快速熱處理腔室的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明的實(shí)施方式大體涉及RTP腔室。該腔室通常包括腔室主體和腔室蓋。該腔室主體包括基板支撐件，該基板支撐件具有多個(gè)電阻式加熱器區(qū)域，以加熱定位在該基板支撐件上的基板。該腔室主體視情況也包括冷卻通道和熱絕緣襯里，冷卻通道用于緩和熱應(yīng)力，熱絕緣襯里設(shè)置在該腔室主體中以容納熱處理期間產(chǎn)生的熱。該腔室蓋包括蓋主體和反射板，該蓋主體具有穿過該蓋主體的開口，該反射板設(shè)置在該開口內(nèi)。多個(gè)高溫計(jì)定位在該反射板內(nèi)，以在遍及該基板的多個(gè)位置處測(cè)量與基板支撐件的這些區(qū)域?qū)?yīng)的基板的溫度。每一個(gè)區(qū)域的溫度被調(diào)整以響應(yīng)來自多個(gè)高溫計(jì)的信號(hào)。
【專利說明】快速熱處理腔室
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明的實(shí)施方式大體涉及快速熱處理(rapid thermal processing, RTP)腔室?！颈尘凹夹g(shù)】
[0002]RTP是在數(shù)秒或更短的時(shí)間內(nèi)將基板(諸如硅晶片)加熱至高達(dá)1200攝氏度或更高的溫度的制造工藝。RTP可用于多種應(yīng)用，包括摻雜劑活化、熱氧化或金屬回流。
[0003]一類現(xiàn)存的RTP腔室利用燈陣列在處理期間快速加熱基板。與設(shè)置在腔室內(nèi)的多個(gè)高溫計(jì)(pyrometer)連接的控制器控制施加至燈的功率量，從而控制由這些燈產(chǎn)生的熱量。其他類型的腔室利用加熱的基板支撐件，并且可使用電阻測(cè)量裝置控制溫度。現(xiàn)存的RTP腔室意味著在制造設(shè)施上相當(dāng)大的投資，因而增加了生產(chǎn)裝置的成本。
[0004]因此，需要一種改良的RTP腔室。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的實(shí)施方式大體涉及RTP腔室。該腔室通常包括腔室主體和腔室蓋。該腔室主體包括基板支撐件，該基板支撐件具有多個(gè)電阻式加熱器區(qū)域，以加熱定位在該基板支撐件上的基板。該腔室主體視情況(optionally)也包括冷卻通道(channel)和熱絕緣襯里，冷卻通道用于緩和熱應(yīng)力，熱絕緣襯里設(shè)置在該腔室主體中以容納熱處理期間產(chǎn)生的熱。該腔室蓋包括蓋主體和反射板，該蓋主體具有穿過該蓋主體的開口，該反射板設(shè)置在該開口內(nèi)。多個(gè)高溫計(jì)定位在該反射板內(nèi)，以在遍及該基板的多個(gè)位置處測(cè)量與基板支撐件的這些區(qū)域?qū)?yīng)的基板的溫度。每一個(gè)區(qū)域的溫度被調(diào)整以響應(yīng)來自多個(gè)高溫計(jì)的信號(hào)。
[0006]一個(gè)實(shí)施方式中，腔室包含腔室蓋和腔室主體?；逯渭O(shè)置在該腔室主體內(nèi)，并且具有多個(gè)區(qū)域，這些區(qū)域可被獨(dú)立地加熱以加熱定位在基板支撐件上的基板。該腔室蓋設(shè)置在腔室主體上并且具有圓形開口，該圓形開口設(shè)置成穿過該腔室蓋。該腔室蓋也包括反射板，該反射板定位在該圓形開口內(nèi)并且具有鄰近于該基板支撐件的上表面的表面。多個(gè)高溫計(jì)設(shè)置成穿過形成于該反射板中的開口，以在遍及基板表面的多個(gè)位置處測(cè)量該基板的溫度。多個(gè)高溫計(jì)中的每一個(gè)高溫計(jì)對(duì)應(yīng)于多個(gè)區(qū)域中的一個(gè)區(qū)域。
