Esd保護(hù)器件及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種絕緣可靠性較高、并具有良好的放電特性的ESD保護(hù)器件。ESD保護(hù)器件包括：第1及第2放電電極，該第1及第2放電電極配置成彼此相對(duì)；放電輔助電極，該放電輔助電極以橫跨第1和第2放電電極之間的方式形成；以及絕緣體基材，該絕緣體基材保持第1及第2放電電極、以及放電輔助電極，在所述ESD保護(hù)器件中，放電輔助電極由多個(gè)金屬粒子（24）的集合體所構(gòu)成，多個(gè)金屬粒子（24）被由碳化硅構(gòu)成的半導(dǎo)體膜（23）所覆蓋。為了獲得這樣的放電輔助電極，對(duì)在金屬粒子表面固接有由碳化硅構(gòu)成的半導(dǎo)體粉末的半導(dǎo)體復(fù)合化金屬粉末進(jìn)行燒成，但該半導(dǎo)體復(fù)合化金屬粉末中的半導(dǎo)體粉末的覆蓋量Q[重量％]與金屬粉末的比表面積S[m2/g]的關(guān)系選擇為Q/S≥8。
【專利說(shuō)明】ESD保護(hù)器件及其制造方法
技術(shù)分野
[0001]本發(fā)明涉及ESD (Electrostatic Discharge:靜電放電)保護(hù)器件及其制造方法，尤其涉及對(duì)ESD保護(hù)器件中用于促進(jìn)靜電放電而設(shè)置的放電輔助電極的改良。
【背景技術(shù)】
[0002]例如，在日本專利特開(kāi)2008-85284號(hào)公報(bào)(專利文獻(xiàn)I)中公開(kāi)了本發(fā)明所關(guān)注的過(guò)電壓保護(hù)元件。
[0003]專利文獻(xiàn)I中記載的過(guò)電壓保護(hù)元件中，包括:非導(dǎo)體粉末(例如,碳化硅:粒徑I?50 μ m)、金屬導(dǎo)體粉末(例如，銅:粒徑0.01?5μπι)以及粘接劑(例如，玻璃粉末)，以作為要成為用于促進(jìn)放電而設(shè)置的放電輔助電極的過(guò)電壓保護(hù)元件材料。
[0004]此外，專利文獻(xiàn)I中記載了一種過(guò)電壓保護(hù)元件的制造方法，該制造方法包括:按照規(guī)定的比例將非導(dǎo)體粉末、金屬導(dǎo)體粉末和粘接劑均勻地進(jìn)行混合來(lái)形成材料糊料的工序；在基板上印刷該材料糊料的工序；以及對(duì)該基板實(shí)施燒成處理(溫度:300?1200°C)的工序。
[0005]然而，在專利文獻(xiàn)I記載的技術(shù)中，由于將作為粘接劑的玻璃以粉末狀態(tài)進(jìn)行添力口，因此，根據(jù)玻璃粉末的分散狀態(tài)的不同，有時(shí)玻璃成分分布不均勻，其結(jié)果是，金屬導(dǎo)體粉末與非導(dǎo)體粉末有可能無(wú)法充分結(jié)合。因此，存在以下技術(shù)問(wèn)題:尤其在產(chǎn)生高電壓的ESD時(shí)，容易發(fā)生短路不良。
[0006]例如，在國(guó)際公開(kāi)第2009/098944號(hào)公報(bào)(專利文獻(xiàn)2)中記載了能解決上述技術(shù)問(wèn)題的方法。
[0007]在專利文獻(xiàn)2中，使用一種使涂敷了無(wú)機(jī)材料(Al2O3等)的導(dǎo)電材料(Cu粉末等)分散的材料，以作為放電輔助電極。根據(jù)專利文獻(xiàn)2中記載的技術(shù)，與專利文獻(xiàn)I中記載的技術(shù)相比，導(dǎo)電材料的露出較少，因此，能提高絕緣可靠性。此外，即使增加導(dǎo)電材料的含有量，也不易產(chǎn)生導(dǎo)電材料彼此之間的短路，因此，通過(guò)增加導(dǎo)電材料，能容易地進(jìn)行放電，由此，能降低峰值電壓。
