一種修飾氧化銦錫陽(yáng)極及其制備方法和有機(jī)電致發(fā)光器件的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明實(shí)施例公開了一種修飾氧化銦錫陽(yáng)極，包括氧化銦錫陽(yáng)極和修飾層，所述氧化銦錫陽(yáng)極包括玻璃基板和設(shè)置在所述玻璃基板表面的氧化銦錫薄膜，所述修飾層設(shè)置在所述氧化銦錫薄膜表面，所述修飾層為所述氧化銦錫薄膜表面的銦與氟成鍵形成的以In-F形式存在的含氟偶極層，所述含氟偶極層的氟元素的質(zhì)量百分含量為19~23%，錫元素與銦元素的質(zhì)量百分含量比為0.006~0.014。含氟偶極層的存在使陽(yáng)極表面功函得到了提高。另，本發(fā)明實(shí)施例還公開了該修飾氧化銦錫陽(yáng)極的制備方法，以及使用上述修飾氧化銦錫陽(yáng)極的有機(jī)電致發(fā)光器件。
【專利說明】一種修飾氧化銦錫陽(yáng)極及其制備方法和有機(jī)電致發(fā)光器件
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及電子器件相關(guān)領(lǐng)域，尤其涉及一種修飾氧化銦錫陽(yáng)極及其制備方法和有機(jī)電致發(fā)光器件。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，在有機(jī)半導(dǎo)體行業(yè)中，有機(jī)電致發(fā)光器件(OLED)具有亮度高、材料選擇范圍寬、驅(qū)動(dòng)電壓低、全固化主動(dòng)發(fā)光等特性，同時(shí)擁有高清晰、廣視角，以及響應(yīng)速度快等優(yōu)勢(shì)，是一種極具潛力的顯示技術(shù)和光源，符合信息時(shí)代移動(dòng)通信和信息顯示的發(fā)展趨勢(shì)，以及綠色照明技術(shù)的要求，是目前國(guó)內(nèi)外眾多研究者的關(guān)注重點(diǎn)。
[0003]在有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)中，陽(yáng)極作為器件結(jié)構(gòu)的一個(gè)重要部分，承擔(dān)著載流子注入和電路連接的作用，而同時(shí)載流子的注入又與電極同有機(jī)材料之間的界面勢(shì)壘有關(guān)。陽(yáng)極一般都是承擔(dān)空穴注入的作用，通常采用的導(dǎo)電氧化物薄膜如氧化銦錫(ΙΤ0)等，其功函只有4.7eV，而采用的有機(jī)空穴傳輸材料，其HOMO能級(jí)通常在5.1V左右，這樣導(dǎo)致空穴注入需要克服較大的勢(shì)壘，從而導(dǎo)致空穴注入效率不高。目前通常使用氧等離子處理的方法，提高ITO表面的氧含量，并降低Sn/In比，從而達(dá)到提高功函的目的，因此獲得較高的空穴注入效率。但該方法需要用到等離子處理設(shè)備，對(duì)設(shè)備的要求比較高。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明旨在提供一種修飾氧化銦錫陽(yáng)極及其制備方法，該方法通過將氧化銦錫陽(yáng)極進(jìn)行修飾處理，使氧化銦錫薄膜表面形成了含氟偶極層，提高了陽(yáng)極表面功函，從而使該陽(yáng)極在應(yīng)用中可大大提高空穴的注入效率，提高器件發(fā)光效率。本發(fā)明還提供了包含上述修飾氧化銦錫陽(yáng)極的有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0005]第一方面，本發(fā)明提供了一種修飾氧化銦錫陽(yáng)極，包括氧化銦錫陽(yáng)極和修飾層，所述氧化銦錫陽(yáng)極包括玻璃基板和設(shè)置在所述玻璃基板表面的氧化銦錫薄膜，所述修飾層設(shè)置在所述氧化銦錫薄膜表面，所述修飾層為所述氧化銦錫薄膜表面的銦與氟成鍵形成的以In-F形式存在的含氟偶極層，所述含氟偶極層的氟元素的百分含量為1擴(kuò)23%，錫元素與銦元素的質(zhì)量百分含量比為0.006、.014。
