高壓晶體管器件和制造方法
【專利摘要】在襯底(1)的上側(cè)(10)上將第一導(dǎo)電類型的體部區(qū)域(3)設(shè)置在凹部(2)中，其中凹部的沒(méi)有由體部區(qū)域所占據(jù)的部分具有與第一傳導(dǎo)類型相反的第二傳導(dǎo)類型。在上側(cè)上，將源極區(qū)域(4)設(shè)置在體部區(qū)域中并且將漏極區(qū)域(5)以距體部區(qū)域一定間距的方式設(shè)置在凹部中；源極區(qū)域和漏極區(qū)域這兩者都具有第二傳導(dǎo)類型。體部區(qū)域設(shè)置在上側(cè)的表面區(qū)域之下，所述表面區(qū)域具有邊緣(7)，所述邊緣具有彼此相對(duì)置的第一邊緣側(cè)(8)。凹部在襯底中具有不同的深度。凹部的深度在體部區(qū)域的第一邊緣側(cè)之下小于在體部區(qū)域的與第一邊緣側(cè)間隔開(kāi)的部分中。
【專利說(shuō)明】高壓晶體管器件和制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種用于高壓應(yīng)用的晶體管器件，所述晶體管器件在穿通電壓和源極漏極阻斷電壓方面得到改進(jìn)。
【背景技術(shù)】
[0002]與襯底絕緣的高壓NMOS晶體管在P型襯底中具有深的η型凹部。體部區(qū)域嵌入到η型凹部中，所述η型凹部與漏極連接。在常規(guī)運(yùn)行中，在體部上能夠施加最高的電勢(shì)VDD。為了不出現(xiàn)襯底體部穿通，在襯底和體部之間引入足夠高的η型摻雜。優(yōu)選在電學(xué)特性方面對(duì)體部和凹部之間的ρη結(jié)進(jìn)行優(yōu)化。如果體部位于襯底電勢(shì)上并且漏極位于VDD上(阻斷情況)，那么在體部和凹部之間的ρη結(jié)上出現(xiàn)沿截止方向的電壓，并且相對(duì)陡的ρη結(jié)能夠引起過(guò)早的擊穿。研究已經(jīng)證實(shí):擊穿主要出現(xiàn)在凹部角部上并且尤其出現(xiàn)在晶體管頂部上。將晶體管的下述邊緣區(qū)域稱作為晶體管頂部(transistor head, transistorfingertip),所述邊緣區(qū)域位于電流流過(guò)通道的縱向方向的側(cè)向。
[0003]在US 7 663 203和DE 10 2005 054 672 Al中描述高壓晶體管的對(duì)稱結(jié)構(gòu)，從中
得出晶體管頂部相對(duì)于源極、漏極和通道的位置。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的是，提出一種具有有利的運(yùn)行特性、尤其關(guān)于穿通電壓和源極漏極阻擋電壓具有有利的運(yùn)行特性的高壓晶體管器件。也應(yīng)當(dāng)為器件提出一種制造方法。
[0005]所述目的借助具有權(quán)利要求1的特征的高壓晶體管器件或者借助具有權(quán)利要求6的特征的制造方法來(lái)實(shí)現(xiàn)。在從屬權(quán)利要求中得出設(shè)計(jì)方案。
[0006]高壓晶體管器件具有帶有摻雜的凹部的半導(dǎo)體襯底，所述凹部在襯底中具有下邊界面。下邊界面距襯底的上側(cè)的間距變化，使得凹部在襯底中具有不同的深度。在此，凹部的深度總是理解為凹部的下述尺寸，所述尺寸在垂直于上側(cè)的方向上以進(jìn)入到半導(dǎo)體襯底中的方式測(cè)量并且從上側(cè)伸展至凹部的下邊界面。
