專利名稱：平板探測器及其制作方法、攝像裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及攝像領(lǐng)域，尤其涉及一種平板探測器及其制作方法，以及設(shè)置有所述平板探測器的攝像裝置。
背景技術(shù)：
目前，數(shù)字化X線攝影(DigitalRadiography, DR)技術(shù)被廣泛應(yīng)用于醫(yī)療儀器，如拍攝X射線胸片的X射線機(jī)。DR裝置的關(guān)鍵部件是獲取圖像的平板探測器，其性能優(yōu)劣會對DR圖像質(zhì)量產(chǎn)生比較大的影響。平板探測器可以分為兩種:非晶硒平板探測器和非晶硅平板探測器，其中，如圖1所示，非晶硒平板探測器主要由非晶硒層(圖1未示出)、像素電極3、存儲電容2和薄膜晶體管(開關(guān)TFT) I構(gòu)成。入射的X射線使非晶硒層產(chǎn)生電子空穴對，在外加偏壓電場作用下，電子和空穴對向相反的方向移動形成電流，電流經(jīng)像素電極3，在存儲電容2中形成儲存電荷，在薄膜晶體管I打開時輸出到讀出電路。經(jīng)每一 TFT輸出的儲存電荷量對應(yīng)于入射X射線的劑量，通過讀出電路可以知道每一像素點的電荷量，進(jìn)而知道每一像素點的X線劑量。發(fā)明人發(fā)現(xiàn):在設(shè)計上述存儲電容時，一方面，存儲電容越大，存儲電荷的能力越強(qiáng)，圖像采集能力越強(qiáng)；但是另一方面，存儲電容增大，意味著存儲電容的電極面積增大，在像素大小不變的情況下，存儲電容的電極與其他數(shù)據(jù)線之間的寄生電容就會增大，而寄生電容會影響數(shù)據(jù)線的輸出信號，導(dǎo)致信噪比比較差，如果為降低寄生電容增大像素面積，又會影響像素開口率，導(dǎo)致分辨率下降。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題在于提供一種平板探測器及其制作方法，以及設(shè)置有所述平板探測器的攝像裝置，可以在不影響像素開口率的情況下，增加存儲電容，提高圖像采集能力，從而有助于實現(xiàn)平板探測器的高分辨率。為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的實施例采用如下技術(shù)方案:—種平板探測器，包括:基板；以及設(shè)置在所述基板上，用于將X射線轉(zhuǎn)換為電荷的轉(zhuǎn)化層和設(shè)置在所述轉(zhuǎn)化層之下的像素檢測元件；所述像素檢測元件包括:用于接收所述電荷的像素電極，存儲接收電荷的存儲電容，以及控制存儲電荷輸出的薄膜晶體管；所述存儲電容包括:第一電極，包括:相對設(shè)置的上電極和下電極，且所述上電極與所述下電極電性連接；第二電極，夾設(shè)在所述上電極和所述下電極之間；所述上電極與所述第二電極之間，及所述第二電極與所述下電極之間均設(shè)置有絕緣層。 優(yōu)選地，所述上電極與所述下電極具有相同的圖形。
本發(fā)明的第一種實施方式中，所述下電極設(shè)置在所述基板上，所述下電極通過過孔與所述薄膜晶體管的源極相連。所述平板探測器還包括:覆蓋在所述薄膜晶體管上的第一鈍化層，所述第二電極設(shè)置在所述第一鈍化層上。所述平板探測器還包括:覆蓋在所述第二電極之上的第二鈍化層，所述上電極設(shè)置在所述第二鈍化層上，并通過所述第一鈍化層和所述第二鈍化層中的過孔與所述薄膜晶體管的源極相連。本發(fā)明的第二種實施方式中，所述下電極設(shè)置在所述基板上；所述平板探測器還包括:覆蓋在所述薄膜晶體管上的第一鈍化層，所述第二電極設(shè)置在所述第一鈍化層上，所述第二電極通過過孔與所述薄膜晶體管的源極相連。