高頻信號線路及電子設(shè)備的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種能抑制電磁場通過設(shè)置在接地導(dǎo)體上的開口發(fā)生泄漏的高頻信號線路及電子設(shè)備。電介質(zhì)坯體(12)由多個(gè)電介質(zhì)片材(18)層疊而成。信號線(20)設(shè)置在電介質(zhì)坯體(12)上。輔助接地導(dǎo)體(24)設(shè)置在比信號線(20)靠近z軸方向負(fù)方向一側(cè)，且設(shè)有沿著信號線(20)排列的多個(gè)開口(30)。從z軸方向俯視時(shí)，浮動導(dǎo)體(28)與開口(30)重疊，并且設(shè)置在比信號線(20)靠近z軸方向負(fù)方向一側(cè)，不與其它導(dǎo)體連接。
【專利說明】局頻信號線路及電子設(shè)備
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及高頻信號線路及電子設(shè)備，特別涉及傳輸高頻信號的高頻信號線路及電子設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002]作為與現(xiàn)有的高頻信號線路相關(guān)的發(fā)明，已知有例如專利文獻(xiàn)I所記載的信號線路。該信號線路包括層疊體、信號線以及2個(gè)接地導(dǎo)體。層疊體通過層疊多層絕緣片材而構(gòu)成。信號線設(shè)置在層疊體內(nèi)。2個(gè)接地導(dǎo)體在層疊體內(nèi)沿層疊方向夾住信號線。由此，信號線和2個(gè)接地導(dǎo)體形成帶狀線結(jié)構(gòu)。
[0003]而且，接地導(dǎo)體上設(shè)有沿層疊方向俯視時(shí)與信號線重疊的多個(gè)開口。由此，在多個(gè)開口所設(shè)的位置上，難以在信號線和接地導(dǎo)體之間形成電容。因此，可以縮短信號線與接地導(dǎo)體在層疊方向上的距離而不會導(dǎo)致信號線的特性阻抗過小。其結(jié)果是可以實(shí)現(xiàn)高頻信號線路的薄型化。上述這種高頻信號線路可用于將2個(gè)電路基板連接等用途。
[0004]另外，由于專利文獻(xiàn)I所記載的信號線路在接地導(dǎo)體上設(shè)有開口，因此電磁場會通過開口而發(fā)生泄漏。其結(jié)果將導(dǎo)致向信號線路周圍的電子設(shè)備進(jìn)行不必要的輻射。另外，當(dāng)信號線路是粘貼在電池組之類的金屬體上時(shí)，信號線與電池組會通過開口而發(fā)生電磁場耦合。其結(jié)果將導(dǎo)致信號線的特性阻抗偏離所希望的特性阻抗。
現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn) 專利文獻(xiàn)
[0005]專利文獻(xiàn)1:國際公開第2011/007660號刊物

【發(fā)明內(nèi)容】

發(fā)明所要解決的技術(shù)問題
[0006]因此，本發(fā)明的目的在于提供一種能抑制電磁場通過設(shè)置在接地導(dǎo)體上的開口發(fā)生泄漏的高頻信號線路及電子設(shè)備。
解決技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案
[0007]本發(fā)明的一個(gè)方式所涉及的高頻信號線路的特征在于，包括:電介質(zhì)質(zhì)坯體，該電介質(zhì)坯體由多個(gè)電介質(zhì)層層疊而構(gòu)成；信號線，該信號線設(shè)置在所述電介質(zhì)坯體上，且呈線狀；第一接地導(dǎo)體，該第一接地導(dǎo)體設(shè)置在比所述信號線靠近層疊方向一側(cè)，且在該第一接地導(dǎo)體上設(shè)有沿所述信號線排列的多個(gè)第一開口 ；以及第一浮動導(dǎo)體，該第一浮動導(dǎo)體在從層疊方向俯視時(shí)與所述第一開口重疊，并且設(shè)置在比所述信號線靠近層疊方向一側(cè)，所述第一浮動導(dǎo)體不與其它導(dǎo)體相連接。
[0008]本發(fā)明的一個(gè)方式所涉及的電子設(shè)備的特征在于，具備殼體和被收納在所述殼體內(nèi)的高頻信號線路，所述高頻信號線路包括:電介質(zhì)質(zhì)坯體，該電介質(zhì)坯體由多個(gè)電介質(zhì)層層疊而構(gòu)成；信號線，該信號線設(shè)置在所述電介質(zhì)坯體上，且呈線狀；第一接地導(dǎo)體，該第一接地導(dǎo)體設(shè)置在比所述信號線靠近層疊方向一側(cè)，且在該第一接地導(dǎo)體上設(shè)有沿所述信號線排列的多個(gè)第一開口 ；以及第一浮動導(dǎo)體，該第一浮動導(dǎo)體在從層疊方向俯視時(shí)與所述第一開口重疊，并且設(shè)置在比所述信號線靠近層疊方向一側(cè)，所述第一浮動導(dǎo)體不與其它導(dǎo)體相連接。
發(fā)明效果
[0009]根據(jù)本發(fā)明，能夠抑制電磁場通過設(shè)置在接地導(dǎo)體上的開口發(fā)生泄漏。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0010]圖1是本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式所涉及的高頻信號線路的外觀立體圖。
圖2是圖1的高頻信號線路的電介質(zhì)坯體的分解圖。
圖3是圖1的高頻信號線路的信號線及輔助接地導(dǎo)體的透視圖。
圖4是在圖3的A-A處的剖面結(jié)構(gòu)圖。
圖5是在圖3的B-B處的剖面結(jié)構(gòu)圖。
圖6是高頻信號線路的連接器的外觀立體圖。
圖7是高頻信號線路的連接器的剖面結(jié)構(gòu)圖。
圖8是使用高頻信號線路的電子設(shè)備在從y軸方向俯視時(shí)的俯視圖。
圖9是使用高頻信號線路的電子設(shè)備在從ζ軸方向俯視時(shí)的俯視圖。
圖10是變形例I所涉及的高頻信號線路的電介質(zhì)坯體的分解圖。
圖11是變形例2所涉及的高頻信號線路的電介質(zhì)坯體的分解圖。
圖12是變形例3所涉及的高頻信號線路的電介質(zhì)坯體的分解圖。
圖13是變形例4所涉及的高頻信號線路的電介質(zhì)坯體的分解圖。
圖14是變形例5所涉及的高頻信號線路的電介質(zhì)坯體的分解圖。
【具體實(shí)施方式】
[0011]下面，參照附圖，對本發(fā)明的實(shí)施方式所涉及的高頻信號線路及電子設(shè)備進(jìn)行說明。
[0012](高頻信號線路的結(jié)構(gòu))
下面，參照附圖，對本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式所涉及的高頻信號線路的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。圖1是本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式所涉及的高頻信號線路10的外觀立體圖。圖2是圖1的高頻信號線路10的電介質(zhì)坯體12的分解圖。圖3是圖1的高頻信號線路10的信號線20及輔助接地導(dǎo)體24的透視圖。圖4是圖3的A-A處的剖面結(jié)構(gòu)圖。圖5是在圖3的B-B處的剖面結(jié)構(gòu)圖。以下，將高頻信號線路10的層疊方向定義為ζ軸方向。此外，將高頻信號線路10的長邊方向定義為X軸方向，將正交于X軸方向及Z軸方向的方向定義為y軸方向。
