專利名稱：晶圓級封裝構(gòu)造及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種封裝構(gòu)造，特別是有關(guān)于一種可降低鉆孔信賴度的晶圓級封裝構(gòu)造及其制造方法。
背景技術(shù)：
現(xiàn)今的半導(dǎo)體封裝產(chǎn)業(yè)在晶圓等級封裝(wafer level package)制程中，例如扇出型晶圓級封裝(Fan-Out Wafer-Level-Package),常常需要進(jìn)行通孔制作工藝。例如，由于在重布線層與芯片的有源表面之間存在絕緣層，因此必須進(jìn)行對應(yīng)的盲孔電鍍，以使重布線層與芯片有源表面的接墊通過絕緣層中的電鍍盲孔 而構(gòu)成電性連接?，F(xiàn)有盲孔電鍍采用的盲孔制作技術(shù)主要是使用激光鉆孔(laser drilling)。然而，對于要求更小的盲孔間距(例如，小于100微米)或是更大的盲孔深寬比的封裝產(chǎn)品來說，鉆孔難度將會大幅提升。舉例來說，對于欲在具有一定厚度的基材形成小孔徑的盲孔而言，鉆孔深度因?yàn)榛暮穸榷兇笫沟勉@孔時間就更長，導(dǎo)致激光加工成本的提高，同時對激光設(shè)備的精密度也相對應(yīng)具有更高的要求；后續(xù)進(jìn)行盲孔電鍍也會因?yàn)槊た咨疃容^大的關(guān)系使得電鍍難度與制程時間都會大幅增加。故，有必要提供一種晶圓級封裝構(gòu)造及其制造方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)所存在的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的在于提供一種晶圓級封裝構(gòu)造，其在芯片焊墊上設(shè)置增厚金屬物，可相對減少焊墊與重布線層之間的導(dǎo)通孔的鉆孔深度，減少鉆孔難度與時間，提升盲孔電鍍的良率。為達(dá)成前述目的，本發(fā)明一實(shí)施例提供一種晶圓級封裝構(gòu)造，所述晶圓級封裝構(gòu)造包含一支撐層；一芯片，設(shè)于所述支撐層上，并具有一有源表面，所述有源表面背對所述支撐層且設(shè)有一鈍化層與數(shù)個焊墊，所述焊墊裸露出所述鈍化層外，每一所述焊墊上設(shè)有一增厚金屬物，所述增厚金屬物為一電鍍成形的金屬層或金屬柱狀凸塊；一絕緣層，設(shè)于所述芯片與所述支撐層上，并具有數(shù)個盲孔，所述盲孔分別對應(yīng)及裸露所述焊墊位置上的所述增厚金屬物；以及一重布線層，設(shè)于所述絕緣層上，并通過所述盲孔與所述芯片的焊墊電性連接。本發(fā)明另一實(shí)施例提供一種晶圓級封裝構(gòu)造，所述晶圓級封裝構(gòu)造包含一支撐層；一芯片，設(shè)于所述支撐層上，并具有一有源表面，所述有源表面背對所述支撐層且設(shè)有數(shù)個焊墊，每一所述焊墊上設(shè)有一增厚金屬物，所述增厚金屬物包含一球狀部與一突起部，所述球狀部具有較大的體積；所述突起部具有較小的體積且連接于所述球狀部的頂端，並具有一扯斷部；一絕緣層，設(shè)于所述芯片與所述支撐層上，并具有數(shù)個盲孔，所述盲孔分別對應(yīng)及裸露所述焊墊位置上的所述增厚金屬物；以及一重布線層，設(shè)于所述絕緣層上，并通過所述盲孔與所述芯片的焊墊電性連接。本發(fā)明另一實(shí)施例提供一種 圓級封裝構(gòu)造，所述晶圓級封裝構(gòu)造包含一支撐層；一芯片，設(shè)于所述支撐層上，并具有一有源表面，所述有源表面背對所述支撐層且設(shè)有數(shù)個焊墊，每一所述焊墊上設(shè)有一增厚金屬物，所述增厚金屬物包含一凸塊及一設(shè)于所述凸塊上并包覆所述凸塊頂面的金屬保護(hù)層；一絕緣層，設(shè)于所述芯片與所述支撐層上，并具有數(shù)個盲孔，所述盲孔分別對應(yīng)及裸露所述焊墊位置上的所述增厚金屬物；以及一重布線層，設(shè)于所述絕緣層上，并通過所述盲孔與所述芯片的焊墊電性連接。