評估晶片或單晶錠的質(zhì)量的方法及使用其控制單晶錠的質(zhì)量的方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種用于評估晶片或單晶錠的質(zhì)量的方法和一種通過使用上述方法來控制單晶錠的質(zhì)量的方法。根據(jù)實施方式的用于評估晶片或單晶錠的質(zhì)量的方法可以包括：對單晶錠的切片或晶片進行Cu（銅）霧度評估和相對于Cu霧度評估的結(jié)果進行Cu霧度評分。
【專利說明】評估晶片或單晶錠的質(zhì)量的方法及使用其控制單晶錠的質(zhì)量的方法
【技術(shù)領域】
[0001]本發(fā)明涉及一種用于評估晶片或單晶錠的質(zhì)量的方法及一種通過使用上述方法來控制單晶錠的質(zhì)量的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]—般而言，Czochralski (在下文中，稱為“CZ”)方法已被廣泛用作制造娃晶片的方法。在CZ方法中，將多晶硅裝入石英坩堝中，并通過石墨加熱元件進行加熱和熔融。然后，將晶種浸入通過熔融而形成的硅熔體中，并且允許在界面處發(fā)生結(jié)晶。通過拉伸以及旋轉(zhuǎn)該晶種來生長單晶硅錠。其后，通過切片、蝕刻和拋光該硅錠來制備晶片形式。
[0003]通過使用前述方法所制備的單晶硅錠或硅晶片具有晶體缺陷，例如晶體原生顆粒(C0P),流動圖形缺陷(FPD)、氧化誘導堆垛層錯(OISF)，和塊體微缺陷(BMD)。需要減小這些內(nèi)生(grown-1n)缺陷的密度和尺寸，并且已證實晶體缺陷影響器件產(chǎn)量和質(zhì)量。因此，去除晶體缺陷以及簡單且快速地評估這些缺陷的技術(shù)是重要的。
[0004]而且，根據(jù)晶體生長的條件，單晶硅錠或硅晶片包括:具有通過附聚飽和的空位(由于占優(yōu)勢的空位型點缺陷而飽和)而形成的缺陷的V富集(v-rich)區(qū)域、具有占優(yōu)勢的空位型點缺陷但沒有附聚的缺陷的Pv區(qū)域、空位/間隙(V/I)邊界、具有占優(yōu)勢的間隙點缺陷但沒有附聚的缺陷的Pi區(qū)域和具有通過附聚飽和的間隙硅(由于占優(yōu)勢的間隙點缺陷而飽和)而形成的缺陷的I富集(1-rich)區(qū)域。
[0005]在評估晶體質(zhì)量的水平方面，確定產(chǎn)生這些缺陷區(qū)域的位置和這些缺陷區(qū)域如何隨單晶錠的晶體長度而變化是很重要的。
[0006]根據(jù)相關技術(shù)，在通過CZ方法所制備的單晶錠中，根據(jù)被稱為“V/G”的Voronkov理論，當在V/G臨界值或更大值(高速生長)下生長該錠時，產(chǎn)生具有空洞缺陷的V富集區(qū)域；當在V/G臨界值或更小值(低速生長)下生長該錠時，在邊緣或中心區(qū)域處的環(huán)形中產(chǎn)生氧化誘導堆垛層錯(OISF)缺陷；并且當在較低速度下生長該錠時，通過纏結(jié)的位錯環(huán)(具有間隙硅聚集在其中)而產(chǎn)生I富集區(qū)域，一種環(huán)占優(yōu)勢的點缺陷(LDP)區(qū)。
[0007]既不是V富集也不是I富集的無缺陷的區(qū)域存在于V富集區(qū)域和I富集區(qū)域之間的邊界處。該無缺陷的區(qū)域也被分類為Pv區(qū)域(一種無空位占優(yōu)勢的點缺陷(VDP)區(qū))和Pi區(qū)域(一種無間隙占優(yōu)勢的點缺陷(IDP)區(qū))，并且該無缺陷的區(qū)域被認為是為了制造無缺陷的晶片而制備的空白(margin)。
[0008]圖1是示出根據(jù)相關技術(shù)的控制拉伸速度的示意圖，并且示出在單晶生長過程中用于設置目標拉伸速度的實驗實施例(實例I和實例2)。