[0007]另一個(gè)實(shí)施方式中，腔室包含腔室主體和腔室蓋，該腔室主體包含鋁?；逯渭O(shè)置在該腔室主體內(nèi)并且具有多個(gè)區(qū)域，這些區(qū)域可被獨(dú)立地加熱以加熱定位在基板支撐件上的基板。該腔室蓋設(shè)置在該腔室主體上并且包括蓋主體，該蓋主體包含鋁。該蓋主體具有圓形開口，該圓形開口設(shè)置成穿過該蓋主體。反射板定位在該圓形開口內(nèi)，并且具有鄰近于該基板支撐件的上表面的表面。多個(gè)高溫計(jì)設(shè)置成穿過形成于該反射板中的開口，以在遍及基板表面的多個(gè)位置處測(cè)量該基板的溫度。多個(gè)高溫計(jì)中的每一個(gè)高溫計(jì)對(duì)應(yīng)于多個(gè)區(qū)域中的一個(gè)區(qū)域。
[0008]另一個(gè)實(shí)施方式中，腔室包含腔室主體、腔室蓋和控制器，該腔室主體包含鋁?；逯渭O(shè)置在該腔室主體內(nèi)。該基板支撐件具有多個(gè)區(qū)域，這些區(qū)域可被獨(dú)立地加熱以加熱定位在基板支撐件上的基板。多個(gè)區(qū)域中的每一個(gè)區(qū)域包含電阻式加熱元件。該腔室蓋設(shè)置在該腔室主體上并且包括蓋主體，該蓋主體包含鋁。該蓋主體具有圓形開口，該圓形開口設(shè)置成穿過該蓋主體。反射板定位在該圓形開口內(nèi)并且具有鄰近于該基板支撐件的上表面的表面。多個(gè)高溫計(jì)設(shè)置成穿過形成于該反射板中的開口，以在遍及基板表面的多個(gè)位置處測(cè)量該基板的溫度。多個(gè)高溫計(jì)中的每一個(gè)高溫計(jì)對(duì)應(yīng)于多個(gè)區(qū)域中的一個(gè)區(qū)域。該腔室也包括控制器，該控制器耦接至每一個(gè)區(qū)域的電阻式加熱元件并且耦接至多個(gè)高溫計(jì)。該控制器適于基于來自多個(gè)高溫計(jì)每個(gè)的信號(hào)，控制施加至每一個(gè)區(qū)域的電阻式加熱元件的功率量。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0009]可參照實(shí)施方式(一些實(shí)施方式描繪于附圖中)來詳細(xì)理解本發(fā)明的上述特征結(jié)構(gòu)以及以上簡(jiǎn)要概述的有關(guān)本發(fā)明更特定的描述。然而，應(yīng)注意附圖僅描繪本發(fā)明的典型實(shí)施方式，因而不應(yīng)將這些附圖視為限制本發(fā)明的范圍，因?yàn)楸景l(fā)明可允許其他等效實(shí)施方式。
[0010]圖1和圖2是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的RTP腔室的截面圖。
[0011]圖3是圖1和圖2所示的腔室蓋的等角視圖(isometric view)。
[0012]圖4是圖1和圖2所示的基板支撐件的頂視平面圖。
[0013]為了便于理解，已盡可能地使用相同的參考數(shù)字來標(biāo)示各圖共有的相同的元件。預(yù)期在一個(gè)實(shí)施方式中所披露的元件可有利地用于其他實(shí)施方式，而無需特別詳述。
【具體實(shí)施方式】
[0014]本發(fā)明的實(shí)施方式大體涉及RTP腔室。這些腔室通常包括腔室主體和腔室蓋。該腔室主體包括基板支撐件，該基板支撐件具有多個(gè)電阻式加熱器區(qū)域，以加熱定位在基板支撐件上的基板。腔室主體視情況也包括冷卻通道和熱絕緣襯里，冷卻通道用于緩和熱應(yīng)力，熱絕緣襯里設(shè)置在腔室主體中以容納處理期間產(chǎn)生的熱。腔室蓋包括蓋主體和反射板，蓋主體具有穿過該蓋主體的開口，反射板設(shè)置在該開口內(nèi)。多個(gè)高溫計(jì)定位在該反射板內(nèi)，以在遍及基板的多個(gè)位置處測(cè)量與基板支撐件的這些區(qū)域?qū)?yīng)的基板的溫度。每一個(gè)區(qū)域的溫度被調(diào)整以響應(yīng)來自多個(gè)高溫計(jì)的信號(hào)。
