用于寬帶隙功率晶體管的改進的匹配技術(shù)的制作方法
【專利摘要】公開了用于與微波功率晶體管進行阻抗匹配的阻抗匹配網(wǎng)絡和技術(shù)。分布式電容器電感器網(wǎng)絡被使用，以便與現(xiàn)有的集總電容器布置相比，特別是在電感值方面，提供高度的控制和精度。通過主要由電容器上的微帶傳輸線提供電感，減少了鍵合線的使用。
【專利說明】用于寬帶隙功率晶體管的改進的匹配技術(shù)
[0001]本申請涉及在分立的微波功率晶體管的前級和末級匹配中使用分布式電容及其陣列以改進功率放大器的性能。
【背景技術(shù)】
[0002]使用分立(未封裝)寬帶隙晶體管的微波功率放大器可以通過如下方式以混合布置實現(xiàn):使用單個晶體管或使用與特定的分離的無源電子元件組合(并聯(lián))并組裝以實現(xiàn)所規(guī)定的性能水平的若干個這樣的晶體管。該混合微波集成電路(MIC)的實現(xiàn)對于集成解決方案(諸如微波單片集成電路或MMIC)常常是優(yōu)選的，這是因為通過使用“Q”較高的外部嵌入電子元件，可以導致極大的性能改進。MIC布置的要求是通過使用許多鍵合線將分立晶體管連接到輸入和輸出匹配網(wǎng)絡或元件。每個晶體管的輸出包括大量本征并聯(lián)饋電，并且因此具有低阻抗(較之低功率晶體管)，而輸入包括大量柵極，并且因此具有相對高的電容(較之低功率晶體管)。因此難于在晶體管和它的嵌入電路之間提供合適的阻抗匹配，該合適的阻抗匹配提供跨越所需頻帶的良好功率傳輸。這樣的匹配需要應用規(guī)定的感抗和容抗。
[0003]MIC器件中的鍵合線被用于將各個分立元件連接在一起，并且鍵合線通常是使用傳統(tǒng)的線鍵合設備組裝的長度短的(例如50-500 μ m)、細的(例如直徑為25 μ m)、高導電率(通常是金或鋁)的線。這些鍵合線具有感抗，該感抗隨工作頻率增加(Xf ?L，其中是感抗，ω是頻率，并且L是鍵合線的長度)，并且該感抗關鍵取決于線的長度和取向。
[0004]然而，這導致了問題:使用鍵合線來形成阻抗變換的部分電感的設計對來自鍵合線制造生產(chǎn)公差的性能變化敏感。具體地，由鍵合線提供的電感關鍵由其長度和形狀決定，即使是鍵合線長度或取向的輕微變化，也可以導致電感變化，尤其是在高頻時。例如，在2GHz可能不會帶來特別問題的鍵合線長度變化在20GHz時變得相當成問題的，其中對于同一長度的線，其電抗高10倍。
[0005]作為整個混合放大器電路的一部分，鍵合線電感需要被精確地控制，以確?？芍貜偷暮透弋a(chǎn)的電路性能。一些一致性和控制可以通過使用自動的線鍵合技術(shù)來達到，但是這對于小批量生產(chǎn)并不總是可能的，并且線的長度仍然受特定的制造公差支配。
[0006]因此，主要問題是怎樣克服來自在重要的嵌入匹配網(wǎng)絡內(nèi)使用具有潛在地隨機或系統(tǒng)變化的尺寸的鍵合線的MIC功率放大器的固有性能變化(以及因此對制造產(chǎn)量的限制)。換句話說，怎樣顯著降低這樣的放大器的性能對放大器匹配網(wǎng)絡中使用的鍵合線的制造變化的敏感性。
[0007]除了這個主要的問題，需要實現(xiàn)能夠適應寬帶隙晶體管的低輸出阻抗和高輸入電抗的匹配網(wǎng)絡(雖然對于其他傳統(tǒng)的FET器件也存在同一問題)。這可以通過使用外部“集總”支路電容匹配元件(芯片電容器)作為阻抗變換器來實現(xiàn)，但是這需要密切關注外部的鍵合線電感的影響。這樣的匹配網(wǎng)絡的示例從EP2197030可知，EP2197030公開了采用具有多個并行輸入和多個并行輸出的場效應晶體管(FET)形式的高頻半導體器件，其中并行輸入和并行輸出均由多個鍵合線實現(xiàn)。
