎng)印刷厚膜通孔互連件僅需要連接到LTCC的該一個外表面。
[0036]在沉積薄膜外導(dǎo)體之前焙燒LTCC。[0037]焙燒的LTCC基板的表面顯示具有不同表面粗糙度的不均勻平滑度。拋光用作獲得更均勻表面平滑度以沉積薄膜導(dǎo)體組合物的技術(shù)。粗糙的LTCC表面形貌將不會產(chǎn)生沉積之后的均勻薄膜導(dǎo)線。
[0038]薄膜外導(dǎo)體圖案可通過標準薄膜方法中的任何一種而形成于拋光的表面上。一種此類技術(shù)采用了使用真空沉積而在基板上覆涂一層薄膜金屬。一旦該步驟完成，則單獨使用化學(xué)蝕刻或與激光燒蝕結(jié)合可將導(dǎo)體圖案化。這里描述的LTCC材料體系與激光處理兼容而不對電路造成任何損壞。
[0039]存在各種可用的組合物用作LTCC的玻璃-陶瓷介電層。優(yōu)選DuPont?GreenTape?9K7 (購自 DuPont Company, Wilmington, DE)。其易于拋光并且對薄膜金屬化提供良好的附著力。
[0040]厚膜內(nèi)導(dǎo)體，即在各種單獨層的一些部分上絲網(wǎng)印刷的導(dǎo)體，以及在內(nèi)導(dǎo)體之間的絲網(wǎng)印刷通孔互連件可使用傳統(tǒng)的厚膜絲網(wǎng)印刷機進行絲網(wǎng)印刷。用于內(nèi)導(dǎo)體的導(dǎo)體漿料可配制為與GreenTape?的收縮率兼容。特別配制通孔互連件漿料以填充導(dǎo)通孔并且收縮率與GreenTape?匹配。通常這些漿料是包括貴金屬粉末、無機粘結(jié)劑、燒結(jié)助劑和燒結(jié)抑制劑的組合物，如果需要，以有機介質(zhì)充分分散。所用的典型導(dǎo)體是可商購獲得的DuPontLTCC導(dǎo)體體系(產(chǎn)品數(shù)據(jù)表可從DuPont Company, Wilmington, DE獲得)，其包括LL601,銀通孔填料導(dǎo)體；LL612，銀信號線導(dǎo)體；LL601，銀接地面導(dǎo)體；LL500，金通孔填料導(dǎo)體；LL507,金信號線導(dǎo)體；LL505，金接地平面導(dǎo)體和過渡通孔填料銀-金導(dǎo)體，如美國專利申請12/981196中所述。
[0041]薄膜外導(dǎo)體沉積到LTCC的拋光外表面上。在一個實施例中，真空沉積這些導(dǎo)體。薄膜外導(dǎo)體的使用使得能夠制造線間距小于50 μ m的線。在一些實施例中，線間距小于10 μ m并且可低至1-2 μ m。
[0042]SM
[0043]實例I
[0044]為了展示具有沉積到LTCC外表面上的薄膜導(dǎo)體的本發(fā)明的典型應(yīng)用，共面波導(dǎo)(CPff)互連件傳輸線被制備并且在9K7LTCC材料體系上被測試。
[0045]四個介電層用于測試電路。絲網(wǎng)印刷厚膜的金的金屬化(LL505，金漿，購自DuPontC0., Wilmington, DE)用于形成電路的厚膜內(nèi)導(dǎo)體。形成了絲網(wǎng)印刷的通孔互連件(LL500,金通孔填料衆(zhòng)，購自DuPont C0.，Wilmington, DE),以將內(nèi)導(dǎo)體彼此連接并且將內(nèi)導(dǎo)體連接到沉積在LTCC的上部外表面上的薄膜導(dǎo)體。具有厚膜內(nèi)導(dǎo)體和通孔互連件的LTCC基板在適當(dāng)?shù)臏囟惹€下焙燒以形成單片陶瓷電路。緊隨著拋光步驟，焙燒的LTCC基板進行頂部表面和底部表面的磨平。這些步驟是獲得真空沉積用于外導(dǎo)體的薄金膜所需平滑度水平所必需的。磨平是以機械研磨機與礦物油介質(zhì)一起來完成的。拋光步驟使用金剛石工具以獲得焙燒的LTCC上非常平滑的表面。
[0046]使用Tencor AS-500針式表面輪廓儀測量LTCC拋光和未拋光的焙燒基板的表面粗糙度。為每個基板執(zhí)行十次隨機20mm掃描。表I中的數(shù)據(jù)點是與每次20mm掃描長度上的平均值偏差的絕對值的平均值。示出了十次掃描的平均值和標準偏差(St Dev)。所有的值均以nm為單位。
[0047]
【權(quán)利要求】
