掩模版吸盤(pán)潔凈器及掩模版吸盤(pán)清潔方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種不需將EUV曝光裝置的真空腔室內(nèi)曝露在大氣下、即能夠簡(jiǎn)易進(jìn)行該腔室內(nèi)的掩模版吸盤(pán)的清潔、有助于提升EUV曝光裝置的運(yùn)轉(zhuǎn)率的掩模版吸盤(pán)潔凈器，其是用于清潔EUV曝光裝置的掩模版吸盤(pán)的掩模版吸盤(pán)潔凈器A，具備：貼附于掩模版吸盤(pán)的吸附區(qū)域的粘著劑層1；層疊于該粘著劑層1的支撐層2；及具有能夠輸送至掩模版吸盤(pán)的形狀的基板3，支撐層2與基板3在部分粘著層4的接合區(qū)域41被部分地接合。
【專利說(shuō)明】掩模版吸盤(pán)潔凈器及掩模版吸盤(pán)清潔方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種掩模版吸盤(pán)潔凈器(reticle chuck cleaner)及掩模版吸盤(pán)清潔(reticle chuck cleaning)方法。更詳細(xì)地說(shuō)，涉及一種用于清潔EUV曝光裝置的掩模版吸盤(pán)的掩模版吸盤(pán)潔凈器等。
【背景技術(shù)】
[0002]近年來(lái)，隨著半導(dǎo)體的微細(xì)化，已使用一種EUV光刻法。由于EUV光的波長(zhǎng)短到
13.5nm，在大氣中會(huì)立即衰減，因此使用EUV光的晶片曝光裝置(EUV掃描儀)需要在真空中組裝曝光光學(xué)系統(tǒng)。此時(shí)，由于掩模版平臺(tái)本身被置于真空中，因此在EUV掩模的吸附機(jī)構(gòu)中無(wú)法使用真空吸附，而采用了靜電吸附方式。在靜電吸附方式中，相較于真空吸附方式，為獲得相同的保持力，需要更大面積的吸附區(qū)域。因此，在EUV掩模中，需要將背面大半部分設(shè)為吸附區(qū)域。
[0003]這樣，在EUV光刻法中，由于要將EUV掩模的背面的大半部分設(shè)為吸附區(qū)域，因此易于在吸附機(jī)構(gòu)的表面存在有異物。而且，當(dāng)在與EUV掩模間夾著異物時(shí)，EUV掩模會(huì)變形，在圖形面上也會(huì)產(chǎn)生變形，因此，產(chǎn)生轉(zhuǎn)印至晶片上的圖形變形的問(wèn)題。另外，由于吸附機(jī)構(gòu)位于真空腔室中，因此為了要去除異物，需將真空腔室內(nèi)恢復(fù)為大氣壓再進(jìn)行清潔作業(yè)。此時(shí)，EUV掃描儀的停止時(shí)間變長(zhǎng)，而成為EUV掃描儀的運(yùn)轉(zhuǎn)率降低的主要原因。
[0004]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0005]專利文獻(xiàn)
[0006]專利文獻(xiàn)1:日本特開(kāi)2009-146959號(hào)公報(bào)
【發(fā)明內(nèi)容】
[0007]發(fā)明要解決的問(wèn)題
[0008]本發(fā)明的主要目的是提供一種掩模版吸盤(pán)潔凈器，不需將EUV曝光裝置的真空腔室內(nèi)曝露在大氣下，即可簡(jiǎn)易進(jìn)行該腔室內(nèi)的掩模版吸盤(pán)的清潔，有助于提升EUV曝光裝置的運(yùn)轉(zhuǎn)率。
[0009]用于解決問(wèn)題的技術(shù)方案
[0010]為了解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供一種掩模版吸盤(pán)潔凈器，其用于清潔EUV曝光裝置的掩模版吸盤(pán)，該掩模版吸盤(pán)潔凈器具備:貼附于掩模版吸盤(pán)的吸附區(qū)域的粘著劑層；層疊于該粘著劑層的支撐層；及具有能夠輸送至掩模版吸盤(pán)的形狀的基板；上述支撐層與上述基板被部分地接合。上述支撐層與上述基板的部分地接合能夠通過(guò)設(shè)在上述支撐層與上述基板之間的具有具粘著性的區(qū)域和不具粘著性的區(qū)域的部分粘著層來(lái)進(jìn)行。
