針對(duì)防止靜電夾盤(pán)的黏接粘合劑侵蝕的方法及設(shè)備的制作方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明的實(shí)施例提供具有保護(hù)性元件的腔室部件，該保護(hù)性元件用于遮蔽黏接材料隔絕處理環(huán)境中的處理環(huán)境。該保護(hù)性元件可包括保護(hù)性密封物、保護(hù)性結(jié)構(gòu)、抗侵蝕填料，或前述元件的組合。本發(fā)明的實(shí)施例減少用于處理腔室中的黏接材料的侵蝕，因而改良處理品質(zhì)并且減少維修成本。
【專(zhuān)利說(shuō)明】針對(duì)防止靜電夾盤(pán)的黏接粘合劑侵蝕的方法及設(shè)備

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明的實(shí)施例是關(guān)于由黏接材料所接合的復(fù)合式結(jié)構(gòu)，該黏接材料具有強(qiáng)化的 熱及/或化學(xué)穩(wěn)定性。尤其，本發(fā)明的實(shí)施例是關(guān)于一種靜電夾盤(pán)，該靜電夾盤(pán)具有由黏接 材料接合的兩個(gè)或更多個(gè)部件。

【背景技術(shù)】
[0002] 半導(dǎo)體處理腔室經(jīng)常包括通過(guò)以黏接材料將兩個(gè)或更多個(gè)部件黏接在一起以達(dá) 成期望性質(zhì)而形成的零件。例如，靜電夾盤(pán)用于在處理期間支撐及固定基板，該等靜電夾盤(pán) 通常包括介電圓盤(pán)（puck)，該介電圓盤(pán)通過(guò)導(dǎo)熱性黏接材料黏接金屬基座。該黏接材料提 供不同部件之間牢固的連接，同時(shí)該黏接材料提供導(dǎo)熱性及/或電絕緣。但是，該等黏接材 料可能對(duì)處理有負(fù)面影響，尤其是在該等工藝是在高溫下執(zhí)行或在嚴(yán)苛的化學(xué)環(huán)境中執(zhí)行 時(shí)。例如，當(dāng)暴露至等離子體，靜電夾盤(pán)中的黏接材料可能侵蝕且生成粒子，而引發(fā)處理腔 室中的粒子污染。
[0003] 本發(fā)明的實(shí)施例提供用于防止黏接材料侵蝕及粒子生成的設(shè)備與方法。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004] 本發(fā)明的實(shí)施例提供用于在處理環(huán)境中保護(hù)黏接材料隔絕處理環(huán)境的設(shè)備與方 法，該黏接材料用于接合諸如靜電夾盤(pán)之類(lèi)的腔室部件。
[0005] 本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例提供一種在處理腔室中使用的設(shè)備。該設(shè)備包括第一部件、 第二部件，以及黏接材料，該黏接材料接合該第一部件與該第二部件。該設(shè)備進(jìn)一步包括保 護(hù)性元件，該保護(hù)性元件用于防止該黏接材料在處理腔室中的侵蝕。
[0006] 本發(fā)明的另一實(shí)施例提供用于處理腔室的靜電夾盤(pán)。該靜電夾盤(pán)包含：夾盤(pán)主體， 具有上表面及與該上表面相對(duì)的下表面，該上表面被配置以將基板支撐在該上表面上；夾 盤(pán)基座，具有面向該夾盤(pán)主體的該下表面的上表面；以及黏接材料，將該夾盤(pán)主體的該下表 面與該夾盤(pán)基座的該上表面接合。該靜電夾盤(pán)進(jìn)一步包括保護(hù)性元件，用于防止該黏接材 料遭受處理腔室中的環(huán)境所引發(fā)的侵蝕。

【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0007] 通過(guò)參考實(shí)施例（一些實(shí)施例圖示于附圖中），可獲得于【
【發(fā)明內(nèi)容】
】中簡(jiǎn)要總結(jié) 的本發(fā)明的更特定的說(shuō)明，而能詳細(xì)了解于【
【發(fā)明內(nèi)容】
】記載的本發(fā)明的特征。然而應(yīng)注意 附圖僅圖示此發(fā)明的典型實(shí)施例，因而不應(yīng)將該等附圖視為限制本發(fā)明的范疇，因?yàn)楸景l(fā) 明可容許其他等效實(shí)施例。