[0008]然而，專利文獻(xiàn)I中記載的技術(shù)還存在以下的要解決的技術(shù)問(wèn)題。
[0009]對(duì)于專利文獻(xiàn)2記載的技術(shù)中的“涂敷了無(wú)機(jī)材料的導(dǎo)電材料”，如專利文獻(xiàn)2的段落[0034]及[0094]、以及圖4記載的那樣，只是將由無(wú)機(jī)材料構(gòu)成的微粒子涂敷在導(dǎo)電材料的表面上而已。因此，較難用無(wú)機(jī)材料完全覆蓋導(dǎo)電材料的表面，存在導(dǎo)電材料露出的可能性。因此，要求進(jìn)一步改善絕緣可靠性。
現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn) 專利文獻(xiàn)
[0010]專利文獻(xiàn)1:日本專利特開(kāi)2008 - 85284號(hào)公報(bào) 專利文獻(xiàn)2:國(guó)際公開(kāi)第2009 / 098944號(hào)公報(bào)

【發(fā)明內(nèi)容】
發(fā)明所要解決的問(wèn)題
[0011 ] 因此，本發(fā)明的目的在于提供一種ESD保護(hù)器件及其制造方法，該ESD保護(hù)器件能解決上述的問(wèn)題，即，絕緣可靠性較高，而且具有良好的放電特性。
解決技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案
[0012]首先，本發(fā)明適用于ESD保護(hù)器件，該ESD保護(hù)器件包括:第I及第2放電電極，該第I及第2放電電極配置成彼此相對(duì)；放電輔助電極，該放電輔助電極以橫跨第I和第2放電電極之間的方式形成；以及絕緣體基材，該絕緣體基材保持第I及第2放電電極、以及放電輔助電極，為了解決上述的技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明的特征在于，放電輔助電極由多個(gè)金屬粒子的集合體所構(gòu)成，該多個(gè)金屬粒子被由碳化硅構(gòu)成的半導(dǎo)體膜所覆蓋。
[0013]由此，通過(guò)利用由碳化硅構(gòu)成的半導(dǎo)體膜覆蓋構(gòu)成放電輔助電極的金屬粒子，能提高放電時(shí)的絕緣可靠性。
[0014]若在半導(dǎo)體膜的表面存在來(lái)自碳化硅的SiO2，則該SiO2起到玻璃狀物質(zhì)的網(wǎng)絡(luò)形成成分的作用，能使金屬粒子彼此牢固地結(jié)合，因此，能提高ESD保護(hù)器件的可靠性。
[0015]優(yōu)選為金屬粒子為銅或以銅為主要成分的銅類合金。由此，能提供比較廉價(jià)的ESD保護(hù)器件。此外，由于銅具有較高的熔點(diǎn)，因此，能進(jìn)一步提高放電時(shí)的絕緣可靠性。這是由于，若熔點(diǎn)較低，則金屬粒子會(huì)因放電時(shí)的熱量而發(fā)生熔融并燒結(jié)，從而存在發(fā)生短路的可能性。
[0016]優(yōu)選為在本發(fā)明所涉及的ESD保護(hù)器件中，第I及第2放電電極、以及放電輔助電極配置在絕緣體基材的內(nèi)部，絕緣體基材具有配置第I和第2放電電極之間的間隙的空洞，還包括第I及第2外部端子電極，該第I及第2外部端子電極形成在絕緣體基材的表面上，且分別與第I及第2放電電極電連接。由此，能提高ESD保護(hù)器件的耐濕性。