[0013]聞?lì)l/[目號線路10例如是移動電話等電子設(shè)備內(nèi)用于將兩個(gè)聞?lì)l電路相連接的扁狀電纜。如圖1和圖2所示，高頻信號線路10包括電介質(zhì)坯體12、外部端子16a、16b、信號線20、基準(zhǔn)接地導(dǎo)體(第二接地導(dǎo)體)22、輔助接地導(dǎo)體(第一接地導(dǎo)體)24、浮動導(dǎo)體28、過孔導(dǎo)體(層間連接部)bl、b2、Bl?B4及連接器IOOaUOOb0
[0014]電介質(zhì)坯體12如圖1所示，從ζ軸方向俯視時(shí)，是沿X軸方向延伸的柔性板狀構(gòu)件，包含線路部12a及連接部12b、12c。電介質(zhì)坯體12如圖2所示，是從ζ軸方向的正方向側(cè)到負(fù)方向側(cè)依次層疊保護(hù)層14、電介質(zhì)片材18a，18b及保護(hù)層15而構(gòu)成的層疊體。下面，將電介質(zhì)坯體12的z軸方向的正方向側(cè)主面稱作表面，將電介質(zhì)坯體12的z軸方向的負(fù)方向側(cè)主面稱作背面。
[0015]如圖1所示，線路部12a沿X軸方向延伸。連接部12b、12c分別連接至線路部12a的X軸方向的負(fù)方向側(cè)端部及X軸方向的正方向側(cè)端部，且呈矩形。連接部12b、12c的y軸方向?qū)挾缺染€路部12a的y軸方向?qū)挾纫蟆?br> [0016]如圖2所示，從z軸方向俯視時(shí)，電介質(zhì)片材18a，18b沿X軸方向延伸，且其形狀與電介質(zhì)坯體12相同。電介質(zhì)片材18a、18b由聚酰亞胺及液晶聚合物等具有可撓性的熱塑性樹脂構(gòu)成。下面，將電介質(zhì)片材18a、18b的z軸方向的正方向側(cè)主面稱作表面,將電介質(zhì)片材18a、18b的z軸方向的負(fù)方向側(cè)主面稱作背面。
[0017]如圖4及圖5所示，電介質(zhì)片材18a的厚度Tl比電介質(zhì)片材18b的厚度T2大。電介質(zhì)片材18a、18b層疊后的厚度Tl例如為50μπι?300μπι。在本實(shí)施方式中，厚度Tl為150 μ m。此外，厚度T2例如為10?100 μ m。在本實(shí)施方式中，厚度T2為50 μ m。
[0018]此外，如圖2所示，電介質(zhì)片材18a由線路部18a_a及連接部18a_b、18a_c構(gòu)成。電介質(zhì)片材18b由線路部18b_a及連接部18b_b、18b_c構(gòu)成。線路部18a_a、18b_a構(gòu)成線路部12a。連接部18a-b、18b-b構(gòu)成連接部12b。連接部18a-c、18b_c構(gòu)成連接部12c。
[0019]信號線20如圖2所示，是設(shè)置在電介質(zhì)坯體12上用于傳輸高頻信號的導(dǎo)體。本實(shí)施方式中，信號線20形成在電介質(zhì)片材18b的表面上，是沿X軸方向延伸的直線狀導(dǎo)體。如圖2所示，信號線20的X軸方向的負(fù)方向側(cè)端部位于連接部18b-b的中央。如圖2所示，信號線20的X軸方向的正方向側(cè)端部位于連接部18b-c的中央。信號線20由以銀、銅為主要成分的電阻率較小的金屬材料制成。這里，信號線20形成在電介質(zhì)片材18b的表面上是指，將通過鍍覆而形成在電介質(zhì)片材18b表面的金屬箔圖案化從而形成信號線20、或者將粘貼在電介質(zhì)片材18b表面的金屬箔圖案化從而形成信號線20。此外，由于對信號線20的表面實(shí)施平滑化處理，因此，信號線20與電介質(zhì)片材18b相接的面的表面粗糙度大于信號線20未與電介質(zhì)片材18b相接的面的表面粗糙度。
[0020]基準(zhǔn)接地導(dǎo)體22如圖2所示，是設(shè)置在比信號線20靠近z軸方向正方向一側(cè)的實(shí)心導(dǎo)體層。更具體而言，基準(zhǔn)接地導(dǎo)體22形成在電介質(zhì)片材18a的表面上，隔著電介質(zhì)片材18a與信號線20相對?；鶞?zhǔn)接地導(dǎo)體22在與信號線20重疊的位置上未設(shè)置開口。基準(zhǔn)接地導(dǎo)體22由以銀、銅為主要成分的電阻率較小的金屬材料制作而成。這里，基準(zhǔn)接地導(dǎo)體22形成在電介質(zhì)片材18a的表面上是指，將利用鍍覆形成在電介質(zhì)片材18a表面的金屬箔圖案化從而形成基準(zhǔn)接地導(dǎo)體22、或者將粘貼在電介質(zhì)片材18a表面的金屬箔圖案化從而形成基準(zhǔn)接地導(dǎo)體22。此外，由于對基準(zhǔn)接地導(dǎo)體22的表面實(shí)施平滑化處理，因此，基準(zhǔn)接地導(dǎo)體22與電介質(zhì)片材18a相接的面的表面粗糙度大于基準(zhǔn)接地導(dǎo)體22未與電介質(zhì)片材18a相接的面的表面粗糙度。
[0021]此外，如圖2所示，基準(zhǔn)接地導(dǎo)體22由線路部22a及端子部22b、22c構(gòu)成。線路部22a設(shè)置在線路部18a_a的表面上，且沿x軸方向延伸。端子部22b設(shè)置在線路部18a_b的表面上，且不形成矩形環(huán)。端子部22b連接至線路部22a的X軸方向的負(fù)方向側(cè)端部。端子部22c設(shè)置在連接部18a-c的表面上，且呈矩形環(huán)。端子部22c連接至線路部22a的X軸方向的正方向側(cè)端部。
[0022]這里，高頻信號線路10的特性阻抗主要取決于信號線20與基準(zhǔn)接地導(dǎo)體22之間的相對面積和距離、以及電介質(zhì)片材18a、18b的相對介電常數(shù)。因此，在要將高頻信號線路10的特性阻抗設(shè)定為50 Ω的情況下，例如，考慮到信號線20和基準(zhǔn)接地導(dǎo)體22的影響，將高頻信號線路10的特性阻抗設(shè)計(jì)成比50 Ω略高的55 Ω。并且，對后述的輔助接地導(dǎo)體24的形狀進(jìn)行調(diào)整，使得高頻信號線路10的特性阻抗因信號線20、基準(zhǔn)接地導(dǎo)體22以及輔助接地導(dǎo)體24而變?yōu)?0 Ω。
[0023]如圖2所示，輔助接地導(dǎo)體24設(shè)置在比信號線20靠近z軸方向負(fù)方向一側(cè)。輔助接地導(dǎo)體24上設(shè)有沿著信號線20排列的多個(gè)開口 30。更具體而言，輔助接地導(dǎo)體24形成在電介質(zhì)片材18b的背面上，隔著電介質(zhì)片材18b與信號線20相對。輔助接地導(dǎo)體24由以銀、銅為主要成分的電阻率較小的金屬材料制作而成。這里，輔助接地導(dǎo)體24形成在電介質(zhì)片材18b的背面是指，將通過鍍覆形成在電介質(zhì)片材18b背面的金屬箔圖案化而形成輔助接地導(dǎo)體24、或者將粘貼在電介質(zhì)片材18b背面的金屬箔圖案化來形成輔助接地導(dǎo)體24。此外，由于對輔助接地導(dǎo)體24的表面實(shí)施平滑化處理，因此，輔助接地導(dǎo)體24與電介質(zhì)片材18b相接的面的表面粗糙度大于輔助接地導(dǎo)體24未與電介質(zhì)片材18b相接的面的表面粗糙度。