[0008]另一個問題是， 使用分離的電感器(鍵合線)和芯片電容器來實現(xiàn)阻抗變換的集總設計與使用分布式網(wǎng)絡相比，具有固有的帶寬限制，除非電容和電感的級數(shù)增加。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0009]從一方面看，提供了一種用于微波功率晶體管的中間阻抗變換器件，該器件包括:介電基板，其承載或包含多個伸長的微波傳輸線，每個微波傳輸線具有長度且延伸越過或穿過基板，每個微波傳輸線具有第一末端和第二末端、每單位長度的預定的串聯(lián)電感以及與電隔離導電板或?qū)酉嘟Y(jié)合的每單位長度的預定的支路電容，使得每個長度的微波傳輸線與導電板或?qū)右黄鹁哂蓄A定的特征阻抗和相位常數(shù)；器件，其被配置成使得，當具有相關聯(lián)的阻抗的指定的最小實際長度的鍵合線連接在一個微波傳輸線的末端和微波功率晶體管之間時，鍵合線的阻抗被吸收到微波傳輸線的每單位長度的阻抗中。
[0010]從另一方面看，提供了一種阻抗變換布置，其包括在具有第一介電常數(shù)的第一介電基板上形成的微波功率晶體管以及至少一個以上方面的中間阻抗變換器件。
[0011]從另一方面看，提供了一種與微波功率晶體管結(jié)合的阻抗變換布置，該阻抗變換布置包括在具有第一介電常數(shù)的第一介電基板上形成的匹配網(wǎng)絡以及至少一個中間阻抗變換器件。
[0012]從又一個方面看，本發(fā)明提供了一種與微波功率晶體管進行阻抗匹配的方法，其中，多個微波傳輸線通過鍵合線被連接，每個鍵合線對晶體管的柵極或漏極端子具有阻抗，微波傳輸線延伸越過或穿過介電基板，微波傳輸線具有預定的串聯(lián)電感以及與電隔離導電板或?qū)酉嘟Y(jié)合的預定的支路電容，使得每個微波傳輸線與電隔離導電板或?qū)右黄鹁哂蓄A定的特征阻抗和相位常數(shù)，以及其中，每個鍵合線的阻抗被吸收到其連接的微波傳輸線的阻抗中。
[0013]在典型的實施方式中，阻抗匹配器件包括以并聯(lián)形式并排布置的微波傳輸線的陣列。每個線可能具有通過電磁耦合影響它鄰近的線的可能性，并且因此可以改變它的每單位長度的有效電容或電感。該陣列設置在晶體管的柵極側(cè)或晶體管的漏極側(cè)，或者可以設置兩個陣列，在晶體管的每一側(cè)上各設置一個陣列，用于前級和末級匹配。每個陣列可以在一片介電基板上形成，或者分別在分離的介電基板上的若干個陣列可以設置在晶體管的一側(cè)或另一側(cè)或兩側(cè)。該器件可以被制造為單個部件(用于晶體管的每側(cè))，或者若干個相同的部件可以以并排的形式部署。
[0014]包括分布式電感和電容的阻抗變換器件可以被視為或配置成條形電容器的陣列，其通常采用矩形介電基板的形式，該介電基板具有基本上平行的第一和第二主表面，具有第一和第二表面上的金屬化以形成電容器的極板。一個表面上的金屬化可以基本上位于整個表面上，而另一相對表面上的金屬化可以采用微波傳輸線的形式，諸如導電微帶傳輸線，共面波導或?qū)щ妿罹€的傳輸線。整個形狀可以是條形的(長，扁和薄)，因此被稱為條形電容器。微波傳輸線通常基本上沿矩形介電基板的整個長度延伸。
[0015]這種類型的器件的具體優(yōu)點在于微波傳輸線并入了電感，以及提供針對介電基板的另一側(cè)上的相對的金屬化表面的電容。通過仔細地選擇微波傳輸線的寬度和長度，以及它距離相對的金屬化表面的間距和介電材料的介電常數(shù)，可以形成具有良好定義的每單位長度的電感和電容(或阻抗)的阻抗匹配元件。因為主要定義電感的微波傳輸線的長度被良好定義(由于它從介電基板的一個末端延伸到另一末端)，因此電感被良好定義。此外，通過主要在條形電容器陣列，而不是在外部“集總”支路電容器中進行阻抗匹配，任何外部鍵合線的長度被顯著減小。事實上，通常采用將分布式或條形電容器連結(jié)到晶體管所需的最小長度，并且該有限的鍵合線電感將被吸收到匹配網(wǎng)絡中。這意味著，與條形電容器陣列(其主要部分是微帶傳輸線)提供的整體電感相比，外部鍵合線的長度和附接點的輕微變化極小。