[0015]圖1是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的RTP腔室100的截面圖。RTP腔室100適于熱處理定位在該腔室中的基板101。RTP腔室包括腔室主體102和設(shè)置在腔室主體102上的腔室蓋104。腔室主體102由鋁或鋁合金形成，并且適于將腔室壓力維持在ITorr至約800Torr的范圍內(nèi)，諸如約IOTorr至約350Torr。腔室主體102包括形成在該腔室主體中的流體管道(fluid passage) 106，以使溫度控制流體流過該流體管道，以在處理期間冷卻腔室主體102。腔室主體102的冷卻減少了腔室主體102劣化的可能性，此劣化是由于基板101加熱期間的熱應(yīng)力所致。襯里107是由熱絕緣材料(諸如氮化鋁)形成的，襯里107設(shè)置在腔室主體102的內(nèi)表面周圍，以便于在腔室主體內(nèi)容納熱并且提高熱處理效率。流體管道106與襯里107 —起使低成本材料(諸如鋁)得以用于形成腔室主體102，同時(shí)使腔室主體102仍能夠承受熱處理期間所施加的熱應(yīng)力。
[0016]基板支撐件108定位在腔室主體102內(nèi)?；逯渭?08可由燒結(jié)的氮化鋁形成，并且包括多個(gè)加熱元件110 (諸如嵌在該基板支撐件中的電阻式加熱元件)，以便于在處理期間加熱基板101。這些加熱元件110可由鑰形成，并且通過導(dǎo)線耦接至電源117，所述導(dǎo)線設(shè)置成穿過支撐軸(support shaft) 112。加熱元件110經(jīng)由傳導(dǎo)提供用于加熱基板101，并且可將基板加熱至約25攝氏度至約900攝氏度的范圍內(nèi)的溫度，諸如約25攝氏度至約500攝氏度。在一些情況中，熱傳導(dǎo)可能會(huì)比其他類型的加熱(諸如輻射)更理想。舉例而言，輻射需要許多昂貴的燈泡以將熱提供給基板。然而，燈泡可能會(huì)需要頻繁地更換，因此增加了操作利用加熱燈的腔室的成本。此外，燈可能不均勻地照明，因此使最終所制造的裝置的質(zhì)量劣化。電阻式加熱元件(諸如電阻式加熱元件110)不需要頻繁的更換并且操作上比較便宜。
[0017]支撐軸112可由鎳形成，該支撐軸耦接至基板支撐件108的下側(cè)并且支撐基板支撐件108。支撐軸112耦接至升降組件114，該升降組件包括致動(dòng)器116 (諸如步進(jìn)電機(jī))，以便于將基板101定位于鄰近腔室蓋104的處理位置中，如圖所示。升降組件114也便于將基板101通過開口 118(諸如狹縫閥(slit valve))從腔室主體102移出。升降組件114適于以垂直方向致動(dòng)基板支撐件108，以使升降銷120與定位在腔室主體102內(nèi)的升降板122接觸。當(dāng)基板支撐件108下降時(shí)，使升降銷120與升降板122接觸將基板101從基板支撐件108的表面升起。基板101維持在升降銷120上的一定位置處，使基板101得以由機(jī)械手(圖中未示出)通過開口 118從腔室主體102移出?？梢韵喾吹姆绞綄⒒?01定位在腔室主體102內(nèi)。
[0018]腔室蓋104定位在腔室主體102上。腔室蓋104包括蓋主體123和反射板124。反射板124具有圓形的形狀并且設(shè)置在位于蓋主體123內(nèi)的圓形開口 126內(nèi)。反射板124具有環(huán)狀唇部132，環(huán)狀唇部132的直徑大于圓形開口 126，以將反射板124支撐在蓋主體123的頂表面上。環(huán)狀唇部具有多個(gè)貫穿該環(huán)狀唇部的開口，以容納緊固件134 (諸如螺栓)，以將反射板124固定至蓋主體123。反射板124定位在圓形開口 126內(nèi)并且延伸通過圓形開口 126。反射板124的表面136定位成鄰近基板101。反射板124由金、銀、鎳、招或銠形成，或涂布有上述金屬，以增加設(shè)置成穿過反射板124的高溫計(jì)128的準(zhǔn)確度，高溫計(jì)128用于測(cè)量基板101的溫度。一個(gè)實(shí)施方式中，反射板124可具有約0.50或更高的反射率，諸如約0.90或更高。反射板124的直徑通常大約等于或稍微大于基板支撐件108的直徑，諸如比基板支撐件108的直徑大大約百分之一。