所述平板探測器，還包括:覆蓋在所述第二電極之上的第二鈍化層，所述上電極設(shè)置在所述第二鈍化層上，并通過過孔與所述下電極相連?？蛇x地，所述平板探測器還包括:感光樹脂層，設(shè)置在所述上電極之上，所述像素電極設(shè)置在所述感光樹脂層上，并經(jīng)所述感光樹脂層中的過孔連接至所述薄膜晶體管的源極。可選地，所述薄膜晶體管包括:柵金屬層，設(shè)置在基板上；柵絕緣層，覆蓋在所述柵金屬層上；有源層，設(shè)置在所述柵絕緣層上；源漏金屬層，設(shè)置在所述有源層上。本發(fā)明還提供一種攝像裝置，包括所述的任一平板探測器。另一方面，本發(fā)明還提供一種平板探測器的制作方法，包括:形成第一透明導(dǎo)電膜，并采用構(gòu)圖工藝形成所述下電極；形成薄膜晶體管的柵金屬層、柵絕緣層、有源層和源漏金屬層；形成第一鈍化層，并采用構(gòu)圖工藝在所述薄膜晶體管的源極對應(yīng)位置設(shè)置第一鈍化層過孔；形成第二透明導(dǎo)電膜，并采用構(gòu)圖工藝在所述下電極的對應(yīng)位置形成第二電極；形成第二鈍化層，并采用構(gòu)圖工藝在所述薄膜晶體管的源極上方對應(yīng)于所述第一鈍化層過孔的位置，設(shè)置第二鈍化層過孔；形成第三透明導(dǎo)電膜，并采用構(gòu)圖工藝在所述下電極的對應(yīng)位置形成上電極，且所述上電極通過所述第一鈍化層過孔及所述第二鈍化層過孔，與所述薄膜晶體管的源極相連。 可選地，所述上電極與所述下電極具有相同的圖形。
所述方法，還包括:涂覆感光樹脂層，并采用構(gòu)圖工藝在所述第二鈍化層過孔的對應(yīng)位置，設(shè)置感光樹脂層過孔；形成第四透明導(dǎo)電膜，并采用構(gòu)圖工藝形成像素電極，且所述像素電極通過所述第一鈍化層過孔、所述第二鈍化層過孔及所述感光樹脂層過孔，與所述薄膜晶體管的源極相連?？蛇x地，所述采用構(gòu)圖工藝在所述上電極的對應(yīng)位置形成第二電極之后，形成第二鈍化層之前，還包括:在所述第二電極上形成金屬層，并采用構(gòu)圖工藝形成公共電極線。本實施例中的平板探測器，其存儲電容的第一電極采用相互連接的上電極和下電極，第二電極則隔著絕緣層(或者起絕緣作用的間隔層)設(shè)置在所述上電極、下電極之間，構(gòu)成兩個并聯(lián)電容。具體而言，上電極與第二電極形成第一電容，下電極與第二電極形成第二電容(相當(dāng)于現(xiàn)有技術(shù)中的存儲電容)，且第一電容與第二電容為并聯(lián)關(guān)系，因此，本實施例中的存儲電容為第一電容與第二電容之和，而且，上電極遮擋下電極，下電極沒有占用額外像素區(qū)域，存儲電容的電極與其它數(shù)據(jù)線之間的距離可保持不變，不會影響寄生電容，因而也不需要為降低寄生電容而增大像素面積，當(dāng)然像素開口率也不會受影響。因此，采用電容并聯(lián)的方式因此在不影響像素開口率的情況下，增加了存儲電容，提高圖像采集能力，從而也有助于實現(xiàn)平板探測器的高分辨率。


