用于在集成了cmos的mems電容性器件中優(yōu)化電流密度的系統(tǒng)和方法
【專利摘要】本主題涉及使用電流分流和定線技術(shù)以在器件的多個(gè)層之間均勻地分配電流從而獲得高品質(zhì)因數(shù)。這種電流分流可以允許在維持高品質(zhì)因數(shù)的同時(shí)使用相對(duì)狹窄的互連件和饋線。特別地，例如，一種微型機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）器件可以包括金屬層，其包括第一部分和與所述第一部分電隔離的第二部分。第一終端可以獨(dú)立地連接至所述金屬層的所述第一部分和所述第二部分中的每一個(gè)，其中所述第一部分限定了在所述金屬層與所述第一終端之間的第一路徑，并且所述第二部分限定了在所述金屬層與所述第一終端之間的第二路徑。
【專利說(shuō)明】用于在集成了 CMOS的MEMS電容性器件中優(yōu)化電流密度的系統(tǒng)和方法
[0001]相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
[0002]本申請(qǐng)要求于2011年6月7日提交的第61/520，283號(hào)美國(guó)臨時(shí)專利申請(qǐng)的權(quán)益，其公開(kāi)通過(guò)全部引用合并于此。
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003]在此所公開(kāi)的主題一般地涉及微型機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)電容性器件的設(shè)計(jì)。更特別地，在此所公開(kāi)的主題涉及在MEMS器件的材料層內(nèi)的電流定線。
【背景技術(shù)】
[0004]在低電阻率硅片上使用標(biāo)準(zhǔn)的兼容于互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)的制造工藝而構(gòu)建的無(wú)線頻率(RF) MEMS器件由于下層的低電阻率硅而容易經(jīng)受較高的基底損耗。為處理該問(wèn)題，通常使用金屬屏蔽體以在這些情況下將RF電路與有損耗的基底隔離。然而，這種金屬屏蔽體會(huì)使由MEMS器件中的金屬層和在該屏蔽體和該器件之間的層間電介質(zhì)引起的MEMS電容器的分路寄生電容增加。這種寄生電容的增加激發(fā)了使MEMS器件的互連件(interconnect)、饋線(feed)和倒裝芯片/接合焊點(diǎn)(bond pad)鍍金屬最小化從而使得寄生效應(yīng)最小化的期望。由于RF器件的品質(zhì)因數(shù)(Q factor)與饋線和互連件的鍍金屬成反t匕，因此，不管怎樣，鍍金屬的減少可以反過(guò)來(lái)影響器件的品質(zhì)因數(shù)。
[0005]其結(jié)果是，期望減小RF MEMS器件的最小電容(Cmin)和/或寄生電容而不會(huì)相應(yīng)地減小RF MEMS器件的品質(zhì)因數(shù)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]根據(jù)本公開(kāi)，提供了用于在集成了 CMOS的MEMS電容性器件中優(yōu)化電流密度的系統(tǒng)和方法。在一個(gè)方案中，提供了一種微型機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)器件,該MEMS器件可以包括金屬層，該金屬層包括第一部分和與所述第一部分電隔離的第二部分。第一終端(terminus)可以獨(dú)立地連接至所述金屬層的所述第一部分和所述第二部分中的每一個(gè)，其中所述第一部分限定了在所述金屬層和所述第一終端之間的第一路徑，并且所述第二部分限定了在所述金屬層和所述第一終端之間的第二路徑。