[0007]在襯底的上側(cè)上，在摻雜的凹部中設(shè)置有第一導(dǎo)電類型的體部區(qū)域，其中摻雜的凹部的沒(méi)有由體部區(qū)域所占據(jù)的部分具有與第一傳導(dǎo)類型相反的第二傳導(dǎo)類型。體部區(qū)域在襯底的上側(cè)上具有邊緣，所述邊緣具有彼此相對(duì)置的第一邊緣側(cè)和彼此相對(duì)置的第二邊緣側(cè)。第二傳導(dǎo)類型的源極區(qū)域至少在第二邊緣側(cè)上設(shè)置在體部區(qū)域中。第二傳導(dǎo)類型的漏極區(qū)域與源極區(qū)域相對(duì)地以距體部區(qū)域一定間距的方式在上側(cè)上設(shè)置在凹部中。
[0008]襯底的上側(cè)和凹部的下邊界面之間的間距在體部區(qū)域的第一邊緣側(cè)上比在第二邊緣側(cè)上小。因此，凹部的深度在體部區(qū)域的第一邊緣側(cè)之下比在體部區(qū)域的與第一邊緣側(cè)間隔開(kāi)并且包括通道區(qū)域的部分中小。
[0009]體部區(qū)域的第一邊緣側(cè)位于晶體管頂部(transistor head, transistorfingertip)，即晶體管的相對(duì)于通道區(qū)域側(cè)向的邊緣區(qū)域，所述邊緣區(qū)域在晶體管運(yùn)行中位于源極和漏極之間的電流流動(dòng)之外。[0010]在高壓晶體管器件的一個(gè)實(shí)施例中，將體部區(qū)域的以距體部區(qū)域的第一邊緣側(cè)一定間距的方式存在于源極區(qū)域和漏極區(qū)域之間的部分設(shè)為通道區(qū)域。
[0011]在另一個(gè)實(shí)施例中，凹部在源極區(qū)域和漏極區(qū)域之間具有降低的摻雜材料濃度。在另一個(gè)實(shí)施例中，第一邊緣側(cè)短于第二邊緣側(cè)。
[0012]在另一個(gè)實(shí)施例中，半導(dǎo)體襯底鄰近于凹部、更確切地說(shuō)在下邊界面的背離體部區(qū)域的一側(cè)上具有第一傳導(dǎo)類型。這尤其當(dāng)半導(dǎo)體襯底設(shè)有用于第一傳導(dǎo)類型的基本摻雜時(shí)是這種情況。摻雜的凹部尤其能夠設(shè)為用于將體部區(qū)域與襯底絕緣的深的凹部。在典型的實(shí)施例中，第一傳導(dǎo)類型是P型傳導(dǎo)并且第二傳導(dǎo)類型是η型傳導(dǎo)。
[0013]在制造方法中，在半導(dǎo)體襯底的上側(cè)上借助于注入摻雜材料將第一傳導(dǎo)類型的體部區(qū)域在相反的第二傳導(dǎo)類型的凹部中制造，使得凹部包圍體部區(qū)域的邊緣，所述邊緣具有相對(duì)置的第一邊緣側(cè)。在上側(cè)上，在體部區(qū)域中形成第二傳導(dǎo)類型的源極區(qū)域，并且以距體部區(qū)域一定間距的方式在凹部中形成第二傳導(dǎo)類型的漏極區(qū)域。凹部形成為，使得其在垂直于上側(cè)的方向上在體部區(qū)域的第一邊緣側(cè)的區(qū)域中與在體部區(qū)域的與第一邊緣側(cè)間隔開(kāi)的中部部分中相比不那么深地進(jìn)入到半導(dǎo)體襯底中。對(duì)此使用下述注入掩膜，所述注入掩模具有在第一邊緣側(cè)的區(qū)域中縮小的開(kāi)口。
[0014]在方法的一個(gè)實(shí)施例中，注入掩膜的開(kāi)口在體部區(qū)域的第一邊緣側(cè)的區(qū)域中通過(guò)下述方式縮小:將開(kāi)口在第一邊緣側(cè)的區(qū)域中多次劃分，相反地在所述區(qū)域之外是連續(xù)的。
[0015]在方法的另一個(gè)實(shí)施例中，將開(kāi)口在體部區(qū)域的第一邊緣側(cè)的區(qū)域中劃分成平行于第一邊緣側(cè)并且橫向于第二邊緣側(cè)定向的條帶。
