專利名稱：層疊陶瓷電容器的制造方法及層疊陶瓷電容器的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及層疊陶瓷電容器的制造方法及層疊陶瓷電容器。
背景技術：
近幾年，伴隨著移動電話、個人計算機、數(shù)字相機、數(shù)字音頻設備等電子設備的小型化，對搭載于電子設備的層疊陶瓷電容器的進一步小型化及高容量化的要求逐漸提高。作為在不使層疊陶瓷電容器大型化的情況下實現(xiàn)高容量化的有效方法，可列舉增大內部電極的對置面積的方法。例如，在專利文獻I中作為增大內部電極的對置面積的方法而提出了如下方法:在制作于第I及第2側面分別使第I及第2內部電極這兩者露出的原始芯片之后，在第I及第2側面之上形成陶瓷層。在先技術文獻專利文獻專利文獻1:日本特開平6-13259號公報但是，在專利文獻I所記載的方法中，若在第I及第2內部電極間配置的陶瓷層的厚度薄，則有時第1及第2內部電極會短路。因此，不能使陶瓷層的厚度充分薄，為了達到小型化而不得不減少層疊片數(shù)，故不能增加容量。因此，難以獲得小型且高容量的層疊陶瓷電容器?！?br>
發(fā)明內容
本發(fā)明的目的在于提供一種能夠制造小型且高容量的層疊陶瓷電容器的方法。在本發(fā)明所涉及的層疊陶瓷電容器的制造方法中，準備在表面上形成有沿著第I方向及垂直于第I方向的第2方向的矩形狀的導電層的陶瓷生片。按照使相鄰的陶瓷生片的導電層分別沿著第I及第2方向錯開的方式層疊多個陶瓷生片來制作母塊。將母塊，在層疊方向上相鄰的導電層的一方所位于而另一方所不位于的部分沿著第I方向進行截斷，并且在層疊方向上相鄰的導電層的另一方所位于而一方所不位于的部分沿著第2方向進行截斷，從而制作具有由在層疊方向上相鄰的導電層的一方形成的第I內部電極露出而由在層疊方向上相鄰的導電層的另一方形成的第2內部電極未露出的第I端面及第I側面、和第2內部電極露出而第I內部電極未露出的第2端面及第2側面的長方體狀的芯片。在本發(fā)明所涉及的層疊陶瓷電容器的制造方法的某一特定方面中，在芯片的第I及第2側面上形成了絕緣層之后進行燒成。在本發(fā)明所涉及的層疊陶瓷電容器的制造方法的另一特定方面中，形成陶瓷層作為絕緣層。在本發(fā)明所涉及的層疊陶瓷電容器的制造方法的又一特定方面中，通過粘貼陶瓷生片來形成陶瓷層。在本發(fā)明所涉及的層疊陶瓷電容器的制造方法的進一步另一特定方面中，通過涂敷陶瓷膏劑來形成陶瓷層。
在本發(fā)明所涉及的層疊陶瓷電容器的制造方法的進一步另一特定方面中，通過切斷來進行母塊的截斷。在本發(fā)明所涉及的層疊陶瓷電容器的制造方法的其他特定方面中，使陶瓷生片的厚度與導電層的厚度大致相同或在其以上。本發(fā)明所涉及的層疊陶瓷電容器具備長方體狀的陶瓷胚體和多個第I及第2內部電極。陶瓷胚體具有第I及第2主面、第I及第2側面、和第I及第2端面。第I及第2主面沿著長度方向及寬度方向延伸。第I及第2側面沿著長度方向及厚度方向延伸。第I及第2端面沿著寬度方向及厚度方向延伸。多個第I及第2內部電極在陶瓷胚體的內部沿著厚度方向相互隔著間隔而配置。第I內部電極露出于第I端面而未露出于第2端面。第2內部電極露出于第2端面而未露出于第I端面。第I內部電極的寬度方向的一側中的端部比第2內部電極的寬度方向的一側中的端部位于更靠寬度方向上的外側。第I內部電極的寬度方向的另一側中的端部比第2內部電極的寬度方向的另一側中的端部位于更靠寬度方向上的內側，端部的厚度比端部以外的厚度更厚。在本發(fā)明所涉及的層疊陶瓷電容器的某一特定方面中，第I及第2內部電極間的距離為第I及第2內部電極各自的厚度以上。發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明，能夠提供一種可制造小型且高容量的層疊陶瓷電容器的方法。