[0007]盡管在上文中陳述了在此公開(kāi)的主題的一些方案，并且其通過(guò)目前已公開(kāi)的主題全部地或部分地實(shí)現(xiàn)了，但是隨著作為在下文中的最佳描述的連同附圖的描述的進(jìn)行，其他方面將變得顯而易見(jiàn)。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0008]從以下詳細(xì)描述中，本主題的特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)將更加容易理解，該描述應(yīng)當(dāng)結(jié)合附圖閱讀，附圖僅僅是通過(guò)說(shuō)明性的方式和非限制性的示例給出，在附圖中:
[0009]圖1a是根據(jù)本公開(kāi)主題的實(shí)施例的微型機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)器件的側(cè)剖面圖；[0010]圖1B是根據(jù)本公開(kāi)主題的實(shí)施例的在微型機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)器件之內(nèi)第一組電連接的局部的立體圖；
[0011]圖2A是根據(jù)本公開(kāi)主題的實(shí)施例的微型機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)器件的第一活動(dòng)金屬層的立體圖；
[0012]圖2B是根據(jù)本公開(kāi)主題的實(shí)施例的在微型機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)器件之內(nèi)的第二組電連接的立體圖；
[0013]圖3A和圖3B是根據(jù)本公開(kāi)主題的實(shí)施例的用于微型機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)器件的兩種結(jié)構(gòu)的側(cè)剖面圖；
[0014]圖4A是根據(jù)本公開(kāi)主題的實(shí)施例的微型機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)器件的第一活動(dòng)金屬層的立體圖；
[0015]圖4B是根據(jù)本公開(kāi)主題的實(shí)施例的在微型機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)器件之內(nèi)的第二組電連接的立體圖；以及
[0016]圖5是根據(jù)本公開(kāi)主題的實(shí)施例的在微型機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)器件的第一活動(dòng)金屬層與固定金屬層之間的重疊的平面圖。
【具體實(shí)施方式】
[0017]本主題涉及電流分流(splitting)和定線(routing)技術(shù)以在器件的多個(gè)層之中均勻地分配電流從而獲得高品質(zhì)因數(shù)。這種電流分流可以允許在維持高品質(zhì)因數(shù)(Q)的同時(shí)使用相對(duì)狹窄的互連件和饋線。此外，由于器件具有固定的厚度，Q和Cmin不能獨(dú)立地被優(yōu)化，因此設(shè)計(jì)過(guò)程也可以將Q和Cmin —起有效地優(yōu)化。因而，本主題可以有利地用于I) Cmin和/或寄生電容的優(yōu)化；2)Q的最大化；3)基于材料的體積和電流路徑的接合而最大化地均等地分配電流；以及4)由于誤設(shè)計(jì)(mis-design)或體積失配而使電流劃分不均勻的溫度系數(shù)的最小化。因此，本主題可以幫助實(shí)現(xiàn)在有損耗的基底上的具有高品質(zhì)因數(shù)的RF MEMS器件。此外，可以降低與器件關(guān)聯(lián)的寄生現(xiàn)象，這可以導(dǎo)致在“關(guān)”或“開(kāi)”狀態(tài)下的較低的電容，可以進(jìn)而增加在“關(guān)”或“開(kāi)”狀態(tài)之間的電容比。另外，可以設(shè)計(jì)并分析電流的分配，從而最小化熱失配的自熱效應(yīng)。