[0016]另一優(yōu)點在于器件的介電基板可以通過介電常數(shù)高于諸如FR4或Duroid?等的一般的PCB基板的材料制成。例如，在諸如使用GaAs的MMIC的單片環(huán)境中，單片基板的介電常數(shù)約為12.9。本實施方式的器件可以通過具有高于12.9的介電常數(shù)的高介電常數(shù)基板制成，例如13、20、30、40或更高的介電常數(shù)，并且在一些變型例中介電常數(shù)小于300。
[0017]該器件的某些實施方式可以在利用具有高介電常數(shù)的材料(如果單片電路環(huán)境被使用，例如MMIC，相對于那些通常被使用的材料，介電常數(shù)是高的)的(短)長度的傳輸線的方面來觀察。該器件有效地使用有限長度的“微帶”傳輸線來代替集總電容器，該傳輸線在其最簡單的形式中可以被建模為采用串聯(lián)電感器和支路電容器的單位元件的串行級聯(lián)?！肮裁娌▽А被蚱渌嗨频膫鬏斁€類型也可以被采用。本質(zhì)上，總的線電容代替了集總電容，但是附加的好處是額外的“分布式”電感可以用在匹配解決方案中。事實上，傳輸線的阻抗被定義為每單位長度電感除以每單位長度電容的平方根，并且這也用在匹配解決方案中。以這種方式與具有高介電常數(shù)的基板(例如13、40或更高的介電常數(shù)，雖然在一些實施方式中介電常數(shù)不超過300) —起使用分離的或“分立”的傳輸線，較之平面集成電路(例如對于GaAs具有介電常數(shù)12.9)上能夠?qū)崿F(xiàn)的電容，允許使用每單位長度的較高的電容，并且導致更緊湊和更多樣的阻抗變換網(wǎng)絡。
[0018]在一些實施方式中，介電基板的一個主表面完全地或基本上完全地被金屬化,而相對的主表面設置有具有微波傳輸線形式的平行的金屬化軌道的陣列。
[0019]即使在可能的情況下，仍難于避免相鄰微波傳輸帶之間的耦合，但是如果能夠可靠地確定耦合量，那么進行補償是相對簡單的。由于可以使用高精度技術(shù)將微波傳輸帶印刷或光刻刻蝕或通過其他方式形成在介電基板上，以便均勻地和規(guī)則地隔開，因此耦合是可預測的。這與不能如此均勻地或規(guī)則地隔開的分別定位的鍵合線的陣列相反。
[0020]某些實施方式尋求將固有的和必要的鍵合線電感(連接到微波功率晶體管上的柵極和漏極連接)吸收到分立的微波寬帶隙功率晶體管的前級和末級匹配網(wǎng)絡之一(或兩者)中的定制的高介電常數(shù)電容器陣列中。
[0021]與集總電容器和鍵合線對(圖1)相反，條形電容器陣列(圖2)有效地“吸收”所需的匹配電感并且顯著減少線鍵合中所需的電感量，后者易受制造方差和公差的影響。使用精確的光刻技術(shù)可以制造條形電容器陣列，并且該條形電容器陣列的可重復性很高(或者可以被選擇以具有規(guī)定的小的公差)并且減少了對更困難的鍵合線方法的高公差制造的依賴。
[0022]條形電容器陣列還可以利用范圍廣泛的高介電常數(shù)材料，以允許設計者設法使匹配阻抗最優(yōu)化。此外，通過利用單個基板上的印刷的或刻蝕的電容器的“陣列”，輸入和輸出連接到功率晶體管的多個柵極和漏極的連接也可以被更好的控制一其包括施加到每個器件端子的電抗，并且還包括電容元件(其通常被分開組裝)之間的電磁耦合。
[0023]以這種方式利用分布式或條形電容器陣列的整體效果在于，較之傳統(tǒng)的集總元件或分立的芯片實現(xiàn)，改進了微波功率放大器的性能和制造產(chǎn)量。
[0024]預期該技術(shù)提供這種放大器的制造產(chǎn)量，導致成品的制造成本降低。此外，較之更傳統(tǒng)的集總元件匹配技術(shù)，預期該技術(shù)還改進整體帶寬性能。
