專利名稱：一種有機電致發(fā)光器件的制作方法
技術領域：
本發(fā)明屬于有機電致發(fā)光器件技術領域，涉及一種可以通過有效利用器件內部光輻射，增加器件發(fā)光效率并改善發(fā)光效率電流衰減的有機電致發(fā)光器件結構。
背景技術：
有機電致發(fā)光技術是基于以有機材料為活性層的電注入發(fā)光技術，有機電致發(fā)光器件也被稱為有機發(fā)光器件(organic light-emitting device, OLED)。1987年美國柯達公司鄧青云博士(Dr. Chine Wan Tang)成功利用類似無機半導體異質PN結的雙層夾心結構制備了首個低驅動電壓、高效率的電致發(fā)光器件，由此開啟了 OLED研究時代。相比目前的顯示和照明技術，OLED擁有無可比擬的綜合優(yōu)勢，例如真正的面發(fā)光，低能耗、高效率，超薄、超輕、超快的響應速度，接近180°的超大視角，更廣泛的使用條件、優(yōu)良的機械性能等
坐寸ο經(jīng)過20多年的發(fā)展，OLED技術主要發(fā)展出兩大分支——顯示和照明。在OLED顯示領域，目前主要集中在各類中小尺寸的便攜式電子產(chǎn)品，比如全球各大手機廠商的智能旗艦產(chǎn)品多采用OLED顯示屏。主動發(fā)光的OLED顯示技術將逐步替代目前主流的背光+IXD顯示技術。并且從目前看來，今后30年內不會出現(xiàn)能夠代替OLED的新型顯示技術。另外，隨著可彎曲、不易碎、柔性顯示屏的研發(fā)，OLED顯示技術的應用領域將會大幅擴展。業(yè)內普遍認為，2015年OLED照明將開始進入普通照明市場，并將逐漸成為主流照明應用技術。盡管OLED已經(jīng)逐步產(chǎn)業(yè)化，但仍然存在很大的提升空間。在OLED工作過程中，隨著驅動電流的增大，發(fā)光效率會迅速衰減，尤其是在目前大規(guī)模使用的高效磷光材料器件中，這種衰減相對于低發(fā)光效率的熒光材料器件要嚴重的多。在實際使用中，OLED器件必然會在高亮度，也就是高電流下工作，而這種發(fā)光效率的衰減不僅造成器件功耗增大，而且過大的電流會造成OLED器件的使用壽命大幅度縮短。因此，串聯(lián)型OLED的出現(xiàn)理論上在功耗不增加的情況下可以解決以上諸多問題。據(jù)稱LG公司最新研發(fā)的大面積OLED電視采用的就是這種串聯(lián)OLED結構。串聯(lián)結構OLED器件的原理是將兩個OLED發(fā)光單元垂直疊放在一起，上下外側為外電極，這與常規(guī)器件相同，而中間以一個結構特殊的電荷產(chǎn)生單元連接。在器件工作過程中，這個電荷產(chǎn)生單元會產(chǎn)生等量的電子和空穴并在電場作用下分別注入到鄰近的發(fā)光單元中，與外電極注入的異種電荷相遇復合形成激子。從器件外部看，注入的電荷流經(jīng)兩個發(fā)光單元，被利用了兩次。因此，串聯(lián)器件發(fā)光的量子效率和電流效率理論上是相同結構單發(fā)光單元器件的兩倍，而驅動電壓理論上也是兩倍左右。這樣，雖然功耗沒有變化，但高驅動電流給器件造成的負面影響可以得到很好的緩解。從上面可以看出，串聯(lián)器件中，中間的電荷產(chǎn)生單元是決定器件性能的關鍵因素。在實際情況中，由于電荷產(chǎn)生單元產(chǎn)生電荷需要高電場輔助，以及本身的電阻，還有對器件發(fā)光的吸收，特別是電荷產(chǎn)生效率的低下導致的發(fā)光單元復合區(qū)中正負電荷的不平衡，串聯(lián)器件的驅動電壓要高于單發(fā)光單元器件的兩倍甚至三倍以上，而量子效率低于兩倍，并最終導致功耗的增加。因此，中間電荷產(chǎn)生單元的設計是決定性的。另外還有一個很大的問題，就是增加OLED器件內部光輻射的耦合輸出效率。