將襯底接合到半導(dǎo)體發(fā)光器件的方法
【專利摘要】根據(jù)本發(fā)明實施例的方法包括在半導(dǎo)體發(fā)光器件的晶片上方定位柔性膜（48），每個半導(dǎo)體發(fā)光器件包括半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)（13），所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括夾在n型區(qū)和p型區(qū)之間的發(fā)光層。經(jīng)由柔性膜（48）將半導(dǎo)體發(fā)光器件的晶片接合到襯底（50）。在接合之后，柔性膜（48）與半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)（13）直接接觸。該方法還包括將所述晶片接合到所述襯底（50）之后，劃分所述晶片。
【專利說明】將襯底接合到半導(dǎo)體發(fā)光器件的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及將半導(dǎo)體發(fā)光器件的晶片接合到襯底。
【背景技術(shù)】
[0002]包括發(fā)光二極管(LED)、諧振腔發(fā)光二極管(RCLED)、諸如面發(fā)射激光器的垂直腔激光二極管(VCSEL)和邊發(fā)射激光器的半導(dǎo)體發(fā)光器件是目前可獲得的最有效率的光源之一。在能夠在整個可見光譜中操作的高亮度發(fā)光器件的制造中目前感興趣的材料系統(tǒng)包括II1-V族半導(dǎo)體，尤其是鎵、鋁、銦和氮的二元、三元和四元合金，其也被稱為III族氮化物材料。通常，III族氮化物發(fā)光器件是通過金屬有機物化學(xué)氣相沉積(M0CVD)、分子束外延(MBE)或者其他外延技術(shù)在藍寶石、碳化硅、III族氮化物或者其他合適的襯底上外延生長具有不同組成成分和摻雜濃度的半導(dǎo)體層的疊層來制造的。該疊層通常包括形成于襯底上的摻雜例如Si的一個或多個η型層、形成于一個或多個η型層上位于有源區(qū)中的一個或多個發(fā)光層以及形成于有源區(qū)上的摻雜例如Mg的一個或多個P型層。電接觸形成于η和P型區(qū)域上。
[0003]圖6示出了接合到透明透鏡2的LED管芯4，US 7，053, 419中對其進行了更具體的描述。LED管芯4包括η型導(dǎo)電性的第一半導(dǎo)體層80和ρ型導(dǎo)電性的第二半導(dǎo)體層100。半導(dǎo)體層80和100被電耦合到有源區(qū)120。在倒裝芯片配置中η接觸140和ρ接觸160被設(shè)置在LED管芯4的同一側(cè)。透明襯頂(superstrate) 340是由諸如例如藍寶石、SiC、GaN或GaP的材料形成的。透鏡2通過接合層6接合到透明襯頂340。接合層6可以是硅樹脂。接合層6可以包括將有源區(qū)120發(fā)射的波長的光轉(zhuǎn)換成其他波長的發(fā)光材料。該發(fā)光材料可以是常規(guī)磷光體顆粒。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的是提供一種通過柔性膜將半導(dǎo)體發(fā)光器件的晶片接合到襯底的方法。
[0005]根據(jù)本發(fā)明實施例的方法包括在半導(dǎo)體發(fā)光器件的晶片上方定位柔性膜，每個半導(dǎo)體發(fā)光器件包括半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括夾在η型區(qū)域和ρ型區(qū)域之間的發(fā)光層。經(jīng)由柔性膜將半導(dǎo)體發(fā)光器件的晶片接合到襯底。在接合之后，柔性膜與半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)直接接觸。該方法還包括將所述晶片接合到所述襯底之后，劃分所述晶片。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0006]圖1示出了包括生長于生長襯底上的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)、金屬η和ρ接觸以及接合焊盤的半導(dǎo)體發(fā)光器件。
[0007]圖2示出了接合到處置部(handle)的半導(dǎo)體發(fā)光器件的晶片。
[0008]圖3示出了去除生長襯底并將半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)頂表面紋理化之后圖2的結(jié)構(gòu)。
