用于發(fā)光二極管、光電子顯示器等中的半導(dǎo)體納米粒子基材料的制作方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明涉及一種制劑，所述制劑將優(yōu)選包括來(lái)自周期表的第13和15族的離子的納米粒子，尤其是量子點(diǎn)(QD)納米粒子，結(jié)合至光學(xué)清澈的介質(zhì)(樹(shù)脂)中，從而被用作在照明和顯示用途中的磷光體材料和在LED(發(fā)光二極管)中的下變頻磷光體材料。該樹(shù)脂與QD相容，以允許照明和顯示用途的QD-基LED的高性能和穩(wěn)定性。該光學(xué)清澈的介質(zhì)可以由得自(甲基)丙烯酸酯單體和三價(jià)交聯(lián)化合物的聚(甲基)丙烯酸酯封裝介質(zhì)形成。該封裝介質(zhì)也可以得自在光引發(fā)劑的存在下反應(yīng)的甲基丙烯酸月桂酯單體和多價(jià)交聯(lián)化合物。
【專(zhuān)利說(shuō)明】用于發(fā)光二極管、光電子顯示器等中的半導(dǎo)體納米粒子基 材料
[0001]本發(fā)明涉及用于發(fā)光裝置例如但不限于發(fā)光二極管(LED)和光電子顯示器中的 半導(dǎo)體納米粒子基材料。特別但不是排他地，本發(fā)明涉及用于制造基于量子點(diǎn)(QD)的發(fā)光 裝置的樹(shù)脂制劑、用于制備所述制劑的方法、使用所述制劑制造這種裝置的方法和這樣形 成的裝置。
[0002]對(duì)于現(xiàn)代生活，發(fā)光二極管(LED)正在變得更加重要，并且據(jù)設(shè)想，在許多 照明形式如汽車(chē)燈、交通訊號(hào)、一般照明、液晶顯示器(LCD)背光和顯示幕中，它們將 成為主要的應(yīng)用之一。目前，LED裝置是由無(wú)機(jī)固態(tài)化合物半導(dǎo)體如AlGaAs(紅)、 AlGaInP(橙-黃-綠)和AlGaInN(綠-藍(lán))制備的，然而，使用可得的固態(tài)化合物半導(dǎo)體 的混合物，不能制得發(fā)射白光的固態(tài)LED。此外，通過(guò)混合不同頻率的固態(tài)LED來(lái)產(chǎn)生“純 的”顏色是困難的。因此，目前產(chǎn)生所需的顏色(包括白色)的主要的顏色混合法是，使用 置于固態(tài)LED的頂部的磷光材料的組合，由此，來(lái)自L(fǎng)ED的光(“一次光”)被磷光材料吸收， 并隨后以不同的頻率(“二次光”)再發(fā)射，即磷光材料將一次光下變頻為二次光。此外，使 用通過(guò)磷光體下變頻產(chǎn)生的白光LED導(dǎo)致與固態(tài)紅-綠-藍(lán)LED的組合相比更低的成本和 更簡(jiǎn)單的裝置制造。
[0003]目前用于下變頻用途的磷光材料吸收UV或主要吸收藍(lán)光，并將它轉(zhuǎn)化為較長(zhǎng)的 波長(zhǎng)，而大部分磷光體目前使用三價(jià)稀土摻雜的氧化物或鹵代磷酸鹽?？梢酝ㄟ^(guò)以下方法 獲得白光發(fā)射:將在藍(lán)色、綠色和紅色區(qū)域發(fā)光的磷光體與發(fā)射藍(lán)光或UV的固態(tài)裝置的那 些混合，即發(fā)射藍(lán)光的LED加綠色磷光體如SrGa2S4:Eu2+，和紅色磷光體如SrSiEu2+或者發(fā) 射UV光的LED加黃色磷光體如Sr2P2O7:Eu2+ ；Mu2+和藍(lán)-綠磷光體。也可以通過(guò)將藍(lán)光LED 與黃色磷光體組合制備白光LED，然而，當(dāng)使用該方法時(shí)，由于LED和磷光體的可調(diào)諧性的 缺乏，導(dǎo)致顏色控制和顯色性差。此外，常規(guī)的LED磷光體技術(shù)使用著具有差顯色性(即顯 色性指數(shù)(CRI)〈75)的下變頻材料。