[0006]優(yōu)選地，所述氧化銦錫薄膜的厚度為7(T200nm。
[0007]第二方面，本發(fā)明提供了一種修飾氧化銦錫陽(yáng)極的制備方法，包括以下步驟:
[0008]提供潔凈的氧化銦錫陽(yáng)極，所述氧化銦錫陽(yáng)極包括玻璃基板和設(shè)置在所述玻璃基板表面的氧化銦錫薄膜；
[0009]向所述氧化銦錫薄膜表面滴加含氟有機(jī)物；所述含氟有機(jī)物為二氟鄰位取代的芳香族化合物；
[0010]待所述含氟有機(jī)物擴(kuò)散完畢后，將所述氧化銦錫陽(yáng)極在惰性氣體保護(hù)下，對(duì)滴加含氟有機(jī)物的一面進(jìn)行紫外光照處理，處理的時(shí)間為5?20分鐘；
[0011]紫外光照處理完畢后，將所述氧化銦錫陽(yáng)極進(jìn)行臭氧化處理，得到修飾氧化銦錫陽(yáng)極，所述修飾氧化銦錫陽(yáng)極的表面具有修飾層，所述修飾層為所述氧化銦錫薄膜表面的銦與氟成鍵形成的以In-F形式存在的含氟偶極層。
[0012]所述含氟偶極層的氟元素的百分含量為19~23%，錫元素與銦元素的質(zhì)量百分含量比為 0.006~0.014。
[0013]所述氧化銦錫陽(yáng)極包括玻璃基板和設(shè)置在所述玻璃基板表面的氧化銦錫薄膜。采用如下方式制備:提供潔凈的玻璃基板，采用磁控濺射法在所述玻璃基板上濺射制備氧化銦錫薄膜。
[0014]所述玻璃基板為市售普通玻璃。
[0015]優(yōu)選地，所述玻璃基板的清洗操作具體為:依次采用洗潔精、去離子水、異丙醇和丙酮分別進(jìn)行超聲清洗20分鐘，然后氮?dú)獯蹈伞?br> [0016]優(yōu)選地，所述氧化銦錫薄膜的厚度為7(T200nm。
[0017]制備好的氧化銦錫陽(yáng)極還可進(jìn)行臭氧化處理，以提高氧化銦錫薄膜表面能。隨后向所述氧化銦錫薄膜表面滴加含氟有機(jī)物。
[0018]所述含氟有機(jī)物為二氟鄰位取代的芳香族化合物。優(yōu)選地，所述二氟鄰位取代的芳香族化合物為鄰二氟苯、3，4-二氟甲苯或2，3-二氟甲苯。 [0019]優(yōu)選地，以所述氧化銦錫薄膜的面積計(jì)，所述含氟有機(jī)物的滴加量為0.02、.1mL/
2
cm ο
[0020]待含氟有機(jī)物擴(kuò)散完畢后，這些含氟有機(jī)物將分散著吸附在高能的氧化銦錫(ITO)陽(yáng)極表面，此時(shí)將所述氧化銦錫陽(yáng)極在惰性氣體保護(hù)下進(jìn)行紫外光照處理。通過UV光照處理，吸附在ITO表面的含氟有機(jī)物將產(chǎn)生大量含氟的自由基，這些含氟自由基將與ITO表面的銦(In)結(jié)合，形成In-F鍵，從而氧化銦錫(ΙΤ0)表面的部分Sn被F取代。
[0021 ] 優(yōu)選地，所述紫外光照處理過程中采用UV汞燈進(jìn)行照射處理，所述UV汞燈功率為5^40w,所述UV汞燈與所述氧化銦錫陽(yáng)極的距離為5~10cm。
[0022]優(yōu)選地，所述惰性氣體為氬氣或氮?dú)?。所述惰性氣體通入后，紫外處理室的壓力為I個(gè)大氣壓。
[0023]紫外光照處理完畢后，將所述氧化銦錫陽(yáng)極進(jìn)行臭氧化處理，得到修飾氧化銦錫陽(yáng)極，所述修飾氧化銦錫陽(yáng)極表面具有含氟偶極層。
