氦蒸汽磁共振磁體的制作方法
【專利摘要】一個磁共振磁體組件20具有被成形為空心圓柱體的線圈架70。至少兩個導(dǎo)熱片60被放置為周向圍繞所述線圈架70，由非導(dǎo)電區(qū)域90分開。被固定到每個導(dǎo)熱片部分60上的導(dǎo)熱管50，周向圍繞所述線圈架70運行。利用導(dǎo)熱環(huán)氧樹脂密封物質(zhì)，至少一層導(dǎo)熱電絕緣材料110（諸如玻璃纖維）被結(jié)合到導(dǎo)熱片60。利用所述導(dǎo)熱環(huán)氧樹脂密封物質(zhì)，超導(dǎo)導(dǎo)線80的繞組被結(jié)合在一起，并且被結(jié)合到所述電絕緣材料（110）。
【專利說明】氦蒸汽磁共振磁體
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本申請涉及磁共振磁體、低溫磁體、超導(dǎo)磁體，尤其涉及該類磁體的冷卻。
【背景技術(shù)】
[0002]磁共振(MR)掃描器使用超導(dǎo)磁體，所述超導(dǎo)磁體被冷卻到超導(dǎo)溫度，例如小于5.2°開爾文。傳統(tǒng)上，液態(tài)氦因其熱性能已被用于冷卻超導(dǎo)磁體。然而，液態(tài)氦價格昂貴。在世界的許多地區(qū)不具有液態(tài)氮或替代液態(tài)氦的穩(wěn)定供應(yīng)。
[0003]在冷卻磁體的同時保持磁鐵的電學(xué)和磁性性能，以在磁共振系統(tǒng)中產(chǎn)生均勻的靜磁場。冷卻系統(tǒng)均勻地冷卻線圈，而不破壞磁性線圈的完整性。
[0004]用于全身MR成像的磁體線圈的孔足以容納被成像的患者以及通過熱力方式將患者從低溫系統(tǒng)的極冷溫度中分開的結(jié)構(gòu)。制造設(shè)計容納線圈組件的孔中的室溫，同時保持周圍磁體中的工作溫度低于磁體的臨界溫度。70° F室溫約為294° K，而磁體的臨界溫度通常低于5.2° K。這種極端的溫度差造成設(shè)計和制造的復(fù)雜性。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本申請?zhí)峁┮环N新型且改進的氦蒸汽磁共振磁體，其克服了上述問題和其他問題。
[0006]根據(jù)一個方面，磁共振磁體具有線圈架、導(dǎo)熱片、導(dǎo)熱管部分、至少一層導(dǎo)熱電絕緣材料和超導(dǎo)導(dǎo)線的繞組。所述線圈架被成形為空心圓柱體。在線圈架上，至少兩個導(dǎo)熱片周向延伸，由非導(dǎo)電區(qū)域分開。導(dǎo)熱管部分被熱連接到每個導(dǎo)熱片。至少一層導(dǎo)熱電絕緣材料被配置在所述導(dǎo)熱片周圍，并且被結(jié)合到所述導(dǎo)熱片。超導(dǎo)導(dǎo)線的繞組被配置在電絕緣材料周圍，并且所述超導(dǎo)導(dǎo)線的繞組被結(jié)合在一起，并且被結(jié)合到電絕緣材料。
[0007]根據(jù)另一方面，磁共振磁體系統(tǒng)包括至少一個磁體組件；氦蒸汽，當(dāng)所述氦蒸汽圍繞線圈流過導(dǎo)熱管時，將線圈冷卻到低于臨界超導(dǎo)磁體溫度；以及制冷器熱交換器，其被連接到冷卻氦蒸氣的管中。磁體組件具有線圈架、導(dǎo)熱片、導(dǎo)熱管部分、至少一層導(dǎo)熱電絕緣材料和超導(dǎo)導(dǎo)線的繞組。所述線圈架被成形為空心圓柱體。在線圈架上，至少兩個導(dǎo)熱片周向延伸，由非導(dǎo)電區(qū)域分開。導(dǎo)熱管部分被連接到每個導(dǎo)熱片。至少一層導(dǎo)熱電絕緣材料被配置在導(dǎo)熱片周圍，并且被結(jié)合到導(dǎo)熱片。超導(dǎo)導(dǎo)線的繞組被配置在電絕緣材料周圍，并將所述超導(dǎo)導(dǎo)線的繞組結(jié)合在一起并且將其結(jié)合到電絕緣材料。
