太陽能電池及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明的主要目的在于，能夠進(jìn)行在成膜時缺陷少且不含過量的氫的薄膜形成，進(jìn)而，能夠在成膜后對在成膜時產(chǎn)生的缺陷進(jìn)行補(bǔ)償，以減少界面及薄膜中的缺陷，由此，實現(xiàn)長載流子壽命。本發(fā)明是具有在結(jié)晶硅基板(50)上形成有硅薄膜(52)的結(jié)構(gòu)的太陽能電池的制造方法。所述制造方法包括：薄膜形成工序，其通過由電感耦合生成等離子體的電感耦合型等離子體CVD法，在結(jié)晶硅基板(50)上，形成包含微小的硅結(jié)晶的微晶硅薄膜，以作為硅薄膜(52)；以及水蒸氣熱處理工序，其在5×105Pa以上壓力的水蒸氣環(huán)境中，對形成有該微晶硅薄膜的基板實施熱處理。
【專利說明】太陽能電池及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種具有在結(jié)晶硅(silicon)基板上形成有硅薄膜的結(jié)構(gòu)的、所謂混合(hybrid)型的太陽能電池及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]作為具有在結(jié)晶娃基板上層疊有非晶質(zhì)(無定形(amorphous))娃薄膜的結(jié)構(gòu)的太陽能電池的一例，被廣泛知曉的是如下結(jié)構(gòu)的太陽能電池，即:在結(jié)晶硅基板的兩面形成i型(即，本征(intrinsic))非晶質(zhì)娃薄膜,且在其中之一的i型非晶質(zhì)娃薄膜的表面形成P型非晶質(zhì)硅薄膜，而在另一 i型非晶質(zhì)硅薄膜的表面形成η型非晶質(zhì)硅薄膜(例如參照專利文獻(xiàn)I)。
[0003]在上述P型、η型非晶質(zhì)硅薄膜的更外側(cè)，分別形成有透明導(dǎo)電膜及用于導(dǎo)出光電流的梳型電極。
[0004]先前，上述非晶質(zhì)硅薄膜是通過如下方式而形成，即:其通過由電容耦合生成等離子體(plasma)的電容稱合型等離子體化學(xué)氣相沉積(Chemical Vapor Deposition, CVD)法，使用娃燒氣體(silane gas) (SiH4)及氫氣(H2)作為原料氣體,通過電解而使該原料氣體堆積于基板上。而且，在形成P型、η型的摻雜(dope)薄膜時，分別在上述原料氣體中少量混合六氫化二硼(diborane) (B2H6)、三氫化磷(phosphine) (PH3)來使用。
[0005]已知有如下方案:在結(jié)晶硅基板上，在該結(jié)晶硅基板與作為接觸(contact)層的上述P型、η型非晶質(zhì)硅薄膜之間，插入未摻雜雜質(zhì)的上述i型非晶質(zhì)硅薄膜，從而能夠延長界面上的載流子(carrier)壽命，由此,能夠增大太陽能電池的開路電壓(open circuitvoltage)，提高轉(zhuǎn)換效率。
[0006]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0007]專利文獻(xiàn)
[0008]專利文獻(xiàn)1:日本專利特開平10-135497號公報(段落0038-0040，圖4)

【發(fā)明內(nèi)容】

[0009]發(fā)明要解決的問題
[0010]如在非晶質(zhì)硅的物性方面廣泛知曉的，薄膜中的氫會補(bǔ)償硅的未鍵結(jié)鍵，從而大幅有助于作為半導(dǎo)體的特性呈現(xiàn)及性能提高。因而，對于結(jié)晶硅與非晶質(zhì)硅薄膜的界面而言，氫對于成膜過程中及成膜后的界面的幫助也大。
[0011]但是，大量的氫反而會產(chǎn)生缺陷，從而導(dǎo)致載流子壽命降低。因此，存在如下課題:結(jié)晶硅/ I型薄膜/摻雜(P型、η型)薄膜的氫濃度分布的微妙結(jié)構(gòu)成為必要，成膜工藝(process)的控制甚為困難。