[0008] 圖1A是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的具有保護(hù)性密封物的靜電夾盤(pán)的剖面?zhèn)纫?圖。
[0009] 圖1B是圖1A的靜電夾盤(pán)的放大部分剖面視圖。
[0010] 圖1C是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的靜電夾盤(pán)的放大部分剖面視圖。
[0011] 圖ID是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的靜電夾盤(pán)的放大部分剖面視圖。
[0012] 圖1E是圖1A的靜電夾盤(pán)的頂視圖，其中夾盤(pán)主體已移除。
[0013] 圖2A是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的具有保護(hù)性結(jié)構(gòu)的靜電夾盤(pán)的剖面?zhèn)纫晥D。
[0014] 圖2B是根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的具有保護(hù)性結(jié)構(gòu)的靜電夾盤(pán)的放大部分剖面 視圖。
[0015] 圖2C是根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的具有保護(hù)性結(jié)構(gòu)的靜電夾盤(pán)的放大部分剖面 視圖。
[0016] 圖3是根據(jù)本發(fā)明多個(gè)實(shí)施例的具有靜電夾盤(pán)的等離子體處理腔室的剖面?zhèn)纫?圖。
[0017] 為了助于了解，如可能則使用相同的元件符號(hào)標(biāo)注共用于該等附圖的相同元件。 應(yīng)考量在一個(gè)實(shí)施例中所揭露的元件及特征可有利地用于其他實(shí)施例，而無(wú)需特別記載。

【具體實(shí)施方式】
[0018] 本發(fā)明的實(shí)施例提供用于在處理環(huán)境中保護(hù)黏接材料隔絕處理環(huán)境的設(shè)備與方 法，該黏接材料用于接合諸如靜電夾盤(pán)之類(lèi)的腔室部件。在一個(gè)實(shí)施例中，保護(hù)性密封物設(shè) 置成環(huán)繞該黏接材料的邊緣，以防該黏接材料暴露至處理環(huán)境。另一實(shí)施例中，保護(hù)性結(jié)構(gòu) 形成在腔室部件中的黏接材料周?chē)?，以防止黏接材料直接暴露于處理環(huán)境。根據(jù)本發(fā)明的 另一實(shí)施例，包含硅填料與聚合物粘合劑基底的黏接材料用于接合腔室部件且其中粒子生 成減少。本發(fā)明的實(shí)施例減少用在處理腔室中的黏接材料的侵蝕，因此改良處理品質(zhì)并且 減少維修成本。
[0019] 圖1A是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的靜電夾盤(pán)100的剖面?zhèn)纫晥D。該靜電夾盤(pán)100 以可移動(dòng)式或以固定式定位在基板處理腔室中，以在處理期間支撐基板。靜電夾盤(pán)100包 括夾盤(pán)主體110,該夾盤(pán)主體110通過(guò)黏接材料130固定至夾盤(pán)基座120。保護(hù)性密封物 140設(shè)置在黏接材料130周?chē)?，以保護(hù)黏接材料130隔絕處理環(huán)境。
[0020] 夾盤(pán)主體110具有實(shí)質(zhì)上平面的上表面112,以用于在該上表面112上支撐基板 102。夾盤(pán)主體110也具有實(shí)質(zhì)上平面的下表面114,用于接收黏接材料130以及耦接夾盤(pán) 基座120。夾盤(pán)主體110可由介電材料形成。一個(gè)實(shí)施例中，該夾盤(pán)主體110可由陶瓷（諸 如氧化鋁）所形成。電極118可嵌在夾盤(pán)主體110中。電極118可以是薄的金屬板或金屬 網(wǎng)（mesh)。電極118可大得足以涵蓋實(shí)質(zhì)上基板102的整個(gè)面積。電極118可耦接電源 (諸如DC電壓源）以產(chǎn)生靜電夾持力而在上表面112上吸引及固定基板120。視情況也可 將電極118耦接RF電源，以在處理腔室中生成電容式耦合等離子體。