[0024]另外，如圖2所示，輔助接地導(dǎo)體24由線路部24a及端子部24b、24c構(gòu)成。線路部24a設(shè)置在線路部18b_a的背面上,且沿x軸方向延伸。端子部24b設(shè)置在線路部18b_b的背面上，且呈矩形環(huán)。端子部24b連接至線路部24a的X軸方向的負(fù)方向側(cè)端部。端子部24c設(shè)置在連接部18b-c的背面上，且呈矩形環(huán)。端子部24c連接至線路部24a的x軸方向的正方向側(cè)端部。
[0025]另外，在線路部24a，如圖2所示，設(shè)有沿X軸方向排列且呈長方形的多個(gè)開口 30。由此，線路部24a呈梯子狀。此外，在輔助接地導(dǎo)體24中，相鄰開口 30間所夾的部分稱為橋接部60。橋接部60在y軸方向上延伸。從z軸方向俯視時(shí)，多個(gè)開口 30及多個(gè)橋接部60交替地與信號線20重疊。并且，在本實(shí)施方式中，信號線20沿X軸方向橫穿開口 30及橋接部60的y軸方向中央。
[0026]輔助接地導(dǎo)體24還起到屏蔽的作用。此外，如上所述，輔助接地導(dǎo)體24是為了進(jìn)行最終調(diào)整以使高頻信號線路10的特性阻抗為50 Ω而設(shè)計(jì)的。
[0027]從z軸方向俯視時(shí)，多個(gè)浮動導(dǎo)體28分別與開口 30重疊，并且都設(shè)置在比信號線20靠近z軸方向負(fù)方向一側(cè)。本實(shí)施方式中，浮動導(dǎo)體28設(shè)置在設(shè)有輔助接地導(dǎo)體24的電介質(zhì)片材即電介質(zhì)片材18b的背面。浮動導(dǎo)體28對應(yīng)于各開口 30而設(shè)置。
[0028]另外，浮動導(dǎo)體28的X軸方向長度比開口 30的X軸方向長度稍小。而且，浮動導(dǎo)體28的y軸方向?qū)挾缺乳_口 30的y軸方向?qū)挾壬孕?。由此，在從z軸方向進(jìn)行俯視時(shí)，浮動導(dǎo)體28被收在開口 30內(nèi)，而不與開口 30的外邊緣接觸。由此，在浮動導(dǎo)體28的外邊緣與開口 30的外邊緣之間形成微小的間隙。其結(jié)果是，浮動導(dǎo)體28不與其它導(dǎo)體相連接，保持浮動電位。
[0029]此外，當(dāng)從z軸方向俯視時(shí)，浮動導(dǎo)體28與信號線20相重疊。由此，除了在浮動導(dǎo)體28的外邊緣與開口 30的外邊緣之間形成的間隙以外，信號線20均被浮動導(dǎo)體28及輔助接地導(dǎo)體24所覆蓋。
[0030]如圖2所示，外部端子16a是形成在連接部18a_b的表面中央的矩形導(dǎo)體。由此，從z軸方向俯視時(shí),夕卜部端子16a與信號線20的X軸方向的負(fù)方向側(cè)端部重疊。如圖2所示，外部端子16b是形成在連接部18a_c的表面中央的矩形導(dǎo)體。由此，從ζ軸方向俯視時(shí)，外部端子16b與信號線20的X軸方向的正方向側(cè)端部重疊。外部端子16a、16b由以銀、銅為主要成分的電阻率較小的金屬材料制作而成。此外，在外部端子16a、16b的表面上鍍Ni/Au。這里，外部端子16a、16b形成在電介質(zhì)片材18a的表面是指，將利用鍍覆形成在電介質(zhì)片材18a表面的金屬箔圖案化從而形成外部端子16a、16b、或?qū)⒄迟N在電介質(zhì)片材18a表面的金屬箔圖案化從而形成外部端子16a、16b。此外，由于對外部端子16a、16b的表面實(shí)施平滑化處理，因此，外部端子16a、16b與電介質(zhì)片材18a相接的面的表面粗糙度大于外部端子16a、16b未與電介質(zhì)片材18a相接的面的表面粗糙度。
[0031]如上所述，信號線20被基準(zhǔn)接地導(dǎo)體22及輔助接地導(dǎo)體24從ζ軸方向的兩側(cè)夾住。即，信號線20、基準(zhǔn)接地導(dǎo)體22及輔助接地導(dǎo)體24形成三板帶狀線結(jié)構(gòu)。此外，信號線20與基準(zhǔn)接地導(dǎo)體22之間的間隔(ζ軸方向上的距離)如圖4所示的那樣，與電介質(zhì)片材18a的厚度Tl基本相等，例如為50 μ m?300 μ m。在本實(shí)施方式中，信號線20與基準(zhǔn)接地導(dǎo)體22之間的間隔為150μπι。另一方面，信號線20與輔助接地導(dǎo)體24之間的間隔(ζ軸方向上的距離)如圖4所示的那樣，與電介質(zhì)片材18b的厚度Τ2基本相等，例如為ΙΟμπι?IOOym0在本實(shí)施方式中，信號線20與輔助接地導(dǎo)體24之間的間隔為50 μ m。即，輔助接地導(dǎo)體24與信號線20在ζ軸方向上的距離小于基準(zhǔn)接地導(dǎo)體22與信號線20在ζ軸方向上的距離。
[0032]如圖2所示，過孔導(dǎo)體bI在ζ軸方向上貫穿電介質(zhì)片材18a的連接部18a_b，將外部端子16a與信號線20的X軸方向的負(fù)方向側(cè)端部相連接。如圖2所示，過孔導(dǎo)體b2在ζ軸方向上貫穿電介質(zhì)片材18a的連接部18a_c，將外部端子16b與信號線20的x軸方向的正方向側(cè)端部相連接。由此，信號線20連接在外部端子16a、16b之間。過孔導(dǎo)體bl、b2是通過向形成在電介質(zhì)片材18a中的貫通孔內(nèi)填充金屬材料而形成的。
[0033]如圖2及圖3所示，多個(gè)過孔導(dǎo)體BI在比信號線20靠近y軸方向正方向一側(cè)沿ζ軸方向貫穿線路部18a_a，并在X軸方向上等間隔地排成一列。本實(shí)施方式中，多個(gè)過孔導(dǎo)體BI設(shè)置在橋接部60的y軸方向正方向一側(cè)。如圖2及圖3所示，多個(gè)過孔導(dǎo)體B2在比信號線20靠近y軸方向正方向一側(cè)沿ζ軸方向貫穿線路部18b_a，并在x軸方向上等間隔地排成一列。本實(shí)施方式中，多個(gè)過孔導(dǎo)體B2設(shè)置在橋接部60的y軸方向正方向一側(cè)。過孔導(dǎo)體BI和過孔導(dǎo)體B2通過相互連接而構(gòu)成一根過孔導(dǎo)體。過孔導(dǎo)體BI的ζ軸方向的正方向側(cè)端部與基準(zhǔn)接地導(dǎo)體22相連接，過孔導(dǎo)體B2的ζ軸方向的負(fù)方向側(cè)端部與輔助接地導(dǎo)體24相連接。由此，過孔導(dǎo)體B1、B2將基準(zhǔn)接地導(dǎo)體22與輔助接地導(dǎo)體24連接起來。過孔導(dǎo)體B1、B2是通過向形成在電介質(zhì)片材18a、18b中的貫通孔內(nèi)填充金屬材料而形成的。