1.多層低溫共燒陶瓷結(jié)構(gòu)，包括: a)多層低溫共燒陶瓷，其包括玻璃-陶瓷介電層，所述玻璃-陶瓷介電層具有在所述層的部分上的絲網(wǎng)印刷厚膜內(nèi)導(dǎo)體，并具有在所述內(nèi)導(dǎo)體之間并且從所述內(nèi)導(dǎo)體到所述低溫共燒陶瓷的上部外表面和下部外表面的絲網(wǎng)印刷厚膜通孔互連件，其中在焙燒之后已經(jīng)拋光所述低溫共燒陶瓷的上部外表面和下部外表面；以及 b)薄膜外導(dǎo)體，其沉積在所述低溫共燒陶瓷的所述拋光的上部外表面和下部外表面上，其中將所述薄膜外導(dǎo)體圖案化，使得所述薄膜外導(dǎo)體的至少一部分為線形式，并且其中所述線之間的間距小于50 μ m ; 所述厚膜內(nèi)導(dǎo)體和在所述內(nèi)導(dǎo)體之間的所述厚膜通孔互連件、所述薄膜外導(dǎo)體、以及從所述內(nèi)導(dǎo)體到所述上部外表面和下部外表面的所述厚膜通孔互連件均包含獨立地選自金、銀、鉬、鈀、它們的混合物及其合金的貴金屬，并且其中從所述內(nèi)導(dǎo)體到所述上部外表面和下部外表面的所述厚膜通孔互連件提供至所述薄膜外導(dǎo)體的電連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層低溫共燒陶瓷結(jié)構(gòu)，其中所述線之間的所述間距小于10 μ m。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層低溫共燒陶瓷結(jié)構(gòu)，其中所述厚膜內(nèi)導(dǎo)體和在所述內(nèi)導(dǎo)體之間的所述厚膜通孔互連件是銀，其中所述薄膜外導(dǎo)體是金，并且其中從所述內(nèi)導(dǎo)體到所述上部表面和下部表面的所述厚膜通孔互連件是銀和金的混合物。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多層低溫共燒陶瓷結(jié)構(gòu)，其中所述厚膜內(nèi)導(dǎo)體和在所述內(nèi)導(dǎo)體之間的所述厚膜通孔互連件、所述薄膜外導(dǎo)體、以及從所述內(nèi)導(dǎo)體到所述上部表面和下部表面的所述厚膜通孔互連件均是金。
5.多層低溫共燒陶瓷結(jié)構(gòu)，包括: a)多層低溫共燒陶瓷，其包括玻璃-陶瓷介電層，所述玻璃-陶瓷介電層具有在所述層的部分上的絲網(wǎng)印刷厚膜內(nèi)導(dǎo)體，并具有在所述內(nèi)導(dǎo)體之間并且從所述內(nèi)導(dǎo)體到所述低溫共燒陶瓷的一個外表面的絲網(wǎng)印刷厚膜通孔互連件，其中在焙燒之后已經(jīng)拋光所述低溫共燒陶瓷的所述一個外表面；以及 b)薄膜外導(dǎo)體，其沉積在所述低溫共燒陶瓷的所述拋光的一個外表面上，其中將所述薄膜外導(dǎo)體圖案化，使得所述薄膜外導(dǎo)體的至少一部分為線形式，并且其中所述線之間的間距小于50 μ m ； 所述厚膜內(nèi)導(dǎo)體和在所述內(nèi)導(dǎo)體之間的所述厚膜通孔互連件、所述薄膜外導(dǎo)體、以及從所述內(nèi)導(dǎo)體到所述一個外表面的所述厚膜通孔互連件均包含獨立地選自金、銀、鉬、鈀、它們的混合物及其合金的貴金屬，并且其中從所述內(nèi)導(dǎo)體到所述一個外表面的所述厚膜通孔互連件提供至所述薄膜外導(dǎo)體的電連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的多層低溫共燒陶瓷結(jié)構(gòu)，其中所述線之間的所述間距小于10 μ m0
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的多層低溫共燒陶瓷結(jié)構(gòu)，其中所述厚膜內(nèi)導(dǎo)體和在所述內(nèi)導(dǎo)體之間的所述厚膜通孔互連件是銀，其中所述薄膜外導(dǎo)體是金，并且其中從所述內(nèi)導(dǎo)體到所述一個外表面的所述厚膜通孔互連件是銀和金的混合物。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的多層低溫共燒陶瓷結(jié)構(gòu)，其中所述厚膜內(nèi)導(dǎo)體和在所述內(nèi)導(dǎo)體之間的所述厚膜通孔互連件、所述薄膜外導(dǎo)體、以及從所述內(nèi)導(dǎo)體到所述一個外表面的所述厚膜通孔互連件均是金。