[0012]而且，已知的是:在先前作為成膜方法而使用的電容耦合型的等離子體CVD法中，一般要對等離子體施加高電壓，因此等離子體電位高。其結(jié)果，朝向基板表面的入射離子(ion)的能量(energy)高，朝向基板與薄膜的界面及成膜過程中的薄膜表面的離子沖擊大，因此存在如下課題:容易在界面及堆積薄膜中產(chǎn)生缺陷，這會導(dǎo)致載流子壽命降低。
[0013]進(jìn)而，電容耦合型的等離子體CVD法中的借由高頻放電的氣體分解效率低，因此在以作為氫化物的硅烷及氫為原料的成膜工序中，將在薄膜中含有過量的氫，這也成為導(dǎo)致載流子壽命降低的因素。
[0014]因此，本發(fā)明的主要目的在于提供一種太陽能電池的制造方法，能夠進(jìn)行在成膜時缺陷少且不含過量的氫的薄膜形成，進(jìn)而，能夠在成膜后對在成膜時產(chǎn)生的缺陷進(jìn)行補(bǔ)償，以減少界面及薄膜中的缺陷，由此，能夠?qū)崿F(xiàn)長載流子壽命。
[0015]解決問題的技術(shù)手段
[0016]本發(fā)明的制造方法是具有在結(jié)晶硅基板上形成有硅薄膜的結(jié)構(gòu)的太陽能電池的制造方法，其特征在于包括:薄膜形成工序，其通過由電感耦合生成等離子體的電感耦合型等離子體CVD法，在所述結(jié)晶硅基板上，形成包含微小的硅結(jié)晶的微晶硅薄膜，以作為所述硅薄膜；以及水蒸氣熱處理工序，其在5 X IO5Pa以上壓力的水蒸氣環(huán)境中，對形成有所述微晶硅薄膜的所述結(jié)晶硅基板實施熱處理。
[0017]優(yōu)選的是，將所述薄膜形成工序中的所述結(jié)晶硅基板的溫度設(shè)為100°C?300°C。
[0018]優(yōu)選的是，將所述水蒸氣熱處理工序中的溫度設(shè)為150°C?300°C，水蒸氣壓力設(shè)為5 X IO5Pa?1.5 X IO6Pa,處理時間設(shè)為0.5小時?3小時。
[0019]當(dāng)所述太陽能電池具有如下結(jié)構(gòu)時，S卩，在結(jié)晶硅基板的兩面形成有i型硅薄膜，且在其中之一的i型娃薄膜的表面形成有P型娃薄膜，而在另一 i型娃薄膜的表面形成有η型硅薄膜時，也可通過所述薄膜形成工序，形成相應(yīng)型的所述微晶硅薄膜，以作為所述i型硅薄膜、P型硅薄膜及η型硅薄膜中的至少一者，隨后實施所述水蒸氣熱處理工序。
[0020]當(dāng)所述太陽能電池具有如下結(jié)構(gòu)時，S卩，在結(jié)晶硅基板上形成有i型硅薄膜，且在所述硅薄膜上形成功函數(shù)互不相同的第I電極及第2電極時，也可通過所述薄膜形成工序，形成i型的所述微晶硅薄膜，以作為所述i型硅薄膜，隨后執(zhí)行所述水蒸氣熱處理工序。
[0021]發(fā)明的效果
[0022]根據(jù)技術(shù)方案I所述的發(fā)明，由于在薄膜形成工序中使用電感耦合型等離子體CVD法，因此氣體的分解效率高，且能夠?qū)⒌入x子體電位抑制得低。因而，能夠進(jìn)行在成膜時缺陷少且不含過量的氫的薄膜形成。由此，能夠?qū)崿F(xiàn)長載流子壽命。
[0023]進(jìn)而，通過在成膜后實施水蒸氣熱處理，能夠?qū)υ诔赡r產(chǎn)生的缺陷進(jìn)行補(bǔ)償，因此能夠減少界面及薄膜中的缺陷。由此，能夠?qū)崿F(xiàn)更長的載流子壽命。
[0024]而且，通過將微晶硅薄膜的形成與水蒸氣熱處理加以組合，與將非晶質(zhì)硅薄膜的形成與水蒸氣熱處理加以組合的情況相比，能夠?qū)崿F(xiàn)更長的載流子壽命。
[0025]并且，不同于前述的需要界面的氫濃度分布的微妙控制的現(xiàn)有技術(shù)，只要利用在結(jié)晶硅基板上形成微晶硅薄膜，進(jìn)而實施水蒸氣熱處理這樣簡單的工藝，便能夠?qū)崿F(xiàn)非常長的載流子壽命。