[0009]圖4示出了接合到第二襯底之后圖3的結(jié)構(gòu)。[0010]圖5示出了去除處置部并且劃分晶片之后圖4的結(jié)構(gòu)。
[0011]圖6示出了接合到透明透鏡的現(xiàn)有技術(shù)LED管芯。
【具體實施方式】
[0012]在圖6中不出的器件中，在將LED芯片4從LED芯片晶片單一化之后，將透鏡2附著到LED芯片4。
[0013]在本發(fā)明的實施例中，通過預(yù)先形成的硅樹脂層壓膜將包括設(shè)置于η型區(qū)和ρ型區(qū)之間的發(fā)光區(qū)的半導(dǎo)體發(fā)光器件的晶片接合到襯底。正如本文中使用的，“晶片”指的是其在被分成更小的結(jié)構(gòu)之前的結(jié)構(gòu)，例如上面已經(jīng)生長有許多發(fā)光器件的半導(dǎo)體材料的生長襯底。盡管在下文的范例中半導(dǎo)體發(fā)光器件是發(fā)射藍光或者UV光的III族氮化物L(fēng)ED，但是也可以使用除LED之外的半導(dǎo)體發(fā)光器件(比如激光二極管)以及由諸如其他II1-V族材料、III族磷化物、III族砷化物、I1-VI族材料、ZnO或者硅基材料的其他材料系統(tǒng)制作的半導(dǎo)體發(fā)光器件。
[0014]圖1示出了半導(dǎo)體發(fā)光器件。為了形成圖1中示出的器件，在生長襯底11上生長半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)13。襯底11可以是任意合適的襯底，諸如例如藍寶石、SiC、S1、GaN或者復(fù)合襯底。該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)13包括夾在η型和ρ型區(qū)12和16之間的發(fā)光區(qū)或者有源區(qū)14。η型區(qū)12可以首先生長并且可以包括具有不同的組成成分和摻雜濃度的多個層，例如包括諸如緩沖層或者成核層的準(zhǔn)備層，和/或被設(shè)計成有助于移除生長襯底的層(其可以是η型或者是未被有意摻雜的)以及為了使發(fā)光區(qū)有效地發(fā)光所希望的特定光學(xué)、材料或者電氣屬性設(shè)計的η型或者甚至ρ型器件層。光發(fā)射區(qū)或者有源區(qū)14生長在η型區(qū)12上。合適的光發(fā)射區(qū)的范例包括單個厚的或薄的發(fā)光層，或者多量子阱光發(fā)射區(qū)，其包括由勢壘層分開的多個薄的或者厚的發(fā)光層。然后可以在光發(fā)射區(qū)14上生長ρ型區(qū)16。與η型區(qū)12類似，P型區(qū)16可以包括具有不同組成成分、厚度和摻雜濃度的多個層，其包括未被有意摻雜的層或者η型層。該器件中所有半導(dǎo)體材料的總厚度在一些實施例中小于10 μ?，在一些實施例中小于6 Mm。在一些實施例中，在半導(dǎo)體材料生長之后可以可選地在200°C和800°C之間對其進行退火。
[0015]P接觸33形成于ρ型區(qū)16上。P接觸33可以是多層金屬接觸?？梢酝ㄟ^，例如，蒸鍍或者濺射沉積與P型區(qū)16直接接觸的第一金屬層，然后通過包括例如蝕刻或者剝離的標(biāo)準(zhǔn)光刻操作對其構(gòu)圖。第一金屬層可以是與P型III族氮化物材料進行歐姆接觸的反射金屬，例如，諸如銀。第一金屬層還可以是過渡金屬和銀的多層疊層。過渡金屬可以是，例如，鎳。第一金屬層在一些實施例中厚度是100 A和2000 A之間，在一些實施例中厚度是500 A和1700 A之間，而在一些實施例中厚度是1000 A和1600 A之間。在沉積第一金屬層之后可以可選地對該結(jié)構(gòu)退火?？蛇x的第二金屬層可以例如通過蒸鍍或者濺射沉積在第一金屬層上，然后通過諸如例如蝕刻或者剝離的標(biāo)準(zhǔn)光刻操作對其構(gòu)圖。第二金屬層可以是與銀反應(yīng)最小的任意導(dǎo)電材料，諸如例如鈦鎢合金?？梢圆糠帧⑷炕蛘咭稽c也不將這種合金氮化。替代地，第二金屬層可以是鉻、鉬或硅，或者可以是為粘附到周圍層以及為阻擋第一金屬層擴散而優(yōu)化的任意上述材料的多層疊層。第二金屬層在一些實施例中厚度是ioooA和10000 A之間，在一些實施例中厚度是2000 A和8000 A之間，而在一些實施例中厚度是2000 A和7000 A之間。[0016]然后通過標(biāo)準(zhǔn)光刻操作對該結(jié)構(gòu)構(gòu)圖，并且通過例如，反應(yīng)離子蝕刻(RIE)(其中化學(xué)意義上的反應(yīng)等離子體被用于去除半導(dǎo)體材料)或者電感耦合等離子體(ICP)蝕刻(一種RIE過程，其中通過RF動力電磁場產(chǎn)生等離子體)將其蝕刻。在一些實施例中，圖案由用于對P接觸金屬層中的一個或多個進行構(gòu)圖的光刻掩模確定。在這些實施例中，在單次操作中，可以在P接觸金屬蝕刻之后進行蝕刻。在一個或多個區(qū)域中，去除了整個厚度的P型區(qū)16和整個厚度的發(fā)光區(qū)14，顯露出η型區(qū)12的表面(圖1中示出了三個這種區(qū)域)。