[0017]本發(fā)明也適用于ESD保護(hù)器件的制造方法。
[0018]本發(fā)明所涉及的ESD保護(hù)器件的制造方法的特征在于，包括:準(zhǔn)備半導(dǎo)體復(fù)合化金屬粉末的工序，該半導(dǎo)體復(fù)合化金屬粉末在金屬粒子表面固接有由碳化硅構(gòu)成的半導(dǎo)體粉末；準(zhǔn)備絕緣體基材的工序；在絕緣體基材的表面或內(nèi)部形成包含所述半導(dǎo)體復(fù)合化金屬粉末的未燒成的放電輔助電極的工序；在絕緣體基材的表面或內(nèi)部形成在放電輔助電極上配置成彼此相對(duì)的第I及第2放電電極的工序；以及對(duì)未燒成的放電輔助電極進(jìn)行燒成的工序，半導(dǎo)體復(fù)合化金屬粉末的半導(dǎo)體粉末的覆蓋量Q[重量％ ]與金屬粉末的比表面積S[m2/g]的關(guān)系為Q / S > 8。
[0019]上述的形成放電輔助電極的工序、以及形成第I及第2放電電極的工序中的哪個(gè)
工序先實(shí)施皆可。
[0020]在本發(fā)明所涉及的ESD保護(hù)器件的制造方法的優(yōu)選實(shí)施方式中，準(zhǔn)備絕緣體基材的工序包括準(zhǔn)備包含第I及第2陶瓷生片在內(nèi)的多個(gè)陶瓷生片的工序。在此情況下，形成未燒成的放電輔助電極的工序、以及形成第I及第2放電電極的工序在第I陶瓷生片上實(shí)施。此外，在該優(yōu)選實(shí)施方式中，進(jìn)一步實(shí)施以下工序:以覆蓋第I和第2放電電極之間的間隙的方式形成燒去層的工序；將第2陶瓷生片以覆蓋未燒成的放電輔助電極、第I及第2放電電極、以及燒去層的方式層疊在第I陶瓷生片上，從而獲得未燒成的絕緣體基材的工序；以及在絕緣體基材的表面上形成分別與第I及第2放電電極進(jìn)行電連接的第I及第2外部端子電極的工序。然后，在燒成工序中，對(duì)陶瓷生片進(jìn)行燒結(jié)來(lái)獲得絕緣體基材，并使燒去層被燒去。
發(fā)明的效果
[0021]根據(jù)本發(fā)明所涉及的ESD保護(hù)器件，放電輔助電極由多個(gè)金屬粒子的集合體所構(gòu)成，該多個(gè)金屬粒子被由碳化硅構(gòu)成的半導(dǎo)體膜所覆蓋，因此，即使重復(fù)施加靜電也不易產(chǎn)生特性的劣變，能提高放電時(shí)的絕緣可靠性。此外，即使增加金屬粒子的含有量，也不易產(chǎn)生金屬粒子彼此之間的短路，因此，通過(guò)增加金屬粒子，能容易地進(jìn)行放電，由此，能降低峰值電壓。因此，本發(fā)明所涉及的ESD保護(hù)器件能廣泛適用于半導(dǎo)體裝置等各種設(shè)備或裝置的保護(hù)。
[0022]根據(jù)本發(fā)明所涉及的ESD保護(hù)器件的制造方法，為了形成放電輔助電極，只要使用在金屬粒子表面以規(guī)定覆蓋量固接有由碳化硅構(gòu)成的半導(dǎo)體粉末的半導(dǎo)體復(fù)合化金屬粉末，就能夠由能起到上述的作用效果的、被由碳化硅構(gòu)成的半導(dǎo)體膜所覆蓋的多個(gè)金屬粒子的集合體來(lái)構(gòu)成燒成之后的放電輔助電極。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0023][圖1]是表示本發(fā)明的實(shí)施方式I的ESD保護(hù)器件11的剖視圖。
[圖2]是示意表示構(gòu)成圖1所示的放電輔助電極18的金屬粒子24的剖視圖。