[0034]如圖2及圖3所示，多個(gè)過孔導(dǎo)體B3在比信號線20靠近y軸方向負(fù)方向一側(cè)沿ζ軸方向貫穿線路部18a_a，并在X軸方向上等間隔地排成一列。本實(shí)施方式中，多個(gè)過孔導(dǎo)體B3設(shè)置在橋接部60的y軸方向負(fù)方向一側(cè)。如圖2及圖3所示，多個(gè)過孔導(dǎo)體B4在比信號線20靠近y軸方向負(fù)方向一側(cè)沿ζ軸方向貫穿線路部18b_a，并在x軸方向上等間隔地排成一列。本實(shí)施方式中，多個(gè)過孔導(dǎo)體B4設(shè)置在橋接部60的y軸方向負(fù)方向一側(cè)。過孔導(dǎo)體B3和過孔導(dǎo)體B4通過相互連接而構(gòu)成一根過孔導(dǎo)體。過孔導(dǎo)體B3的ζ軸方向的正方向側(cè)端部與基準(zhǔn)接地導(dǎo)體22相連接，過孔導(dǎo)體B4的ζ軸方向的負(fù)方向側(cè)端部與輔助接地導(dǎo)體24相連接。由此，過孔導(dǎo)體B3、B4將基準(zhǔn)接地導(dǎo)體22與輔助接地導(dǎo)體24連接起來。過孔導(dǎo)體B3、B4是通過向形成在電介質(zhì)片材18a、18b中的貫通孔內(nèi)填充金屬材料而形成的。
[0035]保護(hù)層14是覆蓋電介質(zhì)片材18a的幾乎整個(gè)表面的絕緣膜。由此，保護(hù)層14覆蓋基準(zhǔn)接地導(dǎo)體22。保護(hù)層14由例如抗蝕材料等可撓性樹脂形成。
[0036]此外，如圖2所示，保護(hù)層14由線路部14a及連接部14b、14c構(gòu)成。線路部14a通過覆蓋線路部18a_a的整個(gè)表面從而覆蓋線路部22a。
[0037]連接部14b連接至線路部14a的x軸方向的負(fù)方向側(cè)端部,且覆蓋連接部18a_b的表面。其中，連接部14b中設(shè)有開口 Ha?Hd。開口 Ha是設(shè)置在連接部14b中央的矩形開口。外部端子16a經(jīng)由開口 Ha露出至外部。開口 Hb是設(shè)在比開口 Ha靠近y軸方向正方向一側(cè)的矩形開口。開口 He是設(shè)在比開口 Ha靠近X軸方向負(fù)方向一側(cè)的矩形開口。開口 Hd是設(shè)在比開口 Ha靠近y軸方向負(fù)方向一側(cè)的矩形開口。端子部22b經(jīng)由開口 Hb?Hd露出至外部，從而起到外部端子的作用。
[0038]連接部14c連接至線路部14a的x軸方向的正方向側(cè)端部,且覆蓋連接部18a_c的表面。其中，連接部14c中設(shè)有開口 He?Hh。開口 He是設(shè)置在連接部14c中央的矩形開口。外部端子16b經(jīng)由開口 He露出至外部。開口 Hf是設(shè)在比開口 He靠近y軸方向正方向一側(cè)的矩形開口。開口 Hg是設(shè)在比開口 He靠近X軸方向正方向一側(cè)的矩形開口。開口 Hh是設(shè)在比開口 He靠近y軸方向負(fù)方向一側(cè)的矩形開口。端子部22c經(jīng)由開口 Hf?Hh露出至外部，從而起到作為外部端子的作用。
[0039]保護(hù)層15是覆蓋電介質(zhì)片材18b的幾乎整個(gè)背面的絕緣膜。由此，保護(hù)層15覆蓋輔助接地導(dǎo)體24。保護(hù)層15由例如抗蝕材料等可撓性樹脂形成。
[0040]在上述結(jié)構(gòu)的高頻信號線路10中，信號線20的特性阻抗在阻抗Zl和阻抗Z2之間周期性地變化。更詳細(xì)而言，在信號線20與浮動導(dǎo)體28及開口 30重疊的區(qū)間Al，信號線20與輔助接地導(dǎo)體24之間形成有相對較小的電容。因此，區(qū)間Al中信號線20的特性阻抗為相對較高的阻抗Zl。
[0041]另一方面，在信號線20與橋接部60重疊的區(qū)間A2，信號線20與輔助接地導(dǎo)體24之間形成有相對較大的電容。因此，區(qū)間A2中信號線20的特性阻抗為相對較低的阻抗Z2。并且，區(qū)間Al和區(qū)間A2在X軸方向上交替排列。由此，信號線20的特性阻抗在阻抗Zl與阻抗Z2之間周期性地變動。阻抗Zl例如為55 Ω，阻抗Z2例如為45 Ω。于是，信號線20的整體平均特性阻抗例如為50 Ω。
[0042]連接器IOOaUOOb分別如圖1所示地安裝在連接部12b、12c的表面上。連接器IOOaUOOb的結(jié)構(gòu)相同，因此，下面以連接器IOOb的結(jié)構(gòu)為例進(jìn)行說明。圖6是高頻信號線路10的連接器IOOb的外觀立體圖。圖7是高頻信號線路10的連接器IOOb的剖面結(jié)構(gòu)圖。
[0043]如圖1、圖6及圖7所示，連接器IOOb由連接器主體102、外部端子104、106、中心導(dǎo)體108及外部導(dǎo)體110構(gòu)成。連接器主體102的形狀是在矩形的板構(gòu)件上連結(jié)有圓筒構(gòu)件，由樹脂等絕緣材料制作而成。
[0044]外部端子104設(shè)置在連接器主體102的板構(gòu)件的z軸方向的負(fù)方向側(cè)表面上與外部端子16b相對的位置。外部端子106設(shè)置在連接器主體102的板構(gòu)件的z軸方向的負(fù)方向側(cè)表面上與經(jīng)由開口 Hf?Hh而露出的端子部22c相對應(yīng)的位置。
[0045]中心導(dǎo)體108設(shè)置在連接器主體102的圓筒構(gòu)件中心，且與外部端子104相連接。中心導(dǎo)體108是輸入或輸出高頻信號的信號端子。外部導(dǎo)體110設(shè)置在連接器主體102的圓筒構(gòu)件的內(nèi)周面上，且與外部端子106相連接。外部導(dǎo)體110是保持接地電位的接地端子。
[0046]如圖6及圖7所示，具有如上結(jié)構(gòu)的連接器IOOb以外部端子104與外部端子16b相連接、外部端子106與端子部22c相連接的方式來安裝在連接部12c的表面上。由此，信號線20與中心導(dǎo)體108進(jìn)行電連接。此外，基準(zhǔn)接地導(dǎo)體22及輔助接地導(dǎo)體24與外部導(dǎo)體110進(jìn)行電連接。
[0047]高頻信號線路10按如下所說明的那樣來使用。圖8是使用高頻信號線路10的電子設(shè)備200在從y軸方向俯視時(shí)的俯視圖。圖9是使用高頻信號線路10的電子設(shè)備200在從z軸方向俯視時(shí)的俯視圖。
[0048]電子設(shè)備200包括高頻信號線路10、電路基板202a、202b、插座204a、204b、電池組(金屬體)206及殼體210。
[0049]殼體210中收納高頻信號線路10、電路基板202a、202b、插座204a、204b、及電池組206。在電路基板202a上設(shè)置有例如包含天線的發(fā)送電路或接收電路。電路基板202b上設(shè)置有例如供電電路。電池組206例如為鋰離子充電電池，具有其表面被金屬蓋所覆蓋的結(jié)構(gòu)。電路基板202a、電池組206及電路基板202b按照此順序從x軸方向的負(fù)方向側(cè)到正方向側(cè)依次排列。
[0050]插座204a、204b分別設(shè)置在電路基板202a、202b的z軸方向的負(fù)方向側(cè)主面上。插座204a、204b分別與連接器100a、IOOb連接。由此，經(jīng)由插座204a、204b，向連接器100a、IOOb的中心導(dǎo)體108施加在電路基板202a、202b之間傳輸?shù)睦缇哂?GHz頻率的高頻信號。此外，經(jīng)由電路基板202a、202b及插座204a、204b，將連接器100a、IOOb的外部導(dǎo)體110保持在接地電位。由此，高頻信號線路10連接在電路基板202a、202b之間。