[0017]金屬η接觸36形成于通過蝕刻掉ρ型區(qū)和發(fā)光區(qū)而暴露出的η型區(qū)12的一個部分或多個部分上。η接觸36可以是任意合適的金屬，包括鋁或者多層金屬疊層，其包括鋁、鈦鎢合金、銅和金。在η接觸36是多層疊層的實施例中，可以選擇第一金屬(即與η型區(qū)12相鄰的金屬)從而與GaN形成歐姆接觸，并且反射藍光和白光。這種第一層可以是，例如，鋁?？梢酝ㄟ^任意合適的工藝沉積η接觸36，其包括，例如濺射、蒸鍍、電鍍或者這些工藝的組合。
[0018]可以例如通過等離子體增強化學(xué)氣相沉積(PECVD)、化學(xué)氣相沉積(CVD)或者蒸鍍將電介質(zhì)38沉積在該結(jié)構(gòu)上。電介質(zhì)38電隔離η接觸36和ρ接觸33。通過標(biāo)準(zhǔn)光刻操作對電介質(zhì)38構(gòu)圖，并且通過ICP蝕刻或者RIE將其蝕刻，以暴露出η接觸36和ρ接觸33。電介質(zhì)38可以是任意合適的電介質(zhì)，包括氮化硅、氧化硅和氮氧化硅。在一些實施例中，電介質(zhì)38是反射疊層。電介質(zhì)38可以在η接觸36之前或之后形成。
[0019]接合焊盤40a和40b形成于η和ρ接觸以及電介質(zhì)38上，其用于將η和ρ接觸重新分配到適于接合到諸如例如PC板的另一個結(jié)構(gòu)的大的導(dǎo)電焊盤。接合焊盤通常是金屬的，但是也可以是任意合適的導(dǎo)電材料。接合焊盤40a通過P接觸33電連接到P型區(qū)16。接合焊盤40b通過η接觸36電連接到η型區(qū)12。接合焊盤40可以是,例如，Cu或者例如包括T1、TiW、Cu、Ni和Au的多層金屬疊層，其通過濺射或者濺射和電鍍的組合而沉積。接合焊盤40a和40b可以被如圖1中所示的間隙或者被諸如上文參考電介質(zhì)38所述的材料的固體電介質(zhì)電隔離。
[0020]許多個圖1中示出的器件同時形成于單個晶片上。圖1中示出的發(fā)光器件的具體結(jié)構(gòu)與本發(fā)明的實施例不相關(guān)一可以使用任意合適的發(fā)光器件結(jié)構(gòu)。
[0021]在圖2中，諸如例如圖1中示出的器件的器件晶片附著到處置部44。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)13通過金屬層31和接合層42附著到處置部44。圖2、3、4和5中的金屬層31包括上述的和圖1中詳細示出的η和ρ接觸36和33、電介質(zhì)38以及接合焊盤40。在去除生長襯底11期間，處置部44機械地支撐著半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)13。處置部44可以是，例如，玻璃、藍寶石、硅或者任意其他合適的材料。接合層可以僅形成于處置部44上，僅形成于半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)13上或者形成于處置部44和半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)13 二者之上。一個或多個接合層可以是任意合適的材料，諸如，例如，由任意合適的技術(shù)(諸如例如旋涂)形成的諸如硅樹脂的有機材料。在形成一個或多個接合層后，處置部44和半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)13在高溫下被按壓在一起。因為之后處置部44被去除并且因此其不包含必須與晶片上各個發(fā)光器件對準(zhǔn)的特征，所以處置部44和半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)13之間的接合不需要任何對準(zhǔn)。