[0024]優(yōu)選地，所述臭氧化處理在臭氧處理室中進(jìn)行，處理時(shí)間為3飛分鐘。
[0025]該臭氧處理過程中，由于臭氧不穩(wěn)定，臭氧分子能自行分解為O2和單原子0，兩個(gè)單氧原子O可結(jié)合為02，單氧原子極活潑，具有極強(qiáng)氧化性和分解功能，能迅速消毒、殺菌和氧化有機(jī)物，無(wú)機(jī)物等，因此通過氧化銦錫陽(yáng)極經(jīng)臭氧化處理后，可以去除修飾氧化銦錫陽(yáng)極表面多余吸附的二氟鄰位取代的芳香族化合物和其他殘留雜質(zhì)，使氧化銦錫薄膜表面只存在接近單分子薄膜狀態(tài)的In-F層；同時(shí)還能使不穩(wěn)定的In-F鍵變得更加穩(wěn)定；從而進(jìn)一步提高了 ITO表面的In-F鍵比例，提高了陽(yáng)極表面元素F的百分含量，減少了陽(yáng)極表面的Sn/In元素含量比。這樣一來，在陽(yáng)極ITO表面將形成了一層以In-F形式存在的含氟偶極層，該含氟偶極層的氟元素的百分含量為19~23%，錫元素與銦元素的質(zhì)量百分含量比為
0.006、.014，因此，相對(duì)于普通未修飾的ITO陽(yáng)極，該含氟偶極層作為修飾層存在可提高ITO陽(yáng)極表面功函，從而降低空穴注入需要克服的勢(shì)壘，提高空穴注入效率。這是由于偶極層的存在將提高ITO表面的真空能級(jí)Eva。，提高一個(gè)數(shù)值δ，這樣使陽(yáng)極的費(fèi)米能級(jí)Ef與真空能級(jí)Eva。的差值Λ E相比原有的差值多了 δ。根據(jù)功函的定義，功函是材料費(fèi)米能級(jí)與真空能級(jí)的差值，這樣就意味著功函提高了 S數(shù)值。即含氟偶極層的存在提高了陽(yáng)極表面功函。
[0026]所述修飾氧化銦錫陽(yáng)極應(yīng)當(dāng)進(jìn)行妥善保存，保存環(huán)境為真空環(huán)境〈10_3Pa或者保存在N2手套箱中。
[0027]第三方面，本發(fā)明提供了一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括陽(yáng)極、功能層、發(fā)光層和陰極，所述陽(yáng)極為修飾氧化銦錫陽(yáng)極，所述修飾氧化銦錫陽(yáng)極包括氧化銦錫陽(yáng)極和修飾層，所述氧化銦錫陽(yáng)極包括玻璃基板和設(shè)置在所述玻璃基板表面的氧化銦錫薄膜，所述修飾層設(shè)置在所述氧化銦錫薄膜表面，所述修飾層為所述氧化銦錫薄膜表面的銦與氟成鍵形成的以In-F形式存在的含氟偶極層，所述含氟偶極層的氟元素的百分含量為1擴(kuò)23%，錫元素與銦元素的質(zhì)量百分含量比為0.006、.014。
[0028]優(yōu)選地，所述氧化銦錫薄膜的厚度為7(T200nm。
[0029]其中，所述功能層包括空穴傳輸層、電子傳輸層和電子注入層中的至少一種。
[0030]當(dāng)所述功能層為多層時(shí)，所述空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極按順序依次設(shè)置在修飾氧化銦錫陽(yáng)極的ITO薄膜表面。
[0031]相對(duì)于其他有機(jī)電致發(fā)光器件，由于本發(fā)明采用的修飾氧化銦錫陽(yáng)極，其表面功函得到了大幅度提高，因此在有機(jī)電致發(fā)光器件中，無(wú)需采用空穴注入層，因此可以簡(jiǎn)化器件結(jié)構(gòu)和制作工藝。