由于有機電致發(fā)光器件的夾心式結構以及材料折射率的匹配問題，常規(guī)情況下就只有20%的光輻射能夠耦合輸出到器件外部，而其余高達80%的光輻射通過表面等離子共振模式、波導模式等方式損失掉，因此，如何利用這部分光輻射對OLED性能的提升很重要。很長時間以來，在這個問題上集中了大量的研究工作。目前所采用的辦法多是從器件外部的光學設計入手，例如在透過的ITO陽極外側增加微透鏡組，采用特殊折射率的襯底等等；或者調控有機發(fā)光器件復合發(fā)光區(qū)的位置，實現(xiàn)光耦合輸出的最大化。但是這些方式對波長的選擇性較強，由于OLED發(fā)射多為寬光譜發(fā)射，不僅普適性較差，還增加了成本，另外很多時候還犧牲了器件的其他性能
發(fā)明內容

本發(fā)明的目的是提供一種有機電致發(fā)光器件，以有效利用OLED內部的光輻射，更有效地產(chǎn)生電荷，實現(xiàn)高效率的發(fā)光和緩慢的效率衰減。本發(fā)明的有機電致發(fā)光器件是由一對電極，以及設置在該對電極之間的有機電致發(fā)光功能層構成的，所述有機電致發(fā)光功能層包括至少兩個發(fā)光單元，以及設置在發(fā)光單元之間的電荷產(chǎn)生單元，其中發(fā)光單元按照外部陽極到陰極方向由空穴傳輸層/基質與發(fā)光摻雜劑構成的發(fā)光層/電子傳輸層構成。本發(fā)明區(qū)別于現(xiàn)有技術的技術特征是所述電荷產(chǎn)生單元按照外部陽極到陰極方向由N型摻雜緩沖層/電荷產(chǎn)生層/ P型摻雜緩沖層構成，進而，其中的電荷產(chǎn)生層又是由電荷產(chǎn)生輔助層和高激子形成效率的吸光活性層構成，且吸光活性層的吸收光譜與發(fā)光摻雜劑的發(fā)光光譜存在交疊。進一步地，本發(fā)明的有機電致發(fā)光器件還可以包括位于陽極與發(fā)光單元之間的空穴注入層，以及位于陰極與發(fā)光單元之間的電子注入層，以進一步提高電子和空穴的注入。在本發(fā)明的有機電致發(fā)光器件中，由于發(fā)光摻雜劑的發(fā)光光譜與吸光活性層的吸收光譜存在交疊，這樣，電荷產(chǎn)生層中的吸光活性層就可以吸收器件發(fā)光單元發(fā)出的一部分光并形成激子。在外加電場的輔助下，這些激子在電荷產(chǎn)生輔助層/吸光活性層界面發(fā)生解離，產(chǎn)生大量的電荷，并在電場驅動下分別注入到兩側的發(fā)光單元中，從而更好的實現(xiàn)兩側發(fā)光單元中的電荷平衡，提升器件的性能。從理論上講，如果不考慮其他影響因素，光譜交疊越大，吸光活性層的激子形成效率越高，器件的性能也就越好。一般地，吸光活性層的吸收光譜與發(fā)光摻雜劑的發(fā)射光譜交疊度應不低于60%。雖然電荷產(chǎn)生層中的吸光活性層吸收了發(fā)光單元發(fā)出的一部分光子，但是綜合考慮吸光度、透過率以及激子形成效率，只要根據(jù)不同的材料，選擇搭配合適的吸光活性層厚度，就可以在保證電荷產(chǎn)生效率的同時，又保持比較低的吸光度，將其造成的負面影響降到最低，以發(fā)揮最大效能。一般未經(jīng)過耦合輸出增強處理的OLED器件，最終只有約20%的光輻射能夠耦合輸出，其余的約80%會以多種方式損失掉。雖然本發(fā)明器件內部約75%的光輻射都會通過吸光活性層，但是考慮到其低吸光度和器件20%的光輻射耦合輸出效率，吸光活性層吸收所造成的最終損失被降到了近似忽略的水平。實際上，本發(fā)明結構更多的利用了那本該損失掉的80%的內部光輻射，而由此帶來的電學性能的提升非常明顯，因此最后的整體效果是有效增加了有機電致發(fā)光器件內部光輻射的利用率，提升了器件的發(fā)光效率，而且還能減少器件的發(fā)熱，顯著延緩器件效率的電流衰減，并增加器件的對比度。一般地，吸光活性層的厚度在15 40nm之間進行調整。