[圖3]是表示本發(fā)明的實(shí)施方式2的ESD保護(hù)器件Ila的剖視圖。
[圖4]是用于說(shuō)明在實(shí)驗(yàn)例中所制作的ESD保護(hù)器件42的制造工序的圖，是表示在第I陶瓷生片31上形成了未燒成的放電輔助電極32的狀態(tài)的俯視圖。
[圖5]是用于說(shuō)明在實(shí)驗(yàn)例中所制作的ESD保護(hù)器件42的制造工序的圖，是表示在圖4所示的工序之后形成了未燒成的第I及第2放電電極33及34的狀態(tài)的俯視圖。
[圖6]是用于說(shuō)明在實(shí)驗(yàn)例中所制作的ESD保護(hù)器件42的制造工序的圖，是表示在圖5所示的工序之后形成了未燒成的燒去層35的狀態(tài)的俯視圖。
[圖7]是用于說(shuō)明在實(shí)驗(yàn)例中所制作的ESD保護(hù)器件42的制造工序的圖，是表示在圖6所示的工序之后層疊了第2陶瓷生片36的狀態(tài)的剖視圖。
[圖8]是用于說(shuō)明在實(shí)驗(yàn)例中所制作的ESD保護(hù)器件42的制造工序的圖，是表示在圖7所示的工序之后形成了未燒成的外部端子電極38及39的狀態(tài)的剖視圖。
[圖9]是表示在實(shí)驗(yàn)例中，在圖8所示的工序之后實(shí)施燒成工序所完成的ESD保護(hù)器件42的剖視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0024]參照?qǐng)D1對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式I的ESD保護(hù)器件11進(jìn)行說(shuō)明。
[0025]ESD保護(hù)器件11包括絕緣體基材12。絕緣體基材12例如由玻璃陶瓷等低溫?zé)Y(jié)陶瓷(LTCC)、氮化鋁、氧化鋁等高溫?zé)Y(jié)陶瓷(HTCC)、鐵氧體等磁性體陶瓷所構(gòu)成。絕緣體基材12具有至少包含上層部13和下層部14的層疊結(jié)構(gòu)。
[0026]在絕緣體基材12內(nèi)部，上層部13與下層部14之間設(shè)有:第I及第2放電電極16及17，該第I及第2放電電極16及17配置成隔開(kāi)規(guī)定間隙G彼此相對(duì)；以及放電輔助電極18，該放電輔助電極18以橫跨第I和第2放電電極16和17之間的方式形成。將絕緣體基材12中的上述間隙G所在的部分作為空洞19。[0027]在絕緣體基材12的外表面上形成有第I及第2外部端子電極20及21。第I及第2外部端子電極20及21分別與上述的第I及第2放電電極16及17進(jìn)行電連接。
[0028]在這樣的ESD保護(hù)器件11中，如圖2所示，放電輔助電極18由多個(gè)金屬粒子24的集合體所構(gòu)成，該多個(gè)金屬粒子24分別被由碳化硅構(gòu)成的半導(dǎo)體膜23所覆蓋。由此，若構(gòu)成放電輔助電極18的金屬粒子24被由碳化硅構(gòu)成的半導(dǎo)體膜23所覆蓋，則能提高放電時(shí)的絕緣可靠性。另外，只要對(duì)絕緣可靠性沒(méi)有實(shí)質(zhì)性的損害，在金屬粒子24上也可稍許存在未被半導(dǎo)體膜23覆蓋的部分。
[0029]作為構(gòu)成金屬粒子24的金屬，優(yōu)選為使用銅或以銅為主要成分的銅類合金，但除此之外也可以使用銀、鋁、鑰、鎢等。
[0030]ESD保護(hù)器件11例如由以下的方法制造而成。
[0031]首先，準(zhǔn)備要成為絕緣體基材12的多個(gè)陶瓷生片。多個(gè)陶瓷生片中的第I陶瓷生片例如用于形成絕緣體基材12的下層部14，第2陶瓷生片同樣用于形成上層部13。