[0025]某些實施方式的另外的優(yōu)點在于，當在電路板基板上安裝時，通過簡單地對準接近微波功率晶體管邊緣的條形電容器陣列的近端，容易組裝具有可靠的和可再現(xiàn)的匹配性質(zhì)的匹配網(wǎng)絡。這可以在微波功率晶體管的柵極側(cè)和漏極側(cè)兩者進行，并且進一步減小由于鍵合線長度不一引起的誤差裕度。通過在連接到微波晶體管的漏極或柵極端子之前對準接近晶體管邊緣的條形電容器陣列的近端，便利了微波傳輸線的正確取向，并且僅需要使用短的鍵合線將微帶傳輸線連接到相關的晶體管端子。事實上，由于每個微帶傳輸線的末端和它各自的晶體管端子之間的距離或多或少相同，因此可以使用相同長度的鍵合線。在一些實施方式中，可以使條形電容器陣列的近端與微波晶體管的邊緣鄰接，但是由于用于將元件放置和固定到電路板或其他基板上的方法，經(jīng)常會有小的間隙。特別地，環(huán)氧樹脂或焊料以及管芯處理夾頭(die handling collets)的使用使得難于鄰接條形電容器陣列的近端使得它們真正地接觸晶體管元件的邊緣。
[0026]在一些實施方式中，在功率晶體管和外部網(wǎng)絡在同一介電基板上(例如在單片集成電路中)制造的情況下，中間阻抗變換器件可以以“倒裝芯片”的方式被倒過來安裝在功率晶體管和外部嵌入網(wǎng)絡之間。在這種布置中，外部的鍵合線可以被“焊料凸點”、導電環(huán)氧樹脂或預制導電軌道或者相似的連接方法代替，并且針對器件的接地面的附接可以通過器件內(nèi)的導電過孔連接或者通過器件邊緣上的“環(huán)繞式”連接來實現(xiàn)。
[0027]綜上所述，本申請的實施例通過如下方式進行工作，將任何必須的鍵合線的電感吸收到介電基板上的精確制造的微波傳輸線的良好定義的串聯(lián)電感中或者將其忽略，以及借助于相對的板或金屬化來提供針對該串聯(lián)電感的支路電容。通過使用介電常數(shù)高于MMIC和MIC實現(xiàn)中通常使用的基板的高介電常數(shù)的介電基板，獲得每單位長度的改進的電容。通過這種方式，便利了與微波功率晶體管進行改進的阻抗匹配。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0028]以下參照附圖進一步描述本發(fā)明的實施方式，其中:
[0029]圖1是示出了現(xiàn)有技術(shù)的集總芯片電容器和外部鍵合線布置的示意圖；
[0030]圖2是示出了當前實施方式的分布式電感器電容器網(wǎng)絡的示意圖；
[0031]圖3是另一實施方式的條形電容器陣列的示意圖；以及
[0032]圖4是當前實施方式的條形電容器陣列匹配網(wǎng)絡和功率晶體管的示意圖。
【具體實施方式】
[0033]圖1示出了兩個端口 Pl和P2之間的公知的阻抗變換布置。端口 Pl可以表示阻抗Zl的外部電路并且端口 P2可以表示功率晶體管呈現(xiàn)的阻抗。這種布置與EP2197030中公開的阻抗變換布置相似。具有鍵合線1、2的形式的兩個電感器將分立的或集總的電容器4分別連接到外部匹配網(wǎng)絡和功率晶體管。第一鍵合線I將端口 Pl連接到集總電容器4的一個極板3和第二鍵合線2，第二鍵合線2將集總電容器4的極板3連接到端口 P2。鍵合線I和5均被配置成電感器。通過選擇適當?shù)碾姼泻碗娙菪再|(zhì)，對于給定的信號頻率，端口Pl和P2處的阻抗可以互相匹配。然而，每個鍵合線1、2的電感主要取決于每個鍵合線的長度和配置，并且在某種程度上，取決于它的空間取向。當在顯微鏡下手動附接鍵合線時，難于控制到所期望的公差。即使在使用自動鍵合線的機器時，仍難于實現(xiàn)充分高程度的可重復性以便獲得最可能的公差。
[0034]圖2以示意性的形式示出了本申請的實施方式。這里，不同于圖1中所示的集總電容器4，利用分布式電容器電感器網(wǎng)絡或器件6。器件6以示意性的形式示出，并且等效于一連串良好定義的電感器7、8、9、10、11、12，其具有插入的到地的并聯(lián)電容連接13、14、15、