圖1為現(xiàn)有技術(shù)中平板探測器的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本發(fā)明實施例一中平板探測器的存儲電容的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3為本發(fā)明實施例二中平板探測器的結(jié)構(gòu)示意圖；圖4為本發(fā)明實施例三中平板探測器制作方法的流程圖；圖5為本發(fā)明實施例三中形成下電極后的結(jié)構(gòu)示意圖；圖6為本發(fā)明實施例三中形成柵金屬層后的結(jié)構(gòu)示意圖；圖7為本發(fā)明實施例三中形成柵絕緣層和有源層后的結(jié)構(gòu)示意圖；圖8為本發(fā)明實施例三中形成源漏金屬層后的結(jié)構(gòu)示意圖；圖9為本發(fā)明實施例三中形成第一鈍化層后的結(jié)構(gòu)示意圖；圖10為本發(fā)明實施例三中形成第二電極后的結(jié)構(gòu)示意圖；圖11為本發(fā)明實施例三中形成公共電極線后的結(jié)構(gòu)示意圖；圖12為本發(fā)明實施例三中形成第二鈍化層后的結(jié)構(gòu)示意圖；圖13為本發(fā)明實施例三中形成上電極后的結(jié)構(gòu)示意圖；圖14為本發(fā)明實施例三中形成感光樹脂后的結(jié)構(gòu)示意圖；圖15為本發(fā)明實施例四提供的另一平板探測器的結(jié)構(gòu)示意圖。附圖標(biāo)記說明1-薄膜晶體管，11-柵金屬層，12-柵絕緣層，13-有源層，14-源漏金屬層；2-存儲電容，21-上電極，22-下電極，23-第二電極；3_像素電極；10-基板，15-第一鈍化層，16-第二鈍化層，17-過渡層，18-公共電極線，19-連接線，20-感光樹脂層，A-過孔，B-過孔。
具體實施例方式本發(fā)明實施例提供一種平板探測器及其制作方法，采用電容并聯(lián)的方式在不影響像素開口率的情況下，增加了存儲電容，提高圖像采集能力，從而也有助于實現(xiàn)平板探測器的高分辨率。下面結(jié)合附圖對本發(fā)明實施例進(jìn)行詳細(xì)描述。此處所描述的具體實施方式
僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。需要說明的是，對于液晶顯示領(lǐng)域的晶體管來說，漏極和源極沒有明確的區(qū)別，因此本發(fā)明實施例中所提到的晶體管的源極可以為晶體管的漏極，晶體管的漏極也可以為晶體管的源極。實施例一本發(fā)明實施例提供一種平板探測器，該平板探測器包括:基板；以及設(shè)置在所述基板上，用于將X射線轉(zhuǎn)換為電荷的轉(zhuǎn)化層和設(shè)置在轉(zhuǎn)化層之下的像素檢測元件；所述像素檢測元件包括:用于接收所述電荷的像素電極，存儲接收電荷的存儲電容，以及控制存儲電荷輸出的薄膜晶體管；如圖2所示(圖中僅示出存儲電容)，所述存儲電容包括:第一電極，包括:相對設(shè)置的上電極21和下電極22，上電極21和下電極22相連接；第二電極23，夾設(shè)在上電極21和下電極22之間；上電極21與第二電極23之間，第二電極23與下電極22之間均設(shè)置有絕緣層(圖中未示出)。本實施例平板探測器，轉(zhuǎn)化層將X射線轉(zhuǎn)換為電荷，轉(zhuǎn)化層之下設(shè)置有相互獨立的像素檢測元件，一個像素檢測元件用于采集一個像素信息，每個像素檢測元件均包括:接收所述電荷的像素電極，存儲接收電荷的存儲電容，以及控制存儲電荷輸出的薄膜晶體管。其中，在不同的器件結(jié)構(gòu)或者器件不同位置處，上述存儲電容中的絕緣層可以是柵絕緣層，也可以是鈍化層，或者柵絕緣層與鈍化層構(gòu)成的雙層膜層。當(dāng)然，上電極21與第二電極23之間，以及第二電極23與下電極22之間也可能存在一層或多層起絕緣作用的間隔層，并不限于所述的鈍化層和柵絕緣層，因此本實施例對此不作限定。