本發(fā)明另一實(shí)施例提供一種晶圓級封裝構(gòu)造的制造方法，其包含下列步驟提供一支撐層；設(shè)置一芯片于所述支撐層上，所述芯片具有一有源表面，所述有源表面背對所述支撐層且設(shè)有數(shù)個焊墊，每一所述焊墊上預(yù)先設(shè)有一增厚金屬物；設(shè)置一絕緣層于所述芯片與所述支撐層上；于所述絕緣層成形數(shù)個盲孔，其中所述盲孔分別對應(yīng)及裸露所述焊墊位置上的所述增厚金屬物；以及設(shè)置一重布線層于所述絕緣層上，其中所述重布線層通過所述盲孔電性連接與所述增厚金屬物。本發(fā)明在制作連接重布線層與芯片焊墊的盲孔之前，先于芯片焊墊上設(shè)置增厚金屬物，如此一來，可相對減少盲孔的深度，進(jìn)而減少鉆孔難度與時間，提升盲孔電鍍的良率。


圖1是本發(fā)明一實(shí)施例的晶圓級封裝構(gòu)造的結(jié)構(gòu)示意圖。圖1A是圖1的晶圓級封裝構(gòu)造的局部示意圖。圖2是本發(fā)明另一實(shí)施例的晶圓級封裝構(gòu)造的結(jié)構(gòu)示 意圖。圖2A 圖2C是圖2的晶圓級封裝構(gòu)造的增厚金屬物的不同實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。圖3是本發(fā)明又一實(shí)施例的晶圓級封裝構(gòu)造的結(jié)構(gòu)示意圖。圖3A 圖3C是圖3的晶圓級封裝構(gòu)造的增厚金屬物的不同實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。圖4是本發(fā)明又一實(shí)施例的晶圓級封裝構(gòu)造的結(jié)構(gòu)示意圖。圖4A 圖4C是圖4的晶圓級封裝構(gòu)造的增厚金屬物的不同實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。圖5是本發(fā)明又一實(shí)施例的晶圓級封裝構(gòu)造的結(jié)構(gòu)示意圖。圖5A是圖5的局部放大圖。圖6A 6G是圖1的實(shí)施例的晶圓級封裝構(gòu)造的制造流程示意圖。圖7A 7G是圖2的實(shí)施例的晶圓級封裝構(gòu)造的制造流程示意圖。圖8A 8E是圖5的實(shí)施例的晶圓級封裝構(gòu)造的制造流程示意圖。
具體實(shí)施例方式為讓本發(fā)明上述目的、特征及優(yōu)點(diǎn)更明顯易懂，下文特舉本發(fā)明較佳實(shí)施例，并配合附圖，作詳細(xì)說明如下。再者，本發(fā)明所提到的方向用語，例如「上」、「下」、「前」、「后」、「左」、「右」、「內(nèi)」、「外」、「側(cè)面」等，僅是參考附加圖式的方向。因此，使用的方向用語是用以說明及理解本發(fā)明，而非用以限制本發(fā)明。
請參照圖1所示，圖1是本發(fā)明一實(shí)施例的晶圓級封裝構(gòu)造的結(jié)構(gòu)示意圖。本發(fā)明所揭示的晶圓級封裝構(gòu)造為一扇出型(fan-out)的晶圓級封裝構(gòu)造，包含一支撐層10、一芯片11、一絕緣層12、一重布線層13、一阻焊層14及錫球15。所述支撐層10為一厚度介于50至300微米之間的結(jié)構(gòu)強(qiáng)化層，例如可為一由環(huán)氧樹脂與玻璃纖維所制成的復(fù)合層。所述支撐層10的頂面可設(shè)置一上金屬薄膜，并通過顯影蝕刻退膜工序(developing-etching-stripping process)圖案化所述上金屬薄膜，而形成一對位環(huán)100、一圖案化線路101與一接地環(huán)102。同樣地，所述支撐層10的底面可設(shè)置一下金屬薄膜10b，所述金屬薄膜IOb可作為散熱件或是進(jìn)一步通過相同的圖案化工藝而形成圖案化線路。所述芯片11設(shè)于所述支撐層10上，且可設(shè)置于所述支撐層10的對位環(huán)100內(nèi)。所述芯片11具有一有源表面，所述有源表面朝上并背對所述支撐層10且設(shè)有數(shù)個焊墊110， 每一所述焊墊110上設(shè)有一增厚金屬物111。