[0021] 夾盤(pán)主體110可具有三個(gè)或更多個(gè)穿孔116,以使舉升銷(xiāo)104得以通過(guò)。夾盤(pán)主體 110可根據(jù)受處理的基板102的形狀而加以塑形。例如，夾盤(pán)主體110可以是圓盤(pán)，以支撐 圓形基板，諸如半導(dǎo)體基板。夾盤(pán)主體110也可以是矩形板，用于支撐矩形基板，諸如用于 形成液晶顯示器元件的玻璃基板。
[0022] 夾盤(pán)基座120具有上表面122,用于接收黏接材料130與夾盤(pán)主體110。上表面 122可實(shí)質(zhì)上為平面。夾盤(pán)基座120可由導(dǎo)熱材料（諸如金屬）形成，以提供對(duì)夾盤(pán)主體 110的溫度控制。一個(gè)實(shí)施例中，夾盤(pán)基座120由鋁形成。夾盤(pán)基座120可具有形成在該 夾盤(pán)基座120中的冷卻通道123。該等冷卻通道123可連接至冷卻流體源（圖中未示）并 且該等冷卻通道123可具有循環(huán)于該等冷卻通道123中的冷卻流體。夾盤(pán)基座120也可具 有一或多個(gè)加熱元件124,該等加熱元件124形成在該夾盤(pán)基座120中，以提供對(duì)夾盤(pán)主體 110的加熱。夾盤(pán)基座120可具有舉升銷(xiāo)開(kāi)口 126,該舉升銷(xiāo)開(kāi)口 126形成為穿過(guò)該夾盤(pán)基 座120并且該舉升銷(xiāo)開(kāi)口 126與夾盤(pán)主體110中的穿孔116對(duì)齊，以接收舉升銷(xiāo)104。在一 個(gè)實(shí)施例中，外殼（casing)元件132、134、138可設(shè)置在舉升銷(xiāo)開(kāi)口 126中，以引導(dǎo)舉升銷(xiāo) 104。該等外殼元件132、134、138可由介電材料形成，以提供舉升銷(xiāo)104與夾盤(pán)基座120之 間的電隔離，該介電材料諸如VESPEL :W聚合物或聚醚醚酮（PEEK)。
[0023] 黏接材料130設(shè)置在夾盤(pán)主體110的下表面114以及夾盤(pán)基座120的上表面122 之間，以將夾盤(pán)主體110與夾盤(pán)基座120接合在一起。黏接材料130可以是片狀形式，類(lèi)似 夾盤(pán)主體110與夾盤(pán)基座120。一個(gè)實(shí)施例中，黏接材料130片可包括三個(gè)或更多個(gè)舉升銷(xiāo) 孔洞136,該等舉升銷(xiāo)孔洞136對(duì)應(yīng)舉升銷(xiāo)104的穿孔116?；蛘?，黏接材料130可以是以 液體為基礎(chǔ)。
[0024] 黏接材料130經(jīng)配置以提供不相似的材料（諸如陶瓷夾盤(pán)主體110與金屬性的夾 盤(pán)基座120)之間的穩(wěn)固接合。黏接材料130也提供所接合的部件之間的熱傳導(dǎo)。一個(gè)實(shí)施 例中，黏接材料130可以是以聚合物為基礎(chǔ)且具有填料材料的黏接粘合劑，以提供導(dǎo)熱性。 該黏接材料130可以是以聚合物為基礎(chǔ)且具抗侵蝕填料的黏接粘合劑。一個(gè)實(shí)施例中，填 料材料包括硅且該聚合物基底材料包括硅酮。硅酮基底中填料材料的濃度經(jīng)控制以達(dá)成1 W/mK的導(dǎo)熱率。
[0025] 習(xí)知黏接材料中的填料在蝕刻化學(xué)條件（etching chemistry)下可能受到侵蝕， 而生成白色粒子并且引起污染，該蝕刻化學(xué)條件諸如包括NF3或包括NF 3與02的處理環(huán)境。 相較于具有傳統(tǒng)填料的黏接材料，具有硅酮基底與硅填料的黏接材料130不會(huì)在包括NF 3 或包括NF3與02的處理化學(xué)條件中引起粒子污染，因而大幅減少粒子污染。例如，在NF 3的 化學(xué)條件中，基底聚合物硅酮受到攻擊，而該硅酮揮發(fā)，留下傳統(tǒng)填料（諸如氧化鋁（A120 3) 填料），而引發(fā)粒子方面的問(wèn)題。當(dāng)使用硅填料時(shí)，硅填料與硅酮基底二者在NF3的攻擊下皆 揮發(fā)而不產(chǎn)生任何粒子。包含硅填料的黏接材料130可單獨(dú)使用或結(jié)合保護(hù)性密封物140 一并使用。