[0016]在方法的另一個(gè)實(shí)施例中，注入掩膜的開(kāi)口劃分成設(shè)置在體部區(qū)域之上的部分和與其分離的設(shè)置在漏極區(qū)域之上的部分。設(shè)置在體部區(qū)域之上的部分在平行于體部區(qū)域的第一邊緣側(cè)伸展的方向上具有下述尺寸，所述尺寸在第一邊緣側(cè)的區(qū)域中比距第一邊緣側(cè)一定間距時(shí)小。
[0017]在方法的另一個(gè)實(shí)施例中，注入掩膜的開(kāi)口同樣劃分成設(shè)置在體部區(qū)域之上的部分和與其分離的設(shè)置在漏極區(qū)域之上的部分。設(shè)置在漏極區(qū)域之上的部分在平行于體部區(qū)域的第一邊緣側(cè)伸展的方向上具有下述尺寸，所述尺寸在第一邊緣側(cè)的直線延長(zhǎng)上比在第一邊緣側(cè)的直線延長(zhǎng)之間的區(qū)域中小。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0018]下面借助所附的附圖對(duì)高壓晶體管器件和制造方法的實(shí)例進(jìn)行更詳細(xì)的描述。
[0019]圖1示出用于高壓晶體管器件的一個(gè)實(shí)施例的掩膜和注入?yún)^(qū)域的位置的示意俯視圖。
[0020]圖2示出在圖1中標(biāo)記的剖面線Η-Η’處的橫截面。
[0021]圖3示出另一個(gè)實(shí)施例的根據(jù)圖1的示意俯視圖。
【具體實(shí)施方式】
[0022]圖1示出高壓晶體管器件的一個(gè)實(shí)施例的示意俯視圖的一部分。晶體管部件的設(shè)置在該實(shí)施例中關(guān)于兩個(gè)正交的方向是鏡像對(duì)稱的。圖1示出區(qū)域和掩膜在半導(dǎo)體襯底I的上側(cè)10上的邊界。例如η型傳導(dǎo)摻雜的凹部2在上側(cè)10上位于半導(dǎo)體襯底I中，所述半導(dǎo)體襯底例如具有用于P型傳導(dǎo)的本征導(dǎo)電性或基本摻雜。傳導(dǎo)類型能夠互換。
[0023]凹部2借助于注入摻雜材料來(lái)制造。為此應(yīng)用的具有開(kāi)口 12的注入掩膜11的結(jié)構(gòu)在圖1中示意示出并且在更下面描述。體部區(qū)域3在襯底I的上側(cè)10上設(shè)置在凹部2中并且具有與凹部2相反的傳導(dǎo)類型，在所提出的實(shí)例中即為P型傳導(dǎo)。凹部2的沒(méi)有由體部區(qū)域3所占據(jù)的部分具有凹部2的傳導(dǎo)類型，在該實(shí)例中即為η型傳導(dǎo)。盡管體部區(qū)域3在制造方面同樣為摻雜的凹部，在該說(shuō)明書和權(quán)利要求中，應(yīng)當(dāng)總是將凹部理解為摻雜的凹部2。
[0024]在上側(cè)10上通過(guò)邊緣7對(duì)體部區(qū)域3限界，所述邊緣至少近似圍成矩形并且具有彼此相對(duì)置的第一邊緣側(cè)8以及彼此相對(duì)置的第二邊緣側(cè)18。圖1示出具有最小通道長(zhǎng)度的器件，其中第一邊緣側(cè)8形成矩形的窄邊并且第二邊緣側(cè)18形成矩形的長(zhǎng)邊。代替于此，與該實(shí)施例的其他的特征無(wú)關(guān)地，第一邊緣側(cè)8與第二邊緣側(cè)18相比能夠是一樣長(zhǎng)或更長(zhǎng)的。為了簡(jiǎn)化，針對(duì)最小的通道長(zhǎng)度的情況描述全部實(shí)施例，并且第一邊緣側(cè)8分別稱作為窄邊8并且第二邊緣側(cè)18稱作為長(zhǎng)邊。