進(jìn)一步參考圖1A所示，在本實(shí)施例中，所述芯片11的有源表面設(shè)有一鈍化層112，所述焊墊110裸露出所述鈍化層112外使所述增厚金屬物111得以設(shè)于所述焊墊Iio上，每一所述焊墊110例如可為一鋁墊，所述增厚金屬物111為一電鍍成形的金屬層，且例如可為一銅層，其厚度可介于I微米至10微米之間。如圖1所示，所述絕緣層12設(shè)于所述芯片11與所述支撐層10上，且所述絕緣層12例如為一封裝膠材層(如環(huán)氧樹脂與二氧化硅或氧化鋁顆粒的復(fù)合膠材)，其可以通過注?；驂汉戏绞皆O(shè)置于所述芯片11與所述支撐層10上。所述絕緣層12具有數(shù)個盲孔120，所述盲孔120可通過激光鉆孔形成于所述絕緣層12上；如圖1A所示，所述盲孔120分別對應(yīng)所述焊墊110位置并延伸至所述增厚金屬物111的頂面，并且所述盲孔120的壁面與所述增厚金屬物111的頂面之間呈一夾角Θ，其中0° < Θ彡90°。所述重布線層13設(shè)于所述絕緣層12上，并填滿所述盲孔120而與所述增厚金屬物111電性連接，進(jìn)而通過所述增厚金屬物111與所述芯片11的焊墊110電性連接，達(dá)到線路扇出(Fan-Out)重新分布。在一實(shí)施例中，所述重布線層13是通過光刻、鍍銅、蝕刻工藝所制成。所述阻焊層14設(shè)于所述重布線層13上，所述阻焊層14通過光刻處理而具有數(shù)個焊接區(qū)140，所述焊接區(qū)140局部裸露所述重布線層13。所述錫球15分別設(shè)于所述焊接區(qū)140上而電性連接所述重布線層13，所述錫球15做為晶圓級封裝構(gòu)造的輸入/輸出端子。由于每一所述焊墊110上設(shè)有增厚金屬物111，所述增厚金屬物111具有一定的厚度，使得當(dāng)通過激光鉆孔形成所述盲孔120于所述絕緣層12上時，所述盲孔120的深度僅需延伸至所述增厚金屬物111的表面便可進(jìn)行所述重布線層13的制作，因此減少鉆孔難度與縮短制程時間；且在制作重布線層13時，盲孔120的深寬比下降有助于提高盲孔電鍍的良率。請進(jìn)一步參考圖2所示，圖2是本發(fā)明另一實(shí)施例的晶圓級封裝構(gòu)造的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2的實(shí)施例與圖1的實(shí)施例不同之處在于，所述增厚金屬物111包含一球狀部1110與一突起部1111，其中所述球狀部1110具有較大的體積，所述突起部1111具有較小的體積且連接于所述球狀部1110的頂端，并且略低于所述絕緣層12的頂面。所述增厚金屬物111可以是扯斷通過打線工藝連接于所述焊墊110上的金屬線后的殘留金屬塊，因此所述突起部1111具有一扯斷部。在一實(shí)施例中，所述球狀部1110的高度為b，所述突起部1111的高度為a，其中b > 2a。所述突起部1111可具有不同形狀，如圖2A所示的錐狀；或是如圖2B所示的球狀；或是如圖2C所示的具有圓弧頂面的柱狀。所述突起部1111有助于增加所述增厚金屬物111與所述重布線層13的接觸面積，進(jìn)而提供較佳的結(jié)合力。所述增厚金屬物111的材質(zhì)可選自金、銅、銀、錫或其合金。由于所述增厚金屬物111不是電鍍成形，而是通過打線工藝加上扯斷步驟設(shè)置于所述芯片11的焊墊110上，因此所述焊墊110上就不需要預(yù)先成形一鈍化層。所以圖2的實(shí)施例相較圖1的實(shí)施例，還可節(jié)省鈍化層的制程成本跟制程時間。再者，本實(shí)施例的所述增厚金屬物111的形狀會導(dǎo)致后續(xù)激光鉆孔成形所述盲孔120具有中間淺周圍深的結(jié)構(gòu)，所述突起部1111也因?yàn)椴粫凰鼋^緣層12完全遮蔽住，故有利于進(jìn)行激光鉆孔，并可形成較符合所需的盲孔尺寸、深度及形狀。請進(jìn)一步參考圖3所示，圖3是本發(fā)明又一實(shí)施例的晶圓級封裝構(gòu)造的結(jié)構(gòu)示意圖。