本實施例提供的平板探測器，上電極21與第二電極23及中間所夾的絕緣層形成第一電容，下電極22與第二電極23及中間所夾的絕緣層形成第二電容，第一電容與第二電容并聯(lián)構(gòu)成本發(fā)明平板探測器的存儲電容；而且，上電極遮擋下電極，不需要占用額外的像素區(qū)域，從而可在不影響寄生電容的情況下，增加存儲電容(存儲電容變?yōu)榈谝浑娙菖c第二電容之和)，提高圖像采集能力，也有助于實現(xiàn)平板探測器的高分辨率。為了確保寄生電容不影響平板探測器的探測效果，設(shè)計時通常要保證電容電極與其它數(shù)據(jù)線保持相對比較遠(yuǎn)的距離，所以采用本發(fā)明所述電容并聯(lián)方式增加存儲電容時，在存儲電容的電極與其它數(shù)據(jù)線間距離保持不變(仍然相對比較遠(yuǎn))的前提下，寄生電容的變化可忽略。實施例二本發(fā)明實施例提供一種平板探測器，如圖3所示，平板探測器該包括:用于將X射線轉(zhuǎn)換為電荷的轉(zhuǎn)化層(圖中未示出)和設(shè)置在轉(zhuǎn)化層之下的像素檢測元件(圖中僅示出一個)；所述像素檢測元件包括:用于接收所述電荷的像素電極3，存儲接收電荷的存儲電容2，以及控制存儲電荷輸出的薄膜晶體管I。薄膜晶體管I包括:柵金屬層11，設(shè)置在基板10上；柵絕緣層12，覆蓋在柵金屬層11上；有源層13，設(shè)置在柵絕緣層12上；源漏金屬層14，設(shè)置在有源層13上。薄膜晶體管I上(源漏金屬層14之上)覆蓋有第一鈍化層15。存儲電容2包括:第一電極和第二電極23,第一電極包括:相對設(shè)置的上電極21和下電極22。具體而言，存儲電容2的下電極22設(shè)置在基板上，下電極22之上覆蓋有柵絕緣層12，柵絕緣層12之上設(shè)置有第一鈍化層15 (第一鈍化層15在薄膜晶體管I之后形成，覆蓋在薄膜晶體管I及存儲電容2設(shè)置區(qū)域的柵絕緣層12上)，第二電極23設(shè)置在第一鈍化層15上，其中，第一鈍化層15在薄膜晶體管I的源極上方的對應(yīng)位置設(shè)置有過孔B，柵絕緣層12以及第一鈍化層15均在靠近薄膜晶體管I源極，且第二電極23未覆蓋的區(qū)域設(shè)置有過孔A，在形成第二電極23時，同步形成連接線19，連接線19通過過孔A和過孔B將下電極22與薄膜晶體管I的源極相連。第二電極23上還設(shè)置有公共電極線18，且公共電極線18與第二電極23直接相連，之上設(shè)置第二鈍化層16，第二鈍化層16之上設(shè)置第一電極中的上電極21，第二鈍化層16在薄膜晶體管I的源極的上方(第一鈍化層15上過孔B)的對應(yīng)位置同樣設(shè)置有過孔，該過孔的位置與第一鈍化層15過孔B的位置重合，使得薄膜晶體管I的源極在過孔處暴露，上電極21經(jīng)該過孔連接至薄膜晶體管I的源極。當(dāng)然，上電極21、下電極22，以及第二電極23也可根據(jù)實際情況進(jìn)行靈活設(shè)置，只要電極之間設(shè)置有絕緣層或者其它起絕緣作用的間隔層即可。例如也可以，下電極22設(shè)置在基板10上，第二電極23設(shè)置在柵絕緣層12上(此時，第二電極23上的公共電極線18可與源漏金屬層14同步形成)，上電極21設(shè)置在第一鈍化層上，或者仍設(shè)置在第二鈍化層16上。在薄膜晶體管I和存儲電容2之上設(shè)置感光樹脂層20，通常為提高感光樹脂材料與底層金屬材料(上電極21)之間的粘附性，在涂覆感光樹脂材料形成感光樹脂層20之前，先沉積一層比較薄的過渡層17(例如氮化硅薄膜)。感光樹脂層20之上設(shè)置有像素電極3，像素電極3之上再設(shè)置轉(zhuǎn)化層(例如非晶硒層)。