[0011]在此掩模版吸盤(pán)潔凈器中，上述支撐層與上述基板的接合部設(shè)置為:通過(guò)在該接合部將上述支撐層拉緊，產(chǎn)生貼附于掩模版吸盤(pán)的上述粘著劑層的剝離起點(diǎn)。從而，在該掩模版吸盤(pán)潔凈器中，能夠通過(guò)上述基板由其自身重量隔著上述接合部拉緊上述支撐層而產(chǎn)生上述剝離起點(diǎn)。而且，所產(chǎn)生的剝離起點(diǎn)起到作為上述粘著劑層從上述掩模版吸盤(pán)剝離的剝離開(kāi)始位置而起作用。
[0012]在此掩模版吸盤(pán)潔凈器中，能夠設(shè)為:上述部分粘著層可為光硬化型粘著劑層，且該光硬化型粘著劑層中，被光硬化的區(qū)域構(gòu)成上述支撐層與上述基板的非接合部，剩余的區(qū)域構(gòu)成上述接合部。
[0013]在此掩模版吸盤(pán)潔凈器中，優(yōu)選:在上述支撐層與上述基板的非接合部，實(shí)施用于提高接觸的上述支撐層與上述基板的分離性、或接觸的上述部分粘著層與上述基板的分離性的處理。作為該處理，能夠采用在上述基板表面形成凹凸或使上述基板表面粗糙化。
[0014]另外，本發(fā)明提供一種掩模版吸盤(pán)清潔方法，其是用于清潔EUV曝光裝置的掩模版吸盤(pán)的方法，該方法包括:
[0015](I)貼附步驟，其相對(duì)于容納于EUV曝光裝置的經(jīng)真空排氣的腔室內(nèi)的掩模版吸盤(pán)按壓掩模版吸盤(pán)潔凈器，并使上述粘著劑層密合于掩模版吸盤(pán)，所述掩模版吸盤(pán)潔凈器具備貼附于掩模版吸盤(pán)的吸附區(qū)域的粘著劑層、層疊于該粘著劑層的支撐層及具有能夠輸送至掩模版吸盤(pán)的形狀的基板，且上述支撐層與上述基板被部分地接合；及
[0016](2)剝離步驟，其解除上述掩模版吸盤(pán)潔凈器對(duì)于掩模版吸盤(pán)的按壓，通過(guò)由上述基板的自身重量隔著上述接合部拉緊上述支撐層，將貼附于掩模版吸盤(pán)的上述粘著劑層剝離，而從掩模版吸盤(pán)取下掩模版吸盤(pán)潔凈器。
[0017]在此掩模版吸盤(pán)清潔方法中，能夠:在上述(I)的步驟中，相對(duì)于掩模版吸盤(pán)從下方按壓并貼附載置于掩模版輸送單元的上述掩模版吸盤(pán)潔凈器。然后，在上述(2)的步驟中，通過(guò)使掩模版輸送單元往下方移動(dòng)而解除上述掩模版吸盤(pán)潔凈器對(duì)于掩模版吸盤(pán)的按壓，將由上述基板的自身重量而從掩模版吸盤(pán)剝離的上述掩模版吸盤(pán)潔凈器承載于移動(dòng)到下方的掩模版輸送單元上。
[0018]在此掩模版吸盤(pán)清潔方法中，也可在上述(2)的步驟中，使用承載于掩模版輸送單元上的掩模版吸盤(pán)潔凈器，再度進(jìn)行上述(I)的步驟，也可重復(fù)進(jìn)行包括上述(I)及上述
(2)的步驟的操作。
【專利附圖】
【附圖說(shuō)明】
[0019]圖1是說(shuō)明本發(fā)明的第I實(shí)施方式的掩模版吸盤(pán)潔凈器A的構(gòu)成的圖。
[0020]圖2是說(shuō)明使用掩模版吸盤(pán)潔凈器A的掩模版吸盤(pán)清潔方法的貼附步驟的圖。
[0021]圖3是說(shuō)明使用掩模版吸盤(pán)潔凈器A的掩模版吸盤(pán)清潔方法的剝離步驟的圖。
[0022]圖4是說(shuō)明用于提高基板3與部分粘著層4的分離性的槽32的剖面示意圖。
[0023]圖5是說(shuō)明用于提高基板3與部分粘著層4的分離性的槽32的俯視示意圖。
[0024]圖6是說(shuō)明第I實(shí)施方式的變形例的掩模版吸盤(pán)潔凈器的粘著區(qū)域41的構(gòu)成的俯視不意圖。
[0025]圖7是說(shuō)明本發(fā)明的第2實(shí)施方式的掩模版吸盤(pán)潔凈器B的構(gòu)成的圖。
[0026]圖8是說(shuō)明使用掩模版吸盤(pán)潔凈器B的掩模版吸盤(pán)清潔方法的貼附步驟的圖。
[0027]圖9是說(shuō)明使用掩模版吸盤(pán)潔凈器B的掩模版吸盤(pán)清潔方法的剝離步驟的圖。
【具體實(shí)施方式】
[0028]以下參照【專利附圖】
