使用三氟化氯的裝置中的三氟化氯供給路的內(nèi)面處理方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種能夠確實(shí)地抑制在處理作業(yè)時(shí)反應(yīng)室中的ClF3濃度的降低的三氟化氯供給路的內(nèi)面處理方法。使作為蝕刻氣體使用三氟化氯的處理裝置的處理腔室(1)與氣體供給路(2)和氣體排出路(3)連結(jié)成一體，使與蝕刻處理操作時(shí)供給的三氟化氯氣體濃度相同的濃度或者比該濃度高的濃度的三氟化氯氣體作用于該形成一體的處理腔室(1)、氣體供給路(2)和氣體排出路(3)中的至少處理腔室(1)和氣體供給路(2)的內(nèi)面，至少對(duì)處理腔室(1)和氣體供給路(2)的內(nèi)面通過氟化膜形成覆膜。
【專利說明】:0
材料表面形成由氟化物構(gòu)成的覆膜的金屬[度的降低進(jìn)行抑制的技術(shù)(專利文獻(xiàn)1)。公報(bào)。
化膜的材料來構(gòu)成配管路，因此，在配管彼、引起的連接部不被氟化膜所覆蓋，無法防法防止反應(yīng)室內(nèi)濃度的降低。
其目的在于提供一種能夠確實(shí)地抑制在處共給路的內(nèi)面處理方法。
？ 1的發(fā)明的特征在于，使作為蝕刻氣體使氟化氯氣體，作用于構(gòu)成使用三氟化氯的裝置的至少處理腔室和氣體供給路的內(nèi)面，在處理腔室和氣體供給路的內(nèi)面通過氟化膜形成覆膜，由此，在未被氟化膜覆蓋的配管彼此之間、配管與機(jī)器之間的熔接連接部、接頭引起的連接部處，未被氟化膜覆蓋的部位已不存在，當(dāng)使用ClF3進(jìn)行蝕刻等處理作業(yè)時(shí)供給的ClF3不會(huì)吸附于構(gòu)成配管、腔室的金屬原料上，因此，能夠確實(shí)地抑制ClF3的處理作業(yè)時(shí)的濃度的降低。
[0016]另外，如技術(shù)方案2所公開的那樣，優(yōu)選在處理腔室和氣體供給路的內(nèi)面通過氟化膜形成覆膜的暴露處理是在室溫(20~30°C)實(shí)施。由此，在配管、腔室的內(nèi)壁面不會(huì)發(fā)生加熱偏差，能夠均勻地形成用以抑制濃度降低的充分的氟化膜。若在60°C以上的高溫環(huán)境中實(shí)施該暴露處理，則所謂配管內(nèi)發(fā)生腐蝕的負(fù)面效果顯著。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0017]圖1是表示適用本發(fā)明的使用三氟化氯的裝置的一個(gè)實(shí)例的概要結(jié)構(gòu)圖。
[0018]圖2是表不處理時(shí)間與蝕刻量的關(guān)系的圖表。
【具體實(shí)施方式】
[0019]作為本發(fā)明的實(shí)施方式，是以使用三氟化氯(ClF3)作為處理氣體或清洗氣體的半導(dǎo)體薄膜制造裝置為例進(jìn)行說明。該半導(dǎo)體薄膜裝置，是由CVD裝置、PVD裝置、外延生長(zhǎng)裝置等的處理腔室(I)、對(duì)該處理腔室(I)導(dǎo)入處理氣體的氣體供給路(2)、以及連接于處理腔室(I)且導(dǎo)出前述處理氣體的氣體排出路(3)所構(gòu)成。
[0020]在氣體供給路(2)的氣體導(dǎo)入側(cè)的端部，分岔成兩股，并通過分別安裝在各分岔路的調(diào)節(jié)器(4)和質(zhì)量流量控制器(5)，使一端連接于三氟化氯(ClF3)的供給源(6)，而另一端于連接氬氣(Ar)的供給源(7)。
[0021]在連接于處理腔室(I)的氣體排出路(3)中，從處理腔室(I)側(cè)起依次安裝有可調(diào)流量閥(8)、真空泵(9)、除害裝置(10)。
[0022]例如，在半導(dǎo)體、太陽能電池等的制造中規(guī)格化的薄膜形成用的CVD裝置、PVD裝置等的膜形成操作系統(tǒng)中，使用硅烷系氣體在基板上形成Si薄膜，并在該Si薄膜的蝕刻處理中使用ClF3氣體。
[0023]本發(fā)明是，在通過ClF3氣體進(jìn)行蝕刻處理前，使與蝕刻處理時(shí)的ClF3氣體濃度相同的或者比其更高濃度的ClF3氣體發(fā)生作用，針對(duì)處理腔室和氣體供給路的內(nèi)面，通過氟化膜形成覆膜。