感光樹脂層20及過渡層17在薄膜晶體管I的源極的上方(第一鈍化層15及第二鈍化層16的過孔)的對應(yīng)位置設(shè)置有過孔，感光樹脂層20、第一鈍化層15和第二鈍化層16在薄膜晶體管I源極上方的過孔重合，在過孔處，像素電極3、上電極21、下電極22與薄膜晶體管I的源極相連。當(dāng)然，上電極21和下電極22也連接在一起。本實施例平板探測器，入射的X射線使轉(zhuǎn)化層(例如非晶硒層)產(chǎn)生電子空穴對，在外加偏壓電場作用下，電子和空穴對向相反的方向移動形成電流，最終入射的X射線轉(zhuǎn)換為電信號，像素電極接收電信號，在存儲電容中形成存儲電荷，薄膜晶體管控制存儲電荷的輸出。每一薄膜晶體管打開期間輸出的儲存電荷量，對應(yīng)于入射X射線的劑量，從而通過讀出電路知道每一像素點的電荷量，進(jìn)而知道每一像素點的X線劑量，最終形成X線攝影圖像。其中，優(yōu)選地，上電極21與下電極22具有相同的圖形。上電極21與下電極22尺寸大小相當(dāng)，當(dāng)然，也可根據(jù)存儲電容的實際設(shè)計需要，對上電極21和/或下電極22的大小進(jìn)行變更。本實施例提供的平板探測器，采用電容并聯(lián)的方式可在不影響像素開口率的情況下，增加存儲電容，提高圖像采集能力，從而也有助于實現(xiàn)平板探測器的高分辨率。本發(fā)明實施例還提供了 一種攝像裝置，其包括上述任意一種平板探測器。存儲電容大，圖像采集能力高。實施例三另一方面，本發(fā)明還提供一種平板探測器的制作方法，如圖4所示，該方法包括:步驟101、形成第一透明導(dǎo)電膜，并采用構(gòu)圖工藝形成下電極22 ；本步驟中在基板10上形成第一透明導(dǎo)電膜，然后涂覆光刻膠，曝光顯影后形成下電極22，如圖5所示。下電極22的尺寸大小與現(xiàn)有技術(shù)中的電極尺寸大小相當(dāng)，當(dāng)然也可以根據(jù)存儲電容的實際需要，對該電極的大小進(jìn)行變更。步驟102、形成薄膜晶體管的柵金屬層、柵絕緣層、有源層和源漏金屬層；本步驟中形成薄膜晶體管，以底柵結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管(柵極位于有源層的下方)為例具體如下所述:首先，形成柵金屬層11，具體地:可以在基板上采用磁控濺射的方法沉積金屬層，所述金屬層可以為AlNd、Al、Cu、Mo、MoW或Cr的單層膜，或者為AlNd、Al、Cu、Mo、MoW或Cr之一或任意組合所構(gòu)成的復(fù)合膜；涂覆光刻膠，曝光顯影后形成柵電極光刻膠圖形，然后濕法刻蝕后形成柵電極，如圖6所示。當(dāng)然，也可以先在基板上形成柵金屬層11，再形成步驟101中的下電極22。然后，形成柵絕緣層12和有源層13，具體地，可采用PECVD的方法沉積柵絕緣層12，有源層非晶硅(a-si)層和N型摻雜非晶硅(a-si)層，然后涂覆光刻膠，曝光顯影后形成有源層光刻膠圖形，經(jīng)濕法刻蝕后形成有源層13圖形，如圖7所示。其中，柵絕緣層12在靠近薄膜晶體管I的源極的位置設(shè)置有過孔。最后，形成源漏金屬層14，具體地，可采用磁控濺射的方法沉積金屬層，金屬層材料可以采用柵電極可選的材料之一，優(yōu)選純鋁和純銅等電阻值比較低的材料，通過曝光顯影刻蝕后形成源漏金屬層14，如圖8所示。步驟103、形成第一鈍化層15，并采用構(gòu)圖工藝在薄膜晶體管I的源極對應(yīng)位置設(shè)置第一鈍化層過孔；本步驟中，可采用PECVD的方法沉積第一鈍化層15,然后涂覆光刻膠,曝光顯影后除形成與現(xiàn)有技術(shù)相同的圖形(薄膜晶體管I的源極對應(yīng)位置設(shè)置第一鈍化層過孔B)夕卜，為實現(xiàn)下電極22與薄膜晶體管I的源極的連接，在像素區(qū)域在靠近薄膜晶體管I的源極附近，柵絕緣層12過孔的對應(yīng)位置，還形成過孔A，且該過孔A圖形下有下電極22。