[0032]所述空穴傳輸層的空穴傳輸材料可以為4，4’，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)，N，N’ - 二苯基-N，N’ - 二(3-甲基苯基)-1，I’ -聯(lián)苯-4，4’ - 二胺(TPD)，N，N，N’，N’ -四甲氧基苯基)_對(duì)二氨基聯(lián)苯(MeO-TPD) ;2，7-雙(N，N-二(4-甲氧基苯基)氨基)-9,9-螺二芴(MeO-Sprio-TPD)，N, N’- 二苯基-N, N’- 二 (1-萘基)_1，I，_ 聯(lián)苯-4，4’-二胺(NPB)，1，1-二(4-(N，N' -二(p-甲苯基)氨基)苯基)環(huán)己烷(TAPC)或2,2' ,1,1' -四(N，N-二苯胺基)-9，9'-螺二芴(S-TAD)，空穴傳輸層的厚度為2(T40nm。
[0033]所述發(fā)光層的材質(zhì)為發(fā)光材料摻雜空穴傳輸材料或電子傳輸材料形成的混合材料。
[0034]所述發(fā)光材料可以為4_(二腈甲基)-2_ 丁基-6-( I, I, 7，7_四甲基久洛呢啶_9_乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)，2，3,6, 7-四氫 _1，1,7, 7-四甲基-1H，5H, 11Η_10_(2-苯并噻唑基)_喹嗪并[9，9A，1GH]香豆素(C545T)，二(2-甲基-8-羥基喹啉)-(4-聯(lián)苯酚)鋁(BALQ)，4_(二腈甲烯基)-2-異丙基-6-( 1，1,7, 7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)_4H_吡喃(DCJTI)，二甲基喹吖啶酮(DMQA)、8-羥基喹啉鋁(Alq3)，5，6，11，12-四苯基萘并萘(Rubrene)，4，4’-二(2，2-二苯乙烯基)-1，I’-聯(lián)苯(DPVBi)，雙(4，6-二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合銥(FIrpic)，雙(4，6- 二氟苯基吡啶)-四(1-吡唑基)硼酸合銥(FIr6)，雙(4，6- 二氟-5-氰基苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酸合銥(FCNIrpic)，二(2' ,4' -二氟苯基)吡啶](四唑吡啶)合銥(FIrN4)，二(2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合銥(Ir (MDQ) 2 (acac) ), 二( 1-苯基異喹啉)(乙酰丙酮)合銥(Ir (piq) 2 (acac)),乙酰丙酮酸二(2-苯基吡啶)銥(Ir (ppy) 2 (acac))，三(1-苯基-異喹啉)合銥(Ir (piq) 3)或三(2_苯基吡啶)合銥(Ir(ppy)3)中的一種或幾種。發(fā)光層的厚度為l(T20nm。
[0035]所述電子傳輸層的電子傳輸材料可以為2- (4-聯(lián)苯基)-5- (4-叔丁基)苯基-1，3，4-噁二唑(PBD)，(8-羥基喹啉)-鋁(Alq3)，4，7-二苯基-鄰菲咯啉(Bphen)，
I,3, 5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)，2，9-二甲基-4，7-聯(lián)苯-1，10-鄰二氮雜菲(BCP)，I, 2，4-三唑衍生物(如TAZ)或雙(2-甲基-8-羥基喹啉-N1, O8)-(I, I，-聯(lián)苯-4-輕基)招(BAlq)。電子傳輸層的厚度為3(T60nm。
[0036]所述電子注入層的材質(zhì)可以為L(zhǎng)iF，CsF或NaF，厚度為Inm ；
[0037]所述陰極可采用Ag, Al, Sm, Yb, Mg-Ag合金或Mg-Al合金,厚度為7(T200nm。