【附圖說(shuō)明】用于實(shí)施本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式。另外，以下說(shuō)明的實(shí)施方式僅顯示本發(fā)明具代表性的實(shí)施方式的一例，本發(fā)明的范圍不應(yīng)據(jù)此作狹義解釋。說(shuō)明以下列順序來(lái)進(jìn)行。
[0029]1.第I實(shí)施方式的掩模版吸盤(pán)潔凈器及使用該掩模版吸盤(pán)潔凈器的掩模版吸盤(pán)清潔方法
[0030](I)掩模版吸盤(pán)潔凈器
[0031](2)掩模版吸盤(pán)清潔方法
[0032]2.第2實(shí)施方式的掩模版吸盤(pán)潔凈器及使用該掩模版吸盤(pán)潔凈器的掩模版吸盤(pán)清潔方法
[0033](I)掩模版吸盤(pán)潔凈器
[0034](2)掩模版吸盤(pán)清潔方法
[0035]1.第I實(shí)施方式的掩模版吸盤(pán)潔凈器及使用該掩模版吸盤(pán)潔凈器的掩模版吸盤(pán)清潔方法
[0036](I)掩模版吸盤(pán)潔凈器
[0037]圖1是說(shuō)明本發(fā)明的第I實(shí)施方式的掩模版吸盤(pán)潔凈器的構(gòu)成的示意圖，(A)是剖面圖，(B)是俯視圖。符號(hào)A所示的掩模版吸盤(pán)潔凈器具備:貼附于EUV曝光裝置的掩模版吸盤(pán)的吸附區(qū)域的粘著劑層I ;層疊于粘著劑層I的支撐層2 ;及具有能夠輸送至掩模版吸盤(pán)的形狀的基板3。
[0038]符號(hào)4表示將支撐層2與基板3接合或粘著于具有粘著性的區(qū)域41 (以下也稱“粘著區(qū)域41”)的部分粘著層。粘著區(qū)域41設(shè)于部分粘著層4的周緣部，而部分粘著層4的中央部(粘著區(qū)域41以外的部分)設(shè)為不具粘著性的區(qū)域42(以下也稱“非粘著區(qū)域42，，)。
[0039]〔粘著劑層〕
[0040]粘著劑層I能夠通過(guò)以(甲基)丙烯酸酯系聚合物為主成分的粘著劑、或聚氨酯系、聚酯系、環(huán)氧樹(shù)脂系、聚氯乙烯系、三聚氰胺系、聚酰亞胺系、聚硅氧烷系等粘著劑所形成。詳細(xì)內(nèi)容將后述，但粘著劑只要具有可使附著于掩模版吸盤(pán)的異物粘著的程度的粘著性、并具有可使掩模版吸盤(pán)潔凈器A通過(guò)自身重量從掩模版吸盤(pán)剝離的程度的粘著性，能夠使用公知的粘著劑。
[0041]在粘著劑中，視需要也可添加增粘劑、硬化劑、塑化劑、阻聚劑及抗老化劑等各種添加劑。
[0042]粘著劑層I對(duì)于支撐層2的層疊，能夠通過(guò)將例如以丙烯酸酯共聚物為主成分、且以異氰酸鹽化合物為交聯(lián)劑的粘著劑的甲苯/乙酸乙酯溶液旋涂于支撐層2來(lái)進(jìn)行。除此以外，粘著劑層I對(duì)于支撐層2的形成能夠通過(guò)利用凹版涂布機(jī)、缺角輪涂布機(jī)
一夕一)、刮棒涂布機(jī)、刮刀涂布機(jī)、滾涂機(jī)、凸版印刷、凹版印刷、平版印刷、柔性版印刷、膠版印刷、絲網(wǎng)印刷、噴涂等公知的方法來(lái)進(jìn)行。另外，不限定于將粘著劑直接涂布于支撐層2上的方法，也能夠采用將以所希望厚度預(yù)先涂布于剝離薄膜上的粘著劑轉(zhuǎn)印至支撐層2的方法。
[0043]粘著劑層I在干燥后的厚度并未特別限定，例如設(shè)為0.5?5.0 μ m，優(yōu)選設(shè)為I?2 μ m。粘著劑層I形成為與EUV曝光裝置的掩模版吸盤(pán)的吸附區(qū)域相等或較其更大。
[0044]〔支撐層〕[0045]支撐層2能夠通過(guò)聚氯乙烯，聚乙烯、聚丙烯、聚酯、乙烯-乙烯醇、聚氨酯、離子交聯(lián)聚合物、聚酰胺、聚酰亞胺及PET等的公知的樹(shù)脂而形成。這些樹(shù)脂也可作為多個(gè)樹(shù)脂的熔融混合物或共聚物來(lái)使用。這些樹(shù)脂中，PET的硬度較高，故特別優(yōu)選。另外，支撐層2也可為由多個(gè)樹(shù)脂層所構(gòu)成的多層構(gòu)造。
[0046]〔部分粘著層〕