圖1是本發(fā)明的一實施方式中的、在表面上配置有導電層的陶瓷生片的簡略性俯視圖。圖2是用于說明本發(fā)明的一實施方式中的陶瓷生片的層疊形態(tài)的示意性俯視圖。

圖3是本發(fā)明的一實施方式中的母層疊體的簡略性分解側視圖。圖4是本發(fā)明的一實施方式中的原始的芯片的簡略性立體圖。圖5是沿著本發(fā)明的一實施方式中的原始的芯片的寬度方向及厚度方向的簡略性首lJ視圖。圖6是沿著本發(fā)明的一實施方式中的原始的芯片的長度方向及厚度方向的簡略性首lJ視圖。圖7是沿著本發(fā)明的一實施方式中的原始的芯片的長度方向及寬度方向的簡略性首lJ視圖。圖8是本發(fā)明的一實施方式中的原始的陶瓷胚體的簡略性立體圖。圖9是在本發(fā)明的一實施方式中制造出的層疊陶瓷電容器的簡略性立體圖。圖10是沿著在本發(fā)明的一實施方式中制造出的層疊陶瓷電容器的長度方向及厚度方向的簡略性剖視圖。圖11是沿著在本發(fā)明的一實施方式中制造出的層疊陶瓷電容器的寬度方向及厚度方向的簡略性剖視圖。圖12是沿著在本發(fā)明的一實施方式中制造出的層疊陶瓷電容器的長度方向及寬度方向的簡略性剖視圖。圖13是用于說明對在各陶瓷生片之上設置有導電層的部分進行截斷的工序的簡略性剖視圖。圖14是內部電極的端部的示意性剖視圖。圖15是用于說明變形例中的陶瓷生片的層疊形態(tài)的示意性俯視圖。符號說明:I…層疊陶瓷電容器10…陶瓷胚體10a、IOb…主面10c、IOd…側面10e、10f …端面IOg…陶瓷層 13…第I外部電極14…第2外部電極20…陶瓷生片21…導電層22…母塊23…原始的芯片24…芯片主體24a、24b …主面24c、24d …側面24e、24f …端面25…第I內部電極26…第2內部電極27a、27b …陶瓷層28…陶瓷胚體29…陶瓷層L1、L2…切割線
具體實施例方式以下，對實施了本發(fā)明的優(yōu)選方式的一例進行說明。其中，下述的實施方式只是簡單的例示。本發(fā)明并不限于下述的實施方式。此外，在實施方式等中所參照的各附圖中，實質上具有同一功能的部件用同一參考符號來進行參照。此外，在實施方式等中所參照的附圖是示意性記載，附圖中所描繪的物體的尺寸的比率等有時會不同于實際物體的尺寸的比率等。在附圖相互之間有時物體的尺寸比率等會有所不同。具體物體的尺寸比率等應參考以下的說明來進行判斷。(第I實施方式)圖1是本實施方式中的、在表面上配置有導電層的陶瓷生片的簡略性俯視圖。圖2是用于說明本實施方式中的陶瓷生片的層疊形態(tài)的示意性俯視圖。圖3是本實施方式中的母層疊體的簡略性分解側視圖。圖4是本實施方式中的原始的芯片的簡略性立體圖。圖5是沿著本實施方式中的原始的芯片的寬度方向及厚度方向的簡略性剖視圖。圖6是沿著本實施方式中的原始的芯片的長度方向及厚度方向的簡略性剖視圖。圖7是沿著本實施方式中的原始的芯片的長度方向及寬度方向的簡略性剖視圖。圖8是本實施方式中的原始的陶瓷胚體的簡略性立體圖。