圖3的實(shí)施例與圖1的實(shí)施例不同之處在于，所述增厚金屬物111包含一凸塊Illa及一設(shè)于所述凸塊Illa上并包覆所述凸塊Illa頂面的金屬保護(hù)層111b。所述凸塊Illa可 為至少一錫凸塊，并可通過植球、鋼板印刷或光刻工藝配合電鍍而設(shè)置于所述芯片11的焊墊110上，接著再進(jìn)行回流焊成為球狀凸塊。所述金屬保護(hù)層Illb材質(zhì)與所述凸塊Illa不同，可為鎳、銅或其合金，可利用化學(xué)反應(yīng)(無電鍍)沈積法制成，其厚度可介于2微米到5微米之間。所述金屬保護(hù)層Illb主要是保護(hù)所述凸塊Illa(例如錫)不受后續(xù)盲孔電鍍的化學(xué)影響。所述金屬保護(hù)層Illb可因后續(xù)盲孔120的制作工藝的影響而具有不同形狀，例如如圖3A所示具有一平坦的表面；或是如圖3B所示具有一周邊低于中心的圓弧表面；或是如圖3C所示具有一周邊高于中心的圓弧表面。所述金屬保護(hù)層Illb的形狀同樣有助于增加所述增厚金屬物111與所述重布線層13的接觸面積，進(jìn)而提供較佳的結(jié)合力。請進(jìn)一步參考圖4所示，圖4是本發(fā)明又一實(shí)施例的晶圓級封裝構(gòu)造的結(jié)構(gòu)示意圖。圖4的實(shí)施例與圖1的實(shí)施例不同之處在于，所述增厚金屬物進(jìn)一步加大厚度而成為一金屬柱狀凸塊Illc,例如銅柱凸塊(Cu pillar),其厚度可介于20微米至40微米之間，所述金屬柱狀凸塊Illc可因后續(xù)盲孔120的制作工藝的影響而具有不同形狀，例如如圖4A所示具有一平坦的表面；或是如圖4B所示具有一周邊低于中心的圓弧表面；或是如圖4C所示具有一周邊高于中心的圓弧表面。所述金屬柱狀凸塊Illc的不同形狀的表面同樣有助于增加所述金屬柱狀凸塊Illc與所述重布線層13的接觸面積，進(jìn)而提供較佳的結(jié)合力。請進(jìn)一步參考圖5與圖5A所示，圖5是本發(fā)明又一實(shí)施例的晶圓級封裝構(gòu)造的結(jié)構(gòu)示意圖，圖5A則為圖5的局部放大圖。圖5的實(shí)施例與圖1的實(shí)施例不同之處在于，所述支撐層10頂面設(shè)有一第一線路層101a，底面設(shè)有一第二線路層IOlb ;且所述支撐層10穿設(shè)有數(shù)個貫孔，每一所述貫孔內(nèi)設(shè)有一導(dǎo)電柱IOlc以電連接所述第一線路層IOla與所述第二線路層101b，所述第二線路層IOlb可用于與另一封裝構(gòu)造進(jìn)行堆疊，達(dá)到堆疊式封裝(package onpackage)的目的。再者,所述第一線路層IOla上設(shè)有第二增厚金屬物IOld,且所述絕緣層12進(jìn)一步形成數(shù)個第二盲孔121，所述第二盲孔121延伸至所述第二增厚金屬物IOld的頂面，而使得所述重布線層13設(shè)于所述絕緣層12上時進(jìn)一步通過所述第二盲孔121與所述第二增厚金屬物IOld電性連接，進(jìn)而通過所述第二增厚金屬物IOld與第一線路層IOla電性連接。在本實(shí)施例中，由于所述第一線路層IOla上事先設(shè)有第二增厚金屬物101d，所述絕緣層12的第二盲孔121的深度可相對降低，減少鉆孔難度與縮短制程時間，并提聞電鍛的良率。有關(guān)上述本發(fā)明的晶圓級封裝構(gòu)造的制造方法，請參考圖6A 6G所示，其概要揭示本發(fā)明圖1的實(shí)施例的晶圓級封裝構(gòu)造的制造流程示意圖。配合圖1及圖6A 6G所示，本發(fā)明的晶圓級封裝構(gòu)造的制造方法主要包含下列步驟Sll :提供一支撐層10，如圖6A所示，本實(shí)施例中，所述支撐層10頂面設(shè)有一上金屬薄膜IOa ;底面設(shè)有一下金屬薄膜IOb ;再者如圖6B所示，所述上金屬薄膜IOa進(jìn)一步通過圖案化處理而形成一對位環(huán)100、一圖案化線路101與一接地環(huán)102 ；S12 :設(shè)置一芯片11于所述支撐層10上，如圖6C所示，在本實(shí)施例中所述芯片11是設(shè)置于所述支撐層10的對位環(huán)100內(nèi)；其中所述芯片11具有一有源表面，所述有源表面背對所述支撐層10且設(shè)有數(shù)個焊墊110，每一所述焊墊110上預(yù)先設(shè)有一增厚金屬物111，在本實(shí)施例中，所述增厚金屬物111可為一電鍍成形的金屬層或是一金屬柱狀凸塊，在電鍍成形時所述芯片11的接墊110周圍會設(shè)有一鈍化層112，使所述金屬層或金屬柱狀凸塊只成形于所述焊墊110上； S13 :設(shè)置一絕緣層12于所述芯片11與所述支撐層10上，如圖6D所示；本實(shí)施例是采用注?；驂汉戏绞綄⒎庋b膠材設(shè)置于所述芯片11與所述支撐層10上，以成為所述絕緣層12 ；S14 :于所述絕緣層12成形數(shù)個盲孔120，例如使用激光鉆孔技術(shù)，其中所述盲孔120分別對應(yīng)及裸露所述焊墊110位置上的所述增厚金屬物111，如圖6E所示；以及S15 :設(shè)置一重布線層13于所述絕緣層12，例如通過光刻、鍍銅、蝕刻工藝形成所述重布線層13于所述絕緣層12上并部份延伸進(jìn)入所述盲孔120內(nèi)，使得所述重布線層13通過所述盲孔120電性連接與所述增厚金屬物111，再進(jìn)一步通過所述增厚金屬物111電性連接所述焊墊110，如圖6F所示。本發(fā)明的晶圓級封裝構(gòu)造的制造方法還進(jìn)一步包含下列步驟S16 :設(shè)置一阻焊層14于所述重布線層13上并圖案化所述阻焊層14，例如通過光刻處理，使所述阻焊層14具有數(shù)個焊接區(qū)140，其中所述焊接區(qū)140局部裸露所述重布線層13，如圖6G所示；以及S17 :于每一所述焊接區(qū)140上設(shè)置一錫球15而使錫球15電性連接所述重布線層13，即可完成如圖1所示的晶圓級封裝構(gòu)造。請參考圖7A 7G所示，其概要揭示本發(fā)明圖2的實(shí)施例的晶圓級封裝構(gòu)造的制造流程示意圖，所述制造流程與圖6A 6G的實(shí)施例相似，包含下列步驟S21 :提供一支撐層10，如圖7A所示，本實(shí)施例中，所述支撐層10頂面設(shè)有一上金屬薄膜IOa ;底面設(shè)有一下金屬薄膜IOb ;再者如圖7B所示，所述上金屬薄膜IOa進(jìn)一步通過圖案化處理而形成一對位環(huán)100、一圖案化線路101與一接地環(huán)102 ；S22 :設(shè)置一芯片11于所述支撐層10上，如圖7C所示，所述芯片11是設(shè)置于所述支撐層10的對位環(huán)100內(nèi)；其中所述芯片11具有一有源表面，所述有源表面背對所述支撐層10且設(shè)有數(shù)個焊墊110，每一所述焊墊110上設(shè)有增厚金屬物111，與前述實(shí)施例不同的是，在本實(shí)施例中，所述增厚金屬物111通過打線工藝連接于所述焊墊110上的金屬線經(jīng)過扯斷后殘留的金屬凸塊(Stud)，包含一球狀部1110與一突起部1111，其中所述球狀部1110具有較大的體積，所述突起部1111具有較小的體積且連接于所述球狀部1110的頂端，并且略低于所述絕緣層12的頂面。所述增厚金屬物111的材質(zhì)可選自金、銅、銀、錫或其合金；由于所述增厚金屬物111不是電鍍成形，而是通過打線工藝加上扯斷步驟而直接設(shè)置于所述芯片11的焊墊110上，因此所述焊墊110上就不需要預(yù)先成形一鈍化層；所以相較前述圖1制造流程的實(shí)施例，本實(shí)施例還可節(jié)省鈍化層的制程成本跟制程時間；S23 :設(shè)置一絕緣層12于所述芯片11與所述支撐層10上，如圖7D所示；本實(shí)施例是采用壓合方式將所述絕緣層12設(shè)置于所述芯片11與所述支撐層10上；S24 :于所述絕緣層12成形數(shù)個盲孔120，例如使用激光鉆孔技術(shù)，其中所述盲孔120分別對應(yīng)及裸露所述焊墊110位置上的所述增厚金屬物111，如圖7E所示；S25 :設(shè)置一重布線層13于所述絕緣層12，例如通過光刻、鍍銅、蝕刻工藝形成所述重布線層13于所述絕緣層12上并部份延伸進(jìn)入所述盲孔120內(nèi)，使得所述重布線層13 