[0047]部分粘著層4例如能夠設(shè)為:使用與粘著劑層I相同的粘著劑來(lái)形成粘著區(qū)域41，且可使用與支撐層2相同的樹(shù)脂來(lái)形成非粘著區(qū)域42。另外，作為部分粘著層4，也能夠由通用的雙面膠來(lái)構(gòu)成粘著區(qū)域41，由PET薄膜等構(gòu)成非粘著區(qū)域42。
[0048]在掩模版吸盤(pán)潔凈器A中，部分粘著層4只要能將支撐層2與基板3部分地接合或粘著即可，因此非粘著區(qū)域42為非必要的構(gòu)成。即，部分粘著層4也可為僅由粘著劑所形成的粘著區(qū)域41，或是僅由雙面膠所構(gòu)成的粘著區(qū)域41，而不設(shè)置非粘著區(qū)域42。此時(shí)，支撐層2的基板3側(cè)的面中未接合于基板3的部分也可直接與基板3接觸。
[0049]另外，部分粘著層4也可使用由放射線和/或紫外線等活性光線而硬化的光硬化型粘著劑來(lái)形成。將光硬化型粘著劑涂敷于支撐層2或基板3，使用掩模僅對(duì)經(jīng)涂敷的光硬化型粘著劑中的成為非粘著區(qū)域42的部分照射光，而使其硬化。因此，能夠形成具有不被光照射而維持粘接性的接合區(qū)域41及經(jīng)由光照射而硬化而喪失粘接性的非接合區(qū)域42的部分粘著層4。
[0050]〔基板〕
[0051]基板3只要具有能夠輸送至EUV曝光裝置的掩模版吸盤(pán)的形狀即可，其材質(zhì)并未特別限定，能夠使用玻璃、石英、合成石英等光掩模胚來(lái)形成。
[0052]在例如設(shè)為合成石英的6英寸基板(厚度為0.25英寸)時(shí)，基板3的重量為325g左右。只要基板3是該程度的重量，如后所述，就足以通過(guò)基板3的自身重量將掩模版吸盤(pán)潔凈器A從掩模版吸盤(pán)剝離。另外，基板3的重量只要可達(dá)成本發(fā)明的效果，可任意設(shè)定。
[0053]掩模版吸盤(pán)潔凈器A除了粘著劑層1、支撐層2、部分粘著層4及基板3以外，也可具有形成在與基板3的粘著劑層I相反側(cè)的面的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記在EUV曝光裝置中在輸送或吸附掩模版吸盤(pán)潔凈器A時(shí)使用。對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記與通常的EUV掩模的制作相同，能夠通過(guò)下述加工形成:將抗蝕劑涂布在形成于基板3上的以鉭為主成分的吸收體膜，將抗蝕劑圖形作為蝕刻掩模而對(duì)吸收體膜進(jìn)行蝕刻，且將抗蝕劑洗凈、去除。
[0054](2)掩模版吸盤(pán)清潔方法
[0055]接著，參照?qǐng)D2及圖3，來(lái)說(shuō)明使用掩模版吸盤(pán)潔凈器A的掩模版吸盤(pán)清潔方法。圖2是用于說(shuō)明掩模版吸盤(pán)清潔方法的貼附步驟的剖面示意圖，圖3是用于說(shuō)明剝離步驟的剖面示意圖。
[0056]〔貼附步驟〕
[0057]在貼附步驟中，首先，將掩模版吸盤(pán)潔凈器A載置于EUV曝光裝置的掩模版端口 P，與通常的掩模版輸送同樣，輸送至EUV曝光裝置的經(jīng)真空排氣的腔室內(nèi)(參照?qǐng)D2(A))。
[0058]接著，與通常的掩模版吸盤(pán)同樣，將掩模版端口 P靠近掩模版吸盤(pán)C，且相對(duì)于掩模版吸盤(pán)C從下方來(lái)按壓掩模版吸盤(pán)潔凈器A，使粘著劑層I密合于掩模版吸盤(pán)C并貼附。此時(shí)，附著于掩模版吸盤(pán)C的異物D會(huì)附著于粘著劑層1，且以陷入于粘著劑層I中的方式被獲取(參照?qǐng)D2(B))。在此，粘著劑層I也可通過(guò)向掩模版吸盤(pán)C施加電壓、使掩模版吸盤(pán)潔凈器A暫時(shí)地靜電吸附于掩模版吸盤(pán)C而密合于掩模版吸盤(pán)C。
[0059]〔剝離步驟〕
[0060]在剝離步驟中，首先，使掩模版端口 P從掩模版吸盤(pán)C分離，且解除掩模版吸盤(pán)潔凈器A對(duì)于掩模版吸盤(pán)C的按壓。從而，失去由掩模版端口 P進(jìn)行的支撐的掩模版吸盤(pán)潔凈器A的基板3因自身重量而隔著作為基板3與支撐層2的接合部的粘著區(qū)域41而將支撐層2朝下方拉緊。然后，結(jié)果形成了層疊于支撐層2的粘著劑層I從掩模版吸盤(pán)C剝離的剝離起點(diǎn)(參照?qǐng)D3⑷箭頭Q)。