[0009]為了降低根據(jù)摩爾定律(Moore’ s law)的高度集成的回路線寬，控制在單晶生長過程中所引入的晶體缺陷是重要的。制備無缺陷的單晶晶片的通常方法通過在確定無缺陷區(qū)域的拉伸速度之后設置目標來進行，無缺陷區(qū)域的拉伸速度通過V測試和N測試對相應的區(qū)域進行縱向分析來確定，其中，如圖1所示，人工調(diào)整拉伸速度以確定無缺陷的空白。[0010]而且，根據(jù)相關技術(shù)，為了制造無缺陷的單晶，已經(jīng)嘗試了設計上部熱區(qū)(HZ)，例如，通過上部絕緣體的各種形狀來調(diào)整晶體的G值和AG (徑向方向上的溫度梯度)從而使得對應于形成缺陷的溫度范圍；通過調(diào)整從熔體表面到上部HZ的間隔來使熱積累空間的效率最大化；以及通過從加熱器的最大熱產(chǎn)生部分到熔體表面的相對位置來控制Si熔體對流或熱傳遞路徑。或者，已經(jīng)嘗試了使工藝參數(shù)優(yōu)化，例如控制氬氣(Ar)流速、控制晶種旋轉(zhuǎn)速度與坩堝旋轉(zhuǎn)速度的比例(SR/CR)或應用多種類型的磁場。[0011]然而，相對于相關技術(shù)，難以在制造無缺陷的單晶中使無缺陷的空白優(yōu)化。
[0012]例如，V測試或N測試可以確定一個批次中主體部分的一些區(qū)域，并且因為通過使用CZ方法來制造Si單晶一般是連續(xù)的生長工藝，所以即使在使用相同的HZ和工藝參數(shù)的情況下，也產(chǎn)生根據(jù)錠長度的晶體冷卻中的熱歷史的差異。而且，由于根據(jù)晶體生長的Si熔體體積的變化，根據(jù)晶體長度的增加可以影響無缺陷的目標拉伸速度。
[0013]進一步，根據(jù)相關技術(shù)，在制造無缺陷的單晶中，可能產(chǎn)生由于質(zhì)量損失而引起的成本。
[0014]例如，因為目標拉伸速度的設置不準確，由于在基本范圍內(nèi)的質(zhì)量廢品率增加而可能產(chǎn)生損失，并且為了針對長度確定無缺陷的目標拉伸速度而可能進行多次如圖1中的測試。
[0015]然而，因為根據(jù)如圖1中的拉伸速度的快速變化，目標拉伸速度不引起晶體冷卻中熱歷史的變化，由于在V測試或N測試中確定的質(zhì)量空白與目標拉伸速度的設置值之間的真實熱歷史的差異，所以目標值是變化的。
[0016]而且，如圖1所示，為了在直徑為300mm或更大的大直徑重單晶的生長過程中，根據(jù)相關技術(shù)來生長無缺陷的單晶生長，設置準確的目標拉伸速度是最重要的。然而，如上所述，通常的無缺陷的區(qū)域隨錠長度而變化。因此，因為在設置目標拉伸率(target pullingrate)過程中不可避免地產(chǎn)生的晶體熱歷史差異的產(chǎn)生而可能發(fā)生錯誤，所以可能產(chǎn)生質(zhì)量、成本和時間方面的損失，上述設置目標拉伸速度在可能連續(xù)地重復用于確定針對長度的空白的V測試或N測試或另外的測試之后。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0017]【技術(shù)問題】
[0018]實施方式提供了一種用于評估晶片或單晶錠的質(zhì)量的方法，通過在生長高質(zhì)量的娃(Si)單晶中建立使用銅(Cu)霧度評估(copper haze evaluation)方法的模型和制定用于設置目標拉伸速度的定量標準來相對于整個基本范圍(entire prime range)進行評分，所述方法能夠進行質(zhì)量預測和精度控制，上述實施方式還提供了一種通過使用前述方法來控制單晶錠的質(zhì)量的方法。
[0019]【技術(shù)方案】
[0020]在一個實施方式中，用于評估晶片或單晶錠的質(zhì)量的方法包括:對單晶錠的切片或晶片進行Cu (銅)霧度評估；和相對于所述Cu霧度評估的結(jié)果進行Cu霧度評分。
[0021]在另一個實施方式中，用于控制單晶錠的質(zhì)量的方法包括:對單晶錠的切片或晶片進行Cu霧度評估；相對于所述Cu霧度評估的結(jié)果進行Cu霧度評分；以及基于Cu霧度評分評估的結(jié)果的值，對目標拉伸速度進行調(diào)節(jié)。[0022]【有益效果】