[0008]根據(jù)另一方面，磁共振成像或譜系統(tǒng)包括磁共振磁體系統(tǒng)、梯度線圈、梯度放大器、射頻線圈、發(fā)射器、發(fā)射器、接收器和處理器。磁共振磁體系統(tǒng)具有至少一個磁體組件；氦蒸汽，當(dāng)所述氦蒸汽圍繞線圈流過導(dǎo)熱管時，所述氦蒸汽將線圈冷卻到低于臨界超導(dǎo)磁體溫度；以及制冷器熱交換器，其被連接到冷卻氦蒸氣的管。磁體組件具有線圈架、導(dǎo)熱片、導(dǎo)熱管部分、至少一層導(dǎo)熱電絕緣材料和超導(dǎo)導(dǎo)線的繞組。梯度線圈位于所述磁共振磁體系統(tǒng)的孔中。梯度放大器被連接到梯度線圈。射頻線圈位于梯度線圈的內(nèi)部。發(fā)射器被連接到所述射頻線圈。接收器被連接到接收RF信號的所述射頻線圈?？刂破鬟B接到梯度放大器和發(fā)射器，并且控制梯度放大器和發(fā)射器，以激發(fā)對象中的共振。處理器被連接到所述接收器和控制器，并且將接收到的共振信號處理為圖像和/或譜信息。
[0009]根據(jù)另一方面，一種制造磁共振磁體的方法包括形成圓柱體線圈架。導(dǎo)熱管部分被連接至導(dǎo)熱片。至少一層電絕緣材料被結(jié)合到所述導(dǎo)熱片。圍繞電絕緣材料對超導(dǎo)導(dǎo)線進行繞線，并且將所述超導(dǎo)導(dǎo)線結(jié)合在一起并且將其結(jié)合到電絕緣材料。
[0010]根據(jù)另一方面，一種磁共振成像的方法，包括使用如上文討論的制造的氦蒸汽冷卻的磁體組件，在成像區(qū)域中生成靜態(tài)BO磁場。在成像區(qū)域中生成梯度磁場。射頻場被發(fā)射到成像區(qū)域中。從成像區(qū)域接收磁共振信號。從接收到的磁共振信號中重建圖像。
[0011]一個優(yōu)勢在于減少氦的體積。
[0012]另一優(yōu)勢在于使用氦蒸汽替代液態(tài)氦來冷卻磁體。
[0013]另一優(yōu)勢在于將換熱器板安裝到線圈而不影響線圈的制備或電氣性能的簡單且熱效率高的方法。
[0014]另一優(yōu)勢在于系統(tǒng)中氦蒸汽的流動的簡單和均勻冷卻磁體線圈的能力。
[0015]在閱讀并理解以下的具體描述之后，本領(lǐng)域技術(shù)人員將認識到本發(fā)明的其他優(yōu)勢。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0016]本發(fā)明可以采取各種部件和部件安排，以及各種步驟和步驟安排。附圖僅用于圖示說明優(yōu)選的實施例的目的，不應(yīng)被解釋為限制本發(fā)明。
[0017]圖1是示出了氦蒸氣磁共振磁體系統(tǒng)的一個實施例的示意圖。
[0018]圖2是示出了磁體的放大視圖的一個實施例的示意圖。
[0019]圖3是示出了具有分解視圖的磁共振磁體的一個實施例的橫截面的示意圖。
[0020]圖4是圖示了制造線圈組件的方法的流程圖。
[0021]圖5是圖示了 MR系統(tǒng)的實施例的示意圖,所述MR系統(tǒng)具有示出磁共振磁體的真空杜瓦瓶的剖視圖。
【具體實施方式】
[0022]參考圖1，示出了閉合回路系統(tǒng)10中磁共振(MR)磁體的實施例。閉環(huán)回路系統(tǒng)10包括循環(huán)的氦蒸汽，其由MR磁體組件20進行加熱并且由具有相關(guān)聯(lián)的低溫制冷器40的制冷器熱交換器30進行冷卻，并被重新循環(huán)至磁體組件20。在US2008/0209919中描述了一種具有相關(guān)聯(lián)的低溫制冷器的合適的制冷器熱交換器。
[0023]冷卻的氦氣在底部進入磁體組件20，并且向上流動至附接到導(dǎo)熱片60或磁體內(nèi)部的板的導(dǎo)熱管50。氦蒸汽在熱交換器30中被冷卻至約4.2° K，其提供低于磁體的臨界溫度的1° K裕量。來自制冷器熱交換器30的冷氣體密度相對較大，但在被磁體組件20加熱時變得密度較小，產(chǎn)生密度較大的氦氣從制冷器熱交換器30到磁鐵的底部的向下流動以及密度較小的較暖的氦氣通過磁體并且返回制冷器熱交換器的向上流動。磁體組件20被安裝在線圈架70上。