[0032]此外，為了形成放電輔助電極18，準(zhǔn)備半導(dǎo)體復(fù)合化金屬粉末，該半導(dǎo)體復(fù)合化金屬粉末在金屬粒子表面固接有由碳化硅構(gòu)成的半導(dǎo)體粉末。半導(dǎo)體復(fù)合化金屬粉末例如通過(guò)將由碳化硅構(gòu)成的半導(dǎo)體粉末和金屬粉末按照規(guī)定的比例進(jìn)行調(diào)和，并應(yīng)用機(jī)械融合方法制造而成。此時(shí)，半導(dǎo)體粉末和金屬粉末的調(diào)和比例選擇為:所獲得的半導(dǎo)體復(fù)合化金屬粉末中的半導(dǎo)體粉末的覆蓋量Q[ 重量％ ]與金屬粉末的比表面積S[m2/g]的關(guān)系為Q/S≤ 8。
[0033]接下來(lái)，使用包含上述半導(dǎo)體復(fù)合化金屬粉末的糊料，在第I陶瓷生片上按照規(guī)定的圖案形成要成為放電輔助電極18的未燒成的糊料膜。
[0034]接下來(lái)，在第I陶瓷生片上的作為上述未燒成的放電輔助電極18的糊料膜上，以隔開(kāi)規(guī)定間隙G彼此相對(duì)的方式形成第I及第2放電電極16及17。放電電極16及17例如通過(guò)提供導(dǎo)電性糊料來(lái)形成。
[0035]接下來(lái)，以覆蓋第I和第2放電電極16和17之間的間隙G的方式形成燒去層。燒去層用于在后述的燒成工序中被燒去，從而在絕緣體基材12內(nèi)部留下上述的空洞19。燒去層例如由包含樹(shù)脂顆粒的糊料所形成。
[0036]另外，用于分別形成上述的放電輔助電極18、第I及第2放電電極16及17、以及燒去層所使用的糊料可以直接添加在添加對(duì)象物上，或者使用轉(zhuǎn)印法等進(jìn)行添加。
[0037]接下來(lái)，在第I陶瓷生片上以覆蓋未燒成的放電輔助電極18、第I及第2放電電極16及17、以及燒去層的方式層疊第2陶瓷生片，并進(jìn)行壓接。由此，獲得未燒成的絕緣體基材12。
[0038]接下來(lái)，在未燒成的絕緣體基材12的表面上形成第I及第2外部端子電極20及
21。外部端子電極20及21例如通過(guò)添加導(dǎo)電性糊料來(lái)形成。
[0039]接下來(lái)，實(shí)施燒成工序。在燒成工序中，能獲得將陶瓷生片進(jìn)行燒結(jié)而成的絕緣體基材12，并且對(duì)放電電極16及17、放電輔助電極18、以及外部端子電極20及21進(jìn)行燒結(jié)。
[0040]在上述的燒成工序中，在未燒成的放電輔助電極18中含有的半導(dǎo)體復(fù)合化金屬粉末中的金屬粒子表面，由碳化硅構(gòu)成的半導(dǎo)體粉末發(fā)生熔融，如圖2所示，生成覆蓋金屬粒子24表面的、由碳化硅構(gòu)成的半導(dǎo)體膜23。
[0041]此外，在該燒成過(guò)程中，金屬粒子24表面上的碳化硅的一部分與氧接觸，從而生成能成為玻璃狀物質(zhì)的網(wǎng)絡(luò)形成成分的Si02。該SiO2即使是少量的，也能起到使金屬粒子24彼此牢固結(jié)合的作用。因此，能提高ESD保護(hù)器件11的可靠性。
[0042]在該燒成工序中，還使燒去層被燒去，在絕緣體基材12的內(nèi)部形成空洞19。
[0043]如上所述，完成ESD保護(hù)器件11。
[0044]另外，作為構(gòu)成金屬粒子24的金屬，使用銅或銅類合金，在放電輔助電極18與絕緣體基材12 —起進(jìn)行燒成的情況下，絕緣體基材12優(yōu)選為由LTCC所構(gòu)成。