本發(fā)明列舉了部分可以作為電荷產(chǎn)生層的化學物質，例如富勒烯(C60)或并五苯(pentacene)可以用作電荷產(chǎn)生輔助層材料，酞菁銅(CuPc)、并五苯或N, N' -二辛基-3，4，9，10-二酰亞胺基芘(PT⑶1-C8)可以用作吸光活性層材料。但是需要說明的是，本發(fā)明作為電荷產(chǎn)生單元層的材料并不局限于此，只要能夠滿足電荷產(chǎn)生單元層要求的化學物質，都可以作為本發(fā)明的電荷產(chǎn)生層材料使用。影響有機電致發(fā)光器件性能的因素很多，其中光學和電學因素的影響比較大。常規(guī)情況下，OLED中約80%的光輻射會損失掉，這主要與器件的光學性能有關。因此，如同背景技術中指出的，通過光學設計以增加光耦合輸出，實現(xiàn)光耦合輸出的最大化，是目前工作的主流。其實，增強有機電致發(fā)光器件的耦合輸出效率，本質上可以說是提高內部光輻射的 有效利用率。常規(guī)情況下，為了減少電荷產(chǎn)生層吸收帶來的光損失，OLED串聯(lián)器件會刻意避免低帶隙材料，而使用吸收主要在紫外區(qū)域的高帶隙材料。本發(fā)明卻跳出了目前主流的設計思路，從器件的電學性能方面入手，另辟蹊徑設計了一種特殊的器件結構，將類似于有機光探測器的電荷產(chǎn)生單元插入在兩個發(fā)光單元之間，使其通過吸收器件發(fā)光單元發(fā)出的一部分光并最終產(chǎn)生大量的電荷，從而更好的實現(xiàn)兩側發(fā)光單元中電荷平衡，以提升器件的性能。雖然本發(fā)明中吸光活性層吸收了發(fā)光單元發(fā)出的一部分光子，但是考慮到OLED器件約20%的光輻射耦合輸出效率以及吸光活性層低的吸光度，由電荷產(chǎn)生單元吸收所造成的最終損失被降到了近似忽略的水平。而由于本發(fā)明有效利用了那本該損失掉的80%的內部光輻射，實際上不僅并未對器件造成負面影響，反而由于產(chǎn)生更多的電荷，優(yōu)化了發(fā)光區(qū)內的電荷平衡，帶來的諸多性能的提升，包括增加器件的發(fā)光效率，顯著延緩器件效率的電流衰減，減少器件的發(fā)熱，此外還能增加器件的對比度。具體的說，本發(fā)明有機電致發(fā)光器件的電流效率相比同結構單發(fā)光單元器件提高到兩倍以上，而且高電流下的倍率增大，最高達2. 4倍。例如lOOmA/cm2電流驅動時，單發(fā)光單元器件發(fā)光效率為5. 2cd/A，相對其最高發(fā)光效率下降了約47%，而串聯(lián)器件發(fā)光效率為12. 8cd/A，相對其最高發(fā)光效率僅下降了約25%，這也就是說，電流衰減得到了很好的延緩。另外，由于發(fā)光效率提高和驅動電流降低，器件內部損失的輻射造成的發(fā)熱和高電流造成的焦耳熱也相應減少。最后，由于電流密度下的低發(fā)光效率和吸光活性層吸收外界可見光造成器件本身的顏色較暗，本發(fā)明串聯(lián)器件的對比度也比常規(guī)器件要有所提高，這對顯示技術很有幫助。


圖1是本發(fā)明實施例1有機電致發(fā)光器件Al的器件結構示意圖。圖2是圖1中發(fā)光單元的結構示意圖。圖3是圖1中電荷產(chǎn)生單元的結構示意圖。圖4是實施例1提供的OLED器件Al中所采用的CuPc薄膜的吸收光譜和Ir (piq)2acac薄膜的光致發(fā)光光譜。圖5是實施例1提供的OLED器件Al和A2的電流密度-電壓變化曲線，其中器件Al的曲線為650nm LED照射下和正常驅動(無光照)下的結果。圖6是實施例1提供的OLED器件Al和A2的電流效率-電流密度變化曲線。圖7是實施例1提供的OLED器件Al和A2的電流效率比率-電流密度變化曲線。圖8是實施例1提供的OLED器件Al電荷產(chǎn)生層的電荷產(chǎn)生過程示意圖；圖中a)為工作過程中光照下的情況，b)為初始無光時的情況。圖9是實施例2提供的OLED器件BI中pentacene薄膜的吸收光譜和Ir (mdq) 2acac薄膜的光致發(fā)光光譜。