在本實施方式中，參照圖1 圖8，對圖9所示的層疊陶瓷電容器I的制造方法的一例進行說明。(準備在表面上形成有導電層21的陶瓷生片20)首先，準備圖1所示的陶瓷生片20。該陶瓷生片20可通過以下方式來制作，即通過模壓涂層法、凹版涂層法、微凹版涂層法等印刷法將陶瓷膏劑印刷成薄片狀并使其干燥。用于制作陶瓷生片20中的陶瓷膏劑所包含的陶瓷粉末的種類例如可使用包含電介質陶瓷粉末的陶瓷膏劑。作為電介質陶瓷制品的具體例，例如可列舉BaTi03、CaTi03、SrT i O3、CaZrO3 等。接著，在陶瓷生片20的表面上，沿著X方向和垂直于X方向的y方向相互隔著間隔以矩陣狀形成用于構成內部電極的矩形狀的多個導電層21。由此，準備用于構成內部電極的矩形狀的多個導電層21在表面上沿著X方向及y方向相互隔著間隔配置成矩陣狀的陶瓷生片20。另外，導電層21的形成可通過絲網(wǎng)印刷法、凹版印刷法、噴墨法等各種印刷法來進行。陶瓷生片20的厚度優(yōu)選與導電層21的厚度相同或在其以上。具體而言，陶瓷生片20的厚度為燒成后的厚度，優(yōu)選為0.3iim 3iim。導電層21的燒成后的厚度優(yōu)選為0.3iim 1.5iim。若陶瓷生片20的厚度過于薄，則有時會難以處理陶瓷生片20。另一方面，若陶瓷生片20的厚度過于厚，則有時所得到的層疊陶瓷電容器I的性能(例如靜電電容)會過低。若導電層21·的厚度過于薄，則所形成的內部電極25、26的厚度過于薄，通過降低內部電極25、26的密度而得到的層疊陶瓷電容器的靜電電容會降低，從而有時性能會變低。另一方面，若導電層21的厚度過于厚，則在未設置導電層21的部分與設置有導電層21的部分之間所形成的高低差過于大，因此容易產(chǎn)生結構缺陷，有時所得到的層疊陶瓷電容器的可靠性會變低。另外，關于陶瓷生片20的燒成后的厚度、或導電層21的燒成后的厚度，通過顯微鏡觀察使所得到的層疊陶瓷電容器I從端面研磨至長度方向L上的中央部為止而得到的剖面，由此能夠測量。(母塊22的制作)接著，如圖3所示，層疊多片在表面上未形成導電層21的陶瓷生片20。之后，如圖2及圖3所示，層疊多片在表面上形成有多個導電層21的陶瓷生片20。此時，配置于作為層疊方向的z方向上相鄰的陶瓷生片20之上的導電層21分別沿著X方向及y方向各錯開半個周期。之后，如圖3所示，進一步層疊多片在表面上未形成導電層21的陶瓷生片20。由此，制作在內部具有導電層21的母塊22。另外，也可以根據(jù)需要而對母塊22實施靜液壓沖壓等各種沖壓。(原始的芯片23的制作)接著，沿著X方向及y方向截斷母塊22，由此從母塊22制作圖4 圖7所示的原始的芯片23。具體而言，在各導電層21的y方向(第2方向)上的中央處，沿著在X方向(第I方向)上延伸的多個切割線LI (參照圖2)截斷母塊22。與此同時，在各導電層21的X方向上的中央處，沿著在y方向上延伸的切割線L2進行截斷。通過進行這些切割線L1、L2上的截斷，從而將母塊22分割為多個原始的芯片23。另外，母塊22的截斷例如可通過按壓截斷刀刃的切斷、小塊切割、激光器截斷等方法來進行。其中，作為母塊22的截斷方法，優(yōu)選切斷。這是因為，母塊22的截斷所需的時間變短，此外與基于小塊切割的截斷等相比，能夠減小截斷時被去除的部分，因此能夠提高材料的利用效率。具體而言，在本實施方式中，通過使未圖示的截斷刀刃在厚度方向上移動，從而進行母塊22的截斷。