[0038]上述空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極均可采用真空蒸鍍的方式依次制備在修飾氧化銦錫陽(yáng)極上。
[0039]實(shí)施本發(fā)明實(shí)施例，具有如下有益效果:
[0040](I)本發(fā)明提供的修飾氧化銦錫陽(yáng)極的制備方法，通過將氧化銦錫陽(yáng)極進(jìn)行表面含氟有機(jī)物的紫外光照處理，使氧化銦錫陽(yáng)極表面形成了以In-F的形式存在的含氟偶極層，從而提聞了陽(yáng)極表面功函；
[0041](2)本發(fā)明提供的修飾氧化銦錫陽(yáng)極的制備方法，工藝簡(jiǎn)單，成本低；
[0042]( 3 )本發(fā)明提供的修飾氧化銦錫陽(yáng)極，可廣泛應(yīng)用于有機(jī)電致發(fā)光器件及有機(jī)太陽(yáng)能電池中，提高器件的效率。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0043]圖1是本發(fā)明實(shí)施例1提供的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)圖；
[0044]圖2是本發(fā)明實(shí)施例4提供的有機(jī)電致發(fā)光器件與現(xiàn)有有機(jī)電致發(fā)光器件的電流密度與電壓的關(guān)系圖。
【具體實(shí)施方式】
[0045]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0046]實(shí)施例1
[0047]一種修飾氧化銦錫陽(yáng)極的制備方法，包括以下步驟:
[0048](I)取玻璃基板，依次采用洗潔精、去離子水、異丙醇和丙酮分別進(jìn)行超聲清洗20分鐘，然后氮?dú)獯蹈?；在玻璃基板上采用磁控濺射法制備厚度為IOOnm的氧化銦錫薄膜，得到氧化銦錫陽(yáng)極；
[0049](2)將面積為IOcm2氧化銦錫薄膜陽(yáng)極進(jìn)行臭氧化處理5分鐘后，向氧化銦錫薄膜表面滴加鄰二氟苯溶液；以氧化銦錫薄膜的面積計(jì)，鄰二氟苯滴加量為0.02mL/cm2 ；
[0050](3)待鄰二氟苯溶液擴(kuò)散完畢后，將氧化銦錫陽(yáng)極置于紫外處理室中，通入I個(gè)大氣壓的氮?dú)猓捎肬V汞燈對(duì)所述氧化銦錫陽(yáng)極滴加鄰二氟苯溶液的一面進(jìn)行紫外光照處理；
[0051](4)紫外光照處理完畢后，再次將氧化銦錫陽(yáng)極進(jìn)行臭氧化處理，得到修飾氧化銦錫陽(yáng)極，修飾氧化銦錫陽(yáng)極的表面具有修飾層，修飾層為氧化銦錫薄膜表面的銦與氟成鍵形成的以In-F形式存在的含氟偶極層。[0052]紫外光照處理過程中，UV汞燈功率為5w，UV汞燈與氧化銦錫陽(yáng)極的距離為5cm，紫外光照處理的時(shí)間為20分鐘。
[0053]本實(shí)施例制得的修飾氧化銦錫陽(yáng)極，其表面具有以In-F的形式存在的含氟偶極層，該偶極層將提高ITO表面的真空能級(jí)Eva。，提高一個(gè)數(shù)值δ，這樣使陽(yáng)極的費(fèi)米能級(jí)Ef與真空能級(jí)Eva。的差值Λ E相比原有的差值多了 δ。根據(jù)功函的定義，功函是材料費(fèi)米能級(jí)與真空能級(jí)的差值，這樣就意味著功函提高了 S數(shù)值。未經(jīng)修飾的氧化銦錫陽(yáng)極的表面功函一般為4.7eV，本實(shí)施例制備得到的修飾氧化銦錫陽(yáng)極的表面功函為6.0eV0
[0054]實(shí)施例2
[0055]一種修飾氧化銦錫陽(yáng)極的制備方法，包括以下步驟:
[0056](I)取玻璃基板，依次采用洗潔精、去離子水、異丙醇和丙酮分別進(jìn)行超聲清洗20分鐘，然后氮?dú)獯蹈?；在玻璃基板上采用磁控濺射法制備厚度為70nm的氧化銦錫薄膜，得到氧化銦錫陽(yáng)極；
[0057](2)將面積為16cm2氧化銦錫陽(yáng)極進(jìn)行臭氧化處理5分鐘后，向氧化銦錫薄膜表面滴加3，4- 二氟甲苯溶液；以氧化銦錫薄膜的面積計(jì)，所述3，4- 二氟甲苯滴加量為0.1mL/cm2 ；
[0058](3)待3，4- 二氟甲苯溶液擴(kuò)散完畢后，將氧化銦錫陽(yáng)極置于紫外處理室中，通入I個(gè)大氣壓的氬氣，采用UV汞燈對(duì)氧化銦錫陽(yáng)極滴加3，4-二氟甲苯溶液的一面進(jìn)行紫外光照處理；
[0059](4)紫外光照處理完畢后，再次將氧化銦錫陽(yáng)極進(jìn)行臭氧化處理，得到修飾氧化銦錫陽(yáng)極，修飾氧化銦錫陽(yáng)極的表面具有修飾層，修飾層為氧化銦錫薄膜表面的銦與氟成鍵形成的以In-F形式存在的含氟偶極層。
[0060]紫外光照處理過程中,UV萊燈功率為40w,UV萊燈與氧化銦錫陽(yáng)極的距離為IOcm,紫外光照處理的時(shí)間為5分鐘。
[0061]本實(shí)施例制備得到的修飾氧化銦錫陽(yáng)極的表面功函為5.8eV。
[0062]實(shí)施例3
[0063]一種修飾氧化銦錫陽(yáng)極的制備方法，包括以下步驟:
[0064](I)取玻璃基板，依次采用洗潔精、去離子水、異丙醇和丙酮分別進(jìn)行超聲清洗20分鐘，然后氮?dú)獯蹈?；在玻璃基板上采用磁控濺射法制備厚度為200nm的氧化銦錫薄膜，得到氧化銦錫陽(yáng)極；
[0065](2)將面積為20cm2氧化銦錫陽(yáng)極臭氧化處理5分鐘后，向氧化銦錫薄膜表面滴加2，3-二氟甲苯溶液；以氧化銦錫薄膜的面積計(jì)，2，3-二氟甲苯滴加量為0.05mL/cm2 ；
[0066](3)待2，3_ 二氟甲苯溶液擴(kuò)散完畢后，將氧化銦錫陽(yáng)極置于紫外處理室中，通入I個(gè)大氣壓的氮?dú)?，采用UV汞燈對(duì)氧化銦錫陽(yáng)極滴加2，3-二氟甲苯溶液的一面進(jìn)行紫外光照處理；
[0067](4)紫外光照處理完畢后，再次將氧化銦錫陽(yáng)極進(jìn)行臭氧化處理，得到修飾氧化銦錫陽(yáng)極，修飾氧化銦錫陽(yáng)極的表面具有修飾層，修飾層為氧化銦錫薄膜表面的銦與氟成鍵形成的以In-F形式存在的含氟偶極層。
[0068]紫外光照處理過程中，UV汞燈功率為25w，UV汞燈與氧化銦錫陽(yáng)極的距離為6cm，紫外光照處理的時(shí)間為10分鐘。[0069]本實(shí)施例制備得到的修飾氧化銦錫陽(yáng)極的表面功函為5.9eV。
[0070]將本發(fā)明上述實(shí)施例f 3所得修飾氧化銦錫陽(yáng)極以及未經(jīng)修飾的普通氧化銦錫陽(yáng)極進(jìn)行表面元素分析，測(cè)試方法采用XPS (X射線光電子譜)，儀器型號(hào)為ESCA2000 (VGMicrotech Inc.公司)，測(cè)試條件為使用Al靶K α射線源，射線能量為1486.6eV。分別測(cè)算ITO薄膜表面C元素的Is軌道，In元素的3d5/2軌道，Sn元素的3d5/2軌道O元素的Is軌道，F(xiàn)元素的Is軌道，測(cè)算出各元素百分含量，其檢測(cè)結(jié)果如表1所示。
[0071]表1
[0072]
【權(quán)利要求】