[0023]根據(jù)實施方式的用于評估晶片或單晶錠的質(zhì)量的方法和根據(jù)通過使用該方法來控制單晶錠的質(zhì)量的方法，通過在生長高質(zhì)量的硅(Si)單晶中建立使用銅(Cu)霧度評估方法的模型和制定用于設置目標拉伸速度的定量標準，可以進行通過相對于整個基本范圍進行評分的質(zhì)量預測和精度控制。
[0024]例如，根據(jù)上述實施方式，因為通過Cu霧度建模在生長無缺陷的單晶的過程中可以通過Cu霧度評估方法來進行評分，所以通過Cu霧度圖(該Cu霧度圖在為每個晶體區(qū)域提供分數(shù)的質(zhì)量評估的過程中產(chǎn)生)可以區(qū)分相應的區(qū)域，因此，通過對相對于由基本區(qū)域(prime region)的圖所區(qū)分的區(qū)域已被評分的拉伸速度進行調(diào)整，可以設置下一批次中準確的目標拉伸速度。
[0025]而且，根據(jù)上述實施方式，可以確定在單晶的中心和邊緣部分處的晶體區(qū)域，因此，在工藝參數(shù)的精細調(diào)節(jié)過程中可以成為應用標準。
[0026]根據(jù)上述實施方式，在設置用于生長高質(zhì)量的Si單晶的目標拉伸速度中，可以設置準確的目標拉伸速度而不重復V測試和N測試，并且準確的目標拉伸速度可以立即應用到單晶生長工藝中。
[0027]根據(jù)上述實施方式，通過在分數(shù)范圍和質(zhì)量空白內(nèi)的調(diào)整值，針對整個基本范圍，可以確保相對于真實無缺陷的空白區(qū)域的準確數(shù)據(jù)，因此，可以使由于質(zhì)量劣化而引起的成本最小化，并且除了提高生產(chǎn)率外，還可以在最短的時間內(nèi)制造均勻的高質(zhì)量的Si單晶。
[0028]而且，上述實施方式可以完全地應用于小直徑至大直徑。
[0029]進一步，根據(jù)上述實施方式，通過劃分晶體區(qū)域，例如，分別評定Pv和Pi的分數(shù)，可以獲得更準確的判斷和質(zhì)量成果。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0030]圖1是示出根據(jù)相關技術(shù)的控制拉伸速度的示意圖。
[0031]圖2是示出根據(jù)實施方式的用于評估晶片或單晶錠的質(zhì)量的方法和通過使用上述方法來控制單晶錠的質(zhì)量的方法的示意圖。
[0032]圖3是示出在根據(jù)實施方式的用于評估晶片或單晶錠的質(zhì)量的方法和通過使用上述方法來控制單晶錠的質(zhì)量的方法中，用于計算樣品的Cu霧度分數(shù)的方法的示意圖。
【具體實施方式】
[0033]在實施方式的描述中，將理解的是，當晶片、器件、卡盤(chuck)、元件、部件、區(qū)域或表面被稱為在另一晶片、器件、卡盤、元件、部件、區(qū)域或表面“上”或者“下”時，術(shù)語“上”和“下”包括“直接”和“間接”兩種含義。進一步，基于附圖將做出關于在每個元件“上”和“下”的參考。在附圖中，為了方便描述，每個元件的尺寸被放大，而每個元件的尺寸并不完全反映實際尺寸。
[0034](實施方式)
[0035]圖2是示出根據(jù)實施方式的用于評估晶片或單晶錠的質(zhì)量的方法和通過使用上述方法來控制單晶錠的質(zhì)量的方法的示意圖。[0036]上述實施方式嘗試提供用于評估晶片或單晶錠的質(zhì)量的方法，通過在生長高質(zhì)量的硅(Si)單晶中建立使用銅(Cu)霧度評估方法的模型和制定用于設置目標拉伸速度的定量標準來相對于整個基本范圍進行評分，所述方法能夠進行質(zhì)量預測和精度控制，上述實施方式還提供一種通過使用前述方法來控制單晶錠的質(zhì)量的方法。
[0037]為此目的，根據(jù)上述實施方式的用于評估晶片或單晶錠的質(zhì)量的方法可以包括:對單晶錠的切片或晶片進行Cu霧度評估，和相對于Cu霧度評估的結(jié)果進行Cu霧度評分。
