氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及半導(dǎo)體發(fā)光元件的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明關(guān)于一種氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及半導(dǎo)體發(fā)光元件。該氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)主要于發(fā)光層與n型半導(dǎo)體層間配置有一次微米等級厚度的應(yīng)力釋放層，應(yīng)力釋放層由不超過8對彼此交替堆棧的InxGa1-xN層及InyGa1-yN層所構(gòu)成，其中x及y為滿足0＜x＜1、0＜y＜1、x＜y。該半導(dǎo)體發(fā)光元件至少包含上述氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，一基板以及二相配合地提供電能的n型電極與p型電極。由此，具較少堆棧層數(shù)的應(yīng)力釋放層能有效減小因晶格不匹配所產(chǎn)生的殘余應(yīng)力與磊晶缺陷，且具次微米厚度(優(yōu)選為0.1-0.5微米)的應(yīng)力釋放層使得于磊晶過程中，精確控制組成比例，以有效掌控發(fā)光二極管的質(zhì)量。
【專利說明】氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及半導(dǎo)體發(fā)光元件
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明有關(guān)于一種氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及半導(dǎo)體發(fā)光元件，尤其是指一種于發(fā)光層與η型半導(dǎo)體層間配置有一次微米等級厚度的應(yīng)力釋放層的氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及半導(dǎo)體發(fā)光元件，屬于半導(dǎo)體【技術(shù)領(lǐng)域】。
【背景技術(shù)】
[0002]近年來，發(fā)光二極管的應(yīng)用面日趨廣泛，已成為日常生活中不可或缺的重要元件；且發(fā)光二極管可望取代現(xiàn)今的照明設(shè)備，成為未來新世代的固態(tài)照明元件，因此發(fā)展高節(jié)能、高效率及更高功率的發(fā)光二極管將會是未來趨勢；氮化物L(fēng)ED由于具有元件體積小、無汞污染、發(fā)光效率高及壽命長等優(yōu)點，已成為最新興光電半導(dǎo)體材料之一，而第三主族的氮化物的發(fā)光波長幾乎涵蓋了可見光的范圍，更使其成為極具潛力的發(fā)光二極管材料。
[0003]一般而言，氮化物發(fā)光二極管是將一緩沖層先形成于基板上，再于緩沖層上依序磊晶成長η型半導(dǎo)體層、發(fā)光層以及P型半導(dǎo)體層；接著，利用微影與蝕刻工藝移除部分的P型半導(dǎo)體層、部分的發(fā)光層，直至暴露出部分的η型半導(dǎo)體層為止；然后，分別于η型半導(dǎo)體層的暴露部分以及P型半導(dǎo)體層上形成歐姆接觸的η型電極與P型電極，進(jìn)而制作出發(fā)光二極管；其中，發(fā)光層為多重量子井結(jié)構(gòu)(MQW)，而多重量子井結(jié)構(gòu)包括以重復(fù)的方式交替設(shè)置的量子井層(well)和量子阻障層(barrier)，因為量子井層具有相對量子阻障層較低的能隙，使得在上述多重量子井結(jié)構(gòu)中的每一個量子井層可以在量子力學(xué)上限制電子和電洞，造成電子和電洞分別從η型半導(dǎo)體層和P型半導(dǎo)體層注入，并在量子井層中結(jié)合，而發(fā)射出光子。
[0004]然而，上述的發(fā)光二極管因諸多因素(例如:電流擁塞(current crowding)、差排缺陷(dislocation)等)，進(jìn)而影響其發(fā)光效率；也因此,近幾年已發(fā)展出許多技術(shù),例如使用銦錫氧化物(Indium Tin Oxide ；ΙΤ0)當(dāng)透明電極、采用覆晶結(jié)構(gòu)(flip-chip)、利用圖形化(PSS)的藍(lán)寶石基板，以及使用電流阻擋層(current block layer ；CBL)等；其中一種改善η型、P型電極歐姆接觸的方法,是利用超晶格(super