[0061]粘著劑層I形成為與掩模版吸盤(pán)C的吸附區(qū)域相等或較其更大，由于粘著區(qū)域41設(shè)于部分粘著層4的周緣部，所以隔著粘著區(qū)域41的基板3的自身重量會(huì)集中負(fù)載于粘著劑層I與掩模版吸盤(pán)C的接觸面的最外側(cè)部分(參照箭頭Q)。因此，在粘著劑層I與掩模版吸盤(pán)C的接觸面的最外側(cè)部分，作用有用于將粘著劑層I從掩模版吸盤(pán)C剝離的較大的力，產(chǎn)生上述的剝離起點(diǎn)。
[0062]通過(guò)剝離起點(diǎn)的產(chǎn)生，粘著劑層I從掩模版吸盤(pán)C的剝離從粘著劑層I與掩模版吸盤(pán)C的接觸面的最外側(cè)部分朝向內(nèi)側(cè)進(jìn)行(參照?qǐng)D3(B))。而且，當(dāng)粘著劑層I從掩模版吸盤(pán)C完全剝離時(shí)，掩模版吸盤(pán)潔凈器A掉落在移動(dòng)至下方的掩模版端口 P上，尤其承載。此時(shí)，如圖3(C)所示，陷入于粘著劑層I中的異物D從掩模版吸盤(pán)C被去除。
[0063]為使從掩模版吸盤(pán)C剝離的掩模版吸盤(pán)潔凈器A筆直地掉落至下方的掩模版端口P上，優(yōu)選在基板3的表面31上形成用于提高與所接觸的部分粘著層4的非粘著區(qū)域42的分離性的槽32 (參照?qǐng)D4及5).[0064]在解除掩模版吸盤(pán)潔凈器A對(duì)于掩模版吸盤(pán)C的按壓后，當(dāng)部分粘著層4的非粘著區(qū)域42仍然貼附于基板3的表面31、或尚未均勻地分離時(shí)，如圖4(B)所示，具有掩模版吸盤(pán)潔凈器A從掩模版吸盤(pán)C的剝離在掩模版吸盤(pán)潔凈器A傾斜的狀態(tài)下進(jìn)行的情形。此時(shí)，從掩模版吸盤(pán)C完全剝離的掩模版吸盤(pán)潔凈器A有可能不會(huì)筆直地朝下方掉落而順利地被承載在掩模版端口 P上。
[0065]通過(guò)在基板3的表面31上預(yù)先形成同心圓狀的多個(gè)槽32(參照?qǐng)D5(A))或格子狀的多個(gè)槽32 (參照?qǐng)D5 (B))，在解除掩模版吸盤(pán)潔凈器A對(duì)于掩模版吸盤(pán)C的按壓后，基板3與部分粘著層4能夠均勻地分離。其結(jié)果，掩模版吸盤(pán)潔凈器A會(huì)在保持水平狀態(tài)下從掩模版吸盤(pán)C剝離，而筆直地朝下方掉落至掩模版端口 P.[0066]在基板3的表面31上形成槽32可通過(guò)以與列文森掩模(Levenson Mask)的制作相同的方法來(lái)進(jìn)行。即，在將抗蝕劑涂布在形成于基板3上的鉻膜上后，通過(guò)電子束描繪裝置來(lái)描繪槽32的圖形，且通過(guò)顯影處理來(lái)形成抗蝕劑圖形。接著，將抗蝕劑圖形作為蝕刻掩模并通過(guò)干式蝕刻法來(lái)選擇性蝕刻鉻膜。最后，將鉻圖形作為蝕刻掩模并通過(guò)干式蝕刻法來(lái)選擇性蝕刻石英基板，將抗蝕劑洗凈去除而形成槽32。另外，槽32不限定于圖示的同心圓狀或格子狀，只要是中心對(duì)稱，則能夠以任意的圖形來(lái)形成。
[0067]用于提高基板3的表面31與部分粘著層4的非粘著區(qū)域42的分離性的處理，并不限定于形成如上述的槽32的凹凸的方法，也可采用將表面31粗糙化，或是在基板3或部分粘著層4的一方或雙方表面上涂布剝離劑的方法。
[0068]基板3的表面31的凹凸處理能夠通過(guò)例如印刷法等方法來(lái)進(jìn)行。另外，作為剝離劑能夠使用例如氟樹(shù)脂等。[0069]另外，在部分粘著層4僅為由粘著劑所形成的粘著區(qū)域41、或僅包括由雙面膠所構(gòu)成的粘著區(qū)域41而不設(shè)置非粘著區(qū)域42的情形下，支撐層2會(huì)直接與基板3的表面31接觸。即使在此情形下，為了提高支撐層2與基板3的分離性，也可進(jìn)行與上述相同的處理。