如圖4 圖7所示，原始的 芯片23具有長方體狀的芯片主體24。具有一對主面24a、24b、一對側面24c、24d、和一對端面24e、24f。主面24a、24b沿著長度方向L及寬度方向W延伸。側面24c、24d沿著長度方向L及厚度方向T延伸。端面24e、24f沿著寬度方向W及厚度方向T延伸。在芯片主體24的內部配置有由導電層21形成的矩形狀的多個第I及第2內部電極25、26。多個第I內部電極25和多個第2內部電極26沿著厚度方向T相互隔著間隔交替地配置。在厚度方向T上相鄰的第I內部電極25和第2內部電極26隔著陶瓷層29對置。第I及第2內部電極25、26沿著長度方向L及寬度方向W配置。第I內部電極25露出于端面24e及側面24c。第I內部電極25未露出于端面24f及側面24d。第2內部電極26露出于端面24f及側面24d。第2內部電極26未露出于端面24e及側面24c。S卩，在端面24e及側面24c上，第I內部電極25露出而第2內部電極26并沒有露出。在側面24d及端面24f上，第2內部電極26露出而第I內部電極25并沒有露出。(陶瓷層27a、27b的形成)接著，如圖8所示，在露出了第I或第2內部電極25、26的側面24c、24d上形成陶瓷層27a、27b。由此，制作內部電極25、26僅在端面24e、24f上露出的原始的陶瓷胚體28。陶瓷層27a、27b例如也可以通過粘貼陶瓷生片來形成。此時，能夠形成厚度均勻性高的陶瓷層27a、27b。此外，陶瓷層27a、27b也可以通過涂敷陶瓷膏劑并使其干燥來形成。在粘貼陶瓷層27a、27b之前，也可在側面24c、24d上涂敷粘接劑。該被涂敷的粘接劑可通過在之后的燒成工序中被燒掉而去除。另外，優(yōu)選對原始的陶瓷胚體28適當實施滾筒研磨等而成為使棱線部或角部圓滑的形狀。(燒成)接著，通過對原始的陶瓷胚體28進行燒成，從而獲得圖9所示的具有第I及第2內部電極25、26的陶瓷胚體10。之后，通過形成第I及第2外部電極13、14，由此使層疊陶瓷電容器完成。另外，第I及第2外部電極13、14可通過利用鍍覆法、浸潰法等涂敷導電性膏劑之后進行燒成的方法等來形成。以上，在本實施方式中，說明了在燒成之后形成外部電極13、14的后燒的情況。但是，本發(fā)明并不限于此。也可以通過在向原始的陶瓷胚體涂敷導電性膏劑之后與原始的陶瓷胚體同時燒成的共燒,來形成外部電極。(層疊陶瓷電容器的構成)圖9是在本實施方式中制造出的層疊陶瓷電容器的簡略性立體圖。圖10是沿著在本實施方式中制造出的層疊陶瓷電容器的長度方向及厚度方向的簡略性剖視圖。圖11是沿著在本實施方式中制造出的層疊陶瓷電容器的寬度方向及厚度方向的簡略性剖視圖。圖12是沿著在本實施方式中制造出的層疊陶瓷電容器的長度方向及寬度方向的簡略性剖視圖。如圖9 12所示，層疊陶瓷電容器I具備長方體狀的陶瓷胚體10。陶瓷胚體10具有沿著長度方向L及寬度方向W延伸的第I及第2主面10a、10b、沿著厚度方向T及長度方向L延伸的第I及第2側面10c、10d、和沿著厚度方向T及寬度方向W延伸的第I及第2端面 IOeUOf0另外，在本發(fā)明中，“長方體狀”包括角部或棱線部為倒角狀或R倒角狀的長方體。即，“長方體狀”的部件意味著具有第I及第2主面、第I及第2側面和第I及第2端面的全部部件。此外，也可以在主面、側面、端面的一部分或全部中形成凹凸等。陶瓷胚體10的尺寸并沒有特別限定。陶瓷胚體10的高度尺寸、長度尺寸及寬度尺寸可以分別設為0.1臟 3.Ctam、0.2mm 4.Ctam、0.1臟 3.0mm左右。陶瓷胚體10由適當?shù)奶沾芍破窐嫵?。例如，可通過電介質陶瓷制品形成陶瓷胚體