lattices)結(jié)構(gòu),超晶格結(jié)構(gòu)由數(shù)對交互堆棧的寬能隙半導(dǎo)體材料層以及窄能隙半導(dǎo)體材料層所構(gòu)成，其中，寬能隙半導(dǎo)體材料層與窄能隙半導(dǎo)體材料層的材質(zhì)可例如氮化鋁陳氮化鎵(AlGaN/GaN)或氮化銦鎵/氮化鎵(InGaN/GaN)來降低透明電極與發(fā)光二極管元件之間的接觸電阻；而上述的InGaN/GaN超晶格結(jié)構(gòu)亦可被配置于η型半導(dǎo)體層與發(fā)光層之間，以減小由于η型半導(dǎo)體層與發(fā)光層的晶格不匹配所產(chǎn)生的殘余應(yīng)力；請參閱申請?zhí)枮?01143115的中國臺灣專利申請，發(fā)明名稱為“氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及半導(dǎo)體發(fā)光元件”的專利申請，其揭露了于發(fā)光層與η型載子阻隔層間配置一超晶格層，以緩沖發(fā)光層與η型載子阻隔層的晶格差異，降低其差排密度；一般而言，上述的InGaN/GaN超晶格結(jié)構(gòu)包含有5_50的周期(即5_50對的InGaN/GaN)，且一對InGaN/GaN的厚度約1_5納米；然而，于實際磊晶成長時，因超晶格結(jié)構(gòu)厚度太薄(為納米等級)，且成長層數(shù)過多，不僅使得InGaN/GaN的組成比例需經(jīng)常調(diào)整，易導(dǎo)致缺陷(Pits)密度過高的問題，難以有效地掌控發(fā)光二極管的質(zhì)量，進(jìn)而影響發(fā)光二極管的發(fā)光效率。
[0005]鑒于上述現(xiàn)有的氮化物半導(dǎo)體發(fā)光二極管在實際實施上仍具有多處的缺失，因此，研發(fā)出一種新型的氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及半導(dǎo)體發(fā)光元件仍是本領(lǐng)域亟待解決的問題之一.
【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明的主要目的為提供一種氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其于發(fā)光層與η型半導(dǎo)體層間配置有一次微米等級厚度的應(yīng)力釋放層，其以較少堆棧層數(shù)的應(yīng)力釋放層有效地減小因晶格不匹配所產(chǎn)生的殘余應(yīng)力與磊晶缺陷，且具次微米厚度的應(yīng)力釋放層更使得于磊晶過程中，能精確地控制InxGa1J層及InyGa1J層的組成比例，以有效地掌控發(fā)光二極管的質(zhì)量。
[0007]本發(fā)明的另一目的為提供一種半導(dǎo)體發(fā)光元件，其至少包含有上述的氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。
[0008]為達(dá)上述目的，本發(fā)明提供一種氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其包含一 η型半導(dǎo)體層、發(fā)光層與一 P型半導(dǎo)體層，且于發(fā)光層與一 η型半導(dǎo)體層間配置有一次微米等級厚度的應(yīng)力釋放層，所述應(yīng)力釋放層由不超過8對彼此交替堆棧的InxGa1J層及InyGa1J層所構(gòu)成，其中X及y為滿足0<x<l、0<y<l、x<y的數(shù)值。
[0009]根據(jù)本發(fā)明的【具體實施方式】，優(yōu)選地，在上述氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中，所述應(yīng)力釋放層的總厚度為0.1-0.5微米。
[0010]根據(jù)本發(fā)明的【具體實施方式】，優(yōu)選地，在上述氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中，所述應(yīng)力釋放層具有3-5對的InxGahN層及InyGai_yN層；更優(yōu)選地，其包含有重復(fù)堆棧的3對InxGapxN層及InyGai_yN層。此外，根據(jù)本發(fā)明的【具體實施方式】，優(yōu)選地，于所述應(yīng)力釋放層中含銦量較低的InxGahN層的厚度大于含銦量較高InyGa1J層的厚度；更優(yōu)選地，InxGa1J層的厚度為InyGai_yN層厚度的2倍以上。由此，以InxGahN層及InyGapyN層彼此交替堆棧所構(gòu)成具次微米等級厚度的應(yīng)力釋放層與公知的超晶格層相較下，其具有層數(shù)較少、厚度較厚的特性，使得本發(fā)明的氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)能以較少堆棧層數(shù)的應(yīng)力釋放層有效地減小因晶格不匹配所產(chǎn)生的殘余應(yīng)力，且應(yīng)力釋放層均由氮化銦鎵所構(gòu)成，相較于公知使用氮化銦鎵與氮化鎵組合而成的超晶格結(jié)構(gòu)，可使得磊晶結(jié)構(gòu)的界面差排缺陷密度降低，同時具次微米厚度的應(yīng)力釋放層于磊晶過程中，能更精確地控制InxGa1J層及InyGa1J層的組成比例，以有效地掌控發(fā)光二極管的質(zhì)量，進(jìn)而提升發(fā)光二極管的效能。