[0019]通常，一個(gè)高溫計(jì)128適于測(cè)量基板101的對(duì)應(yīng)于基板支撐件108的一個(gè)區(qū)域的溫度，基板支撐件108的所述區(qū)域中具有單獨(dú)的加熱元件110 (圖1僅描繪四個(gè)高溫計(jì))。然而，預(yù)期基板支撐件108的每一個(gè)區(qū)域可具有超過一個(gè)對(duì)應(yīng)的高溫計(jì)，以增加對(duì)溫度的監(jiān)控。每一個(gè)高溫計(jì)128與控制器130耦接，控制器130同樣與電源117耦接?？刂破?30便于閉環(huán)控制(closed loop control)基板支撐件108的各區(qū)域,這是通過控制由電源117施加至每一個(gè)加熱元件110的功率實(shí)現(xiàn)的。必要時(shí)，通過從腔室蓋104移除緊固件134、并且將反射板124與蓋主體123分離以暴露高溫計(jì)123，可容易并且快速地替換高溫計(jì)128。
[0020]高溫計(jì)128便于對(duì)基板101進(jìn)行精確并且便宜的溫度測(cè)量和控制。與常規(guī)的嵌于基板支撐件中的電阻式溫度測(cè)量裝置不同，高溫計(jì)可直接測(cè)量基板溫度，而非測(cè)量上面定位有基板的基板支撐件的溫度。直接對(duì)基板進(jìn)行溫度測(cè)量提供對(duì)基板更精確的熱處理。此夕卜，高溫計(jì)128可比嵌在基板支撐件內(nèi)的電阻式溫度測(cè)量裝置更加容易替換。
[0021]圖2圖示根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方式的RTP腔室200的截面圖。RTP腔室200類似于RTP腔室100，不同之處在于RTP腔室200排除了襯里107。因?yàn)镽TP腔室200不包括襯里，RTP腔室200的溫度以不同于RTP腔室100的溫度控制的方式而控制。例如，可增加通過流體管道106的冷卻劑的流量?？蛇x地或額外地，可使用能夠承受更高溫度的材料(諸如鋁合金或不銹鋼)來構(gòu)建RTP腔室200。此外，預(yù)期可將水冷式支架(support bracket) 182(該支架中具有流體通道180)耦接至基板支撐件108，以便于冷卻RTP腔室200。在這樣的實(shí)施方式中，視情況可除去流體管道106。
[0022]圖3是圖1和圖2所示的腔室蓋104的等角視圖。反射板124與蓋主體123圖示為分離，以便更清楚地圖示腔室蓋104的各部件。蓋主體123通常由與腔室主體102 (圖示于圖1中)相同的材料形成，諸如鋁合金或鋁。反射板124包括多個(gè)開口 340，這些開口340設(shè)置成穿過環(huán)狀唇部132。這些開口 340與形成在蓋主體123中的開口 342 (以虛線(phantom)圖示)對(duì)準(zhǔn)，以在這些開口中插入緊固件。開口 342通常形成為不完全通過蓋主體123，以防止通過開口 342污染腔室主體102。多個(gè)高溫計(jì)128通過反射板124的表面136暴露，以便于測(cè)量基板101的溫度(圖示于圖1中)。在圖2所示的實(shí)施方式中，圖示六個(gè)高溫計(jì)，每一個(gè)高溫計(jì)對(duì)應(yīng)于圖4所示的基板支撐件108的六個(gè)加熱區(qū)域中的一個(gè)區(qū)域。預(yù)期每個(gè)區(qū)域可利用超過一個(gè)高溫計(jì)128以增加溫度監(jiān)控的精確度。