[0038]根據(jù)上述實施方式，因為通過Cu霧度建模在生長無缺陷的單晶的過程中可以通過Cu霧度評估方法來進行評分，所以通過Cu霧度圖(該Cu霧度圖在為每個晶體區(qū)域提供分數(shù)的質(zhì)量評估的過程中產(chǎn)生)可以區(qū)分相應的區(qū)域，因此，通過對相對于由基本區(qū)域的圖所區(qū)分的區(qū)域已被評分的拉伸速度進行調(diào)整，可以設置下一批次中準確的目標拉伸速度。
[0039]而且，根據(jù)上述實施方式，可以確定在單晶的中心和邊緣部分處的晶體區(qū)域，因此，在工藝參數(shù)的精細調(diào)節(jié)過程中可以成為應用標準。
[0040]根據(jù)上述實施方式，進行Cu霧度評估可以包括:對單晶錠的切片或晶片的一些區(qū)域進行第一熱處理BP和對單晶錠的切片或晶片的其他區(qū)域進行第二熱處理BSW。
[0041]例如，上述第一熱處理可以包括進行0帶(0-band)熱處理以及上述第二熱處理可以包括進行Pv、Pi熱處理。
[0042]在上述實施方式中，Cu霧度評分方法可以通過劃分錠的切片或晶片的缺陷區(qū)域來進行Cu霧度評分。
[0043]例如，在Cu霧度評分方法中，可以通過評定錠的切片的Pv區(qū)域和Pi區(qū)域的分數(shù)來進行Cu霧度評分。
[0044]根據(jù)上述實施方式，通過劃分晶體區(qū)域，例如，分別評定Pv和Pi的分數(shù)，可以獲得更準確的判斷和質(zhì)量成果。
[0045]而且，在上述實施方式中的Cu霧度評分可以包括:通過Cu霧度評估來建立Cu霧度評分圖。
[0046]根據(jù)上述實施方式的用于評估晶片或單晶錠的質(zhì)量的方法，通過在生長高質(zhì)量的Si單晶中建立使用Cu霧度評估方法的模型和制定用于設置目標拉伸速度的定量標準，可以進行通過相對于整個基本范圍來進行評分的質(zhì)量預測和精度控制。
[0047]根據(jù)上述實施方式的用于控制單晶錠的質(zhì)量的方法可以包括:對單晶錠的切片或晶片進行Cu霧度評估，相對于Cu霧度評估的結(jié)果進行Cu霧度評分，以及基于Cu霧度評分評估的結(jié)果的值，對目標拉伸速度進行調(diào)節(jié)。
[0048]進行Cu霧度評估和相對于Cu霧度評估的結(jié)果進行Cu霧度評分的內(nèi)容可以采用用于評估晶片或單晶錠的質(zhì)量的方法的前述內(nèi)容的技術(shù)特征。
[0049]在上述實施方式中調(diào)節(jié)目標拉伸速度可以包括:在通過Cu霧度評估而建立Cu霧度評分圖之后，基于Cu霧度評分圖來制定用于設置目標拉伸速度的定量調(diào)節(jié)標準。
[0050]結(jié)果，根據(jù)上述實施方式，在調(diào)節(jié)目標拉伸速度中，通過對已被評分的拉伸速度進行調(diào)整可以設置下一批次中的目標拉伸速度，上述調(diào)整根據(jù)基于Cu霧度評分圖的用于單晶錠的每個晶體區(qū)域的調(diào)節(jié)標準來進行。
[0051]根據(jù)上述實施方式的用于控制單晶錠的質(zhì)量的方法，通過在生長高質(zhì)量的Si單晶中建立使用Cu霧度評估方法的模型和制定用于設置目標拉伸速度的定量標準，可以進行通過相對于整個基本范圍進行評分的質(zhì)量預測和精度控制。
[0052]而且，根據(jù)上述實施方式，在設置用于生長高質(zhì)量的Si單晶的目標拉伸速度中，可以設置準確的目標拉伸速度而不重復V測試和N測試，并且準確的目標拉伸速度可以立即應用到單晶生長工藝中。
[0053]根據(jù)上述實施方式，通過在分數(shù)范圍和質(zhì)量空白內(nèi)的調(diào)整值，針對整個基本范圍，可以確保相對于真實無缺陷的空白區(qū)域的準確數(shù)據(jù)，因此，可以使由于質(zhì)量劣化而引起的成本最小化，并且除了提高生產(chǎn)率外，還可以在最短的時間內(nèi)制造均勻的高質(zhì)量的Si單晶。
[0054]而且，上述實施方式可以完全地應用于小直徑至大直徑。
[0055]下文中，參照圖2，對用于評估晶片或單晶錠的質(zhì)量的方法和通過使用上述方法來控制單晶錠的質(zhì)量的方法進行更詳細地描述。