[0024]制造時，使用繞線固定裝置創(chuàng)建線圈組件25，并之后將所述線圈組件25安裝在線圈架70上，或?qū)⑵渲苯又圃斓骄€圈架70上。具有不同寬度的多個線圈25通常用于MR系統(tǒng)中。每個線圈組件25被安裝在相應(yīng)的線圈架70上。線圈25的寬度影響繞線的數(shù)量和生成的磁場的強度。利用以下描述的處理制造的線圈在尺寸上存在不同，例如，在寬度上達到約300毫米。線圈架70由在中空的圓柱體中形成的結(jié)構(gòu)金屬制成，諸如不銹鋼。
[0025]當(dāng)氦蒸氣沿管50向上行進時，熱量被吸收。熱量由線圈組件25生成，并且通過導(dǎo)熱板60以傳導(dǎo)方式被傳輸至導(dǎo)熱管50，并且由氦蒸氣吸收。磁性組件的所有部件之間良好的導(dǎo)熱性確保一致的運行溫度。
[0026]參考圖2，示出了磁體組件20的一個實施例的放大視圖。由非導(dǎo)電性隔離物90對導(dǎo)熱片60的兩部分進行電隔離。片60之間的區(qū)域避免將干擾MR系統(tǒng)的運行的導(dǎo)熱片60中的周向電流。例如，導(dǎo)熱片由厚度在約0.3_的銅制成。鋁和其他導(dǎo)熱性材料也能夠用于片60。導(dǎo)熱片60之間的間隙約為6mm，利用非導(dǎo)電性隔離物90 (例如，塑料填充條)填充所述間隙。所述非導(dǎo)電性隔離物90提供在其上的均勻表面，以對線圈進行繞線。片被彎曲在線圈架70的圓周上，或者如果在制造加工期間使用繞線固定裝置，片被彎曲在所述繞線固定裝置的外徑上。
[0027]導(dǎo)熱管50以熱力方式或以機械方式被固定到所述導(dǎo)熱片60上。范例是9-10mmOD的制冷器級別銅管。可以使用具有良好的導(dǎo)熱性的其他材料，諸如鋁。管50的尺寸足夠大，使得管的壓降很小。利用直徑較小的管，創(chuàng)建更多的摩擦，并且導(dǎo)致冷卻能力的下降。利用過小的管，存在更大程度的磁體的非均勻冷卻。
[0028]參照圖3和圖4，在步驟400中裝配線圈架70，例如由不銹鋼利用機器制造而成。
[0029]步驟402中，制造磁體線圈時，圍繞線圈架70纏繞絕緣材料100，或者如果用于制造磁體線圈，圍繞繞線固定裝置(未示出)纏繞絕緣材料100。絕緣材料100的范例是夾在金屬化聚酯(通常作為MYLAR?)的層之間的聚四氟乙烯(通常被稱為TEFLON?)層。絕緣層100允許線圈架70與片60之間的移動，同時使摩擦減到最小。
[0030]步驟404中，導(dǎo)熱管50被錫焊或熔焊到片60上，并且所述片和管被彎曲在線圈架的半徑上。在使導(dǎo)熱片60彎曲之前，可以附接管50，或者，首先所述管50能夠被彎曲，并且所述導(dǎo)熱片和導(dǎo)熱管在其彎曲狀態(tài)下被附接。在步驟406中，導(dǎo)熱片60和導(dǎo)熱管的位置在絕緣層100上。優(yōu)選地，導(dǎo)熱片60未被固定在電絕緣片上，以適應(yīng)熱膨脹/收縮差異。電絕緣隔離物90被放置在導(dǎo)熱片與線圈組件的底部和頂部之間的電絕緣材料100上。清洗片60，以去除存在的任何氧化物，以提供導(dǎo)熱結(jié)合。