[0026]能夠如上所述般延長載流子壽命的結(jié)果是，能夠獲得開路電壓大且轉(zhuǎn)換效率高的太陽能電池。
[0027]根據(jù)技術(shù)方案2所述的發(fā)明，進(jìn)一步起到如下效果。即，通過將薄膜形成工序中的結(jié)晶硅基板的溫度設(shè)為100°c?300°C，能夠抑制成膜過程中的薄膜中的氫的脫離及擴(kuò)散，因此能夠形成缺陷更少的微晶硅薄膜。因而，能夠?qū)崿F(xiàn)更長的載流子壽命。[0028]根據(jù)技術(shù)方案3所述的發(fā)明，進(jìn)一步起到如下效果。即，通過將水蒸氣熱處理工序中的溫度設(shè)為150°C?300°C，水蒸氣壓力設(shè)為5X105Pa?1.5X IO6Pa,處理時間設(shè)為0.5小時?3小時,從而能夠有效地發(fā)揮前述的水蒸氣熱處理的作用效果。
[0029]根據(jù)技術(shù)方案4所述的發(fā)明，進(jìn)一步起到如下效果。即，該太陽能電池中的i型硅薄膜的主要目的在于，防止雜質(zhì)從摻雜成P型或η型的硅薄膜擴(kuò)散，以延長界面上的載流子壽命；通過所述薄膜形成工序，形成i型的所述微晶硅薄膜，以作為該i型硅薄膜，隨后執(zhí)行所述水蒸氣熱處理工序，由此，如上所述能夠減少界面及薄膜中的缺陷，以延長載流子壽命，因此能夠更有效地達(dá)成i型薄膜的上述主要目的。
[0030]根據(jù)技術(shù)方案5、6所述的發(fā)明，進(jìn)一步起到如下效果。即，摻雜成η型或ρ型的非晶質(zhì)硅薄膜存在如下課題，即，雜質(zhì)的活化率小而難以形成低電阻膜，若為了實現(xiàn)低電阻化而增加雜質(zhì)，則該雜質(zhì)會造成缺陷而縮短載流子壽命，與此相對，摻雜成η型或ρ型的微晶硅薄膜的雜質(zhì)的活化率高，能夠以較少的雜質(zhì)量來形成低電阻膜。因而，能夠減小缺陷形成概率，因此能夠獲得開路電壓及短路電流大且轉(zhuǎn)換效率高的太陽能電池。
[0031]根據(jù)技術(shù)方案7所述的發(fā)明，進(jìn)一步起到如下效果。即，通過所述薄膜形成工序，形成i型的所述微晶硅薄膜以作為i型硅薄膜，隨后執(zhí)行所述水蒸氣熱處理工序，由此，能夠如上所述般減少界面及薄膜中的缺陷，以實現(xiàn)長載流子壽命，因此能夠獲得轉(zhuǎn)換效率更高的太陽能電池。
[0032]根據(jù)技術(shù)方案8所述的發(fā)明，基于上述理由，能夠?qū)崿F(xiàn)高轉(zhuǎn)換效率的太陽能電池?！緦＠綀D】

【附圖說明】
[0033]圖1是表示能夠用于薄膜形成工序的電感耦合型的等離子體CVD裝置的一例的剖面圖。
[0034]圖2是表示在結(jié)晶硅基板上形成有硅薄膜的試樣的一例的剖面圖。
[0035]圖3是表示對通過各種處理方法而獲得的試樣中的光感應(yīng)載流子壽命進(jìn)行測定的結(jié)果的一例的圖。
[0036]圖4是表示對試樣表面的娃薄膜的拉曼散射光譜(Raman scattering spectrum)進(jìn)行測定的結(jié)果的一例的圖。
[0037]圖5是表示混合型太陽能電池的一例的概略剖面圖。
[0038]圖6是表示混合型太陽能電池的另一例的概略剖面圖。
【具體實施方式】
[0039]本發(fā)明的制造方法是具有在結(jié)晶硅基板上形成有硅薄膜的結(jié)構(gòu)(例如，在圖2所示的結(jié)晶硅基板50上形成有硅薄膜52的結(jié)構(gòu))的太陽能電池的制造方法，該制造方法包括:薄膜形成工序，其通過由電感耦合生成等離子體的電感耦合型等離子體CVD法，在所述結(jié)晶硅基板上，形成包含微小的硅結(jié)晶的微晶硅薄膜，以作為所述硅薄膜；以及水蒸氣熱處理工序，其在5X105Pa以上壓力的水蒸氣環(huán)境中，對形成有所述微晶硅薄膜的所述結(jié)晶硅基板實施熱處理。