[0018]為實(shí)現(xiàn)這些益處，可以將電流分流的概念應(yīng)用至在RF MEMS器件中的多種載流結(jié)構(gòu)中的任意一種。特別是，例如，在圖1A和圖1B中示出的一個(gè)方案中，可以在可變電容器中實(shí)施本主題，可變電容器被概括地指定為100。在圖1A中示出的結(jié)構(gòu)中，可變電容器100可以包括至少一個(gè)固定金屬層(例如，固定的RF饋線)，固定金屬層被概括地指定為110，其定位在基底S上，并且活動(dòng)件120可以與固定金屬層110間隔開(kāi)，活動(dòng)件120包括第一活動(dòng)金屬層，第一活動(dòng)金屬層被概括地指定為130，第一活動(dòng)金屬層130電容性地耦合至固定金屬層110，并且活動(dòng)件120包括定位在第一活動(dòng)金屬層130上的結(jié)構(gòu)介電層150。
[0019]此外，本領(lǐng)域技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到可變電容器100的其他結(jié)構(gòu)可以包括附加的結(jié)構(gòu)。例如，可變電容器100可以進(jìn)一步包括一個(gè)或更多在固定金屬層110之下的附加金屬層(例如，在基底S之內(nèi))，并且附加金屬層使用通路(via)連接至固定金屬層110以形成復(fù)合固定的/底部的電極，固定金屬電容器板定位在基底S上，固定介電層(例如，Si02, SixNy, AlxOy)定位在固定金屬電容器板和/或固定金屬層110中的一個(gè)或兩個(gè)上?；顒?dòng)介電層在第一活動(dòng)金屬層130與固定金屬層之間(即，在第一活動(dòng)金屬層130之下)定位在活動(dòng)件120上，或者在第一活動(dòng)金屬層130與多種其他材料層中的任意一種之間定位在活動(dòng)件120上，這由可變電容器100的期望結(jié)構(gòu)而定。
[0020]不考慮可變電容器100的具體結(jié)構(gòu)，可以配置一個(gè)或更多的金屬層以在器件之內(nèi)限定多個(gè)電流路徑。特別是，例如，參考圖1A和IB中示出的結(jié)構(gòu)，固定金屬層110可以包括可以限定第一固定部分IlOa和第二固定部分IlOb的槽或者形成其他樣式，第二固定部分IlOb與第一部分IlOa電地隔尚。特別地,第一固定部分IlOa可以由具有足夠?qū)挾鹊牟?例如，寬度約為0.8 μ m)而與第二固定部分IlOb隔開(kāi)以迫使分隔的電流流入到每一元件中。該槽可以設(shè)置在如圖1A和圖1B中示出的“水平”方向上(即，垂直于活動(dòng)件120的長(zhǎng)度)，或者可以在“垂直”方向上(即，平行于活動(dòng)件120的長(zhǎng)度)劃開(kāi)固定金屬層110，或者在期望的其他方向上。不考慮分流的特定方向，隨著固定金屬板110被劃分為第一固定部分IlOa和第二固定部分IlOb,第一固定部分IlOa和第二固定部分IlOb可以獨(dú)立地連接至第一終端，第一終端例如是第一倒裝芯片焊點(diǎn)、接合焊點(diǎn)或其他端子結(jié)構(gòu)，第一終端被概括地指定為115。
[0021]這樣，不是通過(guò)單個(gè)電連接的方式從固定金屬層110中傳輸所有電流至第一終端115，而是可以將電流分流使得第一路徑被限定在第一固定部分IlOa與第一終端115之間，并且使得第二路徑被限定在第二固定部分IlOb與第一終端115之間。其結(jié)果是，只需要提供相對(duì)狹窄的互連件和饋線以承載這些部分的電流負(fù)載中的每一個(gè)。這種在互連件金屬面積上的減少可以有助于減小Cmin并且增加Q。
[0022]特別是，例如，如圖1B中所示，第一固定部分IlOa可以與第一通路111連通，第一通路111繼而可以與第二通路112連通，第二通路112連接至第一終端115。比較而言，也可以設(shè)置第二固定部分IlOb與分立堆疊組合的第三通路113和第四通路114連通，第四通路114與第一終端115直接相連。這樣，可以在固定金屬層110(即，第一固定部分IlOa和第二固定部分IlOb)與第一終端115之間建立兩個(gè)獨(dú)立的電流路徑。進(jìn)一步在這點(diǎn)上，盡管以上論述只涉及固定金屬層110被拆分一次，成為兩個(gè)部分，本領(lǐng)域技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到固定金屬層110可以被拆分為三個(gè)或更多個(gè)不同的部分，這三個(gè)或更多個(gè)部分對(duì)應(yīng)于三個(gè)或更多個(gè)到第一終端115的不同路徑以進(jìn)一步減小Cmin并且增加Q。