[0025]在長(zhǎng)邊18上分別存在凹部2的傳導(dǎo)類型的源極區(qū)域4。凹部2的傳導(dǎo)類型的漏極區(qū)域5與源極區(qū)域4相對(duì)地以距體部區(qū)域3 —定間距的方式在上側(cè)10上設(shè)置在凹部2中。在源極和漏極之間，在體部區(qū)域3中存在通道區(qū)域6，所述通道區(qū)域借助于設(shè)置在上側(cè)的沒(méi)有示出的柵極電極以已知的方式來(lái)控制。晶體管關(guān)于在圖1中標(biāo)記的剖面Η-Η’是鏡像對(duì)稱的。
[0026]在圖1中也能夠看到有源區(qū)域9的邊界。這是上側(cè)10的下述區(qū)域，在所述區(qū)域上，襯底I的半導(dǎo)體材料沒(méi)有由絕緣區(qū)域覆蓋。在有源區(qū)域9中能夠?qū)⒂糜谠礃O和漏極的外部的電端子、體部端子13以及柵極電極設(shè)置在柵極絕緣層之上。
[0027]在圖1中示出的注入掩膜11具有開(kāi)口 12，所述開(kāi)口在圍繞體部區(qū)域3的窄邊8的區(qū)域中通過(guò)多次劃分縮小。劃分通過(guò)注入掩膜11的條帶14來(lái)實(shí)現(xiàn)，并且這些條帶14平行于體部區(qū)域3的窄邊8并且橫向于長(zhǎng)邊18定向。通過(guò)條帶14部分地遮蔽注入，使得在圍繞窄邊8的區(qū)域中引入少量的摻雜材料并且凹部2在那里與在體部區(qū)域3的中部中相比更淺地構(gòu)成。窄邊8關(guān)于在晶體管運(yùn)行中在源極和漏極之間流過(guò)通道區(qū)域6的電流的方向位于晶體管的邊緣、位于晶體管頂部(transistor head, transistor fingertip)。因此,在那里，凹部2與電流流過(guò)通道的區(qū)域中相比構(gòu)成為是更淺的。從體部區(qū)域3的窄邊8直至凹部2基本上達(dá)到完整深度的中央?yún)^(qū)域的尺寸E通過(guò)對(duì)于摻雜材料典型的擴(kuò)散長(zhǎng)度來(lái)確定并且能夠適應(yīng)于相應(yīng)的要求。
[0028]圖2示出在圖1中標(biāo)記的在對(duì)稱平面H-H’中的橫截面。在半導(dǎo)體襯底I中，在襯底I的上側(cè)10上存在摻雜的凹部2和嵌入其中的體部區(qū)域3。在有源區(qū)域9中能夠設(shè)有體部端子13。上側(cè)10的其余區(qū)域由絕緣區(qū)域19覆蓋，例如由場(chǎng)氧化層或優(yōu)選由淺溝槽絕緣部(STI, shallow trench isolation,淺槽隔離)覆蓋。凹部2的下邊界面20距上側(cè)10的垂直于上側(cè)10測(cè)量的間距F、G局部不同，因?yàn)榘疾?的深度變化。在體部區(qū)域3的中央?yún)^(qū)域中，凹部2具有設(shè)為用于晶體管的通道區(qū)域的深度，所述深度對(duì)應(yīng)于在圖2左側(cè)上的間距F。在靠近體部區(qū)域3的窄邊8的區(qū)域中，凹部2具有較小的深度，所述深度對(duì)應(yīng)于在圖2右側(cè)上的間距G。不同深的凹部2能夠?qū)崿F(xiàn):以小的耗費(fèi)優(yōu)化靠近晶體管頂部的圍繞體部區(qū)域3的側(cè)邊緣的區(qū)域并且在沒(méi)有在體部區(qū)域3的角部擊穿的危險(xiǎn)的情況下能夠?qū)崿F(xiàn)凹部2中的對(duì)于小的導(dǎo)通電阻而言足夠高的摻雜材料濃度。