[0011 ] 根據(jù)本發(fā)明的【具體實施方式】，優(yōu)選地，在上述氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中，所述應(yīng)力釋放層中含銦量較低的InxGahN層摻雜有濃度為5 X 1016-5 X IO18CnT3的η型摻質(zhì)；由此，可增加氮化物半導(dǎo)體的結(jié)晶性及導(dǎo)電性。
[0012]根據(jù)本發(fā)明的【具體實施方式】，優(yōu)選地，在上述氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中，可于P型半導(dǎo)體層與發(fā)光層間進(jìn)一步可配置有一P型載子阻隔層，P型載子阻隔層為氮化鋁銦鎵AlwlnvGai_w_vN，其中 W、v 為滿足 O < w < 1、0 < v < 1、0 < w+v < I 的數(shù)值，更優(yōu)選地，O
<0.4,0 < 0.2 ;使得載子可局限于量子井層中，以提高電子電洞覆合的機(jī)率，增加發(fā)光效率，進(jìn)而達(dá)到半導(dǎo)體發(fā)光元件亮度提升的功效。
[0013]此外，本發(fā)明還提出一種半導(dǎo)體發(fā)光元件，其至少包含有:[0014]一基板；
[0015]一 η型半導(dǎo)體層，其配置于所述基板上；
[0016]一發(fā)光層，其配置于所述η型半導(dǎo)體層上，所述發(fā)光層具有多重量子井結(jié)構(gòu)，且所述多重量子井結(jié)構(gòu)包含多個彼此交替堆棧的井層及阻障層，且每兩層所述阻障層間具有一所述井層；
[0017]一應(yīng)力釋放層，其配置于所述發(fā)光層與所述η型半導(dǎo)體層間，所述應(yīng)力釋放層由不超過8對彼此交替堆棧的InxGapxN層及InyGapyN層所構(gòu)成,其中χ及y滿足O < x < 1、O < y < 1、χ < y 的數(shù)值；
[0018]一 P型半導(dǎo)體層，其配置于所述發(fā)光層上；
[0019]一 η型電極，其以歐姆接觸配置于所述η型半導(dǎo)體層上；以及
[0020]一 P型電極，其以歐姆接觸配置于所述P型半導(dǎo)體層上。
[0021]本發(fā)明的半導(dǎo)體發(fā)光元件至少包含上述的氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，一基板以及二相配合地提供電能的η型電極與P型電極；由此，具次微米等級厚度的應(yīng)力釋放層減小其磊晶時因晶格不匹配所產(chǎn)生的殘余應(yīng)力，以降低磊晶結(jié)構(gòu)的界面差排缺陷密度，同時具次微米厚度的特性更能精確地控制InxGa1J層及InyGa1J層的組成比例，以有效地掌控發(fā)光二極管的質(zhì)量；再者，由于壓縮應(yīng)力的減少更可減低發(fā)光層的井層受到壓縮應(yīng)力的影響，使得于井層內(nèi)的電子和電洞在空間上更為聚集，有效地將電子電洞局限于每一個井層內(nèi)，以提升內(nèi)部量子效率；同時，亦能增強(qiáng)相鄰的GaN阻障層和InGaN井層間的界面特性，改善界面處的載子損耗，以增加內(nèi)部量子效率，使得半導(dǎo)體發(fā)光元件可獲得良好的發(fā)光效率。
[0022]根據(jù)本發(fā)明的【具體實施方式】，優(yōu)選地，在上述半導(dǎo)體發(fā)光元件中，可于基板與η型半導(dǎo)體層間配置有一緩沖層，緩沖層是由化學(xué)式氮化鋁鎵AlzGa1=N表示的材料所構(gòu)成，其中O < ζ < 1，用以解決因基板與η型半導(dǎo)體層間因晶格差異所產(chǎn)生的磊晶差排現(xiàn)象。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0023]圖1為本發(fā)明的一優(yōu)選實施例提供的氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。