[0045]在圖3中示出了本發(fā)明的實(shí)施方式2的ESD保護(hù)器件11a。在圖3中，對(duì)與圖1所示的要素相當(dāng)?shù)囊貥?biāo)注同樣的參照標(biāo)號(hào)，并省略重復(fù)的說(shuō)明。
[0046]圖3所示的ESD保護(hù)器件Ila的特征在于，沿著放電輔助電極18與絕緣體基材12相接觸的界面形成有例如由Al2O3構(gòu)成的保護(hù)層26。尤其在絕緣體基材12由LTCC或磁性體陶瓷所構(gòu)成的情況下，該結(jié)構(gòu)是有效的。即，在絕緣體基材12由LTCC所構(gòu)成的情況下，在燒成工序中，保護(hù)層26中來(lái)自絕緣體基材12 —側(cè)的玻璃成分在放電輔助電極18內(nèi)進(jìn)行擴(kuò)散、浸透，從而起到防止放電輔助電極18的絕緣性發(fā)生劣變的作用。此外，在絕緣體基材12由磁性體陶瓷所構(gòu)成的情況下，在施加ESD時(shí)，磁性體陶瓷的材料被還原，保護(hù)層26起到防止絕緣體基材12的絕緣性發(fā)生劣變的作用。
[0047]在本發(fā)明的范圍內(nèi)還可以具有以下的變形例。
[0048]在圖示的實(shí)施方式中，放電電極16及17、以及放電輔助電極18配置在絕緣體基材12的內(nèi)部，但也可以配置在絕緣體基材的外表面上。
[0049]此外，即使在將放電電極16及17、以及放電輔助電極18配置在絕緣體基材12的內(nèi)部的情況下，也并非一定要形成空洞19。
[0050]此外，放電輔助電極18除了包含被由碳化硅構(gòu)成的半導(dǎo)體膜所覆蓋的金屬粒子24以外，還可以包含碳化硅等半導(dǎo)體粉末、氧化鋁等絕緣體粉末。
[0051]而且，ESD保護(hù)器件Ila也可以與其它功能元件一起內(nèi)置在基板內(nèi)。
[0052]此外，在上述的制造方法中，在用于使放電電極16及17、以及放電輔助電極18進(jìn)行燒結(jié)的燒成的同時(shí)，實(shí)施了用于使絕緣體基材12進(jìn)行燒結(jié)的燒成，但也可以預(yù)先準(zhǔn)備由經(jīng)過(guò)燒結(jié)的陶瓷構(gòu)成的絕緣體基材，在該絕緣體基材上形成放電電極及放電輔助電極。
[0053]接下來(lái)，對(duì)為了確認(rèn)本發(fā)明的效果而實(shí)施的實(shí)驗(yàn)例進(jìn)行說(shuō)明。
[0054][實(shí)驗(yàn)例]
<評(píng)價(jià)試料的制作>
(I)陶瓷生片的制作
作為陶瓷材料，準(zhǔn)備了以Ba、Al、及Si為主要成分的材料。然后，將各材料進(jìn)行調(diào)和直到成為規(guī)定的組分，然后在800?1000°C下進(jìn)行了預(yù)燒。利用氧化鋯球磨機(jī)對(duì)所得到的預(yù)燒粉末進(jìn)行12小時(shí)的粉碎，從而獲得陶瓷粉末。
[0055]接下來(lái)，對(duì)該陶瓷粉末添加包含甲苯及燃料用酒精(日語(yǔ):二々彳、>)的有機(jī)溶劑，并將它們進(jìn)行混合，然后，進(jìn)一步添加粘合劑及可塑劑，再次將它們進(jìn)行混合，從而得到了漿料。
[0056]接下來(lái)，利用刮刀法使該漿料成形，從而制作出厚度為50 μ m的陶瓷生片。在此處所制作出的一個(gè)陶瓷生片在圖4至圖8中作為陶瓷生片31進(jìn)行圖示，而且，另一個(gè)陶瓷生片在圖7及圖8中作為陶瓷生片36進(jìn)行圖示。[0057](2)放電輔助電極用糊料的制作