這樣，通過過孔刻蝕工藝，在過孔B處將薄膜晶體管I的源極裸露出來，在過孔A處將下電極22圖形裸露出來。步驟104、形成第二透明導(dǎo)電膜，并采用構(gòu)圖工藝在下電極22的對應(yīng)位置形成第二電極23 ；本步驟中可采用磁控濺射的方法沉積第二透明導(dǎo)電膜，并采用構(gòu)圖工藝在下電極22的對應(yīng)位置形成存儲電容的第二電極23 ;另外，在形成第二電極23時，在過孔A和過孔B之間(且第二電極23未覆蓋區(qū)域)同步形成連接線19，連接線19通過過孔A和過孔B將下電極22與薄膜晶體管I的源極連接在一起，如圖10所示。形成第二電極23之后，還包括:在第二電極23上形成金屬層，并采用構(gòu)圖工藝形成公共電極線18。具體地，可采用磁控濺射的方法沉積金屬層，金屬層材料可以采用柵電極可選的材料之一，優(yōu)選純鋁和純銅等電阻值比較低的材料，通過曝光顯影刻蝕后形成公共電極線，如圖11所示。公共電極線18覆蓋在第二電極23上，與第二電極23直接相連。步驟105、形成第二鈍化層16，并采用構(gòu)圖工藝在薄膜晶體管I的源極上方對應(yīng)于第一鈍化層15過孔B的位置，設(shè)置第二鈍化層過孔；本步驟可采用PECVD的方法沉積第二鈍化層16，通過曝光顯影刻蝕后，在薄膜晶體管I的源極上方的區(qū)域形成過孔，如圖12所示。步驟106、形成第三透明導(dǎo)電膜，并采用構(gòu)圖工藝在下電極22的對應(yīng)位置形成上電極21，且上電極21通過第一鈍化層過孔及第二鈍化層過孔，與薄膜晶體管I的源極相連。本步驟可采用磁控濺射的方法沉積第三透明導(dǎo)電膜，通過曝光顯影刻蝕后形成上電極21的圖形，且該上電極21通過第二鈍化層16上的過孔與薄膜晶體管I源極相連，顯然，通過這種方式，下電極22和上電極21連接在一起，同時與第二電極23形成兩個并聯(lián)電容，構(gòu)成存儲電容2，如圖13所示。本實施例提供的平板探測器的制作方法，形成并聯(lián)電容以構(gòu)成存儲電容，可在不影響像素開口率的情況下，增加存儲電容，提高圖像采集能力，從而也有助于實現(xiàn)平板探測器的高分辨率。進(jìn)一步地，所述平板探測器的制作方法，還包括:步驟107、涂覆感光樹脂層20，并采用構(gòu)圖工藝在薄膜晶體管I的源極上方第二鈍化層過孔的對應(yīng)位置(過孔B的位置)，設(shè)置感光樹脂層過孔；本步驟中涂覆感光樹脂層20，通常為提高感光樹脂材料與底層金屬材料(上電極21)之間的粘附性，在涂覆感光樹脂材料形成感光樹脂層20之前，先沉積一層比較薄的過渡層17，再采用涂膠的方式涂覆感光樹脂材料，其通常厚度在2至3微米之間，涂覆后通過曝光，顯影，退色，固化等工序，在第二鈍化層過孔的位置形成過渡層17及感光樹脂層20過孔。簡言之，第一鈍化層15、第二鈍化層16、感光樹脂層20及過渡層17均在薄膜晶體管I的源極上方設(shè)置有過孔，這樣使得下一步驟中的像素電極3、上電極21、下電極22、以及薄膜晶體管I的源極均在過孔處連接在一起。如圖14所示。步驟108、形成第四透明導(dǎo)電膜，并采用構(gòu)圖工藝形成像素電極3，且像素電極3通過所述第一鈍化層過孔、所述第二鈍化層過孔及所述感光樹脂層過孔，與所述薄膜晶體管I的源極相連。繼續(xù)后繼流程，形成轉(zhuǎn)化層等完成所述平板探測器的制作。