[0024]圖2為根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施例提供的氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)所制作的半導(dǎo)體發(fā)光元件的剖面示意圖。
[0025]主要組件符號說明:
[0026]I基板2緩沖層
[0027]3 η型半導(dǎo)體層 31 η型電極
[0028]4應(yīng)力釋放層
[0029]41 InxGa1^N 層
[0030]42 InyGa^yN 層
[0031]5發(fā)光層51阻障層
[0032]52井層6 P型載子阻隔層
[0033]7 P型半導(dǎo)體層 71 P型電極
【具體實施方式】
[0034]本發(fā)明的目的及其結(jié)構(gòu)設(shè)計功能上的優(yōu)點，將依據(jù)以下附圖及優(yōu)選實施例予以說明，以對本發(fā)明有更深入且具體的了解。
[0035]首先，在以下實施例的描述中，為了清楚起見，放大了附圖中疊層與區(qū)域的厚度，且應(yīng)當(dāng)理解當(dāng)指出一層(或膜)或一結(jié)構(gòu)配置在另一個基板、另一層(或膜)、或另一結(jié)構(gòu)“上”或“下”時，其可“直接”位于其它基板、層(或膜)、或另一結(jié)構(gòu)，亦或者兩者間具有一個以上的中間層以“間接”方式配置，可參照【專利附圖】

【附圖說明】每一層所在位置。
[0036]請參閱圖1所示，其為本發(fā)明的一優(yōu)選實施例提供的氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的剖面示意圖，其包含一 η型半導(dǎo)體層3、發(fā)光層5與一 P型半導(dǎo)體層7，且于發(fā)光層5與η型半導(dǎo)體層3間配置有一次微米等級厚度的應(yīng)力釋放層4，所述應(yīng)力釋放層4由不超過8對彼此交替堆棧的InxGa1J層41及InyGa1J層42所構(gòu)成，其中χ及y為滿足0<x<l、0<y<l、x<y的數(shù)值；再者，優(yōu)選地，應(yīng)力釋放層4具有3-5對的InxGa^N層41及InyGa1J層42，更優(yōu)選地，其包含有重復(fù)堆棧的3對InxGahN層41及InyGai_yN層42，于一具體實施例中，應(yīng)力釋放層4優(yōu)選是以3對的Intl lGatl 9N層及Intl 3Gatl 7N層所構(gòu)成。
[0037]此外，于磊晶成長過程中，應(yīng)力釋放層4的總厚度為0.1-0.5微米，而應(yīng)力釋放層4中含銦量較低的InxGahN層41的厚度大于含銦量較高InyGa1J層42的厚度，優(yōu)選地，InxGahN層41的厚度為InyGa1J層42厚度的2倍以上；由此，以較少堆棧層數(shù)的應(yīng)力釋放層4可有效地減小因晶格不匹配所產(chǎn)生的殘余應(yīng)力，使得磊晶結(jié)構(gòu)的界面差排缺陷密度降低，且具次微米(0.1-0.5 μ m)厚度的應(yīng)力釋放層4于磊晶過程中，能更精確地控制InxGa1J層41及InyGa1J層42的組成比例，以有效地掌控發(fā)光二極管的質(zhì)量，進(jìn)而提升發(fā)光二極管的效能。
[0038]再者，應(yīng)力釋放層4中含銦量較低的InxGapxN層41可摻雜有濃度為5X 1016-5X IO18CnT3 的η型摻質(zhì)(如硅)，由此增加氮化物半導(dǎo)體的結(jié)晶性及導(dǎo)電性。
[0039]更進(jìn)一步地，可于P型半導(dǎo)體層7與發(fā)光層5間配置有一 P型載子阻隔層6，P型載子阻隔層6為氮化鋁銦鎵AlwlnvGai_w_vN，其中w、v為滿足O < w < 1、0 < v < 1、0 < w+v
<I的數(shù)值，優(yōu)選為O < W≤0.4、0 < V≤0.2，P型載子阻隔層6可令電子局限于量子井層中，以提高電子電洞覆合的機(jī)率，增加發(fā)光效率，進(jìn)而達(dá)到氮化物半導(dǎo)體亮度提升的功效。