[0026] -個(gè)實(shí)施例中，保護(hù)性密封物140環(huán)繞黏接材料130,以防止黏接材料130與處理 環(huán)境之間的交互作用。一個(gè)實(shí)施例中，凹部144可形成于夾盤(pán)主體110與夾盤(pán)基座120之 間，以將保護(hù)性密封物140固持于適當(dāng)位置。視情況而定，保護(hù)性密封物142可設(shè)置在黏接 材料130中每一舉升銷(xiāo)孔洞136周?chē)?，以防止黏接材?30暴露至舉升銷(xiāo)孔洞136中的環(huán) 境。
[0027] 保護(hù)性密封物140、142可由當(dāng)暴露至處理環(huán)境時(shí)維持夾盤(pán)主體110與夾盤(pán)基座 120之間密封的材料形成。保護(hù)性密封物140U42可由彈性體形成，該彈性體諸如為全氟 彈性體。對(duì)于在包括NF 3或包括NF3與02的蝕刻化學(xué)條件中的操作而言，保護(hù)性密封物 140、142 可由KALREZ* 8575 全氟彈性體、DUPRA* 192 全氟彈性體、KALREZ* 8085 全 氟彈性體、CHEMRAZ? XPE彈性體的一者形成,但不以上述材料為限。其他諸如L7505、 SC513 (Chemraz 513)、L8015rl、G758 (Perlast)、L8010之類(lèi)的材料也適合用于保護(hù)性密封 物。保護(hù)性密封物140、142可為0形環(huán)、墊片、杯狀密封物的形式，或保護(hù)性密封物140、142 可具有其他適合的輪廓。保護(hù)性密封物140、142可視情況為彈簧承載式。
[0028] 如圖1B中所示，靜電夾盤(pán)100中的凹部144可由一階狀物與夾盤(pán)主體110的下表 面114所界定，該階狀物形成于夾盤(pán)基座120中。由于僅夾盤(pán)基座120經(jīng)機(jī)械切削而形成 凹部144,此配置方式在實(shí)行上是簡(jiǎn)單的。圖1E是靜電夾盤(pán)100的夾盤(pán)基座120的俯視圖， 夾盤(pán)主體110已移除，而可見(jiàn)到保護(hù)性密封物140、142。
[0029] 或者，用于保護(hù)性密封物140的凹部可形成在夾盤(pán)主體110與夾盤(pán)基座120二者 中，或僅形成在夾盤(pán)主體110上。
[0030] 圖1C是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的靜電夾盤(pán)100C的放大部分剖面視圖。靜電夾盤(pán) 100C類(lèi)似于圖1A的靜電夾盤(pán)100,差異處在于保護(hù)性密封物140被固定在由階狀物115C 與階狀物128C界定的凹部144C中，該階狀物115C形成在夾盤(pán)主體110的下表面114上， 而該階狀物128C形成在夾盤(pán)基座120的上表面122上。此配置方式確保黏接材料130被 保護(hù)性密封物140的中間部分覆蓋。
[0031] 圖1D是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的靜電夾盤(pán)100D的放大部分剖面視圖。該靜電夾 盤(pán)100D類(lèi)似于圖1A的靜電夾盤(pán)100,差異處在于該保護(hù)性密封物140固定在由階狀物11? 與夾盤(pán)基座120的上表面122所界定的凹部144D中，該階狀物11?形成在夾盤(pán)主體110 的下表面114上。只有夾盤(pán)主體110經(jīng)機(jī)械切削而形成凹部144D。
[0032] 除了使用保護(hù)性密封物防止對(duì)黏接材料的侵蝕（或取代使用保護(hù)性密封物防止 對(duì)黏接材料的侵蝕），本發(fā)明的實(shí)施例也提供具有夾盤(pán)主體及/或夾盤(pán)基座內(nèi)的遮蔽特征 的靜電夾盤(pán)，以保護(hù)黏接材料。