[0029]圖3示出一個(gè)實(shí)施例的對(duì)應(yīng)于圖1的示意圖，其中凹部2借助于在源極和漏極之間中斷的注入來(lái)制造。根據(jù)圖1的實(shí)施例對(duì)于設(shè)為用于典型為15V至30V的電壓范圍的器件而言是尤其有利的，并且根據(jù)圖3的實(shí)施例對(duì)于設(shè)為用于典型為30V至120V的電壓范圍的器件而言是尤其有利的。用于制造根據(jù)圖3的實(shí)施例的凹部2的注入掩膜11具有開(kāi)口12，所述開(kāi)口具有設(shè)置在體部區(qū)域3之上的部分15和與其分離的設(shè)置在漏極區(qū)域5之上的部分16。其余的部件對(duì)應(yīng)于根據(jù)圖1的實(shí)施例的部件并且設(shè)有相同的附圖標(biāo)記。晶體管的所示出的部分是與圖1中相同的部分，這允許對(duì)實(shí)施例進(jìn)行直接比較。根據(jù)所繪制的尺寸A和B，體部區(qū)域3的窄邊8能夠具有距注入掩膜11的開(kāi)口 12的部分15的邊緣的間距(尺寸A)或距有源區(qū)域9的邊緣的間距(尺寸B)。注入掩膜11的開(kāi)口 12的部分15、16彼此間在通道區(qū)域中具有間距WX并且在與其正交的方向上在晶體管頂部處具有間距WY。在優(yōu)選的實(shí)施例中，WY大于WX。
[0030]注入掩膜11的開(kāi)口 12縮小的區(qū)域以距體部區(qū)域3的窄邊8的直線延伸一定間距開(kāi)始，所述間距具有尺寸E。在朝向晶體管頂部的方向上，開(kāi)口 12從通過(guò)尺寸E確定的部位起比在中部區(qū)域中更窄。這例如能夠如在圖3中示出的那樣通過(guò)開(kāi)口 12的邊緣中的凸起在部分15中、在部分16中或在這兩個(gè)部分15、16中實(shí)現(xiàn)，例如在尺寸C或D的階梯中實(shí)現(xiàn)。設(shè)置在漏極區(qū)域3之上的部分16能夠靠近晶體管頂部尤其在兩側(cè)收縮，這也在圖3中示出。因此，部分16在平行于體部區(qū)域3的窄邊8伸展的方向上具有尺寸K、L，所述尺寸在窄邊8的直線延長(zhǎng)上(在與體部區(qū)域3的角部相對(duì)的區(qū)域中的尺寸K)與距窄邊8的直線延長(zhǎng)至少為尺寸E的間距時(shí)(在區(qū)域17之間的設(shè)為用于電流流動(dòng)的區(qū)域中的尺寸L)相比更小。開(kāi)口 12、15、16的側(cè)向的收窄部或收縮部不一定以階梯的方式實(shí)現(xiàn)，而是也能夠代替于此連續(xù)地實(shí)現(xiàn)。如圖2的橫截面示出的在凹部2的下邊界面20中的明顯的階梯對(duì)于晶體管的功能是優(yōu)選的，使得注入掩膜11的開(kāi)口 12的大小在晶體管頂部附近的跳躍式的變化是有利的。
[0031]在注入設(shè)為用于凹部2的摻雜材料之后，通過(guò)摻雜材料的擴(kuò)散形成連續(xù)的凹部2。在該實(shí)施例中，在通過(guò)注入掩膜11的開(kāi)口 12的部分15、16限定的原始的注入?yún)^(qū)域之間的區(qū)域中，凹部2僅借助于擴(kuò)散的摻雜材料來(lái)形成。因此，凹部2在原始的注入?yún)^(qū)域之間更低地?fù)诫s并且在那里與在原始的注入?yún)^(qū)域中相比具有更小的深度。這表示，凹部2在源極區(qū)域4和漏極區(qū)域5之間具有降低的摻雜材料濃度和減小的深度F。凹部2的所述特性對(duì)于較高的電壓是有利的。
[0032]所描述的制造方法具有下述優(yōu)點(diǎn):單獨(dú)地通過(guò)為制造摻雜的凹部應(yīng)用的注入掩膜的設(shè)計(jì)方案允許對(duì)晶體管特性的優(yōu)化。因此，盡管附加的制造耗費(fèi)小，該方法仍能夠?qū)崿F(xiàn)顯著地改進(jìn)晶體管器件的運(yùn)行特性和可靠性。
[0033]附圖標(biāo)記列表
[0034]I半導(dǎo)體襯底