[0023]在可變電容器100包括多層MEMS結(jié)構(gòu)的情形下，這種多個(gè)電流路徑的使用會(huì)牽涉到對(duì)穿過(guò)處于固定金屬層Iio之上的多個(gè)金屬層的電流進(jìn)行定線。特別是，例如，在圖1B中不出的結(jié)構(gòu)中，可以描述固定金屬層110為定位在可變電容器100的底層處并且可以描述第一終端115為定位在可變電容器100的頂層處。在固定金屬層110中逐漸形成的電流的第一部分可以定線為通過(guò)第一通路111從第一固定部分IlOa到在頂層與底層之間的中間層，并且通過(guò)第二通路112從中間層到處于頂層的第一終端115。而第二路徑可以直接定線為從第二固定部分IlOb通過(guò)第三通路113和第四通路114以最小行程穿過(guò)中間層到可變電容器100的頂層。進(jìn)一步在這點(diǎn)上，例如通過(guò)在源極附近分流電流并且在第一終端115處或者第一終端115附近重新組合電流，有利于電流分流發(fā)生在遍布可變電容器的盡可能多的結(jié)構(gòu)上，以最優(yōu)地降低整個(gè)系統(tǒng)的阻抗。
[0024]盡管有不同的路徑，但第一固定部IlOa和第二固定部IIOb可以被配置為傳遞大致相等的電流至第一終端115。這牽涉到將第一固定部和第二固定部IlOb定為大致相等的尺寸，或者它們可以具有不同的尺寸以使得容量不同。不管元件如何定尺寸，該配置的目的是使兩個(gè)獨(dú)立的路徑具有大致匹配的感應(yīng)系數(shù)從而獲得在兩個(gè)路徑之間期望的電流分流，從而可以降低系統(tǒng)的有效阻抗。以這種方式平衡獨(dú)立路徑的感應(yīng)系數(shù)可以防止電流只流經(jīng)在兩個(gè)感應(yīng)系數(shù)中具有較低的感應(yīng)系數(shù)的一個(gè)路徑。
[0025]可選地或除了劃分第一金屬層110以限定多個(gè)電流路徑之外，如以上指出的，關(guān)于固定金屬層110的以上論述的電流分流的概念可以應(yīng)用到可變電容器100中的多種其他載流結(jié)構(gòu)中的任意一種上。例如，參考圖2A和圖2B,第一活動(dòng)金屬層130可以開(kāi)有槽或形成其他樣式從而第一活動(dòng)金屬層130包括第一活動(dòng)部分130a和第二活動(dòng)部分130b，第二活動(dòng)部分130b與第一活動(dòng)部分130a電隔離。特別地，例如，第一活動(dòng)金屬層130可以通過(guò)縱向槽(例如，大約0.8μπι)大致地對(duì)半拆分?？蛇x地，如上所述，第一活動(dòng)金屬層130可以被拆分成多于兩個(gè)不同的部分。
[0026]如圖2Β所示，第一活動(dòng)部分130a和第二活動(dòng)部分130b中的每一個(gè)均可以獨(dú)立地連接至第二終端140 (例如，第二倒裝芯片焊點(diǎn)、接合焊點(diǎn)或其他端子結(jié)構(gòu))。這樣，第一活動(dòng)部分130a可以限定在第一活動(dòng)金屬層130與第二終端140之間的第一路徑，并且第二活動(dòng)部分130b可以限定在第一活動(dòng)金屬層130與第二終端140之間的第二路徑。從而，在第一活動(dòng)金屬層130中逐漸形成的電流可以被分配在這些到達(dá)第二終端140的路徑的多個(gè)分離的路徑中。