[0051]這里，電介質(zhì)坯體12的表面(更確切而言，保護(hù)層14)與電池組206相接觸。而且，電介質(zhì)坯體12與電池組206通過粘接劑等進(jìn)行固定。電介質(zhì)坯體12的表面是相對于信號線20位于基準(zhǔn)接地導(dǎo)體22 —側(cè)的主面。由此，實(shí)心狀基準(zhǔn)接地導(dǎo)體22位于信號線20與電池組206之間。
[0052](高頻信號線路的制造方法)
下面，參照圖2，對高頻信號線路10的制造方法進(jìn)行說明。下面，以制作一個(gè)高頻信號線路10的情形為例進(jìn)行說明，但實(shí)際上，通過層疊和切割大型電介質(zhì)片材來同時(shí)制作多個(gè)高頻信號線路10。
[0053]首先，準(zhǔn)備電介質(zhì)片材18a,該電介質(zhì)片材18a由整個(gè)表面形成有銅箔(金屬膜)的熱塑性樹脂組成。具體而言，在電介質(zhì)片材18a的表面粘貼銅箔。然后在電介質(zhì)片材18a的銅箔表面例如鍍鋅用于防銹，使其平滑化。電介質(zhì)片材18a是液晶聚合物。銅箔厚度為10 μ m ?20 μ m0
[0054]然后，準(zhǔn)備電介質(zhì)片材18b，該電介質(zhì)片材18b由兩個(gè)主面的整個(gè)表面形成有銅箔(金屬膜)的熱塑性樹脂組成。具體而言，在電介質(zhì)片材18b的兩面粘貼銅箔。然后在電介質(zhì)片材18b的銅箔表面例如鍍鋅用于防銹，使其平滑化。電介質(zhì)片材18b是液晶聚合物。銅箔厚度為10 μ m?20 μ m。
[0055]接著，將形成在電介質(zhì)片材18a表面上的銅箔圖案化，由此在電介質(zhì)片材18a的表面上形成圖2所示的外部端子16a、16b以及基準(zhǔn)接地導(dǎo)體22。具體而言，在電介質(zhì)片材18a表面的銅箔上印刷其形狀與圖2所示的外部端子16a、16b及基準(zhǔn)接地導(dǎo)體22相同的抗蝕齊IJ。然后，通過對銅箔實(shí)施蝕刻處理，將未被抗蝕劑覆蓋的那部分銅箔去除。之后，噴淋抗蝕劑液從而去除抗蝕劑。由此，利用光刻工序在電介質(zhì)片材18a的表面上形成圖2所示的外部端子16a、16b及基準(zhǔn)接地導(dǎo)體22。
[0056]接著，在電介質(zhì)片材18b的表面上形成圖2所示的信號線20。然后，在電介質(zhì)片材18b的背面形成圖2所示的輔助接地導(dǎo)體24及浮動導(dǎo)體28。而信號線20、輔助接地導(dǎo)體24及浮動導(dǎo)體28的形成工序與外部端子16a、16b及基準(zhǔn)接地導(dǎo)體22的形成工序相同，因此省略說明。
[0057]接著，對電介質(zhì)片材18a、18b上要形成過孔導(dǎo)體bl、b2、BI?B4的位置照射激光束，從而形成貫通孔。然后，向貫通孔中填充導(dǎo)電性糊料，形成過孔導(dǎo)體bl、b2、Bl?B4。
[0058]接著,從ζ軸方向的正方向側(cè)向負(fù)方向側(cè)依次層疊電介質(zhì)片材18a、18b,從而形成電介質(zhì)坯體12。然后，從ζ軸方向的正方向側(cè)及負(fù)方向側(cè)對電介質(zhì)片材18a、18b加熱加壓，使電介質(zhì)片材18a、18b —體化。
[0059]接著，利用絲網(wǎng)印刷涂布樹脂(抗蝕劑)糊料，從而在電介質(zhì)片材18a的表面上形成覆蓋基準(zhǔn)接地導(dǎo)體22的保護(hù)層14。
[0060]接著，利用絲網(wǎng)印刷涂布樹脂(抗蝕劑)糊料，從而在電介質(zhì)片材18b的背面上形成覆蓋輔助接地導(dǎo)體24的保護(hù)層15。
[0061]最后，利用焊料將連接器100a、IOOb安裝到連接部12b、12c上的外部端子16a、16b以及端子部22b、22c上。由此，得到圖1所示的高頻信號線路10。
[0062](效果)
根據(jù)上述結(jié)構(gòu)的高頻信號線路10，能夠抑制電磁場通過設(shè)置在輔助接地導(dǎo)體24上的開口 30向外部泄漏。更詳細(xì)而言，在高頻信號線路10中，從ζ軸方向俯視時(shí)，浮動導(dǎo)體28與開口 30重疊，并且設(shè)置在比信號線20靠近ζ軸方向負(fù)方向一側(cè)，不與其它導(dǎo)體連接。從而，信號線20中流過高頻信號時(shí)產(chǎn)生的磁通Φ如圖5所示，因浮動導(dǎo)體28而被封閉在電介質(zhì)坯體12內(nèi)。因此，能抑制磁通φ泄漏到電介質(zhì)坯體12之外。而且，信號線20發(fā)出的電力線也被浮動導(dǎo)體28吸收。因此，能抑制電力線泄漏到電介質(zhì)坯體12之外。因而，根據(jù)高頻信號線路10，能夠抑制電磁場通過設(shè)置在輔助接地導(dǎo)體24上的開口 30向外部泄漏。
[0063]此外，在高頻信號線路10中，設(shè)置浮動導(dǎo)體28還能抑制信號線20的特性阻抗偏離規(guī)定的特性阻抗。更詳細(xì)而言，如圖5所示，由于信號線20與浮動導(dǎo)體28的相對面積較大，因此，在信號線20與浮動導(dǎo)體28之間形成有較大的電容Cl。另外，由于浮動導(dǎo)體28與輔助接地導(dǎo)體24的相對面積很小，因此，在浮動導(dǎo)體28與輔助接地導(dǎo)體24之間形成非常小的電容C2。浮動導(dǎo)體28不與其它導(dǎo)體相連接，保持浮動電位。因此，在信號線20與接地(輔助接地導(dǎo)體24)之間串聯(lián)地連接著電容Cl和電容C2。由于電容C2遠(yuǎn)小于電容Cl，因此，電容C1與電容C2的合成電容是約等于電容C2的非常小的值。也就是說，通過設(shè)置浮動導(dǎo)體28，信號線20與輔助接地導(dǎo)體24之間所形成的電容約等于電容C2，非常小。因而，通過設(shè)置浮動導(dǎo)體28，信號線20所產(chǎn)生的特性阻抗的變動也非常小。因而，在高頻信號線路10中，設(shè)置浮動導(dǎo)體28還能抑制信號線20的特性阻抗偏離規(guī)定的特性阻抗。
[0064]此外，根據(jù)高頻信號線路10，能夠?qū)崿F(xiàn)薄型化。更詳細(xì)而言，高頻信號線路10中，在區(qū)間Al，從z軸方向俯視時(shí)，信號線20不與輔助接地導(dǎo)體24重疊。因此，信號線20與輔助接地導(dǎo)體24之間較難形成電容。因而，即使信號線20與輔助接地導(dǎo)體24之間在z軸方向上的距離縮小，信號線20與輔助接地導(dǎo)體24之間形成的電容也不會過大。由此，信號線20的特性阻抗較難偏離規(guī)定的特性阻抗(例如50 Ω)。其結(jié)果是，根據(jù)高頻信號線路10，能將信號線20的特性阻抗維持在規(guī)定的特性阻抗，并能夠?qū)崿F(xiàn)薄型化。
[0065]此外，根據(jù)高頻信號線路10，在高頻信號線路10粘貼在電池組206那樣的金屬體上的情況下，能夠抑制信號線20的特性阻抗變動。更詳細(xì)來說，高頻信號線路10以實(shí)心狀基準(zhǔn)接地導(dǎo)體22位于信號線20與電池組206之間的方式粘貼在電池組206上。由此，信號線20與電池組206之間不再是通過開口相對，從而能夠抑制在信號線20與電池組206之間形成電容。其結(jié)果是，通過將高頻信號線路10粘貼到電池組206上，可抑制信號線20的特性阻抗下降。