[0040]上述“在結(jié)晶硅基板上形成有硅薄膜”，包括在結(jié)晶硅基板的表面未隔著其他薄膜而直接形成硅薄膜的情況、以及在結(jié)晶硅基板的表面隔著其他薄膜而形成硅薄膜的情況這兩種。因而，在上述薄膜形成工序中，既可在結(jié)晶硅基板的表面不隔著其他薄膜而直接形成微晶硅薄膜，也可在結(jié)晶硅基板的表面隔著其他薄膜而形成微晶硅薄膜。例如，形成作為圖2所示的硅薄膜52、圖5所示的硅薄膜54、56、圖6所示的硅薄膜74的微晶硅薄膜的情況，為上述前者情況的更具體的例子，而形成作為圖5所示的硅薄膜58、60的微晶硅薄膜的情況，則為上述后者情況的更具體的例子。
[0041]結(jié)晶娃基板既可為單晶娃基板，也可為多結(jié)晶娃基板。該結(jié)晶娃基板的導(dǎo)電型既可為P型，也可為η型。
[0042]在上述薄膜形成工序中，例如可使用圖1所示的等離子體CVD裝置。
[0043]該等離子體CVD裝置是如下所述的電感耦合型的等離子體CVD裝置，即:通過由使高頻電流從高頻電源42流經(jīng)平面導(dǎo)體(換言之，為平面天線(antenna)，以下同樣)34而產(chǎn)生的感應(yīng)電場，來生成等離子體40，使用該等離子體40，在基板50上，通過電感耦合型等離子體CVD法來進(jìn)行薄膜形成。
[0044]具體而言,基板50為上述結(jié)晶娃基板。
[0045]該等離子體CVD裝置具備例如金屬制的真空容器22，該真空容器22的內(nèi)部通過真空排氣裝置24而進(jìn)行真空排氣。
[0046]在真空容器22內(nèi)，通過氣體導(dǎo)入管26而導(dǎo)入與對基板20實施的處理內(nèi)容相應(yīng)的原料氣體28。原料氣體28例如為硅烷氣體(嚴(yán)格而言，為單硅烷(monosilane)氣體SiH4)、或者以氫或惰性氣體(noble gas)(例如氦、氖、氬等)稀釋而成的硅烷氣體等。摻雜雜質(zhì)的情況后述。
[0047]在真空容器22內(nèi)，設(shè)有保持基板50的保持器(holder) 30。在該保持器30內(nèi)，設(shè)有將基板50加熱至所需溫度的加熱器(heater) 32。
[0048]在真空容器22內(nèi)，更具體而言，在真空容器22的頂面23的內(nèi)側(cè)，以與保持器30的基板保持面相向的方式，設(shè)有平面形狀為長方形的平面導(dǎo)體34。該平面導(dǎo)體34的平面形狀既可為長方形，也可為正方形等。其平面形狀具體采用何種形狀，例如只要根據(jù)基板50的平面形狀來決定即可。
[0049]從高頻電源42經(jīng)由匹配電路(matching circuit) 44,且經(jīng)由供電電極36及端電極(terminal electrode) 38,向平面導(dǎo)體34的長度方向的一端側(cè)的供電端與另一端側(cè)的末端之間供給高頻電力，由此，使高頻電流流經(jīng)平面導(dǎo)體34。從高頻電源42輸出的高頻電力的頻率例如為通常的13.56MHz，但并不限于此。
[0050]供電電極36及端電極38分別經(jīng)由絕緣凸緣(flange) 39而安裝于真空容器22的頂面23。在這些元件之間，分別設(shè)有真空密封(seal)用的填料(packing)。優(yōu)選的是，頂面23的上部如本例般，預(yù)先以防止高頻泄漏的屏蔽盒(shield box)46予以覆蓋。
[0051]通過如上所述般使高頻電流流經(jīng)平面導(dǎo)體34，從而在平面導(dǎo)體34的周圍產(chǎn)生高頻磁場，由此，朝向與高頻電流相反的方向產(chǎn)生感應(yīng)電場。通過該感應(yīng)電場，在真空容器22內(nèi)，電子受到加速而使平面導(dǎo)體34附近的氣體28電離，從而在平面導(dǎo)體34的附近產(chǎn)生等離子體40。該等離子體40擴(kuò)散至基板50的附近，通過該等離子體40，能夠在基板50上進(jìn)行借由電感耦合型等離子體CVD法的薄膜形成。