圖10是實施例2提供的OLED器件BI和B2的電流密度-電壓變化曲線。圖11是實施例2提供的OLED器件BI和B2的電流效率-電流密度變化曲線。圖12是實施例3提供的OLED器件Cl中PT⑶1-C8薄膜的吸收光譜和FIrpic薄膜的光致發(fā)光光譜。圖13是實施例3提供的OLED器件Cl和C2的電流密度-電壓變化曲線。 圖14是實施例3提供的OLED器件Cl和C2的電流效率-電流密度變化曲線。
具體實施例方式實施例1
本實施例有機電致發(fā)光器件Al的結構為
Al IT0 / m-MTDATA (20nm) / NPB (50nm) / TCTA (IOnm) / TCTA: TPB1:1r (piq) 2acac (7wt%, 20nm) / TPBi (20nm) / TPB1: Cs2CO3 (10wt%, IOnm) / C60 (20nm)/ CuPc (20nm) / m-MTDATA: F4-TCNQ (20wt%, IOnm) / NPB (40nm) / TCTA (IOnm) /TCTA: TPB1:1r (piq) 2acac (7wt%, 20nm) / TPBi (30nm) / TPB1: Cs2CO3 (10wt%, 20nm)/ Al (IOOnm)。該有機電致發(fā)光器件的結構如圖1所示，整體采用串聯(lián)結構，由兩個發(fā)光單元40和一個電荷產(chǎn)生單元50組成，以沉積在玻璃襯底10上的透明導電薄膜ITO作為器件的陽極20，Al作為器件的陰極70，同時在ITO之后和Al電極之前還分別蒸鍍了一層空穴注入層30和電子注入層60，以提高電子和空穴的注入。發(fā)光單元40的結構如圖2，為空穴傳輸層401 /發(fā)光層(基質發(fā)光摻雜劑)402 /電子傳輸層403。電荷產(chǎn)生單兀50的結構如圖3，為N型摻雜緩沖層501 /電荷產(chǎn)生層(502/503) / P型摻雜緩沖層504，其中電荷產(chǎn)生層由電荷產(chǎn)生輔助層502和吸光活性層503兩層構成。具體地，其中各功能層采用的材料為發(fā)光單元40中，空穴傳輸層401材料為NPB和TCTA ;發(fā)光層402中，以TCTA: TPBi為基質，Ir(piq)2acac為發(fā)光摻雜劑；電子傳輸層403材料為TPBi。電荷產(chǎn)生單元50中，N型摻雜緩沖層501為TPB1: Cs2CO3,P型摻雜緩沖層504為m-MTDATA: F4-TCNQ ;電荷產(chǎn)生層中，以C60作為電荷產(chǎn)生輔助層502，CuPc作為吸光活性層503?？昭ㄗ⑷雽?0為m-MTDATA，電子注入層60為TPB1: Cs2CO3。圖4是20nm CuPc薄膜的吸收光譜以及Ir(piq)2acac薄膜的發(fā)射光譜,從圖中可以看出CuPc吸收光譜的峰值剛好對應于Ir(piq)2acac 620nm附近的發(fā)射峰,光譜完全交疊，因此，Ir (piq) 2acac發(fā)出的光通過CuPc薄膜時一部分會被吸收。進而，電荷產(chǎn)生層中的電荷產(chǎn)生輔助層/吸光活性層采用C60 / CuPc異質結，并分別采用TPB1: &20)3和m-MTDATA: F4-TCNQ作為兩側的N型和P型摻雜緩沖層，上述特殊結構的電荷產(chǎn)生單元可以產(chǎn)生更多的電荷，并利于能級的匹配和電荷的注入，從而優(yōu)化兩側發(fā)光單元內的電荷平衡，導致器件性能的顯著提升。為了進一步證明上述器件結構能夠提升OLED器件的性能，本實施例同時制備了與器件Al區(qū)別僅為單發(fā)光單元，其他結構完全相同的的參比器件A2。