[0056]圖2是示出在無缺陷的單晶的生長過程中，根據(jù)拉伸速度的變化，晶體中缺陷的分布的實施方式的示意圖。
[0057]例如，通過Cu霧度評估方法，通過第一熱處理BP和第二熱處理BSW可以區(qū)分0帶區(qū)域、Pv區(qū)域、Pi區(qū)域和LDP區(qū)域。
[0058]在該實施方式中采用的Cu霧度評估方法可以是這樣的評估方法:其中，通過使用Cu污染的溶液(即緩沖氧化蝕刻劑(BOE)溶液和Cu的混合溶液)，用高濃度的Cu污染Si單晶的切片或晶片的一個表面，并且進行快速擴散熱處理，然后通過在聚光燈下視覺觀察受污染的表面或其相反表面來區(qū)分晶體缺陷區(qū)域。然而，該實施方式并不限于此。
[0059]圖2右側(cè)的第一樣品至第七樣品(SI?S7)的實施例示出了在以預定的目標拉伸速度生長單晶之后可以呈現(xiàn)為Cu霧度評分圖的多種類型。
[0060]例如，由于高的無缺陷的目標拉伸速度，在頂部具有完全黑色的表面的第一樣品SI呈現(xiàn)傾向于0帶區(qū)域,并且示出了根據(jù)拉伸速度(PS)的減小,例如減小0.0lmm/min,該O帶區(qū)域就消失了。
[0061]而且，關于從底部數(shù)位于第三的第五樣品S5，整個晶片表面的左半側(cè)的顏色顯示為白色，并且為該目標所生長的單晶示出O帶已被控制，并且該整個晶片表面的右半側(cè)顯示為黑色和白色，其中，黑色部分呈現(xiàn)Pv區(qū)域以及白色區(qū)域呈現(xiàn)Pi區(qū)域。因此，關于第五樣品S5，可以理解為形成了晶片中無缺陷的區(qū)域，例如Pv-P1-Pv。
[0062]進一步，關于在底部的第七樣品S7，可以理解為當左側(cè)和右側(cè)的顏色均顯示為白色時制造了僅具有Pi區(qū)域的晶片。
[0063]在該實施方式中，例如，在圖2的左側(cè)可以提供O?300的分數(shù)，并且可以調(diào)整分數(shù)的劃分。
[0064]當制造其中O帶已經(jīng)被控制的由Pv區(qū)域和Pi區(qū)域組成的產(chǎn)品(作為目標質(zhì)量)時，目標分數(shù)可以確定為220。
[0065]例如，目標分數(shù)可以確定為在圖2中的150?180的范圍內(nèi)。在本文中，確定了自由空白并且通過分數(shù)將自由空白分開，因此，可以確定針對每個分數(shù)的拉伸速度的控制率(control rate)。
[0066]例如，關于圖2，將目標分數(shù)220假定為不具有拉伸速度的控制率的0，并且通過用對應于在相應的Cu霧度評分圖中的分數(shù)的調(diào)整值來調(diào)整目標拉伸率可以獲得在整個基本范圍內(nèi)的均勻質(zhì)量。
[0067]圖3是示出在根據(jù)實施方式的用于評估晶片或單晶錠的質(zhì)量的方法和通過使用上述方法來控制單晶錠的質(zhì)量的方法中用于計算第五樣品S5的Cu霧度分數(shù)的方法的示意圖。
[0068]圖3是剖視圖，其中，通過Cu霧度評估方法分析了根據(jù)實施方式所生長的300mm的單晶中縱向(vertical)方向上的缺陷的分布，并且分派分數(shù)的方法如下，但是實施方式并不限于此。
[0069]首先，測量根據(jù)Cu霧度評估方法的第一熱處理BP區(qū)域的白色部分(圖3中晶片的左側(cè))的面積。然后，測量第二熱處理BSW區(qū)域的白色部分(圖3中晶片的右側(cè))的面積，并且將通過對第一熱處理區(qū)域中白色部分和第二熱處理區(qū)域中白色部分的面積進行相加所獲得的值確定為分數(shù)值。
[0070]如另一個實施例，關于圖2的右側(cè)的第二樣品S2的圖，根據(jù)BP評估方法，白色部分和黑色部分都存在于圖中，并且在此情況下，對白色部分的區(qū)域進行相加，并且將相同的方法應用于BSW評估方法。
[0071]在上述實施方式中，分數(shù)300對應于300mm晶片的橫截面，并且因為分數(shù)是根據(jù)每個直徑的，所以可以使用相應的直徑，并且通過對相應的直徑進行用于劃分的成比例地調(diào)整而可以使用相應的直徑。