[0066]另外，在高頻信號線路10中，浮動導(dǎo)體28如前文所述，起到磁屏蔽和電場屏蔽的作用。因此，即使有電子設(shè)備的殼體等金屬體接近電介質(zhì)坯體12的背面，也能夠抑制信號線20與金屬體通過開口 30而發(fā)生電磁耦合。其結(jié)果是，在高頻信號線路10中，能更有效地抑制信號線20的特性阻抗偏離規(guī)定的特性阻抗。
[0067](變形例I)
下面，參照附圖，對變形例I所涉及的高頻信號線路的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。圖10是變形例I所涉及的高頻信號線路IOa的電介質(zhì)坯體12的分解圖。關(guān)于高頻信號線路IOa的外觀立體圖，引用圖1。
[0068]高頻信號線路IOa與高頻信號線路10的不同之處在于浮動導(dǎo)體28及開口 30的形狀。更詳細(xì)而言，在高頻信號線路IOa中，浮動導(dǎo)體28及開口 30呈十字形。開口 30的x軸方向中央部分在I軸方向上的寬度大于開口 30的X軸方向兩端部分在y軸方向上的寬度。同樣，浮動導(dǎo)體28的X軸方向中央部分在y軸方向上的寬度大于浮動導(dǎo)體28的x軸方向兩端部分在y軸方向上的寬度。但在浮動導(dǎo)體28的外邊緣與開口 30的外邊緣之間形成微小的間隙。由此，浮動導(dǎo)體28不與其它導(dǎo)體相連接，保持接地電位。
[0069]根據(jù)上述結(jié)構(gòu)的高頻信號線路10a，與高頻信號線路10同樣，能夠抑制電磁場通過設(shè)置在輔助接地導(dǎo)體24上的開口 30向外部泄漏。
[0070]此外，在高頻信號線路IOa中，與高頻信號線路10同樣，設(shè)置浮動導(dǎo)體28還能抑制信號線20的特性阻抗偏離規(guī)定的特性阻抗。
[0071]此外，根據(jù)高頻信號線路10a，與高頻信號線路10相同，能夠?qū)崿F(xiàn)薄型化。
[0072]此外，根據(jù)高頻信號線路10a，與高頻信號線路10相同，在高頻信號線路IOa粘貼在電池組206那樣的金屬體上的情況下，能夠抑制信號線20的特性阻抗變動。
[0073]另外，根據(jù)高頻信號線路10a，信號線20與輔助接地導(dǎo)體24之間在開口 30的x軸方向中央部分的距離要大于信號線20與輔助接地導(dǎo)體24之間在開口 30的X軸方向兩端部分的距離。因此，信號線20與輔助接地導(dǎo)體24之間在開口 30的X軸方向中央部分形成的電容要小于信號線20與輔助接地導(dǎo)體24之間在開口 30的X軸方向兩端部分形成的電容。從而，信號線20在開口 30的X軸方向中央部分的特性阻抗要大于信號線20在開口 30的X軸方向兩端部分的特性阻抗。
[0074]另一方面，在橋接部60，信號線20與輔助接地導(dǎo)體24大面積地相對。因此，信號線20與輔助接地導(dǎo)體24之間在此處形成的電容要大于信號線20與輔助接地導(dǎo)體24之間在開口 30的X軸方向兩端部分形成的電容。因而，信號線20在橋接部60的特性阻抗要小于信號線20在開口 30的X軸方向兩端部分的特性阻抗。
[0075]如上所述，在相鄰2個(gè)橋接部60之間，信號線20的特性阻抗于橋接部60處取得最小值，在開口 30的X軸方向的負(fù)方向側(cè)端部為中間值，在開口 30的X軸方向中央部分達(dá)到最大值，在開口 30的X軸方向的正方向側(cè)端部為中間值，在橋接部60處取得最小值。由此，信號線20的特性阻抗階段性地變動。其結(jié)果是，能夠抑制高頻信號在信號線20中發(fā)生反射。
[0076](變形例2)
下面，參照附圖，對變形例2所涉及的高頻信號線路的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。圖11是變形例2所涉及的高頻信號線路IOb的電介質(zhì)坯體12的分解圖。關(guān)于高頻信號線路IOb的外觀立體圖，引用圖1。
[0077]高頻信號線路IOb與高頻信號線路10的不同之處在于浮動導(dǎo)體28、開口 30以及信號線20的形狀。更詳細(xì)而言，浮動導(dǎo)體28及開口 30如圖11所示，在X軸方向的兩端附近呈錐形。其中，在浮動導(dǎo)體28的外邊緣與開口 30的外邊緣之間形成微小的間隙。由此，浮動導(dǎo)體28不與其它導(dǎo)體相連接，保持接地電位。
[0078]此外，區(qū)域A2中信號線20的線寬小于區(qū)域Al中信號線20的線寬。信號線20在區(qū)間Al的X軸方向兩端附近呈錐形。
[0079]根據(jù)上述結(jié)構(gòu)的高頻信號線路10b，與高頻信號線路10同樣，能夠抑制電磁場通過設(shè)置在輔助接地導(dǎo)體24上的開口 30向外部泄漏。
[0080]此外，在高頻信號線路IOb中，與高頻信號線路10同樣，設(shè)置浮動導(dǎo)體28還能抑制信號線20的特性阻抗偏離規(guī)定的特性阻抗。
[0081]此外，根據(jù)高頻信號線路10b，與高頻信號線路10相同，能夠?qū)崿F(xiàn)薄型化。
[0082]此外，根據(jù)高頻信號線路10b，與高頻信號線路10相同，在高頻信號線路IOb粘貼在電池組206那樣的金屬體上的情況下，能夠抑制信號線20的特性阻抗變動。
[0083]此外，根據(jù)高頻信號線路10b，與高頻信號線路IOa同樣，能夠抑制信號線20中高頻信號的反射。
[0084]此外，根據(jù)高頻信號線路10b，能夠更有效地抑制信號線20中高頻信號的反射。更詳細(xì)而言，開口 30在X軸方向的兩端呈錐形。由此，在開口 30的X軸方向兩端，信號線20與輔助接地導(dǎo)體24之間的距離是逐漸地變化。其結(jié)果是，在開口 30的X軸方向兩端，信號線20與輔助接地導(dǎo)體24之間形成的電容也逐漸地發(fā)生變化，信號線20的特性阻抗也是逐漸地發(fā)生變化。從而，能更有效地抑制信號線20中高頻信號的反射。
[0085]此外，根據(jù)高頻信號線路10b，能夠降低插入損耗。更詳細(xì)而言，在區(qū)間Al，信號線20不與輔助接地導(dǎo)體24重疊。因此，在區(qū)間Al，信號線20與輔助接地導(dǎo)體24之間較難形成電容。另一方面，在區(qū)間A2，信號線20與輔助接地導(dǎo)體24重疊。因此，在區(qū)間A2，信號線20與輔助接地導(dǎo)體24之間容易形成電容。因此，區(qū)間Al中信號線20的線寬要大于區(qū)域A2中信號線20的線寬。從而，能夠減小區(qū)間Al中信號線20的電阻值，而區(qū)間Al中信號線20與輔助接地導(dǎo)體24之間形成的電容幾乎不會變大。其結(jié)果是，高頻信號線路IOb的插入損耗得以降低。
[0086](變形例3)
下面，參照附圖，對變形例3所涉及的高頻信號線路的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。圖12是變形例3所涉及的高頻信號線路IOc的電介質(zhì)坯體12的分解圖。關(guān)于高頻信號線路IOc的外觀立體圖，引用圖1。
[0087]高頻信號線路IOc與高頻信號線路10的不同之處在于其設(shè)有電介質(zhì)片材18c，并且在電介質(zhì)片材18c上設(shè)置輔助接地導(dǎo)體24和浮動導(dǎo)體28。