[0004]利用由通常稱(chēng)為量子點(diǎn)(QD)或納米晶體的具有2_50nm量級(jí)的尺寸的粒子構(gòu)成的 化合物半導(dǎo)體的性質(zhì)已經(jīng)引起了相當(dāng)大的興趣。這些材料引起商業(yè)上的興趣是因?yàn)樗鼈?的可以尺寸調(diào)諧的電子學(xué)性質(zhì)，此性質(zhì)可以用于許多商業(yè)用途如光學(xué)和電子裝置和其他用 途，范圍從生物標(biāo)簽、光伏產(chǎn)品、催化、生物成像、LED、一般空間照明到電致發(fā)光顯示器等許 多新型的和新興的用途。
[0005]已被研究得最多的半導(dǎo)體材料是硫?qū)倩颕1-VI材料，即ZnS、ZnSe, CdS、CdSe, CdTe ;由于其在光譜的可見(jiàn)光區(qū)域的可調(diào)諧性，最引人注目的是CdSe。已經(jīng)由“從下至上 (bottom up)”技術(shù)發(fā)展了用于大規(guī)模制備這些材料的可重復(fù)方法，其中，使用“濕”化學(xué)方 法，一個(gè)原子接一個(gè)原子地制備粒子，即從分子到簇再到粒子。
[0006]兩個(gè)均涉及單個(gè)半導(dǎo)體納米粒子的尺寸的基本因素是導(dǎo)致其獨(dú)特性質(zhì)的原因。第 一個(gè)因素是大的表面與體積比率；當(dāng)粒子變得更小時(shí)，表面原子的數(shù)量與內(nèi)部原子的數(shù)量 的比率增加。這導(dǎo)致表面性質(zhì)在材料的整體性質(zhì)中扮演更重要的角色。第二個(gè)因素是對(duì)于 包括半導(dǎo)體納米粒子的許多材料，材料的電子性質(zhì)隨尺寸改變，此外，因?yàn)榱孔蛹s束效應(yīng)，當(dāng)粒子的尺寸減小時(shí)，帶隙逐漸變大。這一效應(yīng)是“匣中電子”的約束的結(jié)果，其產(chǎn)生類(lèi)似 于在原子和分子中觀察到的那些的分立能級(jí)，而不是在相應(yīng)的塊狀半導(dǎo)體材料中觀察到的 連續(xù)能帶。因此，對(duì)于半導(dǎo)體納米粒子，由于所述物理參數(shù)，通過(guò)吸收具有大于第一激子躍 遷的能量的電磁輻射即光子所產(chǎn)生的“電子和空穴”與它們?cè)谙鄳?yīng)的粗晶材料中相比更加 靠近在一起，而且不能忽略庫(kù)侖相互作用。這導(dǎo)致取決于納米粒子材料的粒徑和組成的窄 帶寬發(fā)射。因此，QD具有比相應(yīng)的粗晶材料更高的動(dòng)能，并且因此第一激子躍遷(帶隙)能 量隨著粒徑減小而增加。
[0007]由單一半導(dǎo)體材料組成的核半導(dǎo)體納米粒子以及外部有機(jī)鈍化層趨向于具有相 對(duì)低的量子效率，這是由在可以導(dǎo)致非輻射的電子-空穴復(fù)合的位于納米粒子表面上的缺 陷和懸掛鍵處發(fā)生的電子-空穴復(fù)合導(dǎo)致的。一種消除QD的無(wú)機(jī)表面上的缺陷和懸掛鍵 的方法是在核粒子的表面上外延生長(zhǎng)第二無(wú)機(jī)材料，以制備“核-殼”粒子，所述第二無(wú)機(jī) 材料具有較寬的帶隙和對(duì)核材料的晶格的小的晶格失配。核-殼粒子使任何被約束在核中 的載流子與否則將起到非輻射復(fù)合中心作用的表面態(tài)隔離。一個(gè)實(shí)例是在CdSe核的表面 上生長(zhǎng)的ZnS殼。另一個(gè)途徑是制備核-多殼結(jié)構(gòu)，其中“電子-空穴”對(duì)被完全約束到由 幾個(gè)特定材料單層構(gòu)成的單一殼層，如量子點(diǎn)-量子阱結(jié)構(gòu)。此處，核具有寬帶隙材料，隨 后是較窄帶隙材料的薄殼，并覆有另一寬帶隙層，如利用以下方式所生長(zhǎng)的CdS / HgS / CdS:使用Hg置換在核納米晶體的表面上的Cd，以沉積僅僅幾個(gè)單層的HgS，其隨后被單層 CdS覆蓋生長(zhǎng)。所得的結(jié)構(gòu)表現(xiàn)出在HgS層中對(duì)光激發(fā)的載流子的明顯的約束。為了對(duì)QD 增加進(jìn)一步的穩(wěn)定性并幫助約束電子-空穴對(duì)，最普通的途徑之一是通過(guò)在核上外延生長(zhǎng) 組成逐漸變化的合金層，這可以幫助減輕否則可能導(dǎo)致缺陷的應(yīng)變。此外，對(duì)于CdSe核，為 了提高結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性和量子產(chǎn)額，不是在核上直接生長(zhǎng)ZnS殼，可以使用漸變的CdhZnxSehSy 合金層。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，這大大地增強(qiáng)了 QD的光致發(fā)光發(fā)射。