[0027]例如，參考圖2B，第一活動(dòng)部分130a可以連接至第一根級(jí)饋線131，第一根級(jí)饋線131與第五通路132連通，第五通路132繼而連接至第二終端140。而第二活動(dòng)部分130b可以形成為并未一路延伸至第一根級(jí)饋線131，而是設(shè)置第六通路133與第二活動(dòng)部分130b連通，并且第六通路133可以連接至第二活動(dòng)金屬層160，第二活動(dòng)金屬層160定位在活動(dòng)件120上并且通過(guò)結(jié)構(gòu)介電層150與第一活動(dòng)金屬層130間隔。第六通路133可以定位在活動(dòng)件120的根部附近(例如參見(jiàn)圖3A)，或者在沿活動(dòng)件120的長(zhǎng)度的一點(diǎn)處或一點(diǎn)附近(例如參見(jiàn)圖3B)，或者在沿第二活動(dòng)部分130b的長(zhǎng)度的其他任何點(diǎn)處。進(jìn)一步與此相關(guān)地，如圖4A和圖4B所示，第六通路133可以定位在第二活動(dòng)部分130b的電容性端部附近，使得在第一活動(dòng)金屬層130與第二終端140之間的第一路徑可以沿第一活動(dòng)金屬層130的長(zhǎng)度的相當(dāng)一部分而跨越第一活動(dòng)金屬層130的寬度，并且在第一活動(dòng)金屬層130與第二終端140之間的第二路徑可以沿第二活動(dòng)金屬層160的長(zhǎng)度的相當(dāng)一部分而延伸。第二活動(dòng)金屬層160隨后可以連接至第二根級(jí)饋線161，第二根級(jí)饋線161與第二終端140連通。
[0028]不管具體結(jié)構(gòu)如何，總原則保持不變:可設(shè)置多條電流路徑用來(lái)對(duì)穿過(guò)可變電容器100的多個(gè)金屬層的電流進(jìn)行定線。例如，在圖2A、圖2B、圖4A和圖4B示出的特別的結(jié)構(gòu)中，由第一活動(dòng)金屬層130所傳導(dǎo)的電流只有一半被定線為穿過(guò)第一根級(jí)饋線131 (BP,經(jīng)由第一活動(dòng)部分130a)，同時(shí)該電流的另一半被定線為穿過(guò)第二根級(jí)饋線161(8卩，經(jīng)由第二活動(dòng)部分130b、第六通路133以及第二活動(dòng)金屬層160)。其結(jié)果是，由于第一根級(jí)饋線131和第二根級(jí)饋線161分別只需要承載第一活動(dòng)金屬層130所傳導(dǎo)的電流的一半，因此每個(gè)元件可以被減小至在常規(guī)系統(tǒng)中適合于第一活動(dòng)金屬層130的尺寸的寬度的大約一半。從而，這種在每個(gè)根級(jí)饋線的尺寸上的減少可以導(dǎo)致Cmin降低而不顯著地改變Q。
[0029]為實(shí)現(xiàn)在多個(gè)路徑之間的期望的電流分配，第一活動(dòng)部分130a和第二活動(dòng)部分130b可以被配置為尺寸大致相等，或者第一活動(dòng)部分130a和第二活動(dòng)部分130b可以有不同的尺寸。不管具體如何定尺寸，第一活動(dòng)部分130a和第二活動(dòng)部分130b可以被配置為使得第一路徑(即，在第一活動(dòng)部分130a與第二終端140之間)和第二路徑(S卩，在第二活動(dòng)部分130b與第二終端140之間)具有大致相同的感應(yīng)系數(shù)。
[0030]可選地，第一路徑和第二路徑中的每一個(gè)的相對(duì)的電流可以主要由在第一活動(dòng)金屬層130與固定金屬層110之間的重疊區(qū)域來(lái)確定(例如，由于主電壓降穿過(guò)該電容結(jié)構(gòu))。在這點(diǎn)上，如圖5所不，圖5中第一活動(dòng)部分130a限定了第一電容部分,第一電容部分定位在固定金屬層110的第一段的上方(例如，連續(xù)段或者包含多個(gè)部分的分離的段)，并且第二活動(dòng)部分130a限定了第二電容部分，第二電容部分定位在固定金屬層110的第二段的上方(例如，連續(xù)段或者包含多個(gè)部分的分離的段)，第一電容部分和第二電容部分可以設(shè)置尺寸為或者用其他方法被配置為分別創(chuàng)建定線為穿過(guò)第一路徑的第一電流部分和定線為穿過(guò)第二路徑的第二電流部分。(例如，通過(guò)分別控制第一電容部分和第二電容部分之間的電容以及固定金屬層110的第一段和第二段之間的電容)此外，可分別被稱作第一非電容部分和第二非電容部分的第一活動(dòng)部分130a和第二活動(dòng)部分130b的剩余部可以進(jìn)一步設(shè)置尺寸為或者用其他方法被配置為使得第一路徑和第二路徑中的每一個(gè)的阻抗分別與第一電流部分和第二電流部分成反比。