[0033] 圖2A是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的靜電夾盤(pán)200的剖面?zhèn)纫晥D，該靜電夾盤(pán)200 具有黏接材料保護(hù)性結(jié)構(gòu)，即遮蔽特征。靜電夾盤(pán)200可以用可移動(dòng)式或固定式定位在基 板處理腔室中，以在處理期間支撐基板。類(lèi)似于靜電夾盤(pán)100,靜電夾盤(pán)200包括夾盤(pán)主體 210,該夾盤(pán)主體210通過(guò)黏接材料230固定至夾盤(pán)基座220,該黏接材料230與黏接材料 130相同。保護(hù)性結(jié)構(gòu)216可形成在夾盤(pán)主體210及/或夾盤(pán)基座220中，以遮蔽黏接材料 230隔絕處理環(huán)境。
[0034] 夾盤(pán)主體210具有上表面212與實(shí)質(zhì)上平面的下表面214,該上表面212用于在該 上表面212上支撐基板102,而該下表面214用于接收黏接材料230。夾盤(pán)主體210可由介 電材料形成。電極218可嵌于夾盤(pán)主體210中。
[0035] 夾盤(pán)基座220具有用于接收黏接材料230與夾盤(pán)主體210的上表面222。夾盤(pán)基 座220可具有形成在該夾盤(pán)基座220中的冷卻通道223以及嵌在該夾盤(pán)基座220中用于溫 度控制的加熱元件224。
[0036] 黏接材料230設(shè)置在夾盤(pán)主體210的下表面214與夾盤(pán)基座220的上表面222之 間，而將夾盤(pán)主體210與夾盤(pán)基座220接合在一起。夾盤(pán)主體210的下表面214與夾盤(pán)基 座220的上表面222可小于夾盤(pán)主體210與夾盤(pán)基座220的外邊緣，使得黏接材料230可 被由夾盤(pán)主體210及/或夾盤(pán)基座220所形成的保護(hù)性結(jié)構(gòu)216所環(huán)繞。
[0037] 根據(jù)顯示于圖2A的該實(shí)施例，夾盤(pán)基座220具有由上表面222落下的階狀物228。 保護(hù)性結(jié)構(gòu)216是由夾盤(pán)主體210的下表面214向下延伸的唇部形式。該唇部可以是連續(xù) 的。當(dāng)夾盤(pán)主體210固定至夾盤(pán)基座220時(shí)，唇部216形式的保護(hù)性結(jié)構(gòu)216延伸于階狀 物228上方，并且保護(hù)性結(jié)構(gòu)216覆蓋夾盤(pán)主體210的下表面214與夾盤(pán)基座220的上表 面之間的界面，因此側(cè)向環(huán)繞黏接材料230并且遮蔽黏接材料230而避免毫無(wú)阻礙地暴露 (line of sight exposure)至腔室內(nèi)環(huán)境。在不使用保護(hù)性密封物的情況下，靜電夾盤(pán)200 的保護(hù)性結(jié)構(gòu)216消除了維持與置換保護(hù)性密封物的需要，因而減少操作成本。一個(gè)實(shí)施 例中，也可于每一舉升銷(xiāo)通路219周?chē)纬蛇B續(xù)的唇部217,而防止黏接材料230暴露至處 理環(huán)境。
[0038] 盡管圖2A中顯示保護(hù)性結(jié)構(gòu)216為源自?shī)A盤(pán)主體210的唇部形式，但可使用任何 適合的結(jié)構(gòu)遮蔽黏接材料230。例如，圖2B圖靜電夾盤(pán)200B的放大部分剖面視圖，該靜電 夾盤(pán)200B具有保護(hù)性唇部228B形式的保護(hù)性結(jié)構(gòu)，該保護(hù)性唇部228B由夾盤(pán)基座220向 上延伸且該保護(hù)性唇部228B環(huán)繞夾盤(pán)主體210的外邊緣216B。在顯示于圖2C中的靜電夾 盤(pán)200C中，夾盤(pán)基座220具有溝槽229,該溝槽229經(jīng)配置以接收源自?shī)A盤(pán)主體210的唇 部215C。該溝槽229與唇部215C形成迷宮結(jié)構(gòu)（maze)，以將黏接材料230與環(huán)繞靜電夾 盤(pán)200C的處理環(huán)境隔離。
[0039] 根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，可單獨(dú)使用或相互結(jié)合使用諸如保護(hù)性密封物、保護(hù)性結(jié) 構(gòu)，或抗侵蝕填料之類(lèi)的一或多種保護(hù)性元件，以防止黏接材料在處理環(huán)境中受到侵蝕。