通過所述盲孔120電性連接與所述增厚金屬物111，再進(jìn)一步通過所述增厚金屬物111電性連接所述焊墊110，如圖7F所示；S26 :設(shè)置一阻焊層14于所述重布線層13上并圖案化所述阻焊層14，例如通過光刻處理，使所述阻焊層14具有數(shù)個焊接區(qū)140，其中所述焊接區(qū)140局部裸露所述重布線層13，如圖7G所示；以及S27 :于每一所述焊接區(qū)140上設(shè)置一錫球15而使錫球15電性連接所述重布線層13，即可完成如圖2所示的晶圓級封裝構(gòu)造。請參考圖8A SE所示，其概要揭示本發(fā)明圖5的實(shí)施例的晶圓級封裝構(gòu)造的制造流程示意圖，包含下列步驟S31 :提供一支撐層10，如圖8A所示，所述支撐層10頂面設(shè)有一上金屬薄膜10a，底面設(shè)有一下金屬薄膜IOb ；S32 :對所述支撐層10進(jìn)行鉆孔并圖案化所述上金屬薄膜IOa與所述下金屬薄膜IOb,使得所述支撐層10穿設(shè)有數(shù)個貫孔，且使得所述上金屬薄膜IOa形成一對位環(huán)100、一第一線路層IOla與一接地環(huán)102，使得所述下金屬薄膜IOb形成第二線路層101b，以及于所述貫孔內(nèi)設(shè)置導(dǎo)電柱IOlc而電連接所述第一線路層IOla與所述第二線路層101b，如圖8B所示；S33 :設(shè)置一第二增厚金屬物IOld于所述第一線路層IOla的每一焊墊上，如圖8C所示，所述第二增厚金屬物IOId可為一金屬柱狀凸塊，例如銅柱凸塊；S34 :設(shè)置一芯片11于所述支撐層10上，如圖8D所示，在本實(shí)施例中所述芯片11是設(shè)置于所述支撐層10的對位環(huán)100內(nèi)；其中所述芯片11具有一有源表面，所述有源表面背對所述支撐層10且設(shè)有數(shù)個焊墊110，每一所述焊墊110上設(shè)有增厚金屬物111，在本實(shí)施例中，所述增厚金屬物111可為一電鍍成形的金屬層或是一金屬柱狀凸塊，其中在電鍍成形時所述芯片11的接墊110周圍會設(shè)有一鈍化層112，使所述金屬層或金屬柱狀凸塊只成形于所述焊墊110上；S35 :依序設(shè)置一絕緣層12與一重布線層13于所述芯片11與所述支撐層10上，如圖SE所示，本實(shí)施例先采用壓合方式將所述絕緣層12設(shè)置于所述芯片11與所述支撐層10上，再于所述絕緣層12成形數(shù)個盲孔120與第二盲孔121，例如使用激光鉆孔技術(shù)，其中所述盲孔120分別對應(yīng)及裸露所述焊墊110位置上的所述增厚金屬物111 ;所述第二盲孔121分別對應(yīng)及裸露所述第一線路層IOla的焊墊位置上的所述第二增厚金屬物IOld ;接著，再通過光刻、鍍銅、蝕刻工藝形成所述重布線層13于所述絕緣層12上，使得所述重布線層13通過所述盲孔120與所述第二盲孔121連接所述增厚金屬物111與所述第二增厚金屬物IOld ；S36 :依序設(shè)置一阻焊層14與數(shù)個錫球15于所述重布線層13上，本實(shí)施例中，如圖5所示，在設(shè)置所述阻焊層14于所述重布線層13上后，接著通過光刻處理來圖案化所述阻焊層14，使所述阻焊層14具有數(shù)個焊接區(qū)140，其中所述焊接區(qū)140局部裸露所述重布線層13，接著，于每一所述焊接區(qū)140上設(shè)置一錫球15而使錫球15電性連接所述重布線層13，即可完成如圖5所示的晶圓級封裝構(gòu)造。采用本發(fā)明的晶圓級 封裝構(gòu)造的制造方法的具體優(yōu)點(diǎn)已描述于前述晶圓級封裝構(gòu)造的實(shí)施例中，不再贅述。本發(fā)明已由上述相關(guān)實(shí)施例加以描述，然而上述實(shí)施例僅為實(shí)施本發(fā)明的范例。必需指出的是，已公開的實(shí)施例并未限制本發(fā)明的范圍。