[0031]在另一方案中，本主題可以進(jìn)一步牽涉用于構(gòu)建并入了上文論述的電流分流和定線技術(shù)的MEMS器件的方法。特別地，這種方法可以包括在基底S上定位或沉積固定金屬層110并且將固定金屬層110形成為限定第一固定部分IlOa和第二固定部分110b。固定金屬層110的第一固定部分IlOa和第二固定部分IlOb可以連接至第一終端115(例如，分別通過(guò)第一通路111和第二通路112以及通過(guò)第三通路113和第四通路114)，其中第一固定部分IlOa限定了固定金屬層110與第一終端115之間的第一路徑，并且第二固定部分IlOb限定了固定金屬層110與第一終端115之間的第二路徑。
[0032]該方法可以進(jìn)一步包括在固定金屬層110上沉積犧牲層，并且在該犧牲層上沉積第一活動(dòng)金屬層130?？梢詫⒌谝换顒?dòng)金屬層130形成為限定第一活動(dòng)部分130a和與第一活動(dòng)部分130a電隔離的第二活動(dòng)部分130b?？梢詫⒔Y(jié)構(gòu)介電層150沉積在第一活動(dòng)金屬層130上，可以在結(jié)構(gòu)介電層150中形成并蝕刻第六通路133以與第二活動(dòng)部分130b連通，并且可以將第二活動(dòng)金屬層160沉積在結(jié)構(gòu)介電層150上。第一活動(dòng)部分130a和第二活動(dòng)部分130b可以連接至第二終端140，其中第一活動(dòng)部分130a限定了在第一活動(dòng)金屬層130與第二終端140之間的第一路徑(例如，經(jīng)由第一根級(jí)饋線131和第五通路132)，并且第二活動(dòng)部分130b限定了在第一活動(dòng)金屬層130與第二終端140之間的第二路徑(例如，經(jīng)由第六通路133和第二活動(dòng)金屬層160)?？梢噪S后移除犧牲層以允許活動(dòng)件120移動(dòng)并且使活動(dòng)件120電容性地耦合在固定金屬層110與第一活動(dòng)金屬層130之間。
[0033]在此公開(kāi)的任一結(jié)構(gòu)、器件、系統(tǒng)以及方法可以用于降低使用分離電極的RF MEMS器件的總有效阻抗。如上所述，通過(guò)匹配在兩個(gè)獨(dú)立金屬層上的兩個(gè)獨(dú)立路徑的感應(yīng)系數(shù)，可以實(shí)現(xiàn)阻抗的降低，致使得到在這兩個(gè)層之間的期望的和/或預(yù)定的電流分流，以使Q因數(shù)最大化。這樣，這些原理的使用可以用于創(chuàng)建使用了金屬厚度限制CM0S/MEMS工藝的高Q、低寄生的RF MEMS器件。
[0034]可以以不背離本主題的精神和基本特性的其他形式實(shí)現(xiàn)本主題。因此所描述的實(shí)施例在各方面應(yīng)被認(rèn)為是說(shuō)明性的并且非限制性的。盡管根據(jù)某些優(yōu)選實(shí)施例描述了本主題，但是對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員顯而易見(jiàn)的其他實(shí)施例同樣在本主題的范圍之間。例如，盡管公開(kāi)的實(shí)施例主要涉及可變電容器的設(shè)計(jì)，本領(lǐng)域技術(shù)人員將意識(shí)到可以將在此公開(kāi)的電流分流和定線技術(shù)應(yīng)用到多個(gè)相關(guān)的部件、器件和/或系統(tǒng)中的任一個(gè)上。
【權(quán)利要求】