[0040]上述實施例的氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)于實際實施使用時，η型半導(dǎo)體層3的材料可例如為硅摻雜的氮化鎵系列材料，而P型半導(dǎo)體層7的材料可例如為鎂摻雜的氮化鎵系列材料，發(fā)光層5的多重量子井結(jié)構(gòu)可分別例如但不限定由InGaN及GaN形成的井層52與阻障層51 ;由此，以InxGahN層41及InyGai_yN層42彼此交替堆棧所構(gòu)成具次微米等級厚度的應(yīng)力釋放層4與公知的超晶格層相較下，具有層數(shù)較少、厚度較厚的特性，因此，通過本發(fā)明的應(yīng)力釋放層4不僅可減小因晶格不匹配所產(chǎn)生的殘余應(yīng)力，以降低磊晶結(jié)構(gòu)的界面差排缺陷密度，同時更能精確地控制InxGa1J層41及InyGa1J層42的組成比例，有效地掌控發(fā)光二極管的質(zhì)量；此外，由于壓縮應(yīng)力的減少更可減低發(fā)光層5的井層52受到壓縮應(yīng)力的影響，使得于井層52內(nèi)的電子和電洞在空間上更為聚集，有效地將電子電洞局限于每一個井層52內(nèi)，以提升內(nèi)部量子效率；再者，亦能增強(qiáng)相鄰的GaN阻障層51和InGaN井層52間的界面特性，改善界面處的載子損耗，以增加內(nèi)部量子效率。
[0041]請參閱圖2所示，上述的氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)可應(yīng)用于半導(dǎo)體發(fā)光元件中，圖2為根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施例提供的氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)所制作的半導(dǎo)體發(fā)光元件的剖面示意圖。所述半導(dǎo)體發(fā)光元件至少包含有:[0042]一基板 I ;
[0043]一 η型半導(dǎo)體層3，其配置于基板I上；其中，η型半導(dǎo)體層3的材料可例如為硅摻雜的氮化鎵系列材料；
[0044]—發(fā)光層5，其配置于η型半導(dǎo)體層3上，發(fā)光層5具有多重量子井結(jié)構(gòu)，且多重量子井結(jié)構(gòu)包含多個彼此交替堆棧的井層52及阻障層51，且每兩層阻障層51間具有一井層52 ;其中，井層52與阻障層51可分別由InGaN及GaN所形成，以使電子及電洞更容易局限于井層52中，以增加電子電洞覆合機(jī)率，提升內(nèi)部量子效率；
[0045]一應(yīng)力釋放層4，其配置于發(fā)光層5與η型半導(dǎo)體層3間，且應(yīng)力釋放層4由不超過8對彼此交替堆棧的InxGahN層41及InyGai_yN層42所構(gòu)成，其中χ及y為滿足O < χ
<UO < y < K χ < y的數(shù)值；此外，優(yōu)選地，應(yīng)力釋放層4具有3-5對的InxGahN層41及InyGa^N層42，且InxGa^N層41的厚度為InyGa^N層42厚度的2倍以上，且應(yīng)力釋放層4的總厚度為0.1-0.5微米；
[0046]— P型半導(dǎo)體層7，其配置于發(fā)光層5上；其中，P型半導(dǎo)體層7的材料可例如為鎂摻雜的氮化鎵系列材料；
[0047]一 η型電極31，其以歐姆接觸配置于η型半導(dǎo)體層3上；以及
[0048]一 P型電極71，其以歐姆接觸配置于P型半導(dǎo)體層7上；其中，η型電極31與ρ型電極71相配合地提供電能，且可以下列材料、但不僅限于這些材料所制成:鈦、鋁、金、鉻、鎳、鉬及其合金等；其工藝方法為本領(lǐng)域一般技術(shù)人員所公知的，且并非本發(fā)明的重點，因此，不再本發(fā)明中加以贅述。
[0049]此外，基板I與η型半導(dǎo)體層3間配置有一緩沖層2，緩沖層2是由化學(xué)式氮化鋁鎵AlzGahN表示的材料所構(gòu)成，其中O < ζ < 1，用以解決因基板I與η型半導(dǎo)體層3間因晶格差異所產(chǎn)生的磊晶差排現(xiàn)象；再者，P型半導(dǎo)體層7與發(fā)光層5間進(jìn)一步可配置有一 ρ型載子阻隔層6，ρ型載子阻隔層6由化學(xué)式氮化鋁銦鎵AlwInvGa^vN表示的材料所構(gòu)成，其中w及V為滿足O < w < 0.4、0 < V < 0.2的數(shù)值，以使得載子可局限于量子井層52中，以提高電子電洞覆合的機(jī)率，增加發(fā)光效率，進(jìn)而達(dá)到半導(dǎo)體發(fā)光元件亮度提升的功效。
[0050]由此，本發(fā)明的半導(dǎo)體發(fā)光元件通過InxGapxN層41及InyGa^yN層42彼此交替堆棧所構(gòu)成具次微米等級厚度的應(yīng)力釋放層4，其具有層數(shù)較少、厚度較厚的特性，不僅可減小應(yīng)力釋放層4磊晶時因晶格不匹配所產(chǎn)生的殘余應(yīng)力，以降低磊晶結(jié)構(gòu)的界面差排缺陷密度，同時更能精確地控制InxGa1J層41及InyGapyN層42的組成比例，以有效地掌控發(fā)光二極管的質(zhì)量；此外，因壓縮應(yīng)力的減少亦可增強(qiáng)相鄰阻障層51和井層52之間的界面特性，改善界面處的載子損耗，以增加內(nèi)部量子效率，使得半導(dǎo)體發(fā)光元件可獲得良好的發(fā)光效率。