[0024]如此一來，在通過ClF3氣體進(jìn)行蝕刻處理之前，使與蝕刻處理時(shí)的ClF3氣體濃度相同的或者比其更高濃度的ClF3氣體發(fā)生作用，并針對(duì)處理腔室和氣體供給路的內(nèi)面暴露ClF3氣體，由此預(yù)先使處理腔室和氣體供給路的內(nèi)面通過氟化膜形成覆膜，則配管系統(tǒng)和處理腔室的內(nèi)面全體被氟化膜所覆蓋，因此，能夠確實(shí)地抑制，在使用ClF3氣體進(jìn)行蝕刻等處理作業(yè)時(shí)供給的ClF3氣體被吸附于構(gòu)成配管、腔室的金屬原料上而導(dǎo)致ClF3氣體在處理作業(yè)時(shí)濃度降低。
[0025]此外，利用該ClF3氣體進(jìn)行的暴露處理(預(yù)處理)，優(yōu)選在室溫(20°C~30°C )實(shí)施。由此，在配管、腔室的內(nèi)壁面不會(huì)發(fā)生加熱偏差，因此，能夠均勻地形成用以抑制濃度降低的充分的氟化膜。若在60°C以上的高溫環(huán)境中實(shí)施利用該ClF3氣體進(jìn)行的暴露處理，則所謂配管內(nèi)發(fā)生腐蝕的負(fù)面效果顯著化。
[0026]實(shí)施例1
[0027]為了比較有沒有預(yù)先實(shí)施ClF3氣體的暴露處理對(duì)蝕刻處理的效果，通過圖1中所示的裝置，作為構(gòu)成氣體供給路(2)的配管，使用了按以下所示條件預(yù)先實(shí)施ClF3氣體的暴露處理的配管以及未實(shí)施暴露處理的配管，針對(duì)將處理腔室(I)內(nèi)已配置的多晶硅膜進(jìn)行制膜而成的試樣，按以下所示條件進(jìn)行了蝕刻。此外，作為減少ClF3氣體濃度的主要部位的、從氣動(dòng)閥(11)至手動(dòng)閥(12)之間的氣體供給路(2)，形成為配管直徑1/4"、配管長(zhǎng)度4m (配管內(nèi)壁表面積:54636mm2)。
[0028]ClF3的預(yù)先暴露處理?xiàng)l件如下所示。
[0029]ClF3 氣體濃度:100 % ;
[0030]溫度:室溫(20°C)。
[0031]此外，ClF3的預(yù)先暴露是通過將100% ClF3氣體封入處理系統(tǒng)內(nèi)保持72小時(shí)來實(shí)施。
[0032]蝕刻處理的條件如下所述:
[0033]ClF3 氣體濃度:500ppm( IS氣平衡);
[0034]處理腔室(I)內(nèi)壓強(qiáng):500Torr(66.7kPa)；
[0035]溫度:室溫(20°C)。
[0036]將其結(jié)果不于表1、表2中。
[0037]表1多晶硅(Poly-Si)的蝕刻量
[0038]
【權(quán)利要求】
1.一種使用三氟化氯的處理裝置中的內(nèi)面處理方法，其特征在于，其使作為蝕刻氣體使用三氟化氯的處理裝置的處理腔室(I)與氣體供給路(2)和氣體排出路(3)連結(jié)成一體，在通過三氟化氯氣體進(jìn)行蝕刻處理之前，使與蝕刻處理操作時(shí)供給的三氟化氯氣體濃度相同的濃度或者比該濃度高的濃度的三氟化氯氣體作用于該形成一體的處理腔室(I)、氣體供給路(2)和氣體排出路(3)中的至少處理腔室(I)和氣體供給路(2)的內(nèi)面，至少對(duì)處理腔室(I)和氣體供給路(2)的內(nèi)面通過氟化膜形成覆膜。
2.如權(quán)利要求1所述的使用三氟化氯的處理裝置中的內(nèi)面處理方法，其中，對(duì)處理腔室(I)和氣體供給路(2)的內(nèi)面通過氟化膜形成覆膜的三氟化氯氣體暴露處理，是在室溫環(huán)境20?30°C實(shí)施。
【文檔編號(hào)】H01L21/205GK104040699SQ201280066775
【公開日】2014年9月10日 申請(qǐng)日期:2012年2月8日 優(yōu)先權(quán)日:2012年2月8日
【發(fā)明者】吉野裕, 小池國(guó)彥, 佐枝學(xué), 真鍋俊樹 申請(qǐng)人:巖谷產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社