A2 IT0 / m-MTDATA (20nm) / NPB (50nm) / TCTA (IOnm) / TCTA: TPB1:1r (piq) 2acac (7wt%, 20nm) / TPBi (30nm) / TPB1: Cs2CO3 (10wt%, 20nm) / Al(IOOnm)。圖5是器件Al和A2的電流密度-電壓變化曲線，從圖中可以看到，初始時器件Al的工作電壓明顯高于器件A2的兩倍，但是隨著電流的增加，器件Al的驅動電壓逐漸下降到器件A2的兩倍左右。同時從圖6和圖7中可以看到，器件Al的電流效率從剛開始的略高于器件A2，隨著電流的增大迅速增加到2. 4倍，并且器件Al電流效率最大值對應的電流密度值明顯高于器件A2，隨著電流密度增大，電流效率的衰減也明顯更緩慢。 由于器件Al中酞菁銅與富勒烯C60薄膜的存在，器件在不工作狀態(tài)下，會吸收從透明電極ITO側透射進來的外界可見光，因此整個器件在不工作狀態(tài)下的顏色明顯比器件A2深，另外，器件Al在低電流密度下具有低的發(fā)光效率。這兩者對于增加OLED顯示屏的對比度很有幫助。進而，以峰值波長650nm的LED光源從ITO電極一側照射器件Al，測定其的電流密度-電壓變化曲線，如圖5所示，在LED紅光照射下，相比沒有光照的正常驅動情況，相同電流密度下器件Al的的驅動電壓明顯較低，恰好為器件A2的兩倍。隨著電流密度的增加，兩條曲線越來越接近，即相同電流密度下的電壓越來越接近。產(chǎn)生以上現(xiàn)象的原因分析如下在器件Al正常驅動時，從ITO陽極和Al陰極分別向兩個發(fā)光單元注入空穴和電子，而電荷產(chǎn)生輔助層/吸光活性層(C60 / CuPc)界面在電場的作用下也會產(chǎn)生正負電荷，其中空穴經(jīng)由CuPc注入到Al電極一側的發(fā)光單元，電子注入到ITO陽極一側的發(fā)光單元，并與從電極注入的電荷在各自的復合區(qū)復合形成Ir (piq) 2acac激子福射發(fā)光。但是由于初始時,CuPc / C60界面產(chǎn)生的電荷必須通過CuPcHOMO上的電子向C60 LUMO上電子轉移完成，如圖6(b)所示。這個過程需要克服一個高達
O.7ev的勢壘，因此需要外加高電場的輔助才能完成，而且根據(jù)量子力學可知，這個隧穿過程的效率是比較低的。因此，器件Al初始時的電壓高于器件A2的兩倍，而兩個發(fā)光單元的復合區(qū)內正負電荷的不平衡也導致器件電流效率不足兩倍。隨著電流密度的增大，也就是器件亮度的增大(兩者基本呈線性關系)，電荷產(chǎn)生層中的CuPc分子開始吸收一部分由Ir (piq) 2acac發(fā)出的光,并形成激子。如圖6(a)所示，被激發(fā)的CuPc分子，其電子分布在LUMO上，并在界面上自發(fā)形成電荷轉移，電子轉移到臨近C60 LUMO上的過程不存在能量勢壘的阻擋。此外，在外加電場的作用下，這種界面的激子解離效率也就是電荷產(chǎn)生效率會大幅度增加，由此產(chǎn)生的電荷數(shù)量要比初始時刻大幅度增加，因此器件Al的驅動電壓會逐漸接近于器件A2的兩倍，而電流效率逐漸增加。由于這種電荷產(chǎn)生單元的電荷產(chǎn)生效率高于常規(guī)電荷產(chǎn)生單元，因此高電流密度時，兩個發(fā)光單元中的正負電荷平衡情況要更好，最后導致電流效率高于器件A2的兩倍，并隨電流密度的增加緩慢衰減。實施例2同時制備包含雙發(fā)光單元的有機電致發(fā)光器件BI和單發(fā)光單元的參考器件B2，其具體結構如下