[0022]在圖3中，通過包括例如激光剝離、蝕刻或者機械技術(shù)的任意適合生長襯底材料的技術(shù)將生長襯底11從半導(dǎo)體器件的晶片上去除?？梢詫⑼ㄟ^去除生長襯底11而暴露出的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)13的表面46 (與圖1中生長襯底11的界面處的η型區(qū)12的表面)可選地變薄，然后可選地將其紋理化(例如通過粗糙化或者通過形成圖案)，以提高來自半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)13的光提取?？梢酝ㄟ^標(biāo)準(zhǔn)光刻和蝕刻對表面46構(gòu)圖，并且可以通過包括例如蝕刻(諸如KOH溶液中的光電化學(xué)蝕刻)、機械研磨或者燒蝕的任意合適的技術(shù)將其粗糙化。
[0023]在圖4中，接合層48形成于半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)13的紋理化的表面46上。在一些實施例中，接合層48是柔性膜，其可以是全部或者部分固化的透明材料，比如硅樹脂。接合膜48可以與半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)13和襯底50分開形成，這樣允許在附著到半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)13之前，對該膜的厚度以及該膜特征的測試和驗證進行嚴格控制。在一些實施例中，可以將諸如金剛石的散熱材料添加到接合膜48中。在一些實施例中，可以將諸如金剛石、硅石、TiO2和/或其他無機添加劑的材料添加到接合膜48中，從而如下文所述那樣，調(diào)整膜的折射率，改善光傳輸，造成光散射和/或改善沉積在膜中的波長轉(zhuǎn)換材料的轉(zhuǎn)換。
[0024]在一些實施例中，例如通過將硅樹脂的混合物散布在支撐膜上，然后全部或部分固化硅樹脂，使接合膜48形成于諸如乙烯-四氟乙烯共聚物膜的支撐膜上。完成的薄膜是固體。在一些實施例中，在形成接合膜48后，在接合膜48上形成保護膜，從而使接合膜48夾在支撐膜和保護膜之間。在與接合膜48進行第一次接合(例如接合到半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)13)之前將支撐膜和保護膜之一去除，然后在與接合膜48進行第二次接合(例如接合到襯底50)之前去除支撐膜和保護膜中的另一個。
[0025]如下將接合膜48附著到半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)13或者襯底50。將支撐膜和保護膜之一去除后，對接合膜48預(yù)固化。為了達到阻止硅樹脂在接合期間熔化，并且在半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)13或襯底50上可以維持目標(biāo)接合膜厚度的膜硬度，將接合膜48在100和150°C之間預(yù)固化1_10分鐘。在預(yù)固化接合膜48之后，在第一接合步驟中將其附著到半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)13。將包括接合膜48和半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)13的結(jié)構(gòu)載入真空層壓機中，以利用真空、高溫和高壓中的一種或多種將接合膜48附著到半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)13的表面46。溫度和壓力是平衡的，以便接合膜48為下文所述的第二接合步驟維持粘合強度。例如，在一些實施例中，在60和100°C之間的溫度下，在一些實施例中，在0.1和0.3 MPa之間的壓力下，在一些實施例中，在大約為10_3 Torr的真空下，接合膜48可以接合到半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)13。
[0026]然后經(jīng)由接合層48將半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)13接合到襯底50。襯底50可以是諸如玻璃的透明、高折射率材料，其在接合到半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)13之前預(yù)先形成于襯底晶片中。上文玻璃的折射率的范圍可以是1.5至2.2，或者在一些實施例中更高，與GaN的折射率(2.4)緊密匹配。用于襯底50的合適材料包括合適的高折射率玻璃，諸如氯化鉛、溴化鉛、氟化鉀、氟化鋅、鋁、銻、鉍、硼、鉛、鋰、磷、鉀、硅、鈉、碲、鉈、鎢或鋅的氧化物，或者其任意混合物。例如，高折射率玻璃還包括諸如 Schott 玻璃 LaSFN35、LaFlO、NZK7、NLAF21、LaSFNl8、SF59 或 LaSF3或者Ohara玻璃SLAH51或SLAM60或者其混合物的材料，諸如(Ge、As、Sb、Ga) (S、Se、Te、F、Cl、1、Br)硫?qū)倩锖土驅(qū)僭佧u化物玻璃的玻璃。在一些實施例中，襯底50可以包括諸如玻璃、氟化鎂和聚合物的較低折射率材料或者由諸如玻璃、氟化鎂和聚合物的較低折射率材料形成。