[0070]這樣，若使用掩模版吸盤(pán)潔凈器A，只要在使粘著劑層I與掩模版吸盤(pán)C密合后再進(jìn)行剝除的操作，就能夠不破壞EUV曝光裝置的真空腔室的真空地進(jìn)行掩模版吸盤(pán)C的清潔。因此，與要將真空腔室暫時(shí)恢復(fù)為大氣壓、將掩模版吸盤(pán)從真空腔室內(nèi)取出后再清掃的公知方法不同，不需要使裝置長(zhǎng)時(shí)間停止，能夠大幅改善裝置的運(yùn)轉(zhuǎn)率，而提升半導(dǎo)體元件的制造效率。
[0071]進(jìn)而，由于掩模版吸盤(pán)潔凈器A被設(shè)為由基板3的自身重量而從掩模版吸盤(pán)C剝離，因此不會(huì)有貼附于掩模版吸盤(pán)的掩模版吸盤(pán)潔凈器無(wú)法剝除而無(wú)法取下的情形。
[0072]掩模版吸盤(pán)的清潔也可通過(guò)使用在剝離步驟中承載在掩模版端口 P上的掩模版吸盤(pán)潔凈器A再度進(jìn)行剝離步驟而重復(fù)進(jìn)行。由貼附步驟及剝離步驟所構(gòu)成的操作優(yōu)選重復(fù)進(jìn)行直到附著于掩模版吸盤(pán)C的異物D被充分去除。在清潔結(jié)束后，掩模版吸盤(pán)潔凈器A通過(guò)掩模版端口 P送回至腔室外。
[0073]在以上所說(shuō)明的第I實(shí)施方式的掩模版吸盤(pán)潔凈器中，說(shuō)明了將粘著區(qū)域41設(shè)于部分粘著層4的周緣部的例子。然而，粘著區(qū)域41，只要是可將支撐層2與基板3部分地接合或粘著，并通過(guò)使基板3的自身重量集中負(fù)載于粘著劑層I與掩模版吸盤(pán)C的接觸面的一部分，而產(chǎn)生粘著劑層I從掩模版吸盤(pán)C剝離的剝離起點(diǎn)，則其能夠設(shè)置于部分粘著層4的任意部位。例如，如圖6所示，粘著區(qū)域41也可設(shè)于部分粘著層4的四個(gè)角落。
[0074]2.第2實(shí)施方式的掩模版吸盤(pán)潔凈器及使用該掩模版吸盤(pán)潔凈器的掩模版吸盤(pán)清潔方法
[0075](I)掩模版吸盤(pán)潔凈器
[0076]圖7是用于說(shuō)明本發(fā)明的第2實(shí)施方式的掩模版吸盤(pán)潔凈器的構(gòu)成的示意圖，(A)是剖面圖，(B)是俯視圖。符號(hào)B所示的掩模版吸盤(pán)潔凈器具備:貼附于EUV曝光裝置的掩模版吸盤(pán)的吸附區(qū)域的粘著劑層I ;層疊于粘著劑層I的支撐層2 ;及具有能夠輸送至掩模版吸盤(pán)的形狀的基板3。
[0077]相較于上述的第I實(shí)施方式的掩模版吸盤(pán)潔凈器A，掩模版吸盤(pán)潔凈器B在不設(shè)置將支撐層2與基板3部分地接合或粘著的部分粘著層4 (參照?qǐng)D1)而通過(guò)雙面膠43來(lái)粘著支撐層2與基板3這一點(diǎn)不同。雙面膠43以在俯視下成為通過(guò)支撐層2及基板3中心的十字的方式插入兩者之間。
[0078]在掩模版吸盤(pán)潔凈器B中，粘著劑層1、支撐層2及基板3的構(gòu)成與掩模版吸盤(pán)潔凈器A相同，故省略其說(shuō)明，以下對(duì)使用掩模版吸盤(pán)潔凈器B的掩模版吸盤(pán)清潔方法進(jìn)行說(shuō)明。
[0079](2)掩模版吸盤(pán)清潔方法
[0080]圖8是用于說(shuō)明掩模版吸盤(pán)清潔方法的貼附步驟的剖面示意圖，圖9是用于說(shuō)明剝離步驟的剖面示意圖。
[0081]〔貼附步驟〕
[0082]貼附步驟與使用上述的第I實(shí)施方式的掩模版吸盤(pán)潔凈器A的掩模版吸盤(pán)清潔方法相同，首先，將掩模版吸盤(pán)潔凈器B載置于EUV曝光裝置的掩模版端口 P。然后，以與通常的掩模版輸送相同的方式輸送至EUV曝光裝置的經(jīng)真空排氣的腔室內(nèi)(參照?qǐng)D8(A))。
[0083]接著，以與通常的掩模版吸盤(pán)相同方式將掩模版端口 P靠近掩模版吸盤(pán)C，且相對(duì)于掩模版吸盤(pán)C從下方來(lái)按壓掩模版吸盤(pán)潔凈器B，使粘著劑層I密合于掩模版吸盤(pán)C而貼附。此時(shí)，附著于掩模版吸盤(pán)C的異物D會(huì)附著于粘著劑層1，且以陷入于粘著劑層I中的方式被獲取(參照?qǐng)D8 (B))。