BI ITO / m-MTDATA (20nm) / NPB (50nm) / TCTA (IOnm) / TCTA: TPB1:1r (mdq) 2acac (7wt%, 20nm) / TPBi (20nm) / TPB1: Cs2CO3 (10wt%, IOnm) / C60 (20nm)/ pentacene (20nm) / m-MTDATA: F4-TCNQ (20wt%, IOnm) / NPB (40nm) / TCTA (IOnm)/ TCTA: TPB1:1r (mdq) 2acac (7wt%, 20nm) / TPBi (30nm) / TPB1: Cs2CO3 (10wt%,20nm) / Al (IOOnm)；
B2 ITO / m-MTDATA (20nm) / NPB (50nm) / TCTA (IOnm) / TCTA: TPB1:1r (mdq) 2acac (7wt%, 20nm) / TPBi (30nm) / TPB1: Cs2CO3 (10wt%, 20nm) / Al (IOOnm)。本實施例電荷產(chǎn)生層米用C60 / pentacence,以C60為電荷產(chǎn)生輔助層，pentacene為吸光活性層。器件發(fā)光摻雜劑為Ir (mdq) 2acac。如圖9所示,pentacence的吸收波段位于500 700nm之間,幾乎完全覆蓋了 Ir (mdq) 2acac的發(fā)光光譜,所以pentacence可以很好地吸收Ir(mdq)2acac福射的光子。圖10和圖11分別為器件BI和B2的電流密度-電壓變化曲線和電流效率_電流密度變化曲線。與實施例1相似，初始時器件BI的工作電壓明顯高于器件B2的兩倍，隨著電流的增加，器件BI的驅動電壓下降到器件B2的兩倍左右。隨著電流密度的增大，器件BI的電流效率漸漸接近并超過B2的兩倍，并且下降趨勢緩慢。由此可以推斷，本實施例的電荷產(chǎn)生單元通過pentacene吸收部分Ir(mdq)2acac的福射光子,達到了利用內部福射增加器件效率的目的。實施例3
同時制備包含雙發(fā)光單元的有機電致發(fā)光器件Cl和單發(fā)光單元的參考器件C2，其具體結構如下
Cl ITO / m-MTDATA (20nm) / NPB (50nm) / TCTA (IOnm) / TCTA: TPB1: FIrpic(7wt%, 20nm) / TPBi (20nm) / TPB1: Cs2CO3 (10wt%, IOnm) / PTCD1-C8 (20nm) /Pentacene (20nm) / m-MTDATA: F4-TCNQ (20wt%, IOnm) / NPB (40nm) / TCTA (IOnm)/ TCTA: TPB1: FIrpic (7wt%, 20nm) / TPBi (30nm) / TPB1: Cs2CO3 (10wt%, 20nm) /Al (IOOnm)；
C2 ITO / m-MTDATA (20nm) / NPB (50nm) / TCTA (IOnm) / TCTA: TPB1: FIrpic(7wt%, 20nm) / TPBi (30nm) / TPB1: Cs2CO3 (10wt%, 20nm) / Al (IOOnm)。本實施例的電荷產(chǎn)生單元采用PTO)1-C8/Pentacene異質結，以pentacene為電荷產(chǎn)生輔助層，PT⑶1-C8為吸光活性層。器件發(fā)光摻雜劑為藍色磷光材料FIrpic。如圖12所示，PT⑶1-C8的吸收光譜和FIrpic的光致發(fā)光光譜完全交疊，PT⑶1-C8可以很好地吸收FIrpic福射的光子。圖13和圖14分別為器件Cl和C2的電流密度-電壓變化曲線和電流效率_電流密度變化曲線，從圖中可以看出與前兩個實施例相似的現(xiàn)象，說明本實施例的設計也起到了同樣的作用。本發(fā)明實施例中所涉及縮寫名稱的正式化學名稱如下。ITO:氧化銦錫。