相反地，包含于權(quán)利要求書的精神及范圍的修改及均等設(shè)置均包括于本發(fā)明的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種晶圓級封裝構(gòu)造，其特征在于，包含有 一支撐層； 一芯片，設(shè)于所述支撐層上，并具有一有源表面，所述有源表面背對所述支撐層且設(shè)有一鈍化層與數(shù)個焊墊，所述焊墊裸露出所述鈍化層外，每一所述焊墊上設(shè)有一增厚金屬物，所述增厚金屬物為一電鍍成形的金屬層或金屬柱狀凸塊； 一絕緣層，設(shè)于所述芯片與所述支撐層上，并具有數(shù)個盲孔，所述盲孔分別對應(yīng)及裸露所述焊墊位置上的所述增厚金屬物；以及 一重布線層，設(shè)于所述絕緣層上，并通過所述盲孔與所述芯片的焊墊電性連接。
2.如權(quán)利要求1所述的晶圓級封裝構(gòu)造，其特征在于，所述增厚金屬物為一銅層。
3.一種晶圓級封裝構(gòu)造，其特征在于，包含有 一支撐層； 一芯片，設(shè)于所述支撐層上，并具有一有源表面，所述有源表面背對所述支撐層且設(shè)有數(shù)個焊墊，每一所述焊墊上設(shè)有一增厚金屬物，所述增厚金屬物包含一球狀部與一突起部，所述球狀部具有較大的體積；所述突起部具有較小的體積且連接于所述球狀部的頂端，並具有一扯斷部； 一絕緣層，設(shè)于所述芯片與所述支撐層上，并具有數(shù)個盲孔，所述盲孔分別對應(yīng)及裸露所述焊墊位置上的所述增厚金屬物；以及 一重布線層，設(shè)于所述絕緣層上，并通過所述盲孔與所述芯片的焊墊電性連接。
4.如權(quán)利要求3所述的晶圓級封裝構(gòu)造，其特征在于，所述增厚金屬物的材質(zhì)選自金、銅、銀、錫或其合金。
5.如權(quán)利要求4所述的晶圓級封裝構(gòu)造，其特征在于，所述突起部呈錐狀、柱狀或球狀。
6.如權(quán)利要求5所述的晶圓級封裝構(gòu)造，其特征在于，所述突起部呈柱狀，且具有一平坦頂面或一圓弧頂面。
7.一種晶圓級封裝構(gòu)造，其特征在于，包含有 一支撐層； 一芯片，設(shè)于所述支撐層上，并具有一有源表面，所述有源表面背對所述支撐層且設(shè)有數(shù)個焊墊，每一所述焊墊上設(shè)有一增厚金屬物，所述增厚金屬物包含一凸塊及一設(shè)于所述凸塊上并包覆所述凸塊頂面的金屬保護(hù)層； 一絕緣層，設(shè)于所述芯片與所述支撐層上，并具有數(shù)個盲孔，所述盲孔分別對應(yīng)及裸露所述焊墊位置上的所述增厚金屬物；以及 一重布線層，設(shè)于所述絕緣層上，并通過所述盲孔與所述芯片的焊墊電性連接。
8.如權(quán)利要求7所述的晶圓級封裝構(gòu)造，其特征在于，所述凸塊為至少一錫凸塊，且所述金屬保護(hù)層材質(zhì)可為鎳、銅或其合金。
9.如權(quán)利要求7所述的晶圓級封裝構(gòu)造，其特征在于，所述金屬保護(hù)層具有一平坦的表面、一周邊低于中心的圓弧表面或是一周邊高于中心的圓弧表面。
10.如權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的晶圓級封裝構(gòu)造，其特征在于，所述晶圓級封裝構(gòu)造進(jìn)一步包含 一圖案化的阻焊層，設(shè)于所述重布線層上，所述阻焊層具有數(shù)個焊接區(qū)，所述焊接區(qū)局部裸露所述重布線層；以及 數(shù)個錫球，分別設(shè)于所述焊接區(qū)上而電性連接所述重布線層。
11.如權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的晶圓級封裝構(gòu)造，其特征在于，所述支撐層上設(shè)有一對位環(huán)與一接地環(huán)，所述芯片設(shè)置于所述對位環(huán)內(nèi)。
12.如權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的晶圓級封裝構(gòu)造，其特征在于，所述支撐層為一環(huán)氧樹脂與玻璃纖維的復(fù)合層，且所述絕緣層為一封裝膠材層。