[0084]〔剝離步驟〕
[0085]在剝離步驟中，首先，使掩模版端口 P從掩模版吸盤(pán)C分離，且解除掩模版吸盤(pán)潔凈器B對(duì)于掩模版吸盤(pán)C的按壓。從而，失去由掩模版端口 P進(jìn)行的支撐的掩模版吸盤(pán)潔凈器B的基板3因自身重量而隔著作為基板3與支撐層2的接合部的雙面膠43而將支撐層2朝下方拉緊。結(jié)果，產(chǎn)生層疊于支撐層2的粘著劑層I從掩模版吸盤(pán)C剝離的剝離起點(diǎn)(參照?qǐng)D9⑷箭頭Q)。
[0086]由于雙面膠43僅在中央接合支撐層2及基板3，因此隔著雙面膠43的基板3的自身重量會(huì)集中負(fù)載于粘著劑層I與掩模版吸盤(pán)C的接觸面的中央部分(參照箭頭Q)。因此，在粘著劑層I與掩模版吸盤(pán)C的接觸面的中央部分，作用有用于將粘著劑層I從掩模版吸盤(pán)C剝離的較大的力，產(chǎn)生上述的剝離起點(diǎn)。
[0087]通過(guò)剝離起點(diǎn)的產(chǎn)生，粘著劑層I從掩模版吸盤(pán)C的剝離從粘著劑層I與掩模版吸盤(pán)C的接觸面的中央部分朝向外側(cè)進(jìn)行(參照?qǐng)D9(B))。而且，當(dāng)粘著劑層I從掩模版吸盤(pán)C完全剝離時(shí)，掩模版吸盤(pán)潔凈器B會(huì)掉落在移動(dòng)到下方的掩模版端口 P上，由其承載。此時(shí)，如圖9(C)所示，陷入于粘著劑層I中的異物D從掩模版吸盤(pán)C被去除。
[0088]在掩模版吸盤(pán)潔凈器B中也一樣，為了使從掩模版吸盤(pán)C剝離的掩模版吸盤(pán)潔凈器B能筆直地掉落至下方的掩模版端口 P上，優(yōu)選在基板3的表面31上進(jìn)行用于提高與所接觸的支撐層2的分離性的處理。此處理能夠通過(guò)與掩模版吸盤(pán)潔凈器A相同的方法進(jìn)行。
[0089]這樣，若使用掩模版吸盤(pán)潔凈器B，只要在使粘著劑層I與掩模版吸盤(pán)C密合后進(jìn)行剝除的操作，就能夠不破壞EUV曝光裝置的真空腔室的真空地進(jìn)行掩模版吸盤(pán)C的清潔。因此，與要將真空腔室暫時(shí)恢復(fù)為大氣壓且在將掩模版吸盤(pán)從真空腔室內(nèi)取出后再清掃的公知方法不同，不需要使裝置長(zhǎng)時(shí)間停止，能夠大幅改善裝置的運(yùn)轉(zhuǎn)率，而提升半導(dǎo)體元件的制造效率。
[0090]進(jìn)而，由于掩模版吸盤(pán)潔凈器B被設(shè)為由基板3的自身重量而從掩模版吸盤(pán)C剝離，因此不會(huì)有貼附于掩模版吸盤(pán)的掩模版吸盤(pán)潔凈器無(wú)法剝除而無(wú)法取下的情形。
[0091]掩模版吸盤(pán)的清潔也可通過(guò)使用在剝離步驟中承載在掩模版端口 P上的掩模版吸盤(pán)潔凈器B再度進(jìn)行剝離步驟而重復(fù)進(jìn)行，這一點(diǎn)如在掩模版吸盤(pán)潔凈器A中的說(shuō)明那樣。
[0092]另外，雙面膠43只要能夠通過(guò)將支撐層2與基板3部分地接合或粘著、且使基板3的自身重量集中負(fù)載于粘著劑層I與掩模版吸盤(pán)C的接觸面的一部分而產(chǎn)生粘著劑層I從掩模版吸盤(pán)C剝離的剝離起點(diǎn)，能夠設(shè)置于任意部位，這一點(diǎn)也如上所述。
[0093]符號(hào)說(shuō)明
[0094]A、B:掩模版吸盤(pán)潔凈器，C:掩模版吸盤(pán)，D:異物，1:粘著劑層，2:支撐層，3:基板，4:部分粘著層，31:基板表面，32:槽，41:粘著區(qū)域，42:非粘著區(qū)域，43:雙面膠。
【權(quán)利要求】
1.一種掩模版吸盤(pán)潔凈器，其用于清潔EUV曝光裝置的掩模版吸盤(pán)，其特征在于，具備: 貼附于掩模版吸盤(pán)的吸附區(qū)域的粘著劑層；層疊于該粘著劑層的支撐層；及具有能夠輸送至掩模版吸盤(pán)的形狀的基板， 上述支撐層與上述基板被部分地接合。