[0027]在將接合膜48接合到半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)13后，從接合膜48去除支撐膜和保護膜中的另一個，并且將襯底50定位在接合膜48的頂部。在一些實施例中，然后將該結(jié)構(gòu)放在第二真空層壓機中，第二真空層壓機在高于第一接合步驟中使用的溫度和壓力下將襯底50接合到接合膜48。例如，在一些實施例中，襯底50可以在110和120°C之間的溫度下接合到接合膜48。盡管在上文的范例中，在第一接合步驟中將接合膜48附著到半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)13，在第二接合步驟中將其附著到襯底50，但是在一些實施例中，在第一接合步驟中將接合膜48附著到襯底50，然后在第二接合步驟中將其附著到半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)13。
[0028]在一些實施例中，在接合膜48、襯底50或者這二者中包括將由發(fā)光區(qū)發(fā)出的波長的光轉(zhuǎn)換成其他波長的一種或多種發(fā)光材料?？梢杂刹ㄩL轉(zhuǎn)換材料轉(zhuǎn)換由發(fā)光區(qū)發(fā)出的以及入射到波長轉(zhuǎn)換材料上的所有的光或者僅一部分光。由發(fā)光區(qū)發(fā)出的未經(jīng)轉(zhuǎn)換的光可以是最終的光的光譜的一部分，盡管其不必一定這樣。常見組合的范例包括與發(fā)出黃光的波長轉(zhuǎn)換材料組合的發(fā)出藍光的LED、與發(fā)出綠光和紅光的波長轉(zhuǎn)換材料組合的發(fā)出藍光的LED、與發(fā)出藍光和黃光的波長轉(zhuǎn)換材料組合的發(fā)出UV的LED、與發(fā)出藍光、綠光和紅光的波長轉(zhuǎn)換材料組合的發(fā)出UV的LED?？梢栽黾影l(fā)出其他顏色的光的波長轉(zhuǎn)換材料以調(diào)節(jié)從該器件發(fā)出的光的光譜。波長轉(zhuǎn)換材料可以是常規(guī)磷光體顆粒、有機半導(dǎo)體、H-VI或II1-V族半導(dǎo)體、I1-VI或II1-V族半導(dǎo)體量子點或納米晶體、染料、聚合物或者發(fā)冷光的諸如GaN的材料。如果襯底50和接合層48之一或二者都包括常規(guī)磷光體顆粒，那么在一些實施例中，包括磷光體的該結(jié)構(gòu)對于容納通常具有大約5微米至大約50微米尺寸的顆粒來說足夠厚?？梢允褂萌我夂线m的磷光體，包括諸如Y3Al5O12 = Ce (YAG)、Lu3Al5O12 = Ce(LuAG)、Y3Al5_xGax012:Ce (YAlGaG)、(Ba1^xSrx)SiO3IEu (BOSE)的基于石榴石的磷光體以及諸如(Ca，Sr)AlSiN3:Eu和(Ca，Sr，Ba)2Si5N8:Eu的基于氮化鎵的磷光體?？梢詫⒉煌牟ㄩL轉(zhuǎn)換材料混合在一起或者形成為分立的層。在制造這些結(jié)構(gòu)期間，可以將波長轉(zhuǎn)換材料并入接合膜48和/或襯底50。例如，在將硅樹脂混合物散布在支撐膜上以形成接合膜48之前，可以將波長轉(zhuǎn)換材料與硅樹脂混合。
[0029]如圖5所示，在接合到襯底50之后，例如通過蝕刻、機械分離、激光剝離或者任何其他合適的技術(shù)去除處置部44。例如通過蝕刻或者其他合適的技術(shù)去除在去除處置部44之后殘留的任何接合材料42。然后可以將晶片分成各個器件或者多組器件。圖5中示出了從晶片分離的三個結(jié)構(gòu)之間的邊界52。因為半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)13和襯底50是在一起被劃開的，所以如圖5所示，襯底不比發(fā)光器件更寬?？梢酝ㄟ^例如常規(guī)鋸切、通過利用193nm、248 nm或355 nm光的激光燒蝕或者通過水·射流切割進行晶片分割，將其分成各個器件或者多組器件。還可以經(jīng)由劃片和機械斷裂的組合進行分割，例如可以通過常規(guī)鋸切、通過利用193nm、248 nm或355 nm光的激光燒蝕或者通過水射流切割進行劃片。