10。作為電介質陶瓷制品的具體例，例如可列舉BaTi03、CaTi03、SrTi03、CaZrO3等。如圖10及圖 11所示，在陶瓷胚體10的內部，大致矩形狀的多個第I及第2內部電極25、26沿著厚度方向T等間隔地交替配置。第I及第2內部電極25、26分別與第I及第2主面10a、10b平行。第I及第2內部電極25、26在厚度方向T上隔著陶瓷層IOg而互相對置。另外，第I及第2內部電極25、26間的沿著厚度方向T的距離、即陶瓷層IOg的厚度大于第I及第2內部電極25、26各自的厚度。陶瓷層IOg的厚度優(yōu)選與第I及第2內部電極25、26各自的厚度相同或在其以上。具體而言，陶瓷層IOg的厚度優(yōu)選為0.3 ii m 3 ii m。第I及第2內部電極25、26各自的厚度優(yōu)選為0.3 y m 3.0 y m,更優(yōu)選為0.1 y m 3.0 u m。如圖10所不,第I內部電極25露出于第I端面IOe,而未露出于第I及第2主面10a、10b、第2端面IOf以及第I及第2側面10c、10d。第2內部電極26露出于第2端面IOf，而未露出于第I及第2主面10a、10b、第I端面IOe以及第I及第2側面10c、10d。如圖11及圖12所示，第I內部電極25的寬度方向W的Wl側端部25a比第2內部電極26的寬度方向W的Wl側端部26a位于更靠寬度方向W的外側(Wl側)。第I內部電極25的寬度方向W的W2側端部25b比第2內部電極26的寬度方向W的W2側端部26b位于更靠寬度方向W的內側(Wl側)。即，在沿著寬度方向W及厚度方向T的剖面中，第I及第2內部電極25、26沿著厚度方向T被交錯地配置，端部25a、25b、26a、26b的位置在寬度方向W上不同。第I及第2內部電極25、26可由適當?shù)膶щ姴牧蠘嫵?。第I及第2內部電極25、26例如可通過從由N1、Cu、Ag、Pd及Au構成的組中選出的金屬、或者包含從由N1、Cu、Ag、Pd及Au構成的組中選出的一種以上的金屬的合金(例如Ag-Pd合金等)而構成。
如圖9、圖10及圖12所示，層疊陶瓷電容器I具備第I及第2外部電極13、14。如圖10及圖12所不，I外部電極13與第I內部電極25連接。另一方面,第2外部電極14與第2內部電極26連接。第I及第2外部電極13、14可由適當?shù)膶щ姴牧蠘嫵?。此外，第I及第2外部電極13、14也可以由多個導電膜的層疊體構成。在本實施方式中，具體而言，第I及第2外部電極13、14分別具有I個或多個襯底層、和在襯底層上形成的I個或多個鍍覆層。襯底層例如可通過燒結金屬層、鍍覆層、由在熱固化性樹脂或光固化性樹脂中添加了導電性填料的導電性樹脂構成的導電性樹脂層而構成。燒結金屬層可以通過與第I及第2內部電極25、26同時燒成的共燒形成，也可以通過涂敷導電性膏劑后煅燒的后燒形成。包含于襯底層的導電材料并沒有特別限定，但作為包含于襯底層的導電材料的具體例，例如可以列舉Cu、N1、Ag、Pd、Au等金屬、Ag-Pd等的包含上述金屬中的I種以上金屬的合金等。襯底層的最大厚度例如可以設為20 ii m 100 U m。鍍覆層例如可通過Cu、N1、Sn、Ag、Pd、Au等金屬、Ag-Pd等的包含上述金屬中的I種以上金屬的合金等形成。