[0040] 根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的靜電夾盤(pán)可用于各種處理腔室中以在處理期間支撐基板， 該處理腔室諸如為等離子體蝕刻腔室、化學(xué)氣相沉積腔室、等離子體強(qiáng)化沉積腔室、原子層 沉積腔室、離子注入腔室。
[0041] 圖3是等離子體處理腔室300的剖面?zhèn)纫晥D，該等離子體處理腔室300中設(shè) 置有靜電夾盤(pán)100。該靜電夾盤(pán)100可用于支撐各種基板（諸如半導(dǎo)體基板以及刻線(xiàn) (reticle))并且合適各種基板尺寸?；蛘撸稍陟o電夾盤(pán)100的位置使用上述的任一靜電 夾盤(pán)。
[0042] 等離子體處理腔室300包括底部322、側(cè)壁326,與腔室蓋343,該腔室蓋343設(shè)置 于側(cè)壁326上方，而該底部322、側(cè)壁326,與腔室蓋343界定處理空間341。等離子體處理 腔室300進(jìn)一步包括設(shè)置在處理空間341中的襯墊323,該襯墊323防止側(cè)壁326遭受來(lái)自 處理化學(xué)條件及/或處理副產(chǎn)物的損害及污染。狹縫閥門(mén)開(kāi)口 335形成為穿過(guò)側(cè)壁326以 及襯墊323,以容許基板及基板輸送機(jī)構(gòu)通過(guò)。狹縫閥門(mén)324選擇性開(kāi)啟與關(guān)閉狹縫閥門(mén)開(kāi) □ 335。
[0043] 靜電夾盤(pán)100設(shè)置在處理空間341中。舉升件327經(jīng)配置以在處理及裝載/卸載 基板102期間相對(duì)于靜電夾盤(pán)100抬升及降下舉升銷(xiāo)（圖中未示）。靜電夾盤(pán)100可耦接 偏壓電源321，以生成夾持力而將基板102固定在靜電夾盤(pán)100上。
[0044] 可由氣源303經(jīng)由入口 344供應(yīng)一或多種處理氣體至處理空間341。真空泵330 與處理空間341流體連通。真空泵330可用于泵抽處理空間341并且真空泵330可通過(guò)氣 室336維持低壓環(huán)境。
[0045] 等離子體處理腔室300包括天線(xiàn)組件370,該天線(xiàn)組件370設(shè)置在腔室蓋343的外 偵L天線(xiàn)組件370可通過(guò)匹配網(wǎng)路373耦接射頻（RF)等離子體電源374。處理期間，天線(xiàn) 組件370由電源374供給能量而具有RF功率，以點(diǎn)燃處理空間341內(nèi)的處理氣體的等離子 體并且在處理基板102期間維持等離子體。
[0046] 等離子體處理腔室300可用于各種等離子體工藝。一個(gè)實(shí)施例中，等離子體處理 腔室300可用于執(zhí)行具一或多種蝕刻劑的干蝕刻。例如，等離子體處理腔室300可用于點(diǎn)燃 來(lái)自一前體的等離子體，該前體包括CxFy (其中x與y可以是不同的可被接受的組合）、02、 NF3，或前述前體的組合。本發(fā)明的實(shí)施例也可用于蝕刻鉻（以用于光罩幕（photomask)的 應(yīng)用）、蝕刻娃基板中的輪廓（諸如深溝道，與直通娃穿孔（through silicon vias(TSV))， 該硅基板具有設(shè)置在該基板上的氧化物與金屬層。
[0047] 盡管上文描述了由黏接材料接合的靜電夾盤(pán)，但可在任何由黏接材料接合的復(fù)合 結(jié)構(gòu)中使用本發(fā)明的實(shí)施例，以保護(hù)黏接材料隔絕操作環(huán)境。例如，本發(fā)明的實(shí)施例可應(yīng)用 到具有兩個(gè)或更多個(gè)由黏接材料接合的部件的氣體分配噴頭。
[0048] 雖然前述內(nèi)容涉及本發(fā)明的實(shí)施例，然而可不背離本發(fā)明基本范疇設(shè)計(jì)其他與進(jìn) 一步的本發(fā)明的實(shí)施例，且本發(fā)明的范疇由權(quán)利要求書(shū)所決定。
【權(quán)利要求】
1. 一種在處理腔室中使用的設(shè)備，包含： 第一部件，具有第一表面； 第二部件，具有第二表面，其中所述第二表面面向所述第一部件的所述第一表面； 黏接材料，設(shè)置于所述第一表面與所述第二表面之間并且接合所述第一部件與所述第 -部件；及 保護(hù)性元件，用于防止所述黏接材料在所述處理腔室中的侵蝕。