[0008]用原子雜質(zhì)摻雜QD也是控制納米粒子的發(fā)射和吸收性質(zhì)的有效方法。已經(jīng)發(fā)展 了用錳和銅摻雜寬帶隙材料如硒化鋅和硫化鋅(ZnSe:Mn或ZnS:Cu)的方法。在半導(dǎo)體的 納米晶體中用不同的發(fā)光活化劑摻雜，可以調(diào)諧甚至低于塊狀材料帶隙的能量處的光致發(fā) 光和電致發(fā)光，而量子尺寸效應(yīng)可以隨著QD的尺寸調(diào)諧激發(fā)能量，而在和活化劑有關(guān)的發(fā) 射能量方面沒(méi)有顯著的改變。
[0009]本發(fā)明的目的在于避免或者減輕目前用于制造半導(dǎo)體納米粒子-基發(fā)光裝置的 方法的一個(gè)或多個(gè)問(wèn)題。
[0010]本發(fā)明的第一方面提供了用于制造發(fā)光裝置的制劑，所述制劑包含半導(dǎo)體納米粒 子群，所述半導(dǎo)體納米粒子群包含來(lái)自周期表第13和15族的離子，所述納米粒子被結(jié)合到 光學(xué)透明聚(甲基)丙烯酸酯封裝介質(zhì)中。
[0011]本發(fā)明的方面涉及熒光半導(dǎo)體納米粒子(例如量子點(diǎn)(QD))向光學(xué)清澈和化學(xué)穩(wěn) 定的介質(zhì)中的結(jié)合，所述介質(zhì)在本文中可以稱(chēng)為“樹(shù)脂”一此術(shù)語(yǔ)可以包括任何合適的其 中結(jié)合半導(dǎo)體納米粒子的主體材料。本發(fā)明提供制劑或樹(shù)脂，其結(jié)合單獨(dú)的納米粒子(納 米粒子被直接嵌入封裝介質(zhì)或樹(shù)脂中)、包含在珠或珠狀結(jié)構(gòu)中的或與珠或珠狀結(jié)構(gòu)結(jié)合 的納米粒子、或者它們的組合。
[0012]根據(jù)本發(fā)明的制劑允許使用QD特別是CFQD尤其是II1-V QD作為在最終發(fā)光裝 置中具有高性能、最小化聚集和保持的量子產(chǎn)額的磷光體材料。[0013]本發(fā)明的第二方面提供用于制造發(fā)光裝置的制劑，所述制劑包含半導(dǎo)體納米粒子群，所述半導(dǎo)體納米粒子群被結(jié)合到得自(甲基)丙烯酸酯單體和三價(jià)交聯(lián)化合物的光學(xué)透明聚(甲基)丙烯酸酯封裝介質(zhì)中。
[0014]本發(fā)明的第三方面提供用于制造發(fā)光裝置的制劑，所述制劑包含半導(dǎo)體納米粒子群，所述半導(dǎo)體納米粒子群被結(jié)合到得自在光引發(fā)劑的存在下反應(yīng)的甲基丙烯酸月桂酯單體和多價(jià)交聯(lián)化合物的光學(xué)透明聚合物封裝介質(zhì)中。
[0015]在本發(fā)明的第一和第二方面中，所述聚(甲基)丙烯酸酯可以是任何合適的(甲基)丙烯酸酯系聚合物。它優(yōu)選結(jié)合中等的至長(zhǎng)的碳鏈，如C8-C2tl碳鏈，更優(yōu)選C12-C18碳鏈。優(yōu)選的是，聚(甲基)丙烯酸酯選自由以下各項(xiàng)組成的組:聚(甲基)丙烯酸月桂酯、 聚(甲基)丙烯酸硬脂酯、聚(甲基)丙烯酸三甲基甲硅烷基酯、聚(甲基)丙烯酸三甲基甲硅烷氧基烷基酯(例如甲基丙烯酸2-(三甲基甲硅烷氧基)乙基酯)、聚(甲基)丙烯酸縮水甘油酯、(甲基)丙烯酸甲酯以及它們的組合。每個(gè)前述丙烯酸酯(acylate)可以是被一個(gè)以上化學(xué)基團(tuán)取代或未取代的，所述化學(xué)基團(tuán)如烷基，例如甲基、乙基或丙基。以下列出了可以由其獲得這些聚合物的單體的結(jié)構(gòu)。所述聚(甲基)丙烯酸酯是聚甲基丙烯酸月桂酯是特別優(yōu)選的。