13.一種晶圓級封裝構(gòu)造的制造方法，其特征在于，包含有 提供一支撐層； 設(shè)置一芯片于所述支撐層上，所述芯片具有一有源表面，其中所述有源表面背對所述支撐層且設(shè)有數(shù)個焊墊，每一所述焊墊上預(yù)先設(shè)有一增厚金屬物； 設(shè)置一絕緣層于所述芯片與所述支撐層上； 于所述絕緣層成形數(shù)個盲孔，其中所述盲孔分別對應(yīng)及裸露所述焊墊位置上的所述增厚金屬物；以及 設(shè)置一重布線層于所述絕緣層上，其中所述重布線層通過所述盲孔電性連接與所述增厚金屬物。
14.如權(quán)利要求13所述的晶圓級封裝構(gòu)造的制造方法，其特征在于，其中在設(shè)置所述芯片于所述支撐層上的步驟中，所述芯片的有源表面設(shè)有一鈍化層，所述焊墊裸露出所述鈍化層外，所述增厚金屬物為一電鍍成形的金屬層，其厚度介于I微米至10微米之間。
15.如權(quán)利要求13所述的晶圓級封裝構(gòu)造的制造方法，其特征在于，其中在設(shè)置所述芯片于所述支撐層上的步驟中，所述芯片的有源表面設(shè)有一鈍化層，所述焊墊裸露出所述鈍化層外，所述增厚金屬物為一金屬柱狀凸塊，其厚度介于20微米至40微米之間。
16.如權(quán)利要求13所述的晶圓級封裝構(gòu)造的制造方法，其特征在于，其中在設(shè)置所述芯片于所述支撐層上的步驟中，所述增厚金屬物包含一球狀部與一突起部，所述球狀部具有較大的體積；所述突起部具有較小的體積且連接于所述球狀部的頂端，並具有一扯斷部。
17.如權(quán)利要求13所述的晶圓級封裝構(gòu)造的制造方法，其特征在于，其中在設(shè)置所述芯片于所述支撐層上的步驟中，所述增厚金屬物包含一凸塊及一設(shè)于所述凸塊上并包覆所述凸塊頂面的金屬保護(hù)層。
18.如權(quán)利要求13所述的晶圓級封裝構(gòu)造的制造方法，其特征在于 在提供一支撐層的步驟中，所述支撐層的頂面設(shè)有一第一線路層，及其底面設(shè)有一第二線路層；且所述支撐層穿設(shè)有數(shù)個貫孔，每一所述貫孔內(nèi)設(shè)有一導(dǎo)電柱而電連接所述第一線路層與所述第二線路層；所述第一線路層的每一焊墊上進(jìn)一步設(shè)有一第二增厚金屬物； 在于所述絕緣層成形數(shù)個盲孔的步驟中，進(jìn)一步于所述絕緣層成形數(shù)個第二盲孔，使所述第二盲孔分別對應(yīng)及裸露所述第一線路層的焊墊位置上的所述第二增厚金屬物；以及 在設(shè)置所述重布線層于所述絕緣層上的步驟中，所述重布線層通過所述盲孔與所述第二盲孔連接所述增厚金屬物與所述第二增厚金屬物。
19.如權(quán)利要求18所述的晶圓級封裝構(gòu)造的制造方法，其特征在于，其中所述第二增厚金屬物為銅柱凸塊。
20.如權(quán)利要求13至19中任一項(xiàng)所述的晶圓級封裝構(gòu)造的制造方法，其特征在于，所述制造方法進(jìn)一步包含下列步驟 設(shè)置一阻焊層于所述重布線層上并圖案化所述阻焊層，使所述阻焊層具有數(shù)個焊接區(qū)，其中所述焊接區(qū)局部裸露所述重布線層；以及 于每一所述焊接區(qū)上設(shè)置一錫球而使錫球電性連接所述重布線層。
全文摘要
一種晶圓級封裝構(gòu)造及其制造方法，所述晶圓級封裝構(gòu)造包含一支撐層；一芯片，設(shè)于所述支撐層上，并具有一有源表面，所述有源表面背對所述支撐層且設(shè)有數(shù)個焊墊，每一所述焊墊上設(shè)有一增厚金屬物；一絕緣層，設(shè)于所述芯片與所述支撐層上，并具有數(shù)個盲孔，所述盲孔分別對應(yīng)及裸露所述焊墊位置上的所述增厚金屬物；以及一重布線層，設(shè)于所述絕緣層上，并通過所述盲孔與所述芯片的焊墊電性連接。所述增厚金屬物可相對減少盲孔深度，降低絕緣層鉆孔難度。
文檔編號H01L23/485GK103021984SQ201310001318
公開日2013年4月3日 申請日期2013年1月4日 優(yōu)先權(quán)日2013年1月4日
發(fā)明者李志成 申請人:日月光半導(dǎo)體制造股份有限公司