[0088]更詳細(xì)而言，電介質(zhì)坯體12是從ζ軸方向的正方向側(cè)依次層疊保護(hù)層14、電介質(zhì)片材18a?18c及保護(hù)層15而構(gòu)成。另外，輔助接地導(dǎo)體24形成在電介質(zhì)片材18c的表面上。浮動導(dǎo)體28形成在電介質(zhì)片材18c的背面上。即，浮動導(dǎo)體28設(shè)置在比輔助接地導(dǎo)體24靠近ζ軸方向負(fù)方向一側(cè)。
[0089]根據(jù)上述結(jié)構(gòu)的高頻信號線路10c，與高頻信號線路10同樣，能夠抑制電磁場通過設(shè)置在輔助接地導(dǎo)體24上的開口 30向外部泄漏。
[0090]此外，在高頻信號線路IOc中，與高頻信號線路10同樣，設(shè)置浮動導(dǎo)體28還能抑制信號線20的特性阻抗偏離規(guī)定的特性阻抗。
[0091]此外，根據(jù)高頻信號線路10c，與高頻信號線路10相同，能夠?qū)崿F(xiàn)薄型化。
[0092]此外，根據(jù)高頻信號線路10c，與高頻信號線路10相同，在高頻信號線路IOc粘貼在電池組206那樣的金屬體上的情況下，能夠抑制信號線20的特性阻抗變動。
[0093]高頻信號線路IOc中，在從ζ軸方向進(jìn)行俯視時(shí)，浮動導(dǎo)體28被收在開口 30內(nèi)。但是，在從ζ軸方向進(jìn)行俯視時(shí)，浮動導(dǎo)體28的形狀可以與開口 30大致相同，也可以比開口 30稍大。從而，能夠更有效地抑制電磁場通過開口 30發(fā)生泄漏。
[0094]另外，高頻信號線路IOc中信號線20與浮動導(dǎo)體28之間的距離比高頻信號線路10中信號線20與浮動導(dǎo)體28之間的距離要大。因此，高頻信號線路IOc中信號線20與浮動導(dǎo)體28之間的電容比高頻信號線路10中信號線20與浮動導(dǎo)體28之間的電容要小。因此，高頻信號線路IOc中因設(shè)置浮動導(dǎo)體28而產(chǎn)生的信號線20特性阻抗變動量，要小于高頻信號線路10中因設(shè)置浮動導(dǎo)體28而產(chǎn)生的信號線20特性阻抗變動量。
[0095](變形例4)
下面，參照附圖，對變形例4所涉及的高頻信號線路的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。圖13是變形例4所涉及的聞?lì)l/[目號線路IOd的電介質(zhì)還體12的分解圖。對于聞?lì)l/[目號線路IOd的外觀立體圖，引用圖1。
[0096]高頻信號線路IOd與高頻信號線路IOc的不同之處在于在輔助接地導(dǎo)體24及浮動導(dǎo)體28的設(shè)置位置。
[0097]更詳細(xì)而言，高頻信號線路IOd中，輔助接地導(dǎo)體24設(shè)置在電介質(zhì)片材18c的背面。浮動導(dǎo)體28形成在電介質(zhì)片材18c的表面上。
[0098]過孔導(dǎo)體B5沿ζ軸方向貫穿電介質(zhì)片材18c。過孔導(dǎo)體B1、B2、B5構(gòu)成一根過孔導(dǎo)體，將基準(zhǔn)接地導(dǎo)體22與輔助接地導(dǎo)體24相連接。
[0099]過孔導(dǎo)體B6沿ζ軸方向貫穿電介質(zhì)片材18c。過孔導(dǎo)體B3、B4、B6構(gòu)成一根過孔導(dǎo)體，將基準(zhǔn)接地導(dǎo)體22與輔助接地導(dǎo)體24相連接。[0100]根據(jù)上述結(jié)構(gòu)的高頻信號線路10d，與高頻信號線路10同樣，能夠抑制電磁場通過設(shè)置在輔助接地導(dǎo)體24上的開口 30向外部泄漏。
[0101]此外，在高頻信號線路IOd中，與高頻信號線路IOc同樣，設(shè)置浮動導(dǎo)體28還能抑制信號線20的特性阻抗偏離規(guī)定的特性阻抗。
[0102]此外，根據(jù)高頻信號線路10d，與高頻信號線路IOc相同，能夠?qū)崿F(xiàn)薄型化。
[0103]此外，根據(jù)高頻信號線路10d，與高頻信號線路IOc相同，在高頻信號線路IOd粘貼在電池組206那樣的金屬體上的情況下，能夠抑制信號線20的特性阻抗變動。
[0104]高頻信號線路IOd中，在從z軸方向進(jìn)行俯視時(shí)，浮動導(dǎo)體28被收在開口 30內(nèi)。但是，在從z軸方向進(jìn)行俯視時(shí)，浮動導(dǎo)體28的形狀可以與開口 30大致相同，也可以比開口 30稍大。從而，能夠更有效地抑制電磁場通過開口 30發(fā)生泄漏。
[0105](變形例5)
下面，參照附圖，對變形例5所涉及的高頻信號線路的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。圖14是變形例5所涉及的高頻信號線路IOe的電介質(zhì)坯體12的分解圖。關(guān)于高頻信號線路IOe的外觀立體圖，引用圖1。
[0106]高頻信號線路IOe與高頻信號線路10的不同之處在于，在基準(zhǔn)接地導(dǎo)體22上設(shè)計(jì)有開口 34并且設(shè)有浮動導(dǎo)體32。
[0107]更詳細(xì)來說，基準(zhǔn)接地導(dǎo)體22的線路部22a中，如圖2所示，設(shè)有沿x軸方向排列且呈長方形的多個(gè)開口 34。由此，線路部22a呈梯子狀。此外，在基準(zhǔn)接地導(dǎo)體22中，相鄰開口 34間所夾的部分稱為橋接部62。橋接部62在y軸方向上延伸。從z軸方向俯視時(shí)，多個(gè)開口 34及多個(gè)橋接部62交替地與信號線20重疊。并且，在本實(shí)施方式中，信號線20沿X軸方向橫穿開口 34及橋接部62的y軸方向中央。
[0108]而且，開口 34的尺寸小于開口 30的尺寸。更詳細(xì)而言，開口 34的X軸方向長度要大于開口 30的X軸方向長度。而開口 34的y軸方向?qū)挾刃∮陂_口 30的y軸方向?qū)挾?。這樣,在從z軸方向進(jìn)行俯視時(shí)，開口 30的外邊緣與開口 34的外邊緣不會重疊。在從z軸方向進(jìn)行俯視時(shí)，開口 34被收在開口 30內(nèi)。
[0109]從z軸方向俯視時(shí)，多個(gè)浮動導(dǎo)體32分別與開口 34重疊，并且都設(shè)置在比信號線20靠近z軸方向正方向一側(cè)。本實(shí)施方式中，浮動導(dǎo)體32設(shè)置在設(shè)有基準(zhǔn)接地導(dǎo)體22的電介質(zhì)片材即電介質(zhì)片材18a的表面。浮動導(dǎo)體32對應(yīng)于各開口 34進(jìn)行設(shè)置。
[0110]另外，浮動導(dǎo)體32的X軸方向長度比開口 34的X軸方向長度稍小。而且，浮動導(dǎo)體32的y軸方向?qū)挾缺乳_口 34的y軸方向?qū)挾壬孕?。由此，在從z軸方向進(jìn)行俯視時(shí)，浮動導(dǎo)體32被收在開口 34內(nèi)，而不與開口 34的外邊緣接觸。由此，在浮動導(dǎo)體32的外邊緣與開口 34的外邊緣之間形成微小的間隙。其結(jié)果是，浮動導(dǎo)體32不與其它導(dǎo)體相連接，保持浮動電位。
[0111]此外，當(dāng)從z軸方向俯視時(shí)，浮動導(dǎo)體32與信號線20相重疊。由此，除了在浮動導(dǎo)體32的外邊緣與開口 34的外邊緣之間形成的間隙以外，信號線20均被浮動導(dǎo)體32及基準(zhǔn)接地導(dǎo)體22所覆蓋。