16、17。在實際的結(jié)構(gòu)術(shù)語中，器件6包括長方形片的介電材料18作為基板，基板的金屬化的底面作為接地面，并且微波傳輸線被印刷或刻蝕或以其他方式形成在相對的頂面上，微波傳輸線起串聯(lián)電感器的作用。端口 Pl和P2通過鍵合線1、2仍然被連接到微波傳輸線的末端，但是這些鍵合線1、2僅形成整體電感器串的小部分，并且相應地鍵合線1、2的電感的任何變化對作為整體的器件6的整體電感的影響極小。
[0035]圖3示出了本申請的實施方式，其包括印刷或刻蝕到具有高介電常數(shù)的介電基板(例如介電陶瓷材料)的矩形片32的頂表面上的通常平行的高導電的電容器帶31 (例如，微帶傳輸線)的1x4的陣列30。片32的底面涂有高導電的接地面(未示出)。
[0036]圖4示出了本申請的實施方式，其在微波功率晶體管41的輸入側(cè)40使用圖2所示類型的1x4的第一陣列30，并且在晶體管41的輸出側(cè)42使用另一個1x4的陣列30’。每個陣列30、30’的近端33、33’與晶體管41的邊緣對準，使得僅需要長度短的外部鍵合線43將每個電容器帶31、31’連接到晶體管41上相關聯(lián)的端子。每個陣列30、30’的遠端34、34’面對晶體管41的任一側(cè)的各自的網(wǎng)絡圖案，晶體管41在微波功率晶體管布置中是標準的，并且遠端34、34’通過長度相對短的鍵合線44連接到網(wǎng)絡圖案。
[0037]雖然圖4的實施方式示出了具有電容器帶(微帶傳輸線)31、31’的每個陣列30、30’，電容帶31、31’在它們各自的介電基板32、32’的暴露面的最上面，但是在替選實施方式中可以將陣列30、30’倒過來安裝。在在工業(yè)中被稱為“倒裝芯片”布置的這樣的布置中，可以完全省去鍵合線，而依靠焊料凸點、導電環(huán)氧樹脂和/或預制的導電軌道來形成從匹配網(wǎng)絡穿過陣列30、30’到晶體管41的電連接。
[0038]在本說明書的描述和權(quán)利要求通篇中，詞“包括”和“包含”以及它們的變化表示“包括但不限于”，并且它們并非旨在(并且絕不)排除其他的部分、添加物、元件、整體或步驟。在本說明書的描述和權(quán)利要求通篇中，否則單數(shù)涵蓋復數(shù)。特別地，除非上下文另有所指，在使用不定冠詞的情況下，本說明書應當理解為考慮復數(shù)和單數(shù)。
[0039]與本發(fā)明的特定方面、實施方式或示例相結(jié)合描述的特征、整體、特性、化合物、化學成分或化學基團應當理解為可應用于本文描述的任何其他方面、實施方式或示例，除非與其不相容。本說明書(包括任何所附權(quán)利要求、摘要和附圖)中公開的所有特征，和/或這樣公開的任何方法或處理的所有步驟，可以在任何組合中被組合，除了至少一些這樣的特征和/或步驟互相排斥的組合以外。本發(fā)明不限于任何上述實施方式的細節(jié)。本發(fā)明延伸至本說明書(包括任何所附權(quán)利要求、摘要和附圖)中公開的特征的任何新型的特征或任何新型的組合，或者延伸至這樣公開的任何方法或處理的步驟的任何新型的步驟或任何新型的組合。
[0040]讀者關注于與本申請所結(jié)合的說明書同時提交或在先提交的并且同本說明書一起向公眾開放查閱的所有論文和文獻，并且所有這樣的論文和文獻的內(nèi)容通過引用合并于此。
【權(quán)利要求】
1.一種用于微波功率晶體管的中間阻抗變換器件，所述器件包括: 介電基板，其承載或包含多個伸長的微波傳輸線，每個微波傳輸線具有長度且延伸越過或穿過所述基板，每個微波傳輸線具有第一末端和第二末端、每單位長度的預定的串聯(lián)電感以及與電隔離導電板或?qū)酉嘟Y(jié)合的每單位長度的預定的支路電容，使得每個長度的微波傳輸線與所述導電板或?qū)右黄鹁哂蓄A定的特征阻抗和相位常數(shù)； 所述器件被配置成使得，當具有相關聯(lián)的阻抗的指定的最小實際長度的鍵合線連接在一個微波傳輸線的末端和微波功率晶體管之間時，所述鍵合線的阻抗被吸收到所述微波傳輸線的每單位長度的阻抗中。