鍍覆層每I層的最大厚度例如可以設為Iiim lOiim。另外，在襯底層與鍍覆層之間可配置應力緩和用的樹脂層。但是，如圖13所示，在通過使截斷刀刃120在層疊方向上移動由此切斷了母塊122的設置有用于構成第I內 部電極的導電層121a、和用于構成第2內部電極的導電層121b這兩個導電層的部分時，伴隨著截斷刀刃120的移動，陶瓷生片123及導電層121a、121b的截斷部附近在z方向上產(chǎn)生位移。由此，有時所形成的第I及第2電極會短路，會成為短路的原因。相對于此，在本實施方式中，如圖2所示，在導電層21的第2方向(y方向)上的中央處，在沿著第I方向(X方向)的切割線LI處截斷母塊22，并且在導電層21的X方向上的中央處，在沿著I方向的切割線L2處截斷母塊22。在切割線L1、L2處，并不是在各層都設置有導電層21。在切割線L1、L2處，在每2個陶瓷生片20上設置有導電層21。在切割線L1、L2處，僅設置有用于構成第I內部電極25的導電層21、和用于構成第2內部電極26的導電層21中的一方。由此，在本實施方式中，由于相鄰的導電層21間的距離長，因此即便在截斷母塊22時導電層21或陶瓷生片20產(chǎn)生變形，也難以與在z方向上相鄰的導電層21接觸。此外，即使假設產(chǎn)生了接觸，由于接觸后的導電層21都構成第I或第2內部電極25、26，因此也不會成為第I內部電極25與第2內部電極26之間短路的原因。因此，即使將陶瓷生片20設置得較薄，也能夠可靠地限制第I內部電極25與第2內部電極26之間的短路，因此能夠防止短路，能夠制造高容量的層疊陶瓷電容器。此外，由于能夠可靠地限制第I內部電極25與第2內部電極26之間的短路，因此能夠提高母塊22的截斷速度。因此，能夠縮短截斷母塊22所需的時間。其結果，能夠縮短制造層疊陶瓷電容器I所需的時間。此外，如本實施方式所示，通過在事后設置陶瓷層27a、27b，從而能夠使陶瓷層27a、27b的厚度較薄。因此，能夠增大第I內部電極25與第2內部電極26之間的對置面積。因此，能夠制造更高容量的層疊陶瓷電容器。此外，由于在芯片主體24的側面24c、24d未露出第I及第2內部電極25、26的一方，因此側面24c、24d中的內部電極25、26所占的面積比例小。因此，能夠提高芯片主體24與陶瓷層27a、27b之間的貼合強度。因此，水分難以侵入陶瓷胚體10內，能夠獲得具有優(yōu)越的可靠性的層疊陶瓷電容器I。從獲得具有更優(yōu)越的可靠性的層疊陶瓷電容器I的觀點出發(fā)，優(yōu)選陶瓷生片20的厚度與導電層21的厚度相同，更優(yōu)選陶瓷生片20的厚度較厚。但是，若相對于導電層21的厚度而過于增大陶瓷生片20的厚度，則陶瓷生片20變得過厚，有時無法獲得容量。因此，更優(yōu)選將陶瓷生片20的厚度設為導電層21的厚度的3.0倍以下，進一步優(yōu)選在2.0倍以下。但是，例如還可以考慮使第I內部電極的寬度方向的一側端部和第2內部電極的寬度方向的一側端部在寬度方向上的位置一致，并且使第I內部電極的寬度方向的另一側端部和第2內部電極的寬度方向的另一側端部在寬度方向上的位置一致。但是，此時，在陶瓷胚體中，設置有第I及第2內部電極這兩個電極的部分、和未設置第I及第2內部電極這兩個電極的部分會相鄰。因此，在設置有第I及第2內部電極這兩個電極的部分、和未設置第I及第2內部電極這兩個電極的部分之間的邊界區(qū)域中，會產(chǎn)生大的厚度差。