[0035]2 凹部
[0036]3體部區(qū)域
[0037]4源極區(qū)域
[0038]5漏極區(qū)域[0039]6通道區(qū)域
[0040]7邊緣
[0041]8第一邊緣側(cè)
[0042]9有源區(qū)域
[0043]10上側(cè)
[0044]11注入掩膜
[0045]12開(kāi)口
[0046]13體部端子
[0047]14條帶
[0048]15開(kāi)口的部分
[0049]16開(kāi)口的部分
[0050]17開(kāi)口的區(qū)域
[0051]18第二邊緣側(cè)
[0052]19絕緣區(qū)域
[0053]20下邊界面
[0054]A距體部窄邊的間距的尺寸
[0055]B距體部窄邊的間距的尺寸
[0056]C掩膜開(kāi)口的邊緣中的階梯的尺寸
[0057]D掩膜開(kāi)口的邊緣中的階梯的尺寸
[0058]E距體部窄邊的間距的尺寸
[0059]F間距，凹部的深度
[0060]G間距，凹部的深度
[0061]K掩膜開(kāi)口的寬度的尺寸
[0062]L掩膜開(kāi)口的寬度的尺寸 [0063]WX距凹部的間距的尺寸
[0064]WY距凹部的間距的尺寸
【權(quán)利要求】
1.一種高壓晶體管器件，具有: -具有上側(cè)(10)的半導(dǎo)體襯底(I)， -摻雜的凹部(2)，所述凹部在所述半導(dǎo)體襯底(I)中具有下邊界面(20)，使得在所述上側(cè)(10)和所述下邊界面(20)之間存在間距(F，G)， -體部區(qū)域(3)，所述體部區(qū)域設(shè)置在所述凹部(2)中并且在所述上側(cè)(10)上具有邊緣(7)，所述邊緣具有彼此相對(duì)置的第一邊緣側(cè)(8)和彼此相對(duì)置的第二邊緣側(cè)(18)，其中所述體部區(qū)域(3)具有第一導(dǎo)電類型，并且其中所述凹部(2)的沒(méi)有由所述體部區(qū)域(3)所占據(jù)的部分具有與第一傳導(dǎo)類型相反的第二傳導(dǎo)類型， -源極區(qū)域(4)，所述源極區(qū)域在所述第二邊緣側(cè)(18)中的一個(gè)處設(shè)置在所述體部區(qū)域(3)中并且具有所述第二傳導(dǎo)類型，和 -漏極區(qū)域(5)，所述漏極區(qū)域與所述源極區(qū)域(4)相對(duì)地以距所述體部區(qū)域(3) —定間距的方式在所述上側(cè)(10)上設(shè)置在所述凹部(2)中并且具有所述第二傳導(dǎo)類型， 其特征在于， -在所述上側(cè)(10)和所述凹部(2)的所述下邊界面(20)之間的間距(F，G)在所述體部區(qū)域(3)的所述 第一邊緣側(cè)(8)處比在所述第二邊緣側(cè)(18)處小。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高壓晶體管器件，其中將所述體部區(qū)域(3)的以距所述體部區(qū)域(3)的所述第一邊緣側(cè)(8) —定間距的方式存在于所述源極區(qū)域(4)和所述漏極區(qū)域(5)之間的部分設(shè)為通道區(qū)域(6)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的高壓晶體管器件，其中所述凹部(2)在所述源極區(qū)域(4)和所述漏極區(qū)域(5)之間具有降低的摻雜材料濃度。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中的任一項(xiàng)所述的高壓晶體管器件，其中所述第一邊緣側(cè)(8)短于所述第二邊緣側(cè)(18)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中的任一項(xiàng)所述的高壓晶體管器件，其中所述半導(dǎo)體襯底(I)鄰近于所述凹部(2)具有所述第一傳導(dǎo)類型。