[0112]根據(jù)上述結(jié)構(gòu)的高頻信號線路10e，與高頻信號線路10同樣，能夠抑制電磁場通過設(shè)置在輔助接地導(dǎo)體24上的開口 30向外部泄漏。
[0113]此外，在高頻信號線路IOe中，與高頻信號線路10同樣，設(shè)置浮動導(dǎo)體28還能抑制信號線20的特性阻抗偏離規(guī)定的特性阻抗。
[0114]此外，根據(jù)高頻信號線路10e，與高頻信號線路10相同，能夠?qū)崿F(xiàn)薄型化。
[0115]此外，根據(jù)高頻信號線路10e，與高頻信號線路10相同，在高頻信號線路IOe粘貼在電池組206那樣的金屬體上的情況下，能夠抑制信號線20的特性阻抗變動。
[0116]此外，根據(jù)高頻信號線路10e，能夠降低插入損耗。在高頻信號線路IOe中，若信號線20中有電流il流過，則在基準(zhǔn)接地導(dǎo)體22中流過反饋電流(反電流)i2，并在輔助接地導(dǎo)體24中流過反饋電流(反電流)i3。反饋電流i2、i3因趨膚效應(yīng)而沿著開口 30、34的外邊緣流動。但是，在高頻信號傳輸線路IOe中，開口 30的外邊緣與開口 34的外邊緣并不重疊。從而，流過反饋電流i2的位置與流過反饋電流i3的位置是分離的。其結(jié)果是，能夠削弱反饋電流i2與反饋電流i3之間的稱合,使得電流il順暢流動。從而，能夠降低高頻信號線路IOe的插入損耗。
[0117]此外，高頻信號線路IOe中，不一定要設(shè)置浮動導(dǎo)體32。
[0118](其它實(shí)施方式)
本發(fā)明所涉及的高頻信號線路不限于高頻信號線路10、10a?10e，在其宗旨范圍內(nèi)能進(jìn)行變更。
[0119]此外，高頻信號線路10、10a?IOe中，不一定要設(shè)置基準(zhǔn)接地導(dǎo)體22。在這種情況下，輔助接地導(dǎo)體24形成基準(zhǔn)接地導(dǎo)體的微帶線結(jié)構(gòu)。但為了抑制電磁場泄漏到外部，優(yōu)選像高頻信號線路10、IOa?IOe所示的那樣設(shè)置基準(zhǔn)接地導(dǎo)體22。
[0120]另外，也可以將高頻信號線路10、IOa?IOe的結(jié)構(gòu)相組合。
[0121]保護(hù)層14通過絲網(wǎng)印刷而形成，但也可以通過光刻工序形成。
[0122]其中，在高頻信號線路10，IOa?IOe中，也可以不安裝連接器100a，100b。這種情況下，高頻信號線路10、10a?IOe的端部與電路基板利用焊料等相連接。其中，也可以只在高頻信號線路10、10a?IOe的一側(cè)端部安裝連接器100a。
[0123]此外，也可以使用通孔導(dǎo)體來代替過孔導(dǎo)體。通孔導(dǎo)體是指在電介質(zhì)坯體12中所設(shè)的貫通孔的內(nèi)周面上通過鍍敷形成導(dǎo)體的層間連接部。
[0124]另外，聞?lì)l/[目號線路10、10a?IOe可用作天線如端|旲塊等RF電路基板中的聞?lì)l信號線路。
工業(yè)上的實(shí)用性
[0125]如上所述，本發(fā)明對于高頻信號線路及電子設(shè)備是有用的，特別在能抑制電磁場通過設(shè)置在接地導(dǎo)體上的開口發(fā)生泄漏這一點(diǎn)上較為優(yōu)異。
標(biāo)號說明
[0126]10、10a?IOe高頻信號線路
12電介質(zhì)坯體
18a?18c電介質(zhì)片材 20信號線 22基準(zhǔn)接地導(dǎo)體 24輔助接地導(dǎo)體 28,32浮動導(dǎo)體 30,34 開口60、6 2橋接部
【權(quán)利要求】
1.一種高頻信號線路，其特征在于，包括: 電介質(zhì)坯體，該電介質(zhì)坯體由多個(gè)電介質(zhì)層層疊而成； 信號線，該信號線設(shè)置在所述電介質(zhì)坯體上，且呈線狀； 第一接地導(dǎo)體，該第一接地導(dǎo)體設(shè)置在比所述信號線靠近層疊方向一側(cè)，且設(shè)有沿著所述信號線排列的多個(gè)第一開口 ；以及 第一浮動導(dǎo)體，該第一浮動導(dǎo)體在從層疊方向俯視時(shí)，與所述第一開口重疊，且設(shè)置在比所述信號線靠近層疊方向一側(cè)，并且所述第一浮動導(dǎo)體不與其它導(dǎo)體連接。
2.如權(quán)利要求1所述的高頻信號線路，其特征在于， 多個(gè)所述第一浮動導(dǎo)體對應(yīng)于各個(gè)所述第一開口而設(shè)置。
3.如權(quán)利要求1或2所述的高頻信號線路，其特征在于， 所述第一浮動導(dǎo)體及所述第一接地導(dǎo)體設(shè)置在同一所述電介質(zhì)層上。
4.如權(quán)利要求1或2所述的高頻信號線路，其特征在于， 所述第一浮動導(dǎo)體設(shè)置在比所述第一接地導(dǎo)體靠近層疊方向一側(cè)。
5.如權(quán)利要求4所述的高頻信號線路，其特征在于， 所述第一浮動導(dǎo)體在從層疊方向俯視時(shí)，形狀與所述第一開口大致相同。
6.如權(quán)利要求3或4所述的高頻信號線路，其特征在于， 所述第一浮動導(dǎo)體在從層疊方向俯視時(shí)，被收在所述第一開口內(nèi)。
7.如權(quán)利要求1至6的任一項(xiàng)所述的高頻信號線路，其特征在于， 還包括設(shè)置在比所述信號線靠近層疊方向另一側(cè)的第二接地導(dǎo)體。
8.如權(quán)利要求7所述的高頻信號線路，其特征在于， 所述第二接地導(dǎo)體上設(shè)置有沿著所述信號線排列的多個(gè)第二開口， 所述高頻信號線路還包括: 第二浮動導(dǎo)體，該第二浮動導(dǎo)體在從層疊方向俯視時(shí)，與所述第二開口重疊，且設(shè)置在比所述信號線靠近層疊方向另一側(cè)，并且所述第二浮動導(dǎo)體不與其它導(dǎo)體連接。
9.如權(quán)利要求8所述的高頻信號線路，其特征在于， 所述第一開口的尺寸小于所述第二開口的尺寸。
10.如權(quán)利要求1至9的任一項(xiàng)所述的高頻信號線路，其特征在于， 所述電介質(zhì)坯體具有可撓性。
11.一種電子設(shè)備，其特征在于，包括: 殼體；以及 被收納在所述殼體內(nèi)的高頻信號線路， 所述高頻信號線路包括: 電介質(zhì)坯體，該電介質(zhì)坯體由多個(gè)電介質(zhì)層層疊而成； 信號線，該信號線設(shè)置在所述電介質(zhì)坯體上，且呈線狀； 第一接地導(dǎo)體，該第一接地導(dǎo)體設(shè)置在比所述信號線靠近層疊方向一側(cè)，且設(shè)有沿著所述信號線排列的多個(gè)第一開口 ；以及 第一浮動導(dǎo)體，該第一浮動導(dǎo)體在從層疊方向俯視時(shí)，與所述第一開口重疊，且設(shè)置在比所述信號線靠近層疊方向一側(cè)，并且所述第一浮動導(dǎo)體不與其它導(dǎo)體連接。
【文檔編號】H01P3/08GK103733426SQ201280038417
【公開日】2014年4月16日 申請日期:2012年12月12日 優(yōu)先權(quán)日:2012年1月6日
【發(fā)明者】加藤登, 小澤真大 申請人:株式會社村田制作所