1.一種微型機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)器件,包括: 固定金屬層，其包括第一固定部分和與所述第一固定部分電隔離的第二固定部分；活動(dòng)件，其與所述固定金屬層間隔開(kāi)，所述活動(dòng)件包括電容性地耦合至固定金屬層的第一活動(dòng)金屬層；以及 第一終端，其獨(dú)立地連接至所述固定金屬層的所述第一固定部分和所述第二固定部分中的每一個(gè)； 其中所述第一固定部分限定了在所述固定金屬層與所述第一終端之間的第一路徑，并且所述第二固定部分限定了在所述固定金屬層與所述第一終端之間的第二路徑。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的器件，其中所述固定金屬層和所述第一活動(dòng)金屬層中的一個(gè)或兩個(gè)包括槽或形成其他樣式。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的器件，其中所述固定金屬層包括固定RF饋線。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的器件，其中所述第一固定部分和所述第二固定部分具有大致相等的尺寸。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的器件，其中所述第一固定部分和所述第二固定部分具有不同的尺寸。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的器件，其中在所述固定金屬層與所述第一終端之間的第一路徑具有第一感應(yīng)系數(shù)，并且在所述固定金屬層與所述第一終端之間的第二路徑具有第二感應(yīng)系數(shù)；并且 其中所述第一固定部分和所述第二固定部分被配置為使得所述第一感應(yīng)系數(shù)和所述第二感應(yīng)系數(shù)大致相似。
7.根據(jù)權(quán)利要求1的器件，其中所述第一活動(dòng)金屬層包括第一活動(dòng)部分和與所述第一活動(dòng)部分電隔離的第二活動(dòng)部分，所述第一活動(dòng)部分和所述第二活動(dòng)部分中的每一個(gè)獨(dú)立地連接至第二終端；并且 其中所述第一活動(dòng)部分限定在所述第一活動(dòng)金屬層與所述第二終端之間的第一路徑，并且所述第二活動(dòng)部分限定在所述第一活動(dòng)金屬層與所述第二終端之間的第二路徑。
8.根據(jù)權(quán)利要求7的器件，其中所述第一活動(dòng)部分和所述第二活動(dòng)部分具有大致相等的尺寸。
9.根據(jù)權(quán)利要求7的器件，其中所述第一活動(dòng)部分和所述第二活動(dòng)部分具有不同的尺寸。
10.根據(jù)權(quán)利要求7的器件，其中所述活動(dòng)件包括: 結(jié)構(gòu)介電層，其定位在所述第一活動(dòng)金屬層上；以及 第二活動(dòng)金屬層，其定位在所述結(jié)構(gòu)介電層上，所述第二活動(dòng)金屬層通過(guò)在所述結(jié)構(gòu)介電層中的通路而電連接至所述第一活動(dòng)部分，并且所述第二活動(dòng)金屬層電連接至所述第_.終端;
11.根據(jù)權(quán)利要求7的器件，其中所述第二終端包括第二倒裝芯片焊點(diǎn)、接合焊點(diǎn)或其他端子結(jié)構(gòu)。
12.根據(jù)權(quán)利要求1的器件，其中所述第一終端包括第一倒裝芯片焊點(diǎn)、接合焊點(diǎn)或其他端子結(jié)構(gòu)。
13.—種微型機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)器件,包括:固定金屬層，其定位在基底上； 活動(dòng)件，其與所述固定金屬層間隔開(kāi)，所述活動(dòng)件包括電容性地耦合至所述固定金屬層的第一活動(dòng)金屬層，所述第一活動(dòng)金屬層至少包括第一活動(dòng)部分和與所述第一活動(dòng)部分電隔離的第二活動(dòng)部分；以及 終端，其獨(dú)立地連接至所述第一活動(dòng)金屬層的所述第一活動(dòng)部分與所述第二活動(dòng)部分中的每一個(gè)； 其中所述第一活動(dòng)部分限定在所述第一活動(dòng)金屬層與所述終端之間的第一路徑，并且所述第二活動(dòng)部分限定在所述第一活動(dòng)金屬層與所述終端之間的第二路徑。