[0023]圖4是圖1和圖2所示的基板支撐件108的頂視平面圖?；逯渭?08可由燒結(jié)的氮化鋁形成并且包括多個(gè)區(qū)域，諸如區(qū)域451-456。每一個(gè)區(qū)域451-456包括對(duì)應(yīng)的獨(dú)立加熱元件410a-410f (以虛線圖示)，這些加熱元件嵌在基板支撐件108內(nèi)并且可被獨(dú)立控制，以提供對(duì)每一個(gè)區(qū)域451-456的獨(dú)立溫度控制。加熱元件410a-410f可由諸如鑰之類的材料形成。
[0024]區(qū)域451是圓形形狀的并且設(shè)置在基板支撐件108中央上。區(qū)域451可覆蓋基板支撐件108的上表面的約5%至約15%，例如約10%。區(qū)域451經(jīng)由加熱元件410a被加熱，加熱元件410a具有圓形形狀。區(qū)域452環(huán)繞(circumscribe)區(qū)域451。區(qū)域452可覆蓋基板支撐件108的上表面的約55%至約70%，例如約63%。區(qū)域452是由圓形形狀的加熱元件410b加熱的。區(qū)域453-456設(shè)置在區(qū)域452的外周邊周圍，區(qū)域453-456每個(gè)覆蓋區(qū)域452的外圓周大約90度。區(qū)域453-456每個(gè)覆蓋基板支撐件108的上表面的約3%至約10%，例如約6.6%。區(qū)域453-456便于設(shè)置在這些區(qū)域上的基板周邊區(qū)域的精確溫度控制?；宓闹苓厖^(qū)域通常為最可能具有偏離平均基板溫度的溫度的區(qū)域，這是由于基板外邊緣附近的熱移除的緣故。因此，區(qū)域453-456的相對(duì)較小的尺寸便于基板外邊緣的精確溫度控制，而對(duì)基板的加熱大部分由內(nèi)區(qū)域451和452實(shí)現(xiàn)。
[0025]每一個(gè)高溫計(jì)128的溫度檢測(cè)(sensing)的位置以虛線圖示在基板支撐件108的表面上。溫度檢測(cè)點(diǎn)460a-460f通常定位成實(shí)質(zhì)上在各區(qū)域451-456的中央之上，例外是溫度檢測(cè)點(diǎn)460b。區(qū)域452是環(huán)形的；然而，由于區(qū)域452僅含有單一加熱元件410b，因此區(qū)域452的溫度通常是一致的。因此，溫度檢測(cè)點(diǎn)460b通?？啥ㄎ辉谘刂鴧^(qū)域452的任何位置處，并且仍產(chǎn)生精確的溫度測(cè)量。預(yù)期可利用額外的高溫計(jì)或額外的加熱元件，以進(jìn)一步改進(jìn)對(duì)基板支撐件108的溫度控制，并且也改進(jìn)對(duì)支撐在該基板支撐件上的基板的溫度控制。
[0026]本發(fā)明的實(shí)施方式提供利用有效并且便宜的加熱和溫度檢測(cè)裝置的低成本的RTP腔室。這些腔室利用鋁或鋁合金部件，使得相對(duì)于其他金屬(例如，不銹鋼)能更便宜地制造腔室部件。鋁或鋁合金在熱處理期間所用的一些處理溫度下可能熔化，但通過使用熱絕緣襯里以及冷卻通道，使得鋁或鋁合金能夠使用。這些腔室利用熱絕緣襯里來增加腔室內(nèi)執(zhí)行的熱處理的效率，因此減少操作腔室的成本，并且也保護(hù)腔室部件避免受到非期望的加熱。設(shè)置在RTP腔室主體內(nèi)的一個(gè)或更多個(gè)冷卻通道允許RTP腔室的內(nèi)部容積被快速地加熱到超過腔室主體材料的熔點(diǎn)的溫度。加熱處理期間，所述一個(gè)或更多個(gè)冷卻通道將腔室主體維持在低于腔室主體材料的熔點(diǎn)的溫度，因而保持腔室主體的完整性(integrity)。