m-MTDATA :4，4’，4’ ’ -三(N_3_甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺。NPB N, N，- 二 (1-萘基)_N, N, - 二苯基 _1，I，_ 聯(lián)苯 _4，4，- 二胺。TCTA :4，4’，4’ ’ -三(咔唑-9-基)三苯胺。TPB1:1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑 _2_ 基)苯。Ir (piq) 2acac :二(1-苯基異喹啉)(乙酰丙酮)合銥(III)。F4-TCNQ : 2，3，5，6_ 四氟 _7，7’，8，8’ -四氰二甲基對苯醌。C60:富勒烯。CuPc :酞菁銅。 Pentacene :并五苯。Ir (mdq) 2acac (乙酰丙酮)雙(2_甲基二苯并[F，H]喹喔啉)合銥。FIrpic :雙(4，6_ 二氟苯基吡啶_N，C2)吡啶甲酰合銥。PTCD1-C8 =N1N1- 二辛基 _3，4，9，10- 二酰亞胺基芘。Cs2CO3 :碳酸銫。Al :鋁。
權利要求
1.一種有機電致發(fā)光器件，由一對電極，以及設置在該對電極之間的有機電致發(fā)光功能層構成，所述有機電致發(fā)光功能層包括至少兩個發(fā)光單元，以及設置在發(fā)光單元之間的電荷產(chǎn)生單兀，其中發(fā)光單兀按照外部陽極到陰極方向由空穴傳輸層/基質與發(fā)光摻雜劑構成的發(fā)光層/電子傳輸層構成，其特征是所述電荷產(chǎn)生單元按照外部陽極到陰極方向由N型摻雜緩沖層/電荷產(chǎn)生層/P型摻雜緩沖層構成，其中電荷產(chǎn)生層由電荷產(chǎn)生輔助層和活性層構成，且吸光活性層的吸收光譜與發(fā)光摻雜劑的發(fā)光光譜存在交疊。
2.根據(jù)權利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征是還包括位于陽極與發(fā)光單元之間的空穴注入層，以及位于陰極與發(fā)光單元之間的電子注入層。
3.根據(jù)權利要求1或2所述的有機電致發(fā)光器件，其特征是所述吸光活性層的吸收光譜與發(fā)光摻雜劑的發(fā)射光譜交疊度不低于60%。
4.根據(jù)權利要求1或2所述的有機電致發(fā)光器件，其特征是所述吸光活性層的厚度為15 40nmo
5.根據(jù)權利要求1或2所述的有機電致發(fā)光器件，其特征是所述的電荷產(chǎn)生輔助層材料為富勒烯或并五苯。
6.根據(jù)權利要求1或2所述的有機電致發(fā)光器件，其特征是所述的吸光活性層材料為酞菁銅、并五苯或N，N' - 二辛基-3，4，9，10- 二酰亞胺基芘。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種有機電致發(fā)光器件，由電極和設置在電極之間的有機電致發(fā)光功能層構成，所述有機電致發(fā)光功能層包括至少兩個發(fā)光單元，以及設置在發(fā)光單元之間的電荷產(chǎn)生單元，其中發(fā)光單元按照外部陽極到陰極方向由空穴傳輸層/基質與發(fā)光摻雜劑構成的發(fā)光層/電子傳輸層構成，所述電荷產(chǎn)生單元按照外部陽極到陰極方向由N型摻雜緩沖層/電荷產(chǎn)生層/P型摻雜緩沖層構成，電荷產(chǎn)生層由電荷產(chǎn)生輔助層和吸光活性層構成，且吸光活性層的吸收光譜與發(fā)光摻雜劑的發(fā)光光譜存在交疊。本發(fā)明的有機電致發(fā)光器件可以有效利用OLED內部的光輻射，更有效地產(chǎn)生電荷，實現(xiàn)高效率的發(fā)光和緩慢的效率衰減。
文檔編號H01L51/50GK103022366SQ20131000182
公開日2013年4月3日 申請日期2013年1月5日 優(yōu)先權日2013年1月5日
發(fā)明者劉慧慧, 顏飛, 苗艷勤, 杜曉剛, 景姝, 高志翔, 王 華, 許并社, 黃維 申請人:太原理工大學