6.一種用于高壓晶體管器件的制造方法，其中 -在半導(dǎo)體襯底(I)的上側(cè)(10)上，借助于注入摻雜材料將第一傳導(dǎo)類型的體部區(qū)域(3)制造在相反的第二傳導(dǎo)類型的凹部(2)中，使得所述凹部(2)包圍所述體部區(qū)域(3)的具有相對(duì)置的第一邊緣側(cè)(8)的邊緣(7)， -在所述上側(cè)(10)上，在所述體部區(qū)域(3)中形成所述第二傳導(dǎo)類型的源極區(qū)域(4)，并且 -在所述上側(cè)(10)上，以距所述體部區(qū)域(3) —定間距的方式在所述凹部(2)中形成所述第二傳導(dǎo)類型的漏極區(qū)域(5)， 其特征在于， -所述凹部(2)形成為，使得其在垂直于所述上側(cè)(10)的方向上在所述第一邊緣側(cè)(8)的區(qū)域中與在所述體部區(qū)域(3)的與所述第一邊緣側(cè)(8)間隔開(kāi)的部分中相比不那么深地進(jìn)入到所述半導(dǎo)體襯底(I)中，并且對(duì)此 -使用注入掩膜(11)，所述注入掩模具有開(kāi)口(12)，所述開(kāi)口在所述第一邊緣側(cè)(8)的區(qū)域中縮小。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制造方法，其中將所述注入掩膜(11)的所述開(kāi)口(12)在所述第一邊緣側(cè)(8)的區(qū)域中多次劃分進(jìn)而縮小。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的制造方法，其中將所述開(kāi)口(12)通過(guò)所述注入掩膜(11)的平行于所述第一邊緣側(cè)(8)并且橫向于第二邊緣側(cè)(18)定向的條帶(14)來(lái)劃分。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的制造方法，其中將所述注入掩膜(11)的所述開(kāi)口(12)劃分成設(shè)置在所述體部區(qū)域(3)之上的部分(15)和與其分離的設(shè)置在所述漏極區(qū)域(5)之上的部分(16)，并且所述設(shè)置在所述體部區(qū)域(3)之上的部分(15)在平行于所述體部區(qū)域(3)的所述第一邊緣側(cè)(8)伸展的方向上具有下述尺寸，所述尺寸在所述第一邊緣側(cè)(8)的區(qū)域中比在距所述第一邊緣側(cè)(8) —定間距時(shí)小。
10.根據(jù)權(quán)利要求6或9所述的制造方法，其中將所述注入掩膜(11)的所述開(kāi)口(12)劃分成設(shè)置在所述體部區(qū)域(3)之上的部分(15)和與其分離的設(shè)置在所述漏極區(qū)域(5)之上的部分(16)，并且所述設(shè)置在所述漏極區(qū)域(3)之上的部分(16)在平行于所述體部區(qū)域(3)的所述第一邊緣側(cè)(8)伸展的方向上具有下述尺寸(K，L)，所述尺寸在所述第一邊緣側(cè)(8)的直線延長(zhǎng)上比在所述第一邊緣側(cè)(8)的直線延長(zhǎng)之間的區(qū)域中小。
【文檔編號(hào)】H01L21/266GK103988287SQ201280061404
【公開(kāi)日】2014年8月13日 申請(qǐng)日期:2012年11月21日 優(yōu)先權(quán)日:2011年12月14日
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