2.如權(quán)利要求1所述的器件，其中，所述介電基板具有大于13,優(yōu)選地大于40的介電常數(shù)。
3.如權(quán)利要求1或2所述的器件，其中，每個微波傳輸線是導電的微帶傳輸線。
4.如權(quán)利要求1或2所述的器件，其中，每個微波傳輸線是共面波導。
5.如權(quán)利要求1或2所述的器件，其中，每個微波傳輸線是導電帶狀線的傳輸線。
6.如前面任一項權(quán)利要求所述的器件，包括大體上是長方形片的介電基板，所述介電基板具有第一主表面和第二相對主表面，所述第一表面被金屬化，而所述第二表面承載至少一個越過其延伸的微波傳輸線。
7.如前面任一項權(quán)利要求所述的器件，其中，所述介電基板設置有越過其延伸或者穿過其延伸的多個基本上平行的微波傳輸線。
8.如前面任一項權(quán)利要求所述的器件，其中，每個微波傳輸線引起相同的預定的電感和相位常數(shù)。
9.如權(quán)利要求1到7中任一項所述的器件，其中，所述微波傳輸線被配置成引起不同的預定的電感和相位常數(shù)。
10.一種與微波功率晶體管結(jié)合的阻抗變換布置，所述阻抗變換布置包括在具有第一介電常數(shù)的第一介電基板上形成的匹配網(wǎng)絡以及至少一個如權(quán)利要求1到7中任一項所述的中間阻抗變換器件。
11.如權(quán)利要求10所述的布置，其中，所述阻抗變換器件的介電基板具有大于所述第一介電常數(shù)的介電常數(shù)。
12.如權(quán)利要求10或11所述的布置，其中，至少一個器件是這樣的器件的陣列的一部分。
13.如權(quán)利要求10到12中任一項所述的布置，其中，至少一個器件位于所述晶體管的柵極端子或輸入側(cè)。
14.如權(quán)利要求10到12中任一項所述的布置，其中，至少一個器件位于所述晶體管的漏極端子或輸出側(cè)。
15.如權(quán)利要求10到12中任一項所述的布置，其中，至少一個器件位于所述晶體管的柵極端子或輸入側(cè)，以及其中，至少一個器件位于晶體管的漏極端或輸出側(cè)。
16.如權(quán)利要求10到15中任一項所述的布置,其中,所述微波傳輸線或每個微波傳輸線具有第一末端和第二末端，以及其中，所述第一末端通過長度短于所述微波傳輸線的連接被電連接到所述晶體管。
17.如權(quán)利要求10到16中任一項所述的布置,其中，至少一個器件的一個末端基本上平行于所述晶體管的輸入側(cè)或輸出側(cè)。
18.一種與微波功率晶體管進行阻抗匹配的方法，其中，多個微波傳輸線通過鍵合線被連接，每個鍵合線對所述晶體管的柵極端子或漏極端子具有阻抗，所述微波傳輸線延伸越過或穿過介電基板，每個微波傳輸線具有預定的串聯(lián)電感以及與電隔離導電板或?qū)酉嘟Y(jié)合的預定的支路電容，使得每個微波傳輸線與所述導電板或?qū)右黄鹁哂蓄A定的特征阻抗和相位常數(shù)，以及其中，每個鍵合線的阻抗被吸收到其連接的微波傳輸線的阻抗中。
19.一種基本上參照附圖2到4描述的或者如附圖2到4所示的用于微波功率晶體管的中間阻抗變換器件。
20.一種基本上參照附圖2到4描述的或者如附圖2到4所示的阻抗變換布置。
21.—種基本上參照 附圖2到4描述的或者如附圖2到4所示的與微波功率晶體管進行阻抗匹配的方法。
【文檔編號】H01L23/64GK103688354SQ201280028065
【公開日】2014年3月26日 申請日期:2012年4月4日 優(yōu)先權(quán)日:2011年4月7日
【發(fā)明者】理查德·約翰·朗, 理查德·保羅·希爾頓, 喬納森·大衛(wèi)·斯坦利·吉爾 申請人:鉆石微波器件有限公司