[0016]
【權(quán)利要求】
1.一種用于制造發(fā)光裝置的制劑，所述制劑包含半導(dǎo)體納米粒子群，所述半導(dǎo)體納米粒子群包含來(lái)自周期表的第13和15族的離子，所述納米粒子被結(jié)合到光學(xué)透明的聚(甲基)丙烯酸酯封裝介質(zhì)中。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制劑，其中，所述聚(甲基)丙烯酸酯封裝介質(zhì)得自(甲基) 丙烯酸酯單體和多價(jià)交聯(lián)化合物。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制劑，其中，所述多價(jià)交聯(lián)化合物是三價(jià)交聯(lián)化合物，如三羥甲基丙烷三甲基丙烯酸酯。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的制劑，其中，所述(甲基)丙烯酸酯單體是甲基丙烯酸月桂酯。
5.根據(jù)權(quán)利要求2至4中任一項(xiàng)所述的制劑，其中，所述單體和交聯(lián)化合物在光引發(fā)劑的存在下反應(yīng)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制劑，其中，所述聚(甲基)丙烯酸酯選自由以下各項(xiàng)組成的組:聚(甲基)丙烯酸月桂酯、聚(甲基)丙烯酸硬脂酯、聚(甲基)丙烯酸三甲基甲硅烷基酯、聚(甲基)丙烯酸三甲基甲硅烷氧基烷基酯、聚(甲基)丙烯酸縮水甘油酯、(甲基) 丙烯酸甲酯以及它們的組合。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制劑，其中，所述聚(甲基)丙烯酸酯是聚甲基丙烯酸月桂酯。
8.根據(jù)任一項(xiàng)在前權(quán)利要求所述的制劑，其中，所述半導(dǎo)體納米粒子含有一種或多種選自由以下各項(xiàng)組成的組的半導(dǎo)體材料:InP、InAs, InSb, A1P、A1S、AlAs, AlSb, GaN、GaP, GaAs, GaSb以及它們的組合。
9.一種用于制造發(fā)光裝置的制劑，所述制劑包含半導(dǎo)體納米粒子群，所述半導(dǎo)體納米粒子群被結(jié)合到光學(xué)透明的聚(甲基)丙烯酸酯封裝介質(zhì)中，所述聚(甲基)丙烯酸酯封裝介質(zhì)得自(甲基)丙烯酸酯單體和三價(jià)交聯(lián)化合物。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制劑，其中，所述聚(甲基)丙烯酸酯選自由以下各項(xiàng)組成的組:聚(甲基)丙烯酸月桂酯、聚(甲基)丙烯酸硬脂酯、聚(甲基)丙烯酸三甲基甲硅烷基酯、聚(甲基)丙烯酸三甲基甲硅烷氧基烷基酯、聚(甲基)丙烯酸縮水甘油酯、(甲基)丙烯酸甲酯以及它們的組合。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的制劑，其中，所述(甲基)丙烯酸酯單體是甲基丙烯酸月桂酯。
12.根據(jù)權(quán)利要求9至11中任一項(xiàng)所述的制劑，其中，所述三價(jià)交聯(lián)化合物是三羥甲基丙烷三甲基丙烯酸酯。
13.根據(jù)權(quán)利要求9至12中任一項(xiàng)所述的制劑，其中，所述(甲基)丙烯酸酯單體和所述三價(jià)交聯(lián)化合物在光引發(fā)劑的存在下反應(yīng)。
14.根據(jù)權(quán)利要求9至12中任一項(xiàng)所述的制劑，其中，所述半導(dǎo)體納米粒子含有選自周期表的第11、12、13、14、15和/或16族的離子，或者所述半導(dǎo)體納米粒子含有一種或多種過(guò)渡金屬離子或d-區(qū)金屬離子。