[0030]已經(jīng)詳細描述了本發(fā)明，本領(lǐng)域的技術(shù)人員將認識到，在給出本公開內(nèi)容的前提下，可以對本發(fā)明做出修改而不脫離本文所述發(fā)明構(gòu)思的精神。因此，并非要將本發(fā)明的范圍限于所示和所述的具體實施例。
【權(quán)利要求】
1.一種方法，包括: 在半導(dǎo)體發(fā)光器件的晶片上方定位柔性膜，每個半導(dǎo)體發(fā)光器件包括半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括夾在η型區(qū)和P型區(qū)之間的發(fā)光層； 經(jīng)由所述柔性膜將襯底接合到所述半導(dǎo)體發(fā)光器件的晶片，其中在接合之后，所述柔性膜與所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)直接接觸；以及 將所述晶片接合到所述襯底之后，劃分所述晶片。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中: 每個半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)還包括設(shè)置于所述η型區(qū)上的第一金屬接觸和設(shè)置于所述P型區(qū)上的第二金屬接觸，其中所述第一和第二金屬接觸都形成于所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的第一表面上； 所述柔性膜與所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的與所述第一表面相反的第二表面直接接觸。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述柔性膜包括波長轉(zhuǎn)換材料。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述柔性膜包括硅樹脂。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述柔性膜是透明的。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中接合包括: 將所述柔性膜接合到所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)；以及 將所述柔性膜接合到所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)之后，將所述柔性膜接合到所述襯底。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述襯底為玻璃。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述晶片中每個半導(dǎo)體發(fā)光器件的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)生長于單一生長襯底上，所述方法還包括: 將半導(dǎo)體發(fā)光器件的晶片接合到處置部；以及 將半導(dǎo)體發(fā)光器件的晶片接合到處置部之后，去除所述生長襯底。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，還包括對通過去除所述生長襯底而暴露的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的表面進行紋理化。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中所述柔性膜被定位于所述紋理化的表面上方。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，還包括在經(jīng)由所述柔性膜將襯底接合到半導(dǎo)體發(fā)光器件的晶片之后，去除所述處置部。
【文檔編號】H01L33/22GK103858243SQ201280042515
【公開日】2014年6月11日 申請日期:2012年7月30日 優(yōu)先權(quán)日:2011年8月30日
【發(fā)明者】G.巴辛, J.E.伊普勒, P.S.馬丁 申請人:皇家飛利浦有限公司