[0051]綜上所述，本發(fā)明的具應(yīng)力釋放層的氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及半導(dǎo)體發(fā)光元件，的確能通過上述所揭露 的實施例，達(dá)到所預(yù)期的使用功效。
[0052]上述所揭露的附圖及說明，僅為本發(fā)明的優(yōu)選實施例，并非為限定本發(fā)明的保護(hù)范圍；本領(lǐng)域一般技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明的特征，所做的其它等效變化或修飾，皆應(yīng)視為不脫離本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包含一 η型半導(dǎo)體層、發(fā)光層與一 P型半導(dǎo)體層，于所述發(fā)光層與所述η型半導(dǎo)體層間配置有一次微米等級厚度的應(yīng)力釋放層，所述應(yīng)力釋放層由不超過8對彼此交替堆棧的InxGahN層及InyGapyN層所構(gòu)成，其中x及y為滿足O < x < 1、O < y < 1、X < y 的數(shù)值。
2.如權(quán)利要求1所述的氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中，所述應(yīng)力釋放層具有3-5對的InxGa1^xN 層及 InyGahyN 層。
3.如權(quán)利要求1所述的氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中，所述應(yīng)力釋放層的InxGapxN層的厚度大于所述InyGapyN層的厚度。
4.如權(quán)利要求1所述的氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中，所述應(yīng)力釋放層的InxGapxN層的厚度為所述InyGa1J層的厚度的2倍以上。
5.如權(quán)利要求1所述的氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中，所述應(yīng)力釋放層的總厚度為0.1-0.5微米。
6.如權(quán)利要求1所述的氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中，所述應(yīng)力釋放層的InxGapxN層摻雜有濃度為5X 1016-5X IO18CnT3的η型摻質(zhì)。
7.如權(quán)利要求1所述的氮化物半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中，于所述P型半導(dǎo)體層與所述發(fā)光層間進(jìn)一步配置有一 P型載子阻隔層，所述P型載子阻隔層為氮化鋁銦鎵AlwInvGa1^N,其中w及V為滿足O < w≤0.4、0 < V≤0.2的數(shù)值。
8.一種半導(dǎo)體發(fā)光元件，其至少包含有: 一基板； 一 η型半導(dǎo)體層，其配置于所述基板上； 一發(fā)光層，其配置于所述η型半導(dǎo)體層上，所述發(fā)光層具有多重量子井結(jié)構(gòu)，且所述多重量子井結(jié)構(gòu)包含多個彼此交替堆棧的井層及阻障層，且每兩層所述阻障層間具有一所述井層; 一應(yīng)力釋放層，其配置于所述發(fā)光層與所述η型半導(dǎo)體層間，所述應(yīng)力釋放層由不超過8對彼此交替堆棧的InxGahN層及InyGai_yN層所構(gòu)成，其中x及y為滿足O < x < 1、0<y < 1、X < y的數(shù)值； 一 P型半導(dǎo)體層，其配置于所述發(fā)光層上； 一 η型電極，其以歐姆接觸配置于所述η型半導(dǎo)體層上；以及 一 P型電極，其以歐姆接觸配置于所述P型半導(dǎo)體層上。
9.如權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，其中，所述η型半導(dǎo)體層與所述基板間配置有一緩沖層，所述緩沖層為氮化鋁鎵AlzGa1=N,其中O < ζ < I。
【文檔編號】H01L33/06GK103972342SQ201310029901
【公開日】2014年8月6日 申請日期:2013年1月25日 優(yōu)先權(quán)日:2013年1月25日
【發(fā)明者】王信介, 李玉柱, 吳俊德, 林京亮, 李允立 申請人:新世紀(jì)光電股份有限公司