因此，電場容易集中于設置有第I及第2內部電極這兩個電極的部分、和未設置第I及第2內部電極這兩個電極的部分之間的邊界區(qū)域中。此外，在陶瓷胚體的內部容易產(chǎn)生結構缺陷，其結果水分容易侵入到陶瓷胚體的內部。因此，有時層疊陶瓷電容器的可靠性會變低。相對于此，在本實施方式中，在設置有第I及第2內部電極25、26這兩個電極的區(qū)域、和未設置第I及第2內部電極25、26這兩個電極的區(qū)域之間，配置設置了第I及第2內部電極25、26中的一方的區(qū)域。 因此，可抑制快速的厚度變化。因此，能夠抑制電場集中，并且能夠抑制結構缺陷的產(chǎn)生，還能夠抑制水分的侵入。其結果，能夠獲得更優(yōu)越的可靠性。另外，如圖14所示，未被截斷的第I內部電極25的端部25b比其他部分厚。同樣地，未被截斷的第2內部電極26的端部26a比其他部分厚。因此，若多個第I內部電極25各自的端部25b在厚度方向T上重疊地層疊，則各個端部的厚度會累積，其結果在端部與其他部分之間產(chǎn)生大的高低差，在陶瓷胚體10內容易產(chǎn)生結構缺陷。因此，優(yōu)選多個第I內部電極25各自的端部25b在寬度方向W上的位置被錯開。同樣地,優(yōu)選多個第2內部電極26各自的端部26a在寬度方向W上的位置被錯開。另外，在上述實施方式中，對在芯片的側面設置陶瓷層的例子進行了說明，但是也可以代替陶瓷層而設置樹脂層或玻璃層等絕緣層。(變形例)圖15是用于說明變形例中的陶瓷生片的層疊形態(tài)的示意性俯視圖。如圖15所示，也可以在一個陶瓷生片20上僅設置一個導電層21。此時，只要使在層疊方向上相鄰的導電層21在X方向及y方向這兩個方向上錯開即可，錯開量并沒有特別限定。以下，關于本發(fā)明，基于具體的實施例進一步進行詳細說明，但是本發(fā)明并不限于以下的實施例，在不變更其宗旨的范圍內可適當變更并實施。(實施例)利用在上述實施方式中說明過的方法在以下各條件下制作1000個上述實施方式所涉及的層疊陶瓷電容器I。陶瓷胚體10的長度方向尺寸:10mm陶瓷胚體10的長度方向尺寸:5mm內部電極25、26的厚度(在剖面處通過熒光X線測量出的值):0.3相鄰的導電層21間的間隔:20iim陶瓷生片20的層疊片數(shù):500片陶瓷生片20的燒成后的厚度:1.5iim、0.7iim或0.5iim之后，針對從制作出的1000個樣品中隨機提取出的100個樣品的每一個，通過測量第I外部電極13與第2外部電極14之間的絕緣電阻來檢查有無第I及第2內部電極25,26間的短路，從而求出了短路發(fā)生率。在下述的表I中示出結果。(比較例I)除了按照導電層21在層疊方向上重疊的方式層疊陶瓷生片20以外，與上述實施例同樣地制作了 1000個層疊陶瓷電容器。之后，與實施例同樣地，針對從制作出的1000個樣品中隨機提取出的100個樣品的每一個，檢查有無第I及第2內部電極間的短路，從而求出了短路發(fā)生率。在下述的表I中示出結果。

(比較例2)除了通過小塊切割進行母塊的截斷以外，與比較例I同樣地制作了 1000個層疊陶瓷電容器。之后，與實施例同樣地，針對從制作出的1000個樣品中隨機提取出的100個樣品的每一個，檢查有無第I及第2內部電極間的短路，從而求出了短路發(fā)生率。在下述的表I中不出結果。[表 I]
權利要求