[0052]更具體而言，在結(jié)晶硅基板50上，能夠形成包含微小的硅結(jié)晶的微晶硅薄膜。
[0053]如上所述的通過等離子體CVD法而形成的微晶硅薄膜含有氫，因此嚴(yán)格上應(yīng)被稱作氫化微晶硅(μ c-S1:Η或nc-Si:H)薄膜。以下所述的微晶硅薄膜也同樣。
[0054]在結(jié)晶硅基板50上，為了形成微晶硅薄膜而不是非晶質(zhì)硅薄膜，只要使等離子體40中較多地生成氫自由基(radical)，以促進(jìn)硅的結(jié)晶化即可。具體而言，只要采用下述等方法即可，即:增多從高頻電源42輸入的高頻電力的輸入量；將真空容器22內(nèi)的氣壓設(shè)定為較低，以使生成的氫自由基容易到達(dá)基板50的表面；及提高真空容器22內(nèi)的氫分壓。
[0055]上述薄膜形成工序中使用的電感耦合型等離子體CVD法能夠使等離子體中產(chǎn)生大的感應(yīng)電場，因此與電容耦合型的等離子體CVD法相比，氣體的分解效率高，因而能夠進(jìn)行不含過量的氫的薄膜形成。
[0056]并且，電感耦合型等離子體CVD法是通過由使高頻電流流經(jīng)天線而產(chǎn)生的感應(yīng)電場來生成等離子體的方法，因此，與使用對兩片平行電極間施加高頻電壓而在兩電極間產(chǎn)生的高頻電場來生成等離子體的電容耦合型的等離子體CVD法相比，能夠?qū)⒌入x子體電位抑制為較低，能夠減小朝向基板表面及堆積薄膜的離子沖擊。其結(jié)果，能夠減少在成膜時與基板的界面及堆積薄膜中產(chǎn)生的缺陷。
[0057]通過以上的作用，能夠?qū)崿F(xiàn)長載流子壽命。
[0058]進(jìn)而，通過在成膜后實施上述水蒸氣熱處理，能夠?qū)υ诔赡r產(chǎn)生的缺陷進(jìn)行補(bǔ)償，因此能夠減少界面及薄膜中的缺陷。由此，能夠?qū)崿F(xiàn)更長的載流子壽命。
[0059]而且，通過實驗已確認(rèn)的是，通過將微晶硅薄膜形成與水蒸氣熱處理加以組合，與將非晶質(zhì)硅薄膜形成與水蒸氣熱處理加以組合的情況相比，能夠?qū)崿F(xiàn)更長的載流子壽命。后文對其進(jìn)行詳細(xì)說明。
[0060]如上所述般能夠延長載流子壽命的結(jié)果是，能夠獲得開路電壓大且轉(zhuǎn)換效率高的太陽能電池。
[0061]優(yōu)選的是，將薄膜形成工序中的結(jié)晶硅基板的溫度設(shè)為100°C?300°C這樣相對較低的溫度，由此，能夠抑制成膜過程中的薄膜中的氫的脫離及擴(kuò)散，因此能夠形成缺陷更少的微晶硅薄膜。因而，能夠?qū)崿F(xiàn)更長的載流子壽命。
[0062]優(yōu)選的是，將水蒸氣熱處理工序中的溫度設(shè)為150°C?300°C，水蒸氣壓力設(shè)為5 X IO5Pa?1.5 X IO6Pa,處理時間設(shè)為0.5小時?3小時，由此，能夠有效地發(fā)揮前述的水蒸氣熱處理的作用效果。
[0063]接下來,對于對結(jié)晶娃基板的表面實施各種成膜、處理，并對該試樣中的載流子壽命進(jìn)行測定的實驗結(jié)果進(jìn)行說明。
[0064]如圖2所不,在結(jié)晶娃基板50上形成有娃薄膜52。此時,對于結(jié)晶娃基板50使用單晶硅基板。在硅薄膜52的形成時，使用圖1所示的電感耦合型的等離子體CVD裝置(即，電感耦合型等離子體CVD法)。對于原料氣體28，使用100%的硅烷氣體(SiH4)。成膜時的基板50的溫度設(shè)為150°C。
[0065]并且，通過光感應(yīng)載流子微波吸收法，對上述試樣、進(jìn)而對用于比較的其他試樣的界面的載流子壽命進(jìn)行測定。更具體而言，對于向該試樣的表面恒定照射中心波長620nm、光強(qiáng)度1.5mff / cm2的發(fā)光二極管(Light Emitting Diode, LED)光時的實效的光感應(yīng)少數(shù)載流子存活時間(lite time)進(jìn)行測定。