[0072]作為根據(jù)實施方式的用于評估晶片或單晶錠的質(zhì)量的方法和通過使用上述方法來控制單晶錠的質(zhì)量的方法中調(diào)整目標拉伸速度的實施例，表1是基于Cu霧度評分圖的用于設置目標拉伸速度的定量調(diào)節(jié)標準的實施例。然而，實施方式并不限于此。
[0073]表1
【權(quán)利要求】
1.一種用于評估晶片或單晶錠的質(zhì)量的方法，所述方法包括: 對單晶錠的切片或晶片進行Cu (銅)霧度評估；和 相對于所述Cu霧度評估的結(jié)果進行Cu霧度評分。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述進行Cu霧度評估包括: 對所述晶片或所述單晶錠的切片的一些區(qū)域進行第一熱處理；和 對所述晶片或所述單晶錠的切片的其他區(qū)域進行第二熱處理。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，所述第一熱處理包括進行O帶熱處理，以及所述第二熱處理包括進行PV、Pi熱處理。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，在所述Cu霧度評分中，所述Cu霧度評分的方法包括:通過劃分錠的切片的或所述晶片的缺陷區(qū)域來進行Cu霧度評分。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中，所述Cu霧度評分的方法包括:通過評定所述錠的切片的或所述晶片的Pv區(qū)域和Pi區(qū)域的分數(shù)來進行Cu霧度評分。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中，所述Cu霧度評分包括: 相對于根據(jù)所述Cu霧度評估方法的O帶熱處理區(qū)域，測量第一 Pi區(qū)域的面積； 相對于Pv、Pi熱處理區(qū)域，測量第二 Pi區(qū)域的面積；和 對所述第一 Pi區(qū)域的面積和所述第二 Pi區(qū)域的面積進行相加以設置為Cu霧度分數(shù)值。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述Cu霧度評分包括:通過所述Cu霧度評估來建立Cu霧度評分圖。
8.一種用于控制單晶錠的質(zhì)量的方法，所述方法包括: 對單晶錠的切片或晶片進行Cu (銅)霧度評估； 相對于所述Cu霧度評估的結(jié)果進行Cu霧度評分；和 基于Cu霧度評分評估的結(jié)果的值，對目標拉伸速度進行調(diào)節(jié)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，所述對目標拉伸速度進行調(diào)節(jié)包括: 通過所述Cu霧度評估來建立Cu霧度評分圖；和 基于所述Cu霧度評分圖來制定用于設置所述目標拉伸速度的定量調(diào)節(jié)標準。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，所述對目標拉伸速度進行調(diào)節(jié)包括:通過對被評分的拉伸速度進行調(diào)整來設置下一批次中的目標拉伸速度，所述調(diào)整根據(jù)基于所述Cu霧度評分圖的用于所述單晶錠的每個晶體區(qū)域的調(diào)節(jié)標準來進行。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中，所述Cu霧度評分使用根據(jù)權(quán)利要求4?7中任一項所述的用于評估單晶錠的質(zhì)量的方法。
【文檔編號】H01L21/66GK103650124SQ201280033605
【公開日】2014年3月19日 申請日期:2012年7月3日 優(yōu)先權(quán)日:2011年7月6日
【發(fā)明者】張允瑄, 洪寧皓, 鄭要韓, 金世勛 申請人:Lg矽得榮株式會社