9.用于制造多層低溫共燒陶瓷結(jié)構(gòu)的方法，所述方法包括: a)提供包括玻璃-陶瓷介電層的多層低溫共燒陶瓷，所述玻璃-陶瓷介電層具有在所述層的部分上的絲網(wǎng)印刷厚膜內(nèi)導(dǎo)體，并具有在所述內(nèi)導(dǎo)體之間并且從所述內(nèi)導(dǎo)體到所述低溫共燒陶瓷的上部外表面和下部外表面的絲網(wǎng)印刷厚膜通孔互連件； b)拋光所述上部外表面和下部外表面； c)在所述低溫共燒陶瓷的所述拋光的上部外表面和下部外表面上真空沉積薄膜外導(dǎo)體；以及 d)將所述薄膜外導(dǎo)體圖案化，使得所述薄膜外導(dǎo)體的至少一部分為線形式，其中所述線之間的間距小于50μπι; 所述厚膜內(nèi)導(dǎo)體和在所述內(nèi)導(dǎo)體之間的所述厚膜通孔互連件、所述薄膜外導(dǎo)體、以及從所述內(nèi)導(dǎo)體到所述上部外表面和下部外表面的所述厚膜通孔互連件均包含獨立地選自金、銀、鉬、鈀、它們的混合物及其合金的貴金屬，并且其中從所述內(nèi)導(dǎo)體到所述上部外表面和下部外表面的所述厚膜通孔互連件提供至所述薄膜外導(dǎo)體的電連接。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中所述線之間的所述間距小于ΙΟμπι。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中所述厚膜內(nèi)導(dǎo)體和在所述內(nèi)導(dǎo)體之間的所述厚膜通孔互連件是銀，其中所述薄膜外導(dǎo)體是金，并且其中從所述內(nèi)導(dǎo)體到所述上部表面和下部表面的所述厚膜通孔互連件是銀和金的混合物。
12.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中所述厚膜內(nèi)導(dǎo)體和在所述內(nèi)導(dǎo)體之間的所述厚膜通孔互連件、所述薄膜外 導(dǎo)體、以及從所述內(nèi)導(dǎo)體到所述上部表面和下部表面的所述厚膜通孔互連件均是金。
13.用于制造多層低溫共燒陶瓷結(jié)構(gòu)的方法，所述方法包括: a)提供包括玻璃-陶瓷介電層的多層低溫共燒陶瓷，所述玻璃-陶瓷介電層具有在所述層的部分上的絲網(wǎng)印刷厚膜內(nèi)導(dǎo)體，并具有在所述內(nèi)導(dǎo)體之間并且從所述內(nèi)導(dǎo)體到所述低溫共燒陶瓷的一個外表面的絲網(wǎng)印刷厚膜通孔互連； b)拋光所述一個外表面； c)在所述低溫共燒陶瓷的所述一個拋光的外表面上真空沉積薄膜外導(dǎo)體；以及 d)將所述薄膜外導(dǎo)體圖案化，使得所述薄膜外導(dǎo)體的至少一部分為線形式，其中所述線之間的間距小于50μπι; 所述厚膜內(nèi)導(dǎo)體和在所述內(nèi)導(dǎo)體之間的所述厚膜通孔互連件、所述薄膜外導(dǎo)體、以及從所述內(nèi)導(dǎo)體到所述一個外表面的所述厚膜通孔互連件均包含獨立地選自金、銀、鉬、鈀、它們的混合物及其合金的貴金屬，并且其中從所述內(nèi)導(dǎo)體到所述一個外表面的所述厚膜通孔互連件提供至所述薄膜外導(dǎo)體的電連接。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中所述線之間的所述間距小于ΙΟμπι。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中所述厚膜內(nèi)導(dǎo)體和在所述內(nèi)導(dǎo)體之間的所述厚膜通孔互連件是銀，其中所述薄膜外導(dǎo)體是金，并且其中從所述內(nèi)導(dǎo)體到所述一個外表面的所述厚膜通孔互連件是銀和金的混合物。
16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中所述厚膜內(nèi)導(dǎo)體和在所述內(nèi)導(dǎo)體之間的所述厚膜通孔互連件、所述薄膜外導(dǎo)體、以及從所述內(nèi)導(dǎo)體到所述一個外表面的所述厚膜通孔互連件均是金。`
【文檔編號】H01L23/498GK103534802SQ201280021177
【公開日】2014年1月22日 申請日期:2012年5月21日 優(yōu)先權(quán)日:2011年6月1日
【發(fā)明者】S·E·戈登, E·D·休斯, J·C·麥勒比, D·M·奈爾, K·M·奈爾, J·M·帕里斯, M·A·史密斯, K·E·桑德斯 申請人:E.I.內(nèi)穆爾杜邦公司