[0031]步驟410中，在導(dǎo)熱片60上放置具有導(dǎo)熱性的電絕緣110層。電絕緣隔離物120被放置在將要纏繞的線圈的一側(cè)?？梢韵蚓€圈架70中增加凸緣，當(dāng)形成時，以在磁體20的運行期間限制片60的移動，并且固定覆蓋物和其他結(jié)構(gòu)組件。如果存在凸緣，則在步驟402中的纏繞之前，電絕緣隔離物被放置在凸緣與片60之間。在清洗所述片之后，應(yīng)用電絕緣110層。應(yīng)用導(dǎo)熱、電絕緣的環(huán)氧樹脂密封物質(zhì)，隨后應(yīng)用材料110層，所述材料110使線圈與導(dǎo)熱片60電絕緣，實現(xiàn)良好的導(dǎo)熱性并且與環(huán)氧樹脂結(jié)合。合適的材料100是利用表面處理的雙向玻璃纖維布，以改善與環(huán)氧樹脂的結(jié)合。玻璃纖維材料110的兩側(cè)均被涂覆環(huán)氧樹脂，以提供強結(jié)合力和良好的導(dǎo)熱性，并且圍繞導(dǎo)熱片60纏繞玻璃纖維材料。利用多個環(huán)氧樹脂涂層和玻璃纖維材料110能夠重復(fù)該過程，以確保容納任何不規(guī)則性并且提供結(jié)構(gòu)剛性。也預(yù)期提供電絕緣并且允許環(huán)氧樹脂密封物質(zhì)的涂覆和飽和度的其他薄的柔性材料。[0032]步驟412中，在環(huán)氧樹脂干燥之前，在密封的玻璃纖維材料110層中對超導(dǎo)導(dǎo)線80進行繞線。由于導(dǎo)線的每一層均被繞線，應(yīng)用額外的導(dǎo)熱環(huán)氧樹脂密封物質(zhì)，以將導(dǎo)線線圈80與電絕緣材料Ii0層牢固地結(jié)合到一起，并且將導(dǎo)線線圈80牢固地結(jié)合至電絕緣材料110層，繼而，所述電絕緣材料110層被結(jié)合到導(dǎo)熱片60上。利用環(huán)氧樹脂填充導(dǎo)線線圈80中的所有間隙空間，以確保與片60的牢固并具有熱效率的結(jié)合。環(huán)氧樹脂、片60和管50充當(dāng)有效的熱交換器。導(dǎo)線線圈80的厚度由將要生成的磁場決定，并且通常為2.5-5cm。在施加電流時，線圈組件25或線圈的機械結(jié)合應(yīng)當(dāng)?shù)謸跆嵘颦h(huán)向力。被結(jié)合到利用環(huán)氧樹脂進行繞線的線圈的導(dǎo)熱片60具有較高的剝離強度和良好的導(dǎo)熱性。
[0033]參考圖5，示出了 MR系統(tǒng)500的實施例的運行部件。真空杜瓦瓶515包含在運行期間生成靜態(tài)Btl磁場的磁體組件20。例如，使用先前描述的凸緣，附接真空杜瓦瓶的覆蓋物，并且所述真空杜瓦瓶的覆蓋物包圍線圈架70、片60和線圈繞組80。梯度線圈505和射頻(RF)線圈510同心地位于真空杜瓦瓶的孔內(nèi)。梯度線圈505在成像過程期間生成由梯度放大器550驅(qū)動的梯度Gx Gy Gz磁場。在序列控制裝置520的控制下生成梯度磁場。圖示的RF線圈510是全身線圈，其當(dāng)由RF發(fā)射器530啟動全身線圈時，所述全身線圈發(fā)射B1磁場。序列控制裝置520確定何時RF線圈510以發(fā)射模式運行，以及何時RF線圈510以接收模式運行。當(dāng)處于接收模式時，接收器570解調(diào)RF信號。然后，由處理器580重建RF信號，并且所述RF信號可以在輸出裝置590上被顯示為圖像，或者被存儲下來以供其他訪問。
[0034]已經(jīng)參考優(yōu)選實施例描述了本發(fā)明。在閱讀和理解以上【具體實施方式】的情況下，對于其他人可能想到修改或替代變型。本文意圖將本發(fā)明解釋為包括所有這種修改和替代變型，只要它們落入所附權(quán)利要求及其等價方案的范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種超導(dǎo)磁體組件(20),包括: 線圈架(70)，其被成形為空心圓柱體； 至少兩個導(dǎo)熱片(60)，其在所述線圈架(70)上周向延伸，并且由非導(dǎo)電區(qū)域(90)分開； 導(dǎo)熱管部分(50)，其被熱連接到所述導(dǎo)熱片(60)； 至少一層導(dǎo)熱電絕緣材料(110)，其被放置在所述導(dǎo)熱片(60)周圍，并且被結(jié)合到所述導(dǎo)熱片(60);以及 超導(dǎo)導(dǎo)線(80)的繞組，其被放置在所述電絕緣材料(110)周圍，并且所述超導(dǎo)導(dǎo)線(80)的繞組被結(jié)合在一起，并且被結(jié)合到所述電絕緣材料(110)，形成具有熱效率的整體結(jié)構(gòu)。