其中，優(yōu)選地，所述上電極21與所述下電極22具有相同的圖形。本實施例提供的平板探測器的制作方法，形成并聯(lián)電容以構(gòu)成存儲電容，可在不影響像素開口率的情況下，增加存儲電容，提高圖像采集能力，從而也有助于實現(xiàn)平板探測器的高分辨率。實施例四本實施例還提供另一平板探測器及其制作方法，如圖15所示，該平板探測器與實施例一的不同之處在于:第二電極23通過過孔B連接到TFT的源極；第一電極的上電極21和下電極22通過過孔A相連接，公共電極線18設(shè)置在上電極21 (或下電極22)上，即第一電極的上電極21和下電極22與公共電極線18相連。本實施例平板探測器的制作方法，與實施例三大致類似，區(qū)別僅在于形成的柵絕緣層、第一鈍化層和第二鈍化層上的過孔A的位置不同，其中可選地第二電極也可以位于柵絕緣層上直接與TFT的源極相連。本發(fā)明實施例所述的技術(shù)特征，在不沖突的情況下，可任意相互組合使用。以上所述，僅為本發(fā)明的具體實施方式
，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種平板探測器，包括:基板；以及設(shè)置在所述基板上，用于將X射線轉(zhuǎn)換為電荷的轉(zhuǎn)化層和設(shè)置在所述轉(zhuǎn)化層之下的像素檢測元件；所述像素檢測元件包括:用于接收所述電荷的像素電極，存儲接收電荷的存儲電容，以及控制存儲電荷輸出的薄膜晶體管；其特征在于，所述存儲電容包括: 第一電極，包括:相對設(shè)置的上電極和下電極，且所述上電極與所述下電極電性連接； 第二電極，夾設(shè)在所述上電極和所述下電極之間； 所述上電極與所述第二電極之間，及所述第二電極與所述下電極之間均設(shè)置有絕緣層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的平板探測器，其特征在于， 所述上電極與所述下電極具有相同的圖形。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的平板探測器，其特征在于，所述下電極設(shè)置在所述基板上，所述下電極通過過孔與所述薄膜晶體管的源極相連。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的平板探測器，其特征在于，還包括: 覆蓋在所述薄膜晶體管上的第一鈍化層， 所述第二電極設(shè)置在所述第一鈍化層上。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的平板探測器，其特征在于，還包括: 覆蓋在所述第二電極之上的第二鈍化層， 所述上電極設(shè)置在所述第二鈍化層上，并通過所述第一鈍化層和所述第二鈍化層中的過孔與所述薄膜晶體管的源極相連。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的平板探測器，其特征在于，所述下電極設(shè)置在所述基板上；所述平板探測器還包括: 覆蓋在所述薄膜晶體管上的第一鈍化層， 所述第二電極設(shè)置在所述第一鈍化層上，所述第二電極通過過孔與所述薄膜晶體管的源極相連。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的平板探測器，其特征在于，還包括: 覆蓋在所述第二電極之上的第二鈍化層， 所述上電極設(shè)置在所述第二鈍化層上，并通過過孔與所述下電極相連。