1.一種層疊陶瓷電容器的制造方法，具備: 準備在表面上形成有沿著第I方向及垂直于所述第I方向的第2方向的矩形狀的導電層的陶瓷生片的工序； 按照使相鄰的所述陶瓷生片的所述導電層分別沿著所述第I及第2方向錯開的方式層疊多個所述陶瓷生片來制作母塊的工序；和 將所述母塊，在層疊方向上相鄰的所述導電層的一方所位于而另一方所不位于的部分沿著所述第I方向進行截斷，并且在層疊方向上相鄰的所述導電層的另一方所位于而一方所不位于的部分沿著所述第2方向進行截斷，從而制作具有由在所述層疊方向上相鄰的所述導電層的一方形成的第I內部電極露出而由在所述層疊方向上相鄰的所述導電層的另一方形成的第2內部電極未露出的第I端面及第I側面、和所述第2內部電極露出而所述第I內部電極未露出的第2端面及第2側面的長方體狀的芯片的工序。
2.根據(jù)權利要求1所述的層疊陶瓷電容器的制造方法，其中， 在所述芯片的所述第I及第2側面上形成了絕緣層之后進行燒成。
3.根據(jù)權利要求2所述的層疊陶瓷電容器的制造方法，其中， 形成陶瓷層作為所述絕緣層。
4.根據(jù)權利要求3所述的層疊陶瓷電容器的制造方法，其中， 通過粘貼陶瓷生片來形成所述陶瓷層。
5.根據(jù)權利要求3所述的層疊陶瓷電容器的制造方法，其中， 通過涂敷陶瓷膏劑來形成所述陶瓷層。
6.根據(jù)權利要求1 5中任一項所述的層疊陶瓷電容器的制造方法，其中， 通過切斷來進行所述母塊的截斷。
7.根據(jù)權利要求1 6中任一項所述的層疊陶瓷電容器的制造方法，其中， 使所述陶瓷生片的厚度大于所述導電層的厚度。
8.—種層疊陶瓷電容器，具備: 長方體狀的陶瓷胚體，具有沿著長度方向及寬度方向延伸的第I及第2主面、沿著長度方向及厚度方向延伸的第I及第2側面、和沿著寬度方向及厚度方向延伸的第I及第2端面；和 多個第I及第2內部電極，在所述陶瓷胚體的內部沿著厚度方向相互隔著間隔而配置， 所述第I內部電極露出于所述第I端面而未露出于所述第2端面， 所述第2內部電極露出于所述第2端面而未露出于所述第I端面， 所述第I內部電極的寬度方向的一側中的端部比所述第2內部電極的寬度方向的一側中的端部位于更靠寬度方向上的外側，而所述第I內部電極的寬度方向的另一側中的端部比所述第2內部電極的寬度方向的另一側中的端部位于更靠寬度方向上的內側，端部的厚度比端部以外的厚度更厚。
9.根據(jù)權利要求 8所述的層疊陶瓷電容器，其中 所述第I及第2內部電極間的距離為所述第I及第2內部電極各自的厚度以上。
全文摘要
本發(fā)明能夠提供一種層疊陶瓷電容器的制造方法及層疊陶瓷電容器。在層疊方向(z)上相鄰的導電層(21)的一方所位于而另一方所不位于的部分沿著第1方向進行截斷，并且在層疊方向(z)上相鄰的導電層(21)的另一方所位于而一方所不位于的部分沿著第2方向進行截斷，從而制作具有由在層疊方向(z)上相鄰的導電層(21)的一方形成的第1內部電極(25)露出而由在層疊方向(z)上相鄰的導電層(21)的另一方形成的第2內部電極(26)未露出的第1端面(24e)及第1側面(24c)、和第2內部電極(26)露出而第1內部電極(25)未露出的第2端面(24f)及第2側面(24d)的長方體狀的芯片(23)。從而，可制造小型且高容量的層疊陶瓷電容器。
文檔編號H01G4/30GK103247441SQ20131004133
公開日2013年8月14日 申請日期2013年2月1日 優(yōu)先權日2012年2月13日
發(fā)明者田中淳也, 濱田大介 申請人:株式會社村田制作所