2.如權(quán)利要求1所述的磁體組件(20)，還包括: 絕緣材料(100 )層，其被放置在所述線圈架(70 )和所述導(dǎo)熱片(60 )之間，以使摩擦最小化，并且允許所述導(dǎo)熱片(60)相對所述線圈架(70)移動。
3.如權(quán)利要求2所述的磁體組件(20)，其中，所述絕緣材料(100)至少包括: 聚四氟乙烯層；以及 金屬化聚酯層。
4.如權(quán)利要求1-3中的任一項所述的磁體組件(20)，還包括: 非導(dǎo)電材料隔離物，其被放置`在所述導(dǎo)熱片(60)的相鄰端部之間。
5.如權(quán)利要求1-4中的任一項所述的磁體組件(20)，其中，所述電絕緣材料(110)是柔性的。
6.如權(quán)利要求1-5中的任一項所述的磁體組件(20)，其中，所述電絕緣材料(110 )包括玻璃纖維。
7.如權(quán)利要求1-6中的任一項所述的磁體組件(20)，其中，利用導(dǎo)熱的環(huán)氧樹脂密封劑使所述電絕緣材料(110)飽和。
8.如權(quán)利要求1-7中的任一項所述的磁體組件(20)，其中，所述電絕緣材料(110)包括: 多個織造材料層，通過導(dǎo)熱環(huán)氧樹脂密封物質(zhì)，所述織造材料、所述超導(dǎo)導(dǎo)線(80)被結(jié)合成整體結(jié)構(gòu)，由所述線圈架(70)支撐所述整體結(jié)構(gòu)，并且所述整體結(jié)構(gòu)未被結(jié)合到所述線圈架(70)。
9.如權(quán)利要求1-8中的任一項所述的磁體組件(20)，其中，所述導(dǎo)熱片(60)和被熱連接到其上的所述導(dǎo)熱管部分(50)中的一個從相鄰所述線圈架(70)的底部周向圍繞所述線圈架的一側(cè)延伸到相鄰所述線圈架(70)的頂部，并且所述導(dǎo)熱片(60)和被熱連接到其上的所述導(dǎo)熱管部分(50)中的另一個從相鄰所述線圈架(70)的所述底部周向圍繞所述線圈架的對側(cè)延伸到相鄰所述線圈架(70 )的所述頂部。
10.一種磁共振磁體系統(tǒng)(10)，包括: 如權(quán)利要求1-9中的任一項所述的至少一個磁體組件； 氦蒸汽，其圍繞所述磁體組件(20)流過所述導(dǎo)熱管(50)，以將所述超導(dǎo)導(dǎo)線(80)冷卻到低于其超導(dǎo)溫度；以及 制冷器熱交換器(30 )，其被連接到冷卻所述氦蒸氣的所述導(dǎo)熱管部分(50 )。
11.一種磁共振成像或譜系統(tǒng)(500),包括: 如權(quán)利要求10所述的磁共振磁體系統(tǒng)(10)； 梯度線圈(500)，其位于所述磁共振磁體系統(tǒng)(10)的孔中； 梯度放大器(550 )，其被連接到所述梯度線圈(500 ); 射頻線圈(510)，其位于所述梯度線圈(500)的內(nèi)部； 發(fā)射器(530)，其被連接到所述射頻線圈(510)； 接收器(570)，其接收磁共振信號； 控制器(520 )，其被連接到所述梯度放大器和所述發(fā)射器；以及處理器(580)，其被連接到所述接收器(570)和所述控制器(520)，所述處理器將接收到的磁共振信號處理為圖像和(或)譜信息。
12.—種制造磁共振磁體(20)的方法，包括: 形成圓柱體的線圈架(70)； 將導(dǎo)熱管(50)熱連接到導(dǎo)熱片(60)； 將所述導(dǎo)熱片(60)和連接的導(dǎo)熱管部分(50)定位為周向圍繞所述線圈架(70)； 將至少一層電絕緣的導(dǎo)熱材料(110)結(jié)合到所述導(dǎo)熱片(60)上；以及將超導(dǎo)導(dǎo)線(80)圍繞所述電絕緣材料(110)進行繞線，并且將所述超導(dǎo)導(dǎo)線(80)結(jié)合在一起并且將其結(jié)合到所述電絕緣材料(I 10)。