14.根據(jù)權(quán)利要求13的器件，其中所述固定金屬層和所述第一活動(dòng)金屬層中的一個(gè)或兩個(gè)包括槽或形成其他樣式。
15.根據(jù)權(quán)利要求13的器件，其中所述活動(dòng)件包括: 結(jié)構(gòu)介電層，其定位在所述第一活動(dòng)金屬層上；以及 第二活動(dòng)金屬層，其定位在所述結(jié)構(gòu)介電層上，所述第二活動(dòng)金屬層通過(guò)在所述結(jié)構(gòu)介電層中的通路而電連接至所述第一活動(dòng)部分，并且所述第二活動(dòng)金屬層電連接至所述第二終端。
16.根據(jù)權(quán)利要求13的器件，其中所述第一活動(dòng)部分和所述第二活動(dòng)部分具有大致相等的尺寸。
17.根據(jù)權(quán)利要求13的器件，其中所述第一活動(dòng)部分和所述第二活動(dòng)部分具有不同的尺寸。
18.根據(jù)權(quán)利要求13的器件，其中第一活動(dòng)金屬層的第一電容部分定位在所述固定金屬層的第一段的上方，并且所述第二活動(dòng)金屬層的第二電容部分定位在所述固定金屬層的第二段的上方；并且 其中所述第一活動(dòng)部分和所述第二活動(dòng)部分被配置為使得所述第一電容部分與所述第一段的重疊處和所述第二電容部分與所述第二段的重疊處分別創(chuàng)建定線為穿過(guò)所述第一路徑的第一電流部分和定線為穿過(guò)所述第二路徑的第二電流部分。
19.根據(jù)權(quán)利要求18的器件，其中在所述第一活動(dòng)金屬層與所述終端之間的所述第一路徑具有第一阻抗，并且在所述第一活動(dòng)金屬層與所述終端之間的所述第二路徑具有第二阻抗；并且 其中所述第一活動(dòng)部分和所述第二活動(dòng)部分被配置為使得所述第一阻抗和所述第二阻抗分別與定線為穿過(guò)第一路徑的第一電流部分和定線為穿過(guò)第二路徑的第二電流部分成反比。
20.—種用于構(gòu)建微型機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)器件的方法,所述方法包括: 在基底上沉積固定金屬層； 將所述固定金屬層形成為限定第一固定部分和第二固定部分； 將所述第一固定部分和所述第二固定部分獨(dú)立地連接至第一終端，其中所述第一固定部分限定在所述固定金屬層與所述第一終端之間的第一路徑，并且所述第二固定部分限定在所述固定金屬層與所述第一終端之間的第二路徑； 在所述固定金屬層上沉積犧牲層；以及 在所述犧牲層上沉積第一活動(dòng)金屬層。
21.根據(jù)權(quán)利要求20的方法，其中在所述固定金屬層與所述第一終端之間的所述第一路徑具有第一感應(yīng)系數(shù)，并且在所述固定金屬層與所述第一終端之間的所述第二路徑具有第二感應(yīng)系數(shù)；并且 其中所述固定金屬層的形成包括:將所述第一固定部分和所述第二固定部分形成為使得所述第一感應(yīng)系數(shù)和所述第二感應(yīng)系數(shù)大致相似。
22.根據(jù)權(quán)利要求20的方法，包括:形成所述第一活動(dòng)金屬層以限定第一活動(dòng)部分和與所述第一活動(dòng)部分電隔離的第二活動(dòng)部分；以及 將所述第一活動(dòng)部分和所述第二活動(dòng)部分獨(dú)立地連接至第二終端； 其中所述第一活動(dòng)部分限定在所述第一活動(dòng)金屬層與所述第二終端之間的第一路徑，并且所述第二活動(dòng)部分限定在`所述第一活動(dòng)金屬層與所述第二終端之間的第二路徑。
【文檔編號(hào)】H01H59/00GK103732526SQ201280028395
【公開(kāi)日】2014年4月16日 申請(qǐng)日期:2012年6月7日 優(yōu)先權(quán)日:2011年6月7日
【發(fā)明者】亞瑟·S·莫里斯三世, 薩拉瓦娜·納塔拉詹, 達(dá)娜·德雷烏斯 申請(qǐng)人:維斯普瑞公司