[0027]這些腔室也利用具有加熱元件的基板支撐件(這些加熱元件嵌在該基板支撐件中)，以傳導(dǎo)式加熱定位在該基板支撐件上的基板。熱傳導(dǎo)是加熱基板的有效方式，并且不需要頻繁地更換昂貴的部件(如利用燈泡的系統(tǒng))?；鍦囟仁墙?jīng)由高溫計(jì)測(cè)量的，并且施加至基板的熱量是使用閉環(huán)控制的。高溫計(jì)使基板溫度得以被直接測(cè)量，而非使用電阻式溫度測(cè)量裝置測(cè)量基板支撐件的溫度。直接對(duì)基板進(jìn)行溫度測(cè)量便于對(duì)基板進(jìn)行更精確的熱處理。
[0028]雖然前述內(nèi)容涉及本發(fā)明的實(shí)施方式，然而可不背離本發(fā)明基本范圍設(shè)計(jì)其他和進(jìn)一步的本發(fā)明的實(shí)施方式，并且本發(fā)明的范圍由隨后的權(quán)利要求確定。
【權(quán)利要求】
1.一種腔室，包含: 腔室主體； 基板支撐件，所述基板支撐件設(shè)置在所述腔室主體內(nèi)，所述基板支撐件具有多個(gè)區(qū)域，所述多個(gè)區(qū)域可被獨(dú)立地加熱以加熱定位在所述基板支撐件上的基板；以及腔室蓋，所述腔室蓋設(shè)置在所述腔室主體上，所述腔室蓋包含: 蓋主體，所述蓋主體包含鋁，所述蓋主體具有圓形開口，所述圓形開口設(shè)置成穿過所述蓋主體； 反射板，所述反射板定位在所述圓形開口內(nèi)，并且所述反射板具有表面，所述表面鄰近于所述基板支撐件的上表面；以及 多個(gè)高溫計(jì)，所述多個(gè)高溫計(jì)設(shè)置成穿過形成在所述反射板中的開口，以在遍及所述基板表面的多個(gè)位置處測(cè)量所述基板的溫度，其中所述多個(gè)高溫計(jì)中的每一個(gè)高溫計(jì)對(duì)應(yīng)于所述多個(gè)區(qū)域中的每一個(gè)區(qū)域。
2.如權(quán)利要求1所述的腔室，其中所述基板支撐件包含多個(gè)可獨(dú)立控制的電阻式加熱元件，所述多個(gè)可獨(dú)立控制的電阻式加熱元件被調(diào)整以響應(yīng)由所述多個(gè)高溫計(jì)測(cè)量的溫度。
3.如權(quán)利要求1所述的腔室，其中所述多個(gè)區(qū)域包含第一區(qū)域和第二區(qū)域，所述第一區(qū)域具有圓形形狀并且設(shè)置在所述基板支撐件中央上，所述第二區(qū)域環(huán)繞所述第一區(qū)域。
4.如權(quán)利要求3所述的腔室，其中所述多個(gè)區(qū)域進(jìn)一步包含第三區(qū)域、第四區(qū)域、第五區(qū)域和第六區(qū)域，并且其中所述第三區(qū)域、所述第四區(qū)域、所述第五區(qū)域和所述第六區(qū)域設(shè)置在所述第二區(qū)域的徑向向外處。
5.如權(quán)利 要求4所述的腔室，其中所述第三區(qū)域、所述第四區(qū)域、所述第五區(qū)域和所述第六區(qū)域每個(gè)延伸圍繞所述基板支撐件的圓周約90度。
6.如權(quán)利要求1所述的腔室，其中所述腔室主體進(jìn)一步包含熱絕緣襯里和流體管道，所述熱絕緣襯里設(shè)置在所述腔室主體的內(nèi)表面上，所述流體管道形成在所述腔室主體中以容納溫度控制流體。
7.一種腔室，包含: 腔室主體，所述腔室主體包含鋁； 基板支撐件，所述基板支撐件設(shè)置在所述腔室主體內(nèi)，所述基板支撐件具有多個(gè)區(qū)域，所述多個(gè)區(qū)域可被獨(dú)立地加熱以加熱定位在所述基板支撐件上的基板；以及腔室蓋，所述腔室蓋設(shè)置在所述腔室主體上，所述腔室蓋包含: 蓋主體，所述蓋主體包含鋁，所述蓋主體具有圓形開口，所述圓形開口設(shè)置成穿過所述蓋主體； 反射板，所述反射板定位在所述圓形開口內(nèi)，并且所述反射板具有表面，所述表面鄰近于所述基板支撐件的上表面；以及 多個(gè)高溫計(jì)，所述高溫計(jì)設(shè)置成穿過形成在所述反射板中的開口，以在遍及所述基板表面的多個(gè)位置處測(cè)量所述基板的溫度，其中所述多個(gè)高溫計(jì)中的每一個(gè)高溫計(jì)對(duì)應(yīng)于所述多個(gè)區(qū)域中的一個(gè)所述區(qū)域。