8.根據(jù)權(quán)利要求5或7所述的平板探測器，其特征在于，還包括: 感光樹脂層，設(shè)置在所述上電極之上， 所述像素電極設(shè)置在所述感光樹脂層上，并經(jīng)所述感光樹脂層中的過孔連接至所述薄膜晶體管的源極。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的平板探測器，其特征在于，所述薄膜晶體管包括: 柵金屬層，設(shè)置在所述基板上； 柵絕緣層，覆蓋在所述柵金屬層上； 有源層，設(shè)置在所述柵絕緣層上； 源漏金屬層，設(shè)置在所述有源層上。
10.一種攝像裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求1-9任一項所述的平板探測器。
11.一種平板探測器的制作方法，其特征在于，包括: 形成第一透明導(dǎo)電膜，并采用構(gòu)圖工藝形成所述下電極；形成薄膜晶體管的柵金屬層、柵絕緣層、有源層和源漏金屬層； 形成第一鈍化層，并采用構(gòu)圖工藝在所述薄膜晶體管的源極對應(yīng)位置設(shè)置第一鈍化層過孔； 形成第二透明導(dǎo)電膜，并采用構(gòu)圖工藝在所述下電極的對應(yīng)位置形成第二電極； 形成第二鈍化層，并采用構(gòu)圖工藝在所述薄膜晶體管的源極上方對應(yīng)于所述第一鈍化層過孔的位置，設(shè)置第二鈍化層過孔； 形成第三透明導(dǎo)電膜，并采用構(gòu)圖工藝在所述下電極的對應(yīng)位置形成上電極，且所述上電極通過所述第一鈍化層過孔及所述第二鈍化層過孔，與所述薄膜晶體管的源極相連。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于， 所述上電極與所述下電極具有相同的圖形。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，還包括: 涂覆感光樹脂層，并采用構(gòu)圖工藝在所述第二鈍化層過孔的對應(yīng)位置，設(shè)置感光樹脂層過孔； 形成第四透明導(dǎo)電膜，并采用構(gòu)圖工藝形成像素電極，且所述像素電極通過所述第一鈍化層過孔、所述第二鈍化層過孔及所述感光樹脂層過孔，與所述薄膜晶體管的源極相連。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其特征在于，采用構(gòu)圖工藝在所述上電極的對應(yīng)位置形成第二電極之后，形成第二鈍化層之前，還包括: 在所述第二電極上形成金屬 層，并采用構(gòu)圖工藝形成公共電極線。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種平板探測器及其制作方法以及設(shè)置有所述平板探測器的攝像裝置，涉及攝像領(lǐng)域，可以在不影響像素開口率的情況下，增加存儲電容，提高圖像采集能力，從而有助于實現(xiàn)平板探測器的高分辨率。本發(fā)明所述平板探測器，包括用于將X射線轉(zhuǎn)換為電荷的轉(zhuǎn)化層和設(shè)置在所述轉(zhuǎn)化層之下的像素檢測元件；像素檢測元件包括用于接收所述電荷的像素電極，存儲接收電荷的存儲電容，以及控制存儲電荷輸出的薄膜晶體管；存儲電容包括第一電極，包括相對設(shè)置的上電極和下電極，且上電極與下電極電性連接；第二電極，夾設(shè)在所述上電極和下電極之間；上電極與第二電極之間，第二電極與下電極之間均設(shè)置有絕緣層或者起絕緣作用的間隔層。
文檔編號H01L27/146GK103094295SQ20131002457
公開日2013年5月8日 申請日期2013年1月23日 優(yōu)先權(quán)日2013年1月23日
發(fā)明者謝振宇 申請人:北京京東方光電科技有限公司