2.如權(quán)利要求1所述的掩模版吸盤(pán)潔凈器，其中: 上述支撐層與上述基板的接合部設(shè)置為:通過(guò)在該接合部將上述支撐層拉緊，產(chǎn)生貼附于掩模版吸盤(pán)的上述粘著劑層的剝離起點(diǎn)。
3.如權(quán)利要求2所述的掩模版吸盤(pán)潔凈器，其中: 上述剝離起點(diǎn)通過(guò)上述基板以其自身重量隔著上述接合部來(lái)拉緊上述支撐層而產(chǎn)生。
4.如權(quán)利要求3所述的掩模版吸盤(pán)潔凈器，其中: 上述剝離起點(diǎn)作為上述粘著劑層從上述掩模版吸盤(pán)剝離的剝離開(kāi)始位置而起作用。
5.如權(quán)利要求4所述的掩模版吸盤(pán)潔凈器，其中: 在上述支撐層與上述基板之間設(shè)有部分粘著層，該部分粘著層具有具粘著性的區(qū)域和不具粘著性的區(qū)域。
6.如權(quán)利要求5所述的掩模版吸盤(pán)潔凈器，其中: 上述部分粘著層被設(shè)為光硬化型粘著劑層， 該光硬化型粘著劑層中，被光硬化的區(qū)域構(gòu)成上述支撐層與上述基板的非接合部，剩余的區(qū)域構(gòu)成上述接合部。
7.如權(quán)利要求5或者6所述的掩模版吸盤(pán)潔凈器，其中: 在上述支撐層與上述基板的非接合部，實(shí)施用于提高接觸的上述支撐層與上述基板的分離性、或接觸的上述部分粘著層與上述基板的分離性的處理。
8.如權(quán)利要求7所述的掩模版吸盤(pán)潔凈器，其中: 上述處理為在上述基板表面形成凹凸或使上述基板表面粗糙化。
9.如權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的掩模版吸盤(pán)潔凈器，其中: 上述粘著劑層由以(甲基)丙烯酸酯聚合物為主成分的粘著劑所構(gòu)成。
10.如權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的掩模版吸盤(pán)潔凈器，其中: 上述基板為光掩模胚。
11.如權(quán)利要求10所述的掩模版吸盤(pán)潔凈器，其中: 上述光掩模胚由玻璃、石英或合成石英所構(gòu)成。
12.一種掩模版吸盤(pán)清潔方法,其用于清潔EUV曝光裝置的掩模版吸盤(pán)，該方法包括: 貼附步驟，其相對(duì)于容納于EUV曝光裝置的經(jīng)真空排氣的腔室內(nèi)的掩模版吸盤(pán)按壓掩模版吸盤(pán)潔凈器，并使上述粘著劑層密合于掩模版吸盤(pán)，所述掩模版吸盤(pán)潔凈器具備貼附于掩模版吸盤(pán)的吸附區(qū)域的粘著劑層、層疊于該粘著劑層的支撐層及具有能夠輸送至掩模版吸盤(pán)的形狀的基板，且上述支撐層與上述基板`被部分地接合 '及 剝離步驟，其解除上述掩模版吸盤(pán)潔凈器對(duì)于掩模版吸盤(pán)的按壓，通過(guò)由上述基板的自身重量隔著上述接合部拉緊上述支撐層，將貼附于掩模版吸盤(pán)的上述粘著劑層剝離，而從掩模版吸盤(pán)取下掩模版吸盤(pán)潔凈器。
13.如權(quán)利要求12所述的掩模版吸盤(pán)清潔方法，其中:在上述貼附步驟中，相對(duì)于掩模版吸盤(pán)從下方來(lái)按壓并貼附載置于掩模版輸送單元的上述掩模版吸盤(pán)潔凈器，而且； 在上述剝離步驟中，通過(guò)使掩模版輸送單元往下方移動(dòng)而解除上述掩模版吸盤(pán)潔凈器對(duì)于掩模版吸盤(pán)的按壓，將由上述基板的自身重量而從掩模版吸盤(pán)剝離的上述掩模版吸盤(pán)潔凈器承載于移動(dòng)到下方的掩模版輸送單元上。
14.如權(quán)利要求12所述的掩模版吸盤(pán)清潔方法，其中: 反復(fù)進(jìn)行包括上述貼附步`驟及上述剝離步驟的操作。
【文檔編號(hào)】H01L21/027GK103782365SQ201280043092
【公開(kāi)日】2014年5月7日 申請(qǐng)日期:2012年6月22日 優(yōu)先權(quán)日:2011年9月5日
【發(fā)明者】小林嘉仁, 伊藤正光, 稻田太郎, 渡邊淳 申請(qǐng)人:株式會(huì)社 東芝