1.一種修飾氧化銦錫陽(yáng)極，包括氧化銦錫陽(yáng)極和修飾層，所述氧化銦錫陽(yáng)極包括玻璃基板和設(shè)置在所述玻璃基板表面的氧化銦錫薄膜，所述修飾層設(shè)置在所述氧化銦錫薄膜表面，其特征在于，所述修飾層為所述氧化銦錫薄膜表面的銦與氟成鍵形成的以In-F形式存在的含氟偶極層，所述含氟偶極層的氟元素的質(zhì)量百分含量為19?23%，錫元素與銦元素的質(zhì)量百分含量比為0.006、.014。
2.如權(quán)利要求1所述的修飾氧化銦錫陽(yáng)極，其特征在于，所述氧化銦錫薄膜厚度為70?200nmo
3.—種修飾氧化銦錫陽(yáng)極的制備方法，其特征在于，包括以下步驟: 提供潔凈的氧化銦錫陽(yáng)極，所述氧化銦錫陽(yáng)極包括玻璃基板和設(shè)置在所述玻璃基板表面的氧化銦錫薄膜； 向所述氧化銦錫薄膜表面滴加含氟有機(jī)物；所述含氟有機(jī)物為二氟鄰位取代的芳香族化合物； 待所述含氟有機(jī)物擴(kuò)散完畢后，將所述氧化銦錫陽(yáng)極在惰性氣體保護(hù)下，對(duì)滴加含氟有機(jī)物的一面進(jìn)行紫外光照處理，處理的時(shí)間為5?20分鐘； 紫外光照處理完畢后，將所述氧化銦錫陽(yáng)極進(jìn)行臭氧化處理，得到修飾氧化銦錫陽(yáng)極，所述修飾氧化銦錫陽(yáng)極的表面具有修飾層，所述修飾層為所述氧化銦錫薄膜表面的銦與氟成鍵形成的以In-F形式存在的含氟偶極層。
4.如權(quán)利要求3所述的修飾氧化銦錫陽(yáng)極的制備方法，其特征在于，所述含氟偶極層的氟元素的百分含量為1擴(kuò)23%，錫元素與銦元素的質(zhì)量百分含量比為0.006、.014。
5.如權(quán)利要求3所述的修飾氧化銦錫陽(yáng)極的制備方法，其特征在于，所述二氟鄰位取代的芳香族化合物為鄰二氟苯、3，4-二氟甲苯或2，3-二氟甲苯。
6.如權(quán)利要求3所述的修飾氧化銦錫陽(yáng)極的制備方法，其特征在于，以所述氧化銦錫薄膜的面積計(jì)，所述含氟有機(jī)物的滴加量為0.02、.lmL/cm2。
7.如權(quán)利要求3所述的修飾氧化銦錫陽(yáng)極的制備方法，其特征在于，所述紫外光照處理過程中采用UV汞燈進(jìn)行照射處理，所述UV汞燈功率為5?40w，所述UV汞燈與所述氧化銦錫陽(yáng)極的距離為5?10cm。
8.如權(quán)利要求3所述的修飾氧化銦錫陽(yáng)極的制備方法，其特征在于，所述氧化銦錫薄膜的厚度為7(T200nm。
9.一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括陽(yáng)極、功能層、發(fā)光層和陰極，其特征在于，所述陽(yáng)極為修飾氧化銦錫陽(yáng)極，所述修飾氧化銦錫陽(yáng)極包括氧化銦錫陽(yáng)極和修飾層，所述氧化銦錫陽(yáng)極包括玻璃基板和設(shè)置在所述玻璃基板表面的氧化銦錫薄膜，所述修飾層設(shè)置在所述氧化銦錫薄膜表面，所述修飾層為所述氧化銦錫薄膜表面的銦與氟成鍵形成的以In-F形式存在的含氟偶極層，所述含氟偶極層的氟元素的百分含量為1擴(kuò)23%，錫元素與銦元素的質(zhì)量百分含量比為0.006?0.014。
10.如權(quán)利要求9所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述氧化銦錫薄膜的厚度為70?200nmo
【文檔編號(hào)】H01L51/54GK103928627SQ201310010305
【公開日】2014年7月16日 申請(qǐng)日期:2013年1月11日 優(yōu)先權(quán)日:2013年1月11日
【發(fā)明者】周明杰, 王平, 馮小明, 張娟娟 申請(qǐng)人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司