8.如權(quán)利要求7所述的腔室，其中所述多個(gè)區(qū)域包含第一區(qū)域和第二區(qū)域，所述第一區(qū)域具有圓形形狀并且設(shè)置在所述基板支撐件中央上，所述第二區(qū)域環(huán)繞所述第一區(qū)域。
9.如權(quán)利要求8所述的腔室，其中所述多個(gè)區(qū)域進(jìn)一步包含第三區(qū)域、第四區(qū)域、第五區(qū)域和第六區(qū)域，并且其中所述第三區(qū)域、所述第四區(qū)域、所述第五區(qū)域和所述第六區(qū)域設(shè)置在所述第二區(qū)域的徑向向外處。
10.如權(quán)利要求9所述的腔室，其中所述基板支撐件包含多個(gè)可獨(dú)立控制的電阻式加熱元件。
11.如權(quán)利要求10所述的腔室，其中所述多個(gè)可獨(dú)立控制的電阻式加熱元件被調(diào)整以響應(yīng)由所述多個(gè)高溫計(jì)測(cè)量的溫度，并且其中所述腔室主體進(jìn)一步包含熱絕緣襯里，所述熱絕緣襯里設(shè)置在所述腔室主體的內(nèi)表面上。
12.—種腔室，包含: 腔室主體，所述腔室主體包含鋁； 基板支撐件，所述基板支撐件設(shè)置在所述腔室主體內(nèi)，所述基板支撐件具有多個(gè)區(qū)域，所述多個(gè)區(qū)域可被獨(dú)立地加熱以加熱定位在所述基板支撐件上的基板，其中所述多個(gè)區(qū)域中的每一個(gè)區(qū)域包含電阻式加熱元件； 腔室蓋，所述腔室蓋設(shè)置在所述腔室主體上，所述腔室蓋包含: 蓋主體，所述蓋主體包含鋁，所述蓋主體具有圓形開口，所述圓形開口設(shè)置成穿過所述蓋主體； 反射板，所述反射板定位在所述圓形開口內(nèi)，并且所述反射板具有表面，所述表面鄰近于所述基板支撐件的上表面；以及 多個(gè)高溫計(jì)，所述多個(gè)高溫計(jì)設(shè)置成穿過形成在所述反射板中的開口，以在遍及所述基板表面的多個(gè)位置處測(cè)量所述基板的溫度，其中所述多個(gè)高溫計(jì)中的每一個(gè)高溫計(jì)對(duì)應(yīng)于所述多個(gè)區(qū)域 中的一個(gè)所述區(qū)域；以及 控制器，所述控制器耦接至每一個(gè)區(qū)域的所述電阻式加熱元件并且耦接至所述多個(gè)高溫計(jì)，所述控制器適于基于來自所述多個(gè)高溫計(jì)每個(gè)的信號(hào)控制施加至每一個(gè)區(qū)域的所述電阻式加熱元件的功率量。
13.如權(quán)利要求12所述的腔室，其中所述多個(gè)區(qū)域包含第一區(qū)域和第二區(qū)域，所述第一區(qū)域具有圓形形狀并且設(shè)置在所述基板支撐件中央上，所述第二區(qū)域環(huán)繞所述第一區(qū)域。
14.如權(quán)利要求13所述的腔室，其中所述多個(gè)區(qū)域進(jìn)一步包含第三區(qū)域、第四區(qū)域、第五區(qū)域和第六區(qū)域，并且其中所述第三區(qū)域、所述第四區(qū)域、所述第五區(qū)域和所述第六區(qū)域設(shè)置在所述第二區(qū)域的徑向向外處。
15.如權(quán)利要求14所述的腔室，其中所述第三區(qū)域、所述第四區(qū)域、所述第五區(qū)域和所述第六區(qū)域每個(gè)延伸圍繞所述基板支撐件的圓周約90度，并且其中所述基板支撐件由鋁形成，所述電阻式加熱元件包含鑰。
【文檔編號(hào)】H01L21/02GK103858214SQ201280048459
【公開日】2014年6月11日 申請(qǐng)日期:2012年10月22日 優(yōu)先權(quán)日:2011年11月3日
【發(fā)明者】柯克·莫里茨, 阿倫·繆爾·亨特 申請(qǐng)人:應(yīng)用材料公司