13.如權(quán)利要求12所述的方法，還包括: 在所述線圈架(70)上應(yīng)用絕緣材料層(100)，其使摩擦最小化，并且允許所述導(dǎo)熱片(60 )相對所述線圈架(70 )移動。
14.如權(quán)利要求13所述的方法，其中，所述絕緣材料層(100)包括聚四氟乙烯，由金屬化聚酯插入所述聚四氟乙烯。
15.如權(quán)利要求12-14中的任一項所述的方法，還包括: 在將所述電絕緣材料(110 )結(jié)合到所述導(dǎo)熱板(60 )之前，從所述導(dǎo)熱片(60 )中去除氧化物。
16.如權(quán)利要求12-15中的任一項所述的方法，還包括: 通過以下方法將所述導(dǎo)熱片(60 )、所述電絕緣材料(110)和所述超導(dǎo)導(dǎo)線(80 )結(jié)合成整體結(jié)構(gòu): 利用具有熱效率的環(huán)氧密封物質(zhì)浸透所述電絕緣材料(110);以及利用所述導(dǎo)熱環(huán)氧樹脂密封物質(zhì)填充所述超導(dǎo)導(dǎo)線(80)周圍的空隙空間，如同對每層進行繞線。
17.如權(quán)利要求12-16中的任一項所述的方法，其中，定位所述導(dǎo)熱片(60)包括: 定位所述導(dǎo)熱片(60)和被熱連接到其上的所述導(dǎo)熱管部分中的一個，以從相鄰所述線圈架(70)的底部周向圍繞所述線圈架的一側(cè)延伸到相鄰所述線圈架(70)的頂部；以及定位所述導(dǎo)熱片(60)和被熱連接到其上的所述導(dǎo)熱管部分中的另一個，以從相鄰所述線圈架(70)的所述底部周向圍繞所述線圈架的對側(cè)延伸到相鄰所述線圈架(70)的所述頂部。
18.如權(quán)利要求12-17中的任一項所述的方法，還包括: 將所述導(dǎo)熱管(50 )與所述制冷器熱交換器(30 )連接，允許氦蒸氣在所述導(dǎo)熱管(50 )和所述制冷器熱交換器(30)之間循環(huán)。
19.一種磁共振成像的方法，包括: 如權(quán)利要求12-18中的任一項所述的制造磁共振磁體(20)； 使用所述磁共振磁體(20)，生成穿過成像區(qū)域的靜態(tài)BO磁場； 生成橫跨所述成像區(qū)域的梯度磁場； 將RF場發(fā)射到所述成像區(qū)域中； 從所述成像區(qū)域接收磁共振信號；以及 從接收到的磁共振信號重建圖像。
20.一種制造磁共振磁體(20)的方法，包括: 將導(dǎo)熱管部分(50)連接到導(dǎo)熱片(60)上； 在附接步驟之前或之后，使所述導(dǎo)熱片(60)和所述導(dǎo)熱管部分(50)彎曲，以符合繞線固定裝置或架(70)的圓周； 利用絕緣材料(100)層覆蓋所述繞線固定裝置或架； 將彎曲的導(dǎo)熱片(60)和附接的導(dǎo)熱管部分(50)放置在所述絕緣材料(100)上； 圍繞所述彎曲的導(dǎo)熱片(60)和附接的導(dǎo)熱管(50)加入墊片和絕緣片段(120)；` 利用導(dǎo)熱環(huán)氧樹脂密封劑，將至少一層電絕緣材料(110)結(jié)合到所述彎曲的導(dǎo)熱片部分(60)上；以及 在所述導(dǎo)熱環(huán)氧樹脂密封劑固化之前，圍繞所述電絕緣材料(110)將所述超導(dǎo)導(dǎo)線(80)進行繞線，并且利用導(dǎo)熱環(huán)氧樹脂密封劑，將所述超導(dǎo)導(dǎo)線(80)結(jié)合在一起，并且將其結(jié)合到所述電絕緣材料(110)，以形成線圈組件(25)。
【文檔編號】H01F6/04GK103688185SQ201280035972
【公開日】2014年3月26日 申請日期:2012年7月13日 優(yōu)先權(quán)日:2011年7月20日
【發(fā)明者】R·A·阿克曼, R·L·弗蘭克 申請人:皇家飛利浦有限公司