15.根據(jù)權(quán)利要求9至13中任一項(xiàng)所述的制劑，其中，所述半導(dǎo)體納米粒子含有一種或多種選自由以下各項(xiàng)組成的組的半導(dǎo)體材料:CdS、CdSe, CdTe、ZnS、ZnSe, ZnTe, InP, InAs, InSb、A1P、A1S、AlAs、AlSb、GaN、GaP、GaAs, GaSb, PbS、PbSe、S1、Ge、MgS、MgSe, MgTe 以及它們的組合。
16.一種用于制造發(fā)光裝置的制劑，所述制劑包含半導(dǎo)體納米粒子群，所述半導(dǎo)體納米粒子群被結(jié)合到光學(xué)透明的聚合物封裝介質(zhì)中，所述聚合物封裝介質(zhì)得自在光引發(fā)劑的存在下反應(yīng)的甲基丙烯酸月桂酯單體和多價(jià)交聯(lián)化合物。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的制劑，其中，所述多價(jià)交聯(lián)化合物是三價(jià)交聯(lián)化合物，如三羥甲基丙烷三甲基丙烯酸酯。
18.根據(jù)權(quán)利要求16或17所述的制劑，其中，所述半導(dǎo)體納米粒子含有選自周期表的第11、12、13、14、15和/或16族的離子，或者所述半導(dǎo)體納米粒子含有一種或多種過(guò)渡金屬離子或d-區(qū)金屬離子。
19.根據(jù)權(quán)利要求16或17所述的制劑，其中，所述半導(dǎo)體納米粒子含有一種或多種選自由以下各項(xiàng)組成的組的半導(dǎo)體材料:CdS、CdSe, CdTe、ZnS、ZnSe, ZnTe, InP, InAs, InSb、 A1P、A1S、AlAs、AlSb、GaN、GaP、GaAs、GaSb、PbS、PbSe、S1、Ge、MgS、MgSe、MgTe 以及它們的組合。
20.根據(jù)任一項(xiàng)在前權(quán)利要求所述的制劑，其中，所述半導(dǎo)體納米粒子群被結(jié)合到多個(gè)離散的微珠中，所述含有納米粒子的微珠被嵌入到所述封裝介質(zhì)中。
21.一種制備用于制造發(fā)光裝置的制劑的方法，所述方法包括:將半導(dǎo)體納米粒子群結(jié)合到光學(xué)透明的聚(甲基)丙烯酸酯封裝介質(zhì)中，所述半導(dǎo)體納米粒子群包含來(lái)自周期表的第13和15族的離子。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其中，所述聚(甲基)丙烯酸酯封裝介質(zhì)得自(甲基)丙烯酸酯單體和三價(jià)交聯(lián)化合物。
23.一種制備用于制造發(fā)光裝置的制劑的方法，所述方法包括:將半導(dǎo)體納米粒子群結(jié)合到光學(xué)透明的聚(甲基)丙烯酸酯封裝介質(zhì)中，所述聚(甲基)丙烯酸酯封裝介質(zhì)得自(甲基)丙烯酸酯單體和三價(jià)交聯(lián)化合物。
24.根據(jù)權(quán)利要求22或23所述的方法，其中，所述單體和交聯(lián)化合物在光引發(fā)劑的存在下反應(yīng)。·
25.一種制備用于制造發(fā)光裝置的制劑的方法，所述方法包括:將半導(dǎo)體納米粒子群結(jié)合到光學(xué)透明的聚合物封裝介質(zhì)中，所述聚合物封裝介質(zhì)得自在光引發(fā)劑的存在下反應(yīng)的甲基丙烯酸月桂酯單體和三價(jià)交聯(lián)化合物。
26.根據(jù)權(quán)利要求22至25中任一項(xiàng)所述的方法，其中，在將所述單體聚合以提供所述聚合物光學(xué)透明封裝介質(zhì)之前，將所述單體、交聯(lián)化合物和光引發(fā)劑合并以提供封裝劑前體混合物，隨后向所述封裝劑前體混合物中加入所述半導(dǎo)體納米粒子。
27.根據(jù)權(quán)利要求22至26中任一項(xiàng)所述的方法，其中，所述半導(dǎo)體納米粒子通過(guò)以下方式制備:在分子簇化合物的存在下，在允許所述納米粒子在所述簇化合物上接種和生長(zhǎng)的條件下，將納米粒子前體組合物轉(zhuǎn)化為所述納米粒子的材料。