作為坯原料，準(zhǔn)備了表1記載的半導(dǎo)體粉末、以及表2記載的金屬粉末。
[0058]表1
【權(quán)利要求】
1.一種ESD保護(hù)器件，其特征在于，包括: 第1及第2放電電極，該第I及第2放電電極配置成彼此相對(duì)； 放電輔助電極，該放電輔助電極以橫跨所述第I及第2放電電極之間的方式形成；以及 絕緣體基材，該絕緣體基材保持所述第I及第2放電電極、以及所述放電輔助電極， 所述放電輔助電極由多個(gè)金屬粒子的集合體所構(gòu)成，該多個(gè)金屬粒子被由碳化硅構(gòu)成的半導(dǎo)體膜所覆蓋。
2.如權(quán)利要求1所述的ESD保護(hù)器件，其特征在于， 在所述半導(dǎo)體膜的表面存在SiO2。
3.如權(quán)利要求1或2所述的ESD保護(hù)器件，其特征在于， 所述金屬粒子是銅或以銅為主要成分的銅類合金。
4.如權(quán)利要求1至3的任一項(xiàng)所述的ESD保護(hù)器件，其特征在于， 所述第I及第2放電電極、以及所述放電輔助電極配置在所述絕緣體基材的內(nèi)部，所述絕緣體基材具有配置所述第I及第2放電電極之間的間隙的空洞，還包括第I及第2外部端子電極，該第I及第2外部端子電極形成在所述絕緣體基材的表面上，且分別與所述第I及第2放電電極電連接。
5.—種ESD保護(hù)器件的制造方法，其特征在于，包括: 準(zhǔn)備半導(dǎo)體復(fù)合化金屬粉末的工序，該半導(dǎo)體復(fù)合化金屬粉末在金屬粒子表面固接有由碳化娃構(gòu)成的半導(dǎo)體粉末； 準(zhǔn)備絕緣體基材的工序； 在所述絕緣體基材的表面或內(nèi)部形成包含所述半導(dǎo)體復(fù)合化金屬粉末的未燒成的放電輔助電極的工序； 在所述絕緣體基材的表面或內(nèi)部形成在所述放電輔助電極上配置成彼此相對(duì)的第I及第2放電電極的工序；以及 對(duì)所述未燒成的放電輔助電極進(jìn)行燒成的工序， 所述半導(dǎo)體復(fù)合化金屬粉末的所述半導(dǎo)體粉末的覆蓋量Q[重量％ ]與所述金屬粉末的比表面積S[m2/g]的關(guān)系為Q / S≥8。
6.如權(quán)利要求5所述的ESD保護(hù)器件的制造方法，其特征在于， 準(zhǔn)備所述絕緣體基材的工序包括準(zhǔn)備包含第I及第2陶瓷生片在內(nèi)的多個(gè)陶瓷生片的工序， 形成所述未燒成的放電輔助電極的工序、以及形成所述第I及第2放電電極的工序在所述第I陶瓷生片上實(shí)施， 所述ESD保護(hù)器件的制造方法還包括以下工序: 以覆蓋所述第1及第2放電電極之間的間隙的方式形成燒去層的工序； 將所述第2陶瓷生片以覆蓋所述未燒成的放電輔助電極、所述第I及第2放電電極、以及所述燒去層的方式層疊在所述第I陶瓷生片上，從而獲得未燒成的絕緣體基材的工序；以及 在所述絕緣體基材的表面上形成分別與所述第I及第2放電電極進(jìn)行電連接的第I及第2外部端子電極的工序， 所述進(jìn)行燒成的工序包含對(duì)所述陶瓷生片進(jìn)行燒結(jié)來(lái)獲得所述絕緣體基材的工序、以及使所述燒 去層被燒去的工序。
【文檔編號(hào)】H01T4/12GK103797669SQ201280044289
【公開(kāi)日】2014年5月14日 申請(qǐng)日期:2012年8月26日 優(yōu)先權(quán)日:2011年9月14日
【發(fā)明者】鷲見(jiàn)高弘, 足立淳, 筑澤孝之 申請(qǐng)人:株式會(huì)社村田制作所