[0066]將其結(jié)果總結(jié)示于表I中，并將該表I的內(nèi)容圖形(graph)化而示于圖3中。
[0067][表 I][0068]載流子壽命[μ s]
[0069]
【權(quán)利要求】
1.一種太陽能電池的制造方法，所述太陽能電池具有在結(jié)晶硅基板上形成有硅薄膜的結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括: 薄膜形成工序，其通過由電感耦合生成等離子體的電感耦合型等離子體CVD法，在所述結(jié)晶硅基板上，形成包含微小的硅結(jié)晶的微晶硅薄膜，以作為所述硅薄膜；以及 水蒸氣熱處理工序，其在5X IO5Pa以上壓力的水蒸氣環(huán)境中，對形成有所述微晶硅薄膜的所述結(jié)晶硅基板實施熱處理。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池的制造方法，其特征在于， 將所述薄膜形成工序中的所述結(jié)晶硅基板的溫度設(shè)為100°C?300°C。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的太陽能電池的制造方法，其特征在于， 將所述水蒸氣熱處理工序中的溫度設(shè)為150°C?300°C，水蒸氣壓力設(shè)為5 X IO5Pa?1.5 X IO6Pa,處理時間設(shè)為0.5小時?3小時。
4.根據(jù)權(quán)利要求1、2或3所述的太陽能電池的制造方法，其特征在于， 所述太陽能電池具有如下結(jié)構(gòu):在結(jié)晶硅基板的兩面形成有i型硅薄膜，且在其中之一的i型娃薄膜的表面形成有P型娃薄膜，而在另一 i型娃薄膜的表面形成有η型娃薄膜；通過所述薄膜形成工序，形成i型的所述微晶硅薄膜，以作為所述i型硅薄膜， 隨后執(zhí)行所述水蒸氣熱處理工序。
5.根據(jù)權(quán)利要求1、2或3所述的太陽能電池的制造方法，其特征在于， 所述太陽能電池具有如下結(jié)構(gòu):在結(jié)晶硅基板的兩面形成有i型硅薄膜，且在其中之一的i型娃薄膜的表面形成有P型娃薄膜，而在另一 i型娃薄膜的表面形成有η型娃薄膜；通過所述薄膜形成工序，分別形成P型的所述微晶硅薄膜及η型的所述微晶硅薄膜，以作為所述P型硅薄膜及所述η型硅薄膜， 隨后執(zhí)行所述水蒸氣熱處理工序。
6.根據(jù)權(quán)利要求1、2或3所述的太陽能電池的制造方法，其特征在于，所述太陽能電池具有如下結(jié)構(gòu):在結(jié)晶硅基板的兩面形成有i型硅薄膜，且在其中之一的i型娃薄膜的表面形成有P型娃薄膜，而在另一 i型娃薄膜的表面形成有η型娃薄膜；通過所述薄膜形成工序，形成i型的所述微晶硅薄膜，以作為所述i型硅薄膜，且分別形成P型的所述微晶硅薄膜及η型的所述微晶硅薄膜，以作為所述P型硅薄膜及所述η型硅薄膜， 隨后執(zhí)行所述水蒸氣熱處理工序。
7.根據(jù)權(quán)利要求1、2或3所述的太陽能電池的制造方法，其特征在于， 所述太陽能電池具有如下結(jié)構(gòu):在結(jié)晶硅基板上形成有i型硅薄膜，且在所述硅薄膜上形成功函數(shù)互不相同的第I電極及第2電極； 通過所述薄膜形成工序，形成i型的所述微晶硅薄膜，以作為所述i型硅薄膜， 隨后執(zhí)行所述水蒸氣熱處理工序。
8.一種太陽能電池，其特征在于，所述太陽能電池是通過如權(quán)利要求1至7中任一所述的太陽能電池的制造方法而制造。
【文檔編號】H01L31/075GK103688371SQ201280034187
【公開日】2014年3月26日 申請日期:2012年2月3日 優(yōu)先權(quán)日:2011年7月11日
【發(fā)明者】鮫島俊之, 安東靖典 申請人:國立大學(xué)法人東京農(nóng)工大學(xué), 日新電機(jī)株式會社