2. 如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其特征在于，所述保護(hù)性元件包含環(huán)繞所述黏接材料的 保護(hù)性密封物。
3. 如權(quán)利要求2所述的設(shè)備，其特征在于，所述保護(hù)性密封物設(shè)置在凹部中，所述凹部 形成于所述第一部件與所述第二部件之間的界面處。
4. 如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其特征在于，所述保護(hù)性元件包含保護(hù)性結(jié)構(gòu)，所述保護(hù) 性結(jié)構(gòu)從所述第一部件延伸而覆蓋所述黏接材料。
5. 如權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其特征在于，所述保護(hù)性元件包含所述黏接材料中的硅 填料。
6. -種用于處理腔室的靜電夾盤(pán)，包含： 夾盤(pán)主體，具有上表面及與所述上表面相對(duì)的下表面，所述上表面被配置以將基板支 撐在所述上表面上； 夾盤(pán)基座，具有上表面，所述上表面面向所述夾盤(pán)主體的所述下表面； 黏接材料，將所述夾盤(pán)主體的所述下表面與所述夾盤(pán)基座的所述上表面接合；及 保護(hù)性元件，經(jīng)定位以防止所述黏接材料毫無(wú)阻礙地暴露至所述靜電夾盤(pán)外的環(huán)境。
7. 如權(quán)利要求6所述的靜電夾盤(pán)，其特征在于，所述保護(hù)性元件包含保護(hù)性密封物，所 述保護(hù)性密封物設(shè)置在所述夾盤(pán)主體的所述下表面與所述夾盤(pán)基座的所述上表面之間，所 述保護(hù)性密封物環(huán)繞所述黏接材料。
8. 如權(quán)利要求7所述的靜電夾盤(pán)，其特征在于，所述保護(hù)性密封物設(shè)置在凹部中，所述 凹部形成于所述夾盤(pán)基座與所述夾盤(pán)主體之間。
9. 如權(quán)利要求8所述的靜電夾盤(pán)，其特征在于，所述凹部由所述夾盤(pán)主體的所述下表 面與階狀物界定，所述階狀物形成于所述夾盤(pán)基座的所述上表面處。
10. 如權(quán)利要求8所述的靜電夾盤(pán)，其特征在于，所述凹部由所述夾盤(pán)主體的所述上表 面以及階狀物所界定，所述階狀物形成于所述夾盤(pán)基座的所述下表面處。
11. 如權(quán)利要求8所述的靜電夾盤(pán)，其特征在于，所述凹部由第一階狀物與第二階狀物 所界定，所述第一階狀物形成在所述夾盤(pán)主體的所述下表面上，而所述第二階狀物形成在 所述夾盤(pán)基座的所述上表面上。
12. 如權(quán)利要求7所述的靜電夾盤(pán)，其特征在于，所述保護(hù)性元件進(jìn)一步包含三個(gè)或更 多個(gè)保護(hù)性密封物，所述保護(hù)性密封物設(shè)置在多個(gè)舉升銷(xiāo)孔洞周?chē)?，所述舉升銷(xiāo)孔洞形成 為穿過(guò)所述夾盤(pán)主體與所述夾盤(pán)基座。
13. 如權(quán)利要求6所述的靜電夾盤(pán)，其特征在于，所述保護(hù)性元件包含保護(hù)性結(jié)構(gòu)，所 述保護(hù)性結(jié)構(gòu)形成在所述夾盤(pán)主體與所述夾盤(pán)基座的至少一者中，所述保護(hù)性元件覆蓋所 述黏接材料。
14. 如權(quán)利要求13所述的靜電夾盤(pán)，其特征在于，所述保護(hù)性結(jié)構(gòu)包含連續(xù)唇部，所述 連續(xù)唇部從所述夾盤(pán)主體的所述下表面朝所述夾盤(pán)基座延伸并且所述連續(xù)唇部環(huán)繞所述 黏接材料的所述邊緣區(qū)域。
15.如權(quán)利要求6所述的靜電夾盤(pán)，其特征在于，所述保護(hù)性元件包含所述黏接材料中 設(shè)置的抗侵蝕填料。
【文檔編號(hào)】H01L21/687GK104247003SQ201280072432
【公開(kāi)日】2014年12月24日 申請(qǐng)日期:2012年9月21日 優(yōu)先權(quán)日:2012年4月26日
【發(fā)明者】X·林, J·Y·孫, S·班達(dá) 申請(qǐng)人:應(yīng)用材料公司