28.根據(jù)權(quán)利要求27所述的方法，其中，所述納米粒子結(jié)合第一和第二離子，并且所述納米粒子前體組合物包含獨(dú)立的第一和第二納米粒子前體物種，所述第一和第二納米粒子前體物種含有分別用于結(jié)合到正在生長(zhǎng)的納米粒子中的所述第一和第二離子。
29.根據(jù)權(quán)利要求27所述的方法，其中，所述納米粒子結(jié)合第一和第二離子，并且所述納米粒子前體組合物包含單一分子物種，所述單一分子物種含有用于結(jié)合到正在生長(zhǎng)的納米粒子中的所述第一和第二離子。
30.一種發(fā)光裝置，所述發(fā)光裝置包括一次光源，所述一次光源與包含半導(dǎo)體納米粒子群的制劑光學(xué)通訊，所述半導(dǎo)體納米粒子群包含來(lái)自周期表的第13和15族的離子，所述納米粒子被結(jié)合到光學(xué)透明的(甲基)丙烯酸酯封裝介質(zhì)中。
31.一種發(fā)光裝置，所述發(fā)光裝置包括一次光源，所述一次光源與包含半導(dǎo)體納米粒子群的制劑光學(xué)通訊，所述半導(dǎo)體納米粒子群被結(jié)合到光學(xué)透明的聚(甲基)丙烯酸酯封裝介質(zhì)中，所述聚(甲基)丙烯酸酯封裝介質(zhì)得自(甲基)丙烯酸酯單體和三價(jià)交聯(lián)化合物。
32.一種發(fā)光裝置，所述發(fā)光裝置包括一次光源，所述一次光源與包含半導(dǎo)體納米粒子群的制劑光學(xué)通訊，所述半導(dǎo)體納米粒子群被結(jié)合到光學(xué)透明的聚合物封裝介質(zhì)中，所述聚合物封裝介質(zhì)得自在光引發(fā)劑的存在下反應(yīng)的甲基丙烯酸月桂酯單體和三價(jià)交聯(lián)化合物。
33.根據(jù)權(quán)利要求30、31或32的裝置，其中，所述一次光源選自由以下各項(xiàng)組成的組: 發(fā)光二極管、激光器、弧光燈和黑體光源。
34.根據(jù)權(quán)利要求30至33中任一項(xiàng)所述的裝置，其中，所述制劑符合權(quán)利要求1至20 中的任一項(xiàng)。
35.一種制造發(fā)光裝置的方法，所述方法包括:在光學(xué)透明的聚(甲基)丙烯酸酯封裝介質(zhì)中設(shè)置半導(dǎo)體納米粒子群以制備含有納米粒子的制劑，所述半導(dǎo)體納米粒子群包含來(lái)自周期表的第13和15族的離子；以及將所述制劑沉積在一次光源上使得所述一次光源與所述半導(dǎo)體納米粒子群光學(xué)通訊。
36.一種制造發(fā)光裝置的方法，所述方法包括:在得自(甲基)丙烯酸酯單體和三價(jià)交聯(lián)化合物介質(zhì)的光學(xué)透明的(甲基)丙烯酸酯封裝中設(shè)置半導(dǎo)體納米粒子群，以制備含有納米粒子的制劑；以及將所述制劑沉積在一次光源上使得所述一次光源與所述半導(dǎo)體納米粒子群光學(xué)通訊。
37.一種制造發(fā)光裝置的方法，所述方法包括:在光學(xué)透明的聚合物封裝介質(zhì)中設(shè)置半導(dǎo)體納米粒子群以制備含有納米粒子的制劑，所述聚合物封裝介質(zhì)得自在光引發(fā)劑的存在下反應(yīng)的甲基丙烯酸月桂酯單體和三價(jià)交聯(lián)化合物；以及將所述制劑沉積在一次光源上使得所述一次光源與所述半導(dǎo)體納米粒子群光學(xué)通訊。`
38.根據(jù)權(quán)利要求35至37中任一項(xiàng)所述的方法，其中，所述制劑符合權(quán)利要求1至20 中的任一項(xiàng)。
【文檔編號(hào)】H01L33/50GK103597622SQ201280026638
【公開(kāi)日】2014年2月19日 申請(qǐng)日期:2012年5月31日 優(yōu)先權(quán)日:2011年5月31日
【發(fā)明者】伊馬德·納薩尼, 龐浩, 西沃恩·丹尼爾斯, ?，敗し拼慕芾? 馬克·克里斯托夫·麥克萊恩, 戴維·韋布, 